掩模版清洁装置的制作方法

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩模版清洁装置。

背景技术：

在集成电路制造过程中，光刻工艺根据电路设计图在半导体晶圆上定义集成电路的图案。通常，首先根据电路设计图制作掩模版，即在掩模版原片(Blank)上刻写形成电路图案，然后在半导体晶圆表面覆盖光刻胶层，接着在具有电路图案的掩模版的遮挡下对半导体晶圆进行曝光，再经过显影，掩模版中的电路图案被转移至光刻胶层，于是，半导体晶圆表面形成了暴露的区域和被光刻胶覆盖的区域。上述光刻工艺完成后，将半导体晶圆传送到后续工艺阶段，进行后续的加工，例如刻蚀、氧化、扩散等。

由于最后形成的所有电路元器件均是根据掩模版图案制作的，因此，光刻工艺为集成电路制造过程中的关键步骤，其中，掩模版用于在半导体晶圆上形成电路图案，如果掩模版的质量较差会直接导致光刻工艺的质量不符合要求，例如掩模版表面颗粒物的存在，会导致光刻质量下降，从而严重影响半导体晶圆加工的良率。

为了避免这一问题，现有光刻工艺中使用的掩模版在曝光前和曝光后，工作人员都会将其放入曝光机进行在线缺陷的检查。曝光机中的检测系统对掩模版的正方两面分别进行扫描，一旦发现颗粒物，会记录下颗粒物在掩模版表面的位置坐标并发出警报。工作人员看到警报后会将掩模版退出曝光机，并将其转移至掩模版移载机上，根据记录的颗粒物坐标位置采用人工肉眼寻找的方式在掩模版上找到颗粒物并去除，然后再次将掩模版放回曝光机，再次进行颗粒物检测，如此往复，直至掩模版上颗粒物全部清除。这种清除掩模版上颗粒物的方式，由于需要掩模版多次载入、载出曝光机，且需要人工手动寻找、去除颗粒物，操作相当繁琐，严重降低了掩模版的清洁效率；而且，掩模版多次载入、载出曝光机的过程中，外界环境或者曝光机内部的颗粒物也容易掉落至掩模版表面，造成二次污染。

因此，如何高效、快捷的清除掩模版上的颗粒物，是目前亟待解决的技术问题。

技术实现要素：

本实用新型提供一种掩模版清洁装置，用于解决现有掩模版上颗粒物清除效率低、操作繁琐的问题，以提高光刻工艺的效率。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种掩模版清洁装置，包括用于检测掩模版上颗粒物坐标的曝光机，还包括用于容纳所述掩模版的密闭腔室、以及位于所述密闭腔室内的吹扫组件；所述吹扫组件连接所述曝光机，用于获取所述掩模版上颗粒物的坐标，并根据所述坐标对所述掩膜版进行吹扫，以清除所述掩模版上的颗粒物。

优选的，所述吹扫组件包括控制器和至少一氮气枪；所述控制器连接所述曝光机与所述氮气枪，用于获取所述掩膜版上颗粒物的坐标，并控制所述氮气枪朝向所述坐标处喷射氮气。

优选的，所述氮气枪喷射氮气的方向与所述掩模版所在平面的夹角为45度。

优选的，所述密闭腔室内还包括用于承载所述掩模版的承载台；至少一氮气枪包括多个氮气枪，且多个氮气枪关于所述承载台的轴向对称设置。

优选的，所述曝光机还用于检测所述颗粒物的粒径；所述控制器用于获取所述颗粒物的粒径，并根据所述粒径调整所述氮气枪喷射氮气的流速。

优选的，所述密闭腔室的相对两端分别具有第一开口和第二开口，第一气体经所述第一开口进入所述密闭腔室，以将所述密闭腔室内的所述颗粒物自所述第二开口排出。

优选的，所述第一气体为氮气。

优选的，所述密闭腔室的端部具有一第三开口，所述掩模版经所述第三开口进出所述密闭腔室。

优选的，还包括位于所述第三开口处的传感器和挡板；所述传感器用于检测所述掩模版是否进入所述密闭腔室，若是，则驱动所述挡板封闭所述第三开口。

本实用新型提供的掩模版清洁装置，通过设置密闭腔室和吹扫组件，并根据曝光机检测到的颗粒物坐标，自动对掩模版进行清洁，避免了人工清洁方式的繁琐操作，提高了掩模版的清洁效率；且由于整个清洁过程是在密闭腔室内进行的，避免了外界环境对掩模版的二次污染，从而进一步改善了掩模版的清洁效果。

附图说明

附图1是本实用新型具体实施方式中掩模版清洁装置的结构示意图；

附图2是本实用新型具体实施方式中掩模版清洁装置的结构框图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型提供的掩模版清洁装置的具体实施方式做详细说明。

本具体实施方式提供了一种掩模版清洁装置，附图1是本实用新型具体实施方式中掩模版清洁装置的结构示意图，附图2是本实用新型具体实施方式中掩模版清洁装置的结构框图。

如图1、图2所示，本具体实施方式提供的掩模版清洁装置，包括用于检测掩模版13上颗粒物坐标的曝光机23，还包括用于容纳所述掩模版13的密闭腔室11、以及位于所述密闭腔室11内的吹扫组件21；所述吹扫组件21，连接所述曝光机23，用于获取所述掩模版13上颗粒物的坐标，并根据所述坐标对所述掩膜版13进行吹扫，以清除所述掩模版13上的颗粒物。其中，所述曝光机23获取所述掩模版13上颗粒物坐标的具体方式，与现有的在线缺陷检测方法相同，例如光学扫描的方式，在此不再赘述。

具体来说，当所述掩模版13于所述曝光机23内进行缺陷检查，并确定所述掩模版13上颗粒物的坐标后，将所述掩模版13转移至所述密闭腔室11内，所述吹扫组件21根据所述曝光机13提供的所述颗粒物坐标，即可调整所述吹扫组件21的吹扫方向，进而有针对性的对所述掩模版13进行气体吹扫，实现自动化、智能化的清除所述掩模版13上的颗粒物。

优选的，所述密闭腔室11连接于所述曝光机23的端部。使得所述掩模版13在所述曝光机23内完成缺陷检查之后，能够直接传递至所述密闭腔室11，以减少中间传递环节对所述掩模版13的二次污染，并进一步提高所述掩模版13上颗粒物清除的效率。其中，所述掩模版13可以通过机械手臂或者轨道传输至所述密闭腔室11。

为了简化所述掩模版清洁装置的整体结构，优选的，所述吹扫组件21包括控制器22和至少一氮气枪12；所述控制器22连接所述曝光机23与所述氮气枪12，用于获取所述掩膜版13上颗粒物的坐标，并控制所述氮气枪12朝向所述坐标处喷射氮气。

举例来说，所述控制器22从所述曝光机23获取所述颗粒物在所述掩模版13上的坐标后，驱动所述氮气枪12移动至与所述坐标位置对应的斜上方或者调整所述氮气枪12喷头的方向，使得所述氮气枪12朝向所述坐标位置喷射氮气，以将所述颗粒物自所述掩模版13表面清除。

为了进一步提高所述掩模版13表面颗粒物清除的效率，优选的，所述氮气枪12喷射氮气的方向与所述掩模版13所在平面的夹角为30度-60度，更优选为45度。

为了进一步提高所述掩模版13表面颗粒物清除的效率，优选的，所述密闭腔室11内还包括用于承载所述掩模版13的承载台19；至少一氮气枪12包括多个氮气枪12，且多个氮气枪12关于所述承载台19的轴向对称设置。通过设置多个氮气枪12，可以同时对所述掩模版13上的多个颗粒物进行清除，从而进一步提高了掩模版13的清洁效率。

优选的，所述曝光机23还用于检测所述颗粒物的粒径；所述控制器22，用于获取所述颗粒物的粒径，并根据所述粒径调整所述氮气枪12喷射氮气的流速。具体来说，当所述颗粒物的粒径大于第一预设值时，则采用第一流速喷射氮气；当所述颗粒物的粒径大于第二预设值且小于第一预设值时，则采用第二流速喷射氮气，所述第二流速小于第一流速；当所述颗粒物的粒径小于第二预设值时，则采用第三流速喷射氮气，所述第三流速小于第二流速。这样，在有效清除颗粒物的同时，可能够进一步节省能耗。

优选的，所述密闭腔室11的相对两端分别具有第一开口14和第二开口15，第一气体经所述第一开口14进入所述密闭腔室11，以将所述密闭腔室11内的所述颗粒物自所述第二开口15排出。更优选的，所述第一气体为氮气。

具体来说，通过自所述第一开口14持续向所述密闭腔室11传输所述第一气体，一方面可以清除所述密闭腔室11内部环境中的颗粒物，避免对所述掩模版13造成二次污染；另一方面，也可以将自所述掩模版13表面吹扫出的颗粒物直接自所述第二开口15排出所述密闭腔室11，避免残留于所述密闭腔室11。

优选的，所述密闭腔室11的端部具有一第三开口16，所述掩模版13经所述第三开口16进出所述密闭腔室。更优选的，所述掩模版清洁装置还包括位于所述第三开口16处的传感器17和挡板18；所述传感器17，用于检测所述掩模版13是否进入所述密闭腔室11，若是，则驱动所述挡板18封闭所述第三开口16。

具体来说，所述传感器17在检测到所述掩模版13转移至所述密闭腔室11内部后，即可控制所述挡板18封闭所述第三开口16，以避免外界环境中的颗粒物进入所述密闭腔室11，对所述掩模版13造成污染。

本具体实施方式提供的掩模版清洁装置，通过设置密闭腔室和吹扫组件，并根据曝光机检测到的颗粒物坐标，自动对掩模版进行清洁，避免了人工清洁方式的繁琐操作，提高了掩模版的清洁效率；且由于整个清洁过程是在密闭腔室内进行的，避免了外界环境对掩模版的二次污染，从而进一步改善了掩模版的清洁效果。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。