1.一种光刻胶清洗剂，其特征在于，包括有机溶剂及腐蚀抑制剂；
所述有机溶剂含有二甲基苯甲醇、聚氧化丙烯三醇及壬基聚氧乙烯醚；
所述腐蚀抑制剂含有氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。
2.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述光刻清洗剂的各组分的重量百分比分别为：二甲基苯甲醇1～3％，聚氧化丙烯三醇0.1～0.5％，壬基聚氧乙烯醚4～8％，对氨基苯甲酸甲酯1～5％，儿茶酚1～5％，余量为水。
3.根据权利要求2所述的光刻胶清洗剂，其特征在于，所述光刻清洗剂的各组分的重量百分比分别为：二甲基苯甲醇2％，聚氧化丙烯三醇0.3％，壬基聚氧乙烯醚6％，对氨基苯甲酸甲酯3％，儿茶酚3％，余量为水。
4.一种半导体基板上光刻胶的清洗方法，其特征在于，包括步骤：
s1，用权利要求1至3任一项所述的光刻胶清洗剂对待清洗的半导体基板进行清洗。
5.根据权利要求4所述的半导体基板上光刻胶的清洗方法，其特征在于，在用所述光刻胶清洗剂清洗所述半导体基板时，清洗温度为60-80℃，清洗时间为1-3小时。
6.根据权利要求4所述的半导体基板上光刻胶的清洗方法，其特征在于，在所述步骤s1之后，还包括：
s2，对清洗剂清洗后的所述半导体基板进行刷洗；
s3，将所述半导体基板放入去离子水中并进行超声波震动清洗，之后烘干。
7.根据权利要求6所述的半导体基板上光刻胶的清洗方法，其特征在于，在所述步骤s3中，超声波频率为18～22khz，去离子水的清洗温度为30～40℃，清洗时间为15～25min，并采用45～55℃的热风进行烘干，烘干时间为8～12分钟。
8.根据权利要求4至7任一项所述的半导体基板上光刻胶的清洗方法，其特征在于，在所述步骤s3之后，还包括：
s4，将所述半导体基板放入乙醇中并进行超声波震动清洗，之后烘干。
9.根据权利要求8所述的半导体基板上光刻胶的清洗方法，其特征在于，在所述步骤s4中，超声波频率为10～15khz，乙醇的清洗温度为19～21℃，清洗时间为15～25min，并采用45～55℃的热风进行烘干，烘干时间为1～3分钟。