产生电磁辐射的机台及方法与流程

本发明实施例是有关产生电磁辐射的机台及方法。
背景技术：
：极紫外(euv)光为例如具有低于约100纳米或更小的波长范围的电磁辐射。euv光已于光刻操作中用作曝光光源以制造极小构件。可通过用激光束照射目标材料而连同等离子体一起形成euv光，且接着通过光学装置收集所产生的euv光并将其传输到曝光系统。然而，在产生等离子体及euv光期间，目标材料的碎屑及等离子体副产物(例如目标材料的离子)趋于沉积于光学装置上，借此损害光学装置且使其光学性能劣化。技术实现要素：本发明的一实施例涉及一种用于产生电磁辐射的方法，其包含：将目标材料引入于腔室中；将光束照射于所述腔室中的所述目标材料上以产生等离子体及电磁辐射；用光学装置收集所述电磁辐射；及将气体混合物引入于所述腔室中，其中所述气体混合物包含与所述目标材料起反应的第一缓冲气体，及用于减缓所述目标材料的碎屑及/或等离子体副产物以增加所述目标材料与所述第一缓冲气体的反应效率且减少所述目标材料的所述碎屑及/或所述等离子体副产物在所述光学装置上的沉积的第二缓冲气体。本发明的一实施例涉及一种机台，其包含：腔室；目标材料供应器，其连接到所述腔室且经配置以将目标材料供应到所述腔室；光源系统，其经配置以将光束发射于所述腔室中的所述目标材料上以产生等离子体及电磁辐射；光学装置，其在所述腔室中且经配置以收集所述电磁辐射；及缓冲气体供应器，其连接到所述腔室且经配置以将气体混合物引入到所述腔室，其中所述气体混合物包含与所述目标材料起反应的第一缓冲气体及经配置以减缓所述目标材料的碎屑及/或等离子体副产物的第二缓冲气体。本发明的一实施例涉及一种机台，其包含：腔室；目标材料供应器，其经配置以将目标材料供应到所述腔室；光源系统，其经配置以将光束发射于所述腔室中的所述目标材料上以产生等离子体及电磁辐射；光学装置，其在所述腔室中且经配置以收集所述电磁辐射，其中所述光学装置包括孔隙；及缓冲气体供应器，其连接到所述腔室且经配置以透过所述光学装置的所述孔隙吹动气体混合物，其中所述气体混合物包含与所述目标材料起反应的第一缓冲气体及具有大于所述目标材料的分子质量的分子质量以将所述目标材料的碎屑及/或等离子体副产物向下带离所述光学装置的第二缓冲气体。附图说明在结合附图阅读时，从以下[实施方式]最优选理解本揭露的实施例的方面。应注意，根据工业中的标准实践，各种结构未按比例绘制。事实上，为清楚论述，各种结构的尺寸可任意增大或减小。图1为绘示根据本揭露的一或多个实施例的各种方面的用于产生电磁辐射的方法的流程图。图2为绘示根据本揭露的一些实施例的机台的示意图。图2a为根据本揭露的一些实施例的光学装置的示意性俯视图。图2b为根据本揭露的一些实施例的光学装置的示意性剖面图。图3为根据本揭露的一些实施例的光学装置的示意性俯视图。图4展示根据本揭露的一些实施例的由光束激发的euv光谱。图5为绘示根据本揭露的一些实施例的机台的示意图。具体实施方式以下揭露提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述元件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且并不打算为限制性的。例如，在以下描述中，第一构件形成于第二构件上方或上可包括其中第一构件及第二构件形成为直接接触的实施例，且还可包括其中额外构件可形成于第一构件与第二构件之间使得第一构件及第二构件可未直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简单及清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。此外，为便于描述，可在本文中使用例如“下面”、“下方”、“下”、“上面”、“上方”、“上”、“在…上”及类似者的空间相对术语来描述一个元件或构件与另一(些)元件或构件的关系，如图中绘示。除图中描绘的定向之外，空间相对术语还打算涵盖装置在使用或操作中的不同定向。机台可以其它方式定向(旋转90度或成其它定向)且因此可同样解释本文中使用的空间相对描述符。如本文中使用，例如“第一”、“第二”及“第三”的术语描述各种元件、组件、区、层及/或区段，这些元件、组件、区、层及/或区段不应受这些术语的限制。这些术语仅可用于区分一个元件、组件、区、层或区段与另一元件、组件、区、层或区段。例如“第一”、“第二”及“第三”的术语在本文中使用时并不意指序列或顺序，除非内容背景清楚指示。如本文中使用，术语“近似”、“大体上”、“实质”及“约”用于描述且解释较小变动。当结合事件或境况使用时，所述术语可指代其中确切地发生所述事件或境况的例子以及其中近似发生所述事件或境况的例子。例如，当结合数值使用时，所述术语可指代小于或等于所述数值的±10％(例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％)的变动范围。例如，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的±10％(例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％)，那么所述值可被视为“大体上”相同或相等的。例如，“大体上”平行可指代相对于0°小于或等于±10°(例如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°)的角度变动范围。例如，“大体上”垂直可指代相对于90°小于或等于±10°(例如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°)的角度变动范围。当前揭露中描述的先进光刻工艺、方法及材料可用于许多应用中，包括鳍片型场效晶体管(finfet)。例如，鳍片可经图案化以产生构件之间的相对紧密的间距，上文揭露非常适于所述间距。另外，可根据上文揭露处理在形成finfet的鳍片时使用的间隔件。在本揭露的一或多个实施例中，提供一种用于产生电磁辐射(例如euv光)的方法及机台。方法包括在产生euv光的操作期间将气体混合物引入到腔室中。气体混合物包括第一缓冲气体及第二缓冲气体。第一缓冲气体经配置以与目标材料反应以形成气态产物，气态产物可从腔室排出以减少碎屑在光学装置上及/或腔室的内壁上的沉积。第二缓冲气体具有大于第一缓冲气体的分子质量、气体密度及粘度的分子质量、气体密度及粘度，且经配置以帮助减缓目标材料的碎屑及/或等离子体副产物以增加目标材料与第一缓冲气体的反应效率且减少目标材料及/或等离子体副产物的沉积。第二缓冲气体还可经激发以发射euv光，且因此还可帮助增加euv光的量。图1为绘示根据本揭露的一或多个实施例的各种方面的用于产生电磁辐射的方法的流程图。方法100以操作110开始，其中将目标材料引入于腔室中。方法100继续进行操作120，其中将光束照射于腔室中的目标材料上以产生等离子体及电磁辐射。方法100继续进行操作130，其中用光学装置收集电磁辐射。方法100继续进行操作140，其中将气体混合物引入于腔室中。气体混合物包括与目标材料起反应的第一缓冲气体，及用于减缓目标材料的碎屑及/或等离子体副产物以增加目标材料与第一缓冲气体的反应效率且减轻目标材料的碎屑及/或等离子体副产物在光学装置上的沉积的第二缓冲气体。方法100仅为一实例，且并不打算限制超出在权利要求书中明确叙述的内容的本揭露。可在方法100之前、期间及之后提供额外操作，且可针对方法的额外实施例替换、消除或移动所描述的一些操作。图2为绘示根据本揭露的一些实施例的机台的示意图。如图2中展示，用于产生电磁辐射16的机台1包括腔室10、目标材料供应器20、光源系统30、光学装置40及缓冲气体供应器50。在一些实施例中，机台1经设计以产生电磁辐射16，例如极紫外(euv)光(还称为软x射线)，其具有小于约100纳米(但不必限于此)的波长范围。通过实例，可产生具有约13.5nm的波长的euv光。在操作期间，腔室10可维持在低压状态或真空状态。目标材料供应器20经连接到腔室10且经配置以将目标材料22供应到腔室10。可基于待产生的euv光的波长选择目标材料22。例如，目标材料22可包括锡，且可产生具有约13.5nm的波长的euv光。在一些其它实施例中，可选择锂或其它适合目标材料来产生具有不同波长的euv光。目标材料22可以微滴、流式传输(stream)、簇团(cluster)或类似者的形式引入到腔室10。光源系统30经配置以将光束l发射于目标材料22上。目标材料22可由光束l激发且被转换为等离子体状态，同时产生在euv波长范围内的电磁辐射16。在一些实施例中，光束l可包括脉冲光。在一些实施例中，光源系统30可包括经配置以发射激光束的激光源系统30。激光束可包括(例如)co2激光或类似者。co2激光的波长可在中间红外波长范围内，例如，在约9微米到约11微米的范围内。co2激光可在一些目标材料(例如锡)上产生相对较高转换效率。在对从等离子体发射的离子进行去激发及再结合期间，产生电磁辐射16。光学装置40安置于腔室10中且经配置以收集电磁辐射16。在一些实施例中，光学装置40可收集电磁辐射16，且将其引导朝向光刻机台中的曝光光源系统。在一些实施例中，光学装置40可包括反射镜，其可反射电磁辐射16，且将电磁辐射16聚焦到焦点。通过实例，光学装置40可包括能够反射在指定波长范围内的euv光的多层镜(mlm)。在一些实施例中，缓冲气体供应器50包括经连接到腔室10的第一侧101的出气口54，且气体混合物52从第一侧101引入到腔室10。光源系统30可安置于腔室10的第一侧101上，且光束l可从第一侧101发射到腔室10。在一些实施例中，光学装置40安置于腔室10的第一侧101附近，且光束l可透过光学装置40的孔隙42发射到腔室10。缓冲气体供应器50的出气口54与光学装置40的孔隙42连通，且气体混合物52透过光学装置40的孔隙42被吹到腔室10。在一些实施例中，目标材料供应器20经连接到腔室10的第二侧102，且经配置以将目标材料22从第二侧102供应到腔室10。如图2中展示，目标材料供应器20可将目标材料22从第二侧102供应到腔室10中的照射区14，同时光源系统30可将光束l从第一侧101发射到照射区14。在照射区14中，目标材料22由光束l激发而产生等离子体及euv光。除产生电磁辐射16(例如euv光)之外，非所要等离子体副产物也出现在腔室10中。例如，等离子体副产物(例如目标材料蒸气)可包括在产生euv光时目标材料22的中性原子及离子。再者，目标材料22的碎屑(即，未由光束l激发的目标材料22)也将在产生euv光时出现在腔室10中。在产生euv光时，目标材料22的碎屑、原子及离子趋于朝向光学装置40行进且将沉积在光学装置40或腔室的内壁上。沉积在光学装置40上的目标材料22的碎屑、原子及离子使光学性能(例如光学装置40的反射率)劣化，且可能损害光学装置40。特别地，具有比目标材料22的原子高的速度及动能的目标材料22的离子将使光学装置40的光学性能严重劣化，借此降低euv光产生的效率。在一些实施例中，机台1可进一步包括连接到腔室10且经配置以捕集剩余目标材料22的目标材料捕集器24。目标材料捕集器24可例如连接到与第一侧101(其中安置目标材料供应器20)相对的第三侧103以捕集剩余目标材料22。鉴于因等离子体副产物及目标材料22的碎屑引起的问题，将缓冲气体供应器50并入于腔室10中。缓冲气体供应器50连接到腔室10且经配置以将气体混合物52引入到腔室10。气体混合物52可包括与目标材料22起反应的第一缓冲气体，及经配置以减缓目标材料22的碎屑及/或等离子体副产物的第二缓冲气体。第一缓冲气体可与目标材料22的碎屑反应且产生气态产物。气态产物可容易透过或多个排气口58从腔室10排出，且因此可减少目标材料22的碎屑。在一些实施例中，可使用泵(未展示)来将气态产物泵抽出腔室10。在一些实施例中，目标材料22包括锡(sn)，且第一缓冲气体包括氢气(h2)。氢气能够与锡反应而形成气态氢化锡(snh4)。气态氢化锡可通过例如泵从腔室10排出，使得锡碎屑的量可得以减少。参考表1。表1列出在根据本揭露的一些实施例产生euv光期间的锡的中性原子及离子的速度及动能。表1等离子体副产物速度(km/s)动能(kev)离子10-1000.06-6中性原子6-400.015-1如表1中列出，锡的中性原子及离子在腔室10中具有高速度及动能。在此高速度下，第一缓冲气体与目标材料22的中性原子/离子的反应是低效的。将第二缓冲气体引入于腔室10中以减缓目标材料12的碎屑及/或等离子体副产物。在一些实施例中，第二缓冲气体的分子质量大于第一缓冲气体的分子质量以产生大于第一缓冲气体的拖曳力。在一些实施例中，第二缓冲气体的气体密度大于第一缓冲气体的气体密度。在一些实施例中，第二缓冲气体的粘度大于第一缓冲气体的粘度。第二缓冲气体可包括惰性气体，其不与目标材料22反应。通过实例，第二缓冲气体可包括氙气、氩气、氪气、氖气或其组合。参考表2。表2列出根据本揭露的一些实施例的第一缓冲气体(氢气)、目标材料(锡)及第二缓冲气体(氙气)的分子质量、气体密度及粘度。表2分子质量在stp下的气体密度(g/l)绝对粘度h22.010.0890.88(10-5pa.s，在20℃下)sn118.715.299-xe131.295.8942.28(10-5pa.s，在20℃下)ar39.951.7832.23(10-5pa.s，在20℃下)ne20.180.903.13(10-5pa.s，在20℃下)kr83.803.7492.53(10-5pa.s，在25℃下)如表2中展示，惰性气体(例如氙气(xe)、氩气(ar)、氪气(kr)或氖气(ne))具有大于氢气(h2)的分子质量，且因此在碰撞锡时具有高于氢气的动量。上述惰性气体的较大分子质量还产生大于氢气的拖曳力。因此，惰性气体(例如氙气)具有比氢气更优选的对锡的阻挡效应。惰性气体(例如氙气)具有大于氢气的气体密度，且因此氙气与锡之间的碰撞可能性更高。再者，惰性气体(例如氙气)具有大于氢气(h2)的粘度，且因此在减缓锡方面比氢气更有效。可通过曳力方程获得流体中的对象的理论拖曳力：fd＝1/2ρνcda，其中fd是拖曳力；p是流体的密度；ν是对象相对于流体的速度；cd是曳力系数；及a是剖面面积。如表2中展示，由于第二缓冲气体的气体密度大于第一缓冲气体的气体密度，故与第一缓冲气体相比，第二缓冲气体可提供对目标材料22的较大拖曳力。例如，由氙气提供的拖曳力为由氢气提供的拖曳力的约66.2倍。因此，第二缓冲气体可帮助在产生euv光期间减缓锡的高速且高能量离子及原子。因此，氢气可与锡更有效率地反应，且锡的碎屑及/或锡的中性原子及离子在光学装置上的沉积可减少。在一些实施例中，第二缓冲气体可进一步帮助将锡的碎屑及/或锡的中性原子及离子带离光学装置40(如通过箭头a展示)，使得锡的碎屑及/或锡的中性原子及离子在光学装置上的沉积可减少。参考图2、2a及2b。图2a为根据本揭露的一些实施例的光学装置的示意性俯视图，且图2b为根据本揭露的一些实施例的光学装置的示意性剖面图。如图2、2a及2b中展示，光学装置40可包括反射镜，其可反射电磁辐射16且将电磁辐射16聚焦到焦点。通过实例，光学装置40可包括能够反射在指定波长范围内的euv光的多层镜(mlm)。在一些实施例中，光学装置40可包括具有第一子孔隙421及第二子孔隙422的孔隙42。第一子孔隙421可安置于反射镜的原点处，且光束l可透过第一子孔隙421发射到腔室10而激发目标材料22。第二子孔隙422可安置成相邻于第一子孔隙421，且气体混合物52可透过第二子孔隙422被引入到腔室10中。在一些实施例中，第二子孔隙422可具有环绕第一子孔隙421的环形形状，使得气体混合物52可更均匀地被引入到腔室10中。在一些实施例中，第一子孔隙421及第二子孔隙422可通过挡板44分开。在一些其它实施例中，第一子孔隙421及第二子孔隙422可经彼此连接。挡板44可经配置以引导气体混合物52的流，以增加延缓目标材料的碎屑及/或等离子体副产物的能力。例如，挡板44可包括向外延伸的倾斜边缘，使得气体混合物52的流可被引导向外。在一些实施例中，气体混合物52可提供光学装置40上方的气体幕，而防止目标材料的碎屑及/或等离子体副产物落在光学装置40的表面上。挡板44还可经配置以减小第二子孔隙422的剖面面积，以增加气体混合物52进入腔室10时的速度。参考图3。图3为根据本揭露的一些实施例的光学装置的示意性俯视图。如图3中展示，在一些其它实施例中，光学装置40可包括具有第一子孔隙421、第二子孔隙422及第三子孔隙423的孔隙42。第一子孔隙421、第二子孔隙422及第三子孔隙423可经配置以分别容许光束及不同气体通过。在一些实施例中，光束l可透过第一子孔隙421发射到腔室10。第二子孔隙422及第三子孔隙423可布置成在径向方向上相邻于第一子孔隙421，且经配置以引入不同气体。通过实例，第一缓冲气体可透过第二子孔隙422引入，且第二缓冲气体可透过第三子孔隙423引入，或反之亦然。参考图4。图4展示根据本揭露的一些实施例的由光束激发的euv光谱。如图4中展示，锡可被用作目标材料，且由光束(例如co2激光束)激发以产生具有约13.5nm的波长的euv光。可将具有约13.5nm的波长的euv光递送到光刻机台中的曝光光源。在一些实施例中，氙气被用作缓冲气体，且经引入以减缓目标材料的碎屑及/或等离子体副产物。然而，氙气也可由光束激发以产生euv光。由氙气产生的euv光可具有具两个峰值的波长范围，其中峰值的一者具有约13.5nm的波长。因此，将氙气用作缓冲气体不仅可帮助减缓目标材料的碎屑及/或等离子体副产物，而且可帮助增加euv光的量。可基于不同考量修改第一缓冲气体及第二缓冲气体的量。例如，可增加第一缓冲气体的量以增强第一缓冲气体与目标材料之间的反应。可增加第二缓冲气体的量以增强其减缓等离子体副产物的能力且增加euv光的量。在一些实施例中，第二缓冲气体与第一缓冲气体的量比小于1，但不必限于此。通过实例，第二缓冲气体与第一缓冲气体的量比在从约0.0001％到约50％的范围内、在从约0.001％到约50％的范围内、在从约0.01％到约50％的范围内、在从约0.1％到约50％的范围内、在从约1％到约50％的范围内，或在从约5％到约50％的范围内、在从约10％到约50％的范围内，但不限于此。用于产生电磁辐射的机台不限于上文提及的实施例，且可具有其它不同实施例。为简化描述且为便于在本揭露的各者之间进行比较，用相同数字标记以下实施例的各者中的相同组件。为更易于比较实施例之间的差别，以下描述将详述不同实施例当中的不同点且将不再过多描述相同构件。图5为绘示根据本揭露的一些实施例的机台的示意图。如图5中展示，用于产生电磁辐射16的机台2包括腔室10、目标材料供应器20、光源系统30、光学装置40、缓冲气体供应器50及再循环系统60。机台2可经设计以产生例如euv光的电磁辐射。通过实例，可产生具有约13.5nm的波长的euv光。目标材料供应器20连接到腔室10且经配置以将目标材料22供应到腔室10。目标材料22可包括锡，且可产生具有约13.5nm的波长的euv光。目标材料22可以微滴、流式传输、簇团或类似者的形式引入到腔室10。光源系统30经配置以将光束l发射于目标材料22上。目标材料22可由光束l激发，借此转换为等离子体状态，其具有在euv波长范围内的电磁辐射16。在一些实施例中，光束l可包括脉冲光。在一些实施例中，光源系统30可包括经配置以发射激光束的激光源系统30。激光束可包括例如co2激光或类似者。co2激光的波长可在中间红外波长范围内，例如，在约9微米到约11微米的范围内。co2激光可在一些目标材料(例如锡)上产生相对较高转换效率。光学装置40安置于腔室10中且经配置以收集电磁辐射16。在一些实施例中，光学装置40可收集电磁辐射16且将其引导朝向光刻机台中的曝光光源系统。在一些实施例中，光学装置40可包括能够反射在指定波长范围内的euv光的反射镜，例如多层镜(mlm)。缓冲气体供应器50连接到腔室10且经配置以将气体混合物52引入到腔室10中的照射区14。在一些实施例中，机台2可进一步包括连接到腔室10且经配置以捕集剩余目标材料22的目标材料捕集器24。再循环系统60例如透过排气口58连接到腔室10，且连接到缓冲气体供应器50并经配置以使气体混合物52再循环。在一些实施例中，再循环系统60包括过滤单元62(例如薄膜过滤单元)以过滤目标材料22的碎屑。在一些实施例中，流控制组件64(例如阀)可安装于再循环系统60中以控制气体混合物52的流。气体混合物52可再循环且递送到缓冲气体供应器50以再使用。在一些实施例中，可过滤第一缓冲气体(例如氢气)，而再循环第二缓冲气体(例如氙气)。在本揭露的一些实施例中，提供一种用于产生电磁辐射(例如euv光)的机台。机台包括用于在产生euv光的操作期间将气体混合物引入到腔室中的缓冲气体供应器。气体混合物包括第一缓冲气体及第二缓冲气体。第一缓冲气体经配置以与目标材料反应以形成气态产物，所述气态产物可从腔室排出以减少碎屑在光学装置及/或腔室的内壁上的沉积。第二缓冲气体具有大于第一缓冲气体的分子质量、气体密度及粘度的分子质量、气体密度及粘度，且经配置以帮助减缓目标材料的碎屑及/或等离子体副产物，以增加目标材料与第一缓冲气体的反应效率且减少目标材料及/或等离子体副产物的沉积。第二缓冲气体还可经激发以发射euv光，且因此还可帮助增加euv光的量。在一些实施例中，一种用于产生电磁辐射的方法包括以下操作。将目标材料引入于腔室中。将光束照射于腔室中的目标材料上以产生等离子体及电磁辐射。用光学装置收集电磁辐射。将气体混合物引入于腔室中。气体混合物包括与目标材料起反应的第一缓冲气体，及减缓目标材料的碎屑及/或等离子体副产物以增加目标材料与第一缓冲气体的反应效率且减少目标材料的碎屑及/或等离子体副产物在光学装置上的沉积的第二缓冲气体。在一些实施例中，一种机台包括腔室、目标材料供应器、光源系统、光学装置及缓冲气体供应器。目标材料供应器连接到腔室且经配置以将目标材料供应到腔室。光源系统经配置以将光束发射于腔室中的目标材料上以产生等离子体及电磁辐射。光学装置安置于腔室中且经配置以收集电磁辐射。缓冲气体供应器连接到腔室且经配置以将气体混合物引入到腔室。气体混合物包括与目标材料起反应的第一缓冲气体，及经配置以减缓目标材料的碎屑及/或等离子体副产物的第二缓冲气体。在一些实施例中，一种机台包括腔室、目标材料供应器、光源系统、光学装置及缓冲气体供应器。目标材料供应器经配置以将目标材料供应到腔室。光源系统经配置以将光束发射于腔室中的目标材料上以产生等离子体及电磁辐射。光学装置安置于腔室中且经配置以收集电磁辐射，其中光学装置包括孔隙。缓冲气体供应器连接到腔室且经配置以透过光学装置的孔隙吹动气体混合物。气体混合物包括与目标材料起反应的第一缓冲气体，及具有大于目标材料的分子质量的分子质量将目标材料的碎屑及/或等离子体副产物向下带离光学装置的第二缓冲气体。前文概述数种实施例的结构，使得所属领域的技术人员可更优选理解本揭露的方面。所属领域的技术人员应了解，其可容易使用本揭露作为设计或修改其它工艺及结构的基础以实行本文中介绍的实施例的相同目的及/或达成相同优点。所属领域的技术人员还应认识到，这些等效构造并不脱离本揭露的精神及范围，且其可在不脱离本揭露的精神及范围的情况下在本文中进行各种改变、替代及更改。符号说明1机台2机台10腔室14照射区16电磁辐射20目标材料供应器22目标材料24目标材料捕集器30光源系统/激光源系统40光学装置42孔隙44挡板50缓冲气体供应器52气体混合物54出气口58排气口60再循环系统62过滤单元64流控制组件100方法101第一侧102第二侧103第三侧110操作120操作130操作140操作421第一子孔隙422第二子孔隙423第三子孔隙a箭头l光束当前第1页12