一种光刻板的制作方法

本发明涉及激光探测技术领域，特别是涉及一种光刻板。

背景技术：

光刻技术是半导体制造行业最为重要的技术之一，其中，接触式光刻技术由于其较高的效率和投入产出比，被广泛应用。但是接触式光刻技术应用于碲镉汞芯片制造时，在旋转涂胶过程中会形成边角堆胶，从而形成高点，导致光刻板不能充分与样片表面接触，使得部分光刻图形失真。

对于边角堆胶，目前只能由熟练工艺人员用手术刀刮除，耗时耗力，且工艺稳定性差。因此，如何在堆胶情况下实现光刻成为现在亟待解决的问题。

技术实现要素：

本发明提供了一种光刻板，以解决现有技术中由于堆胶导致的光刻图形失真的问题。

本发明提供了一种光刻板，该光刻板包括：母板和子板；

所述母板，用于供操作者进行把持；

所述子板的底面与所述母板连接，所述子板的顶面设有光刻图形，所述子板的厚度高于芯片表面的边角堆胶的高度；

通过所述母板和所述子板使光线垂直透过所述光刻板。

优选地，所述子板为立方体结构。

优选地，所述子板为金字塔形，金字塔的顶面设有光刻图形，金字塔的底面与所述母板连接。

优选地，所述母板的面积大于所述芯片的面积。

优选地，所述母板面积大于所述子板的面积。

优选地，所述芯片为以下任一种芯片：硅芯片、碲化镉芯片和碲镉汞芯片。

本发明有益效果如下：

本发明的光刻板由母板和子板两部分组成，光刻图形设置在子板上，操作人员把持母板，将光刻板安装入光刻机进行光刻工艺，由于子板的厚度高于堆胶的高度，所以可以有效避免堆胶对光刻的影响，从而有效解决现有技术中因堆胶导致的光刻图形失真的问题。

附图说明

图1是本发明实施例提供的母板的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的子板的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的光刻板的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的光刻过程的示意图。

具体实施方式

本发明实施例的光刻板由母板1和子板2两部分组成，光刻图形设置在子板2上，通过子板2的厚度来避免堆胶3使光刻板翘曲，从而使得光线能够垂直透过光刻板，从而避免了堆胶3对光刻产生的影响。以下结合附图以及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不限定本发明。

本发明实施例提供了一种光刻板，参见图1，该光刻板包括：相互连接的母板1和子板2；

母板1，用于供操作者进行把持，以将光刻板安装到光刻机上；

子板2的底面21与母板1连接，子板2的顶面22设有光刻图形，子板2的厚度高于芯片4表面的边角堆胶3的高度；

通过母板1和子板2使光线垂直透过光刻板。

也就是说，本发明实施例通过将光刻图形设置在子板2上，通过子板2的厚度来消除边角堆胶3对光刻的影响，并且操作人员通过把持母板1来将光刻板安装到光刻机上，最终使得光线能够垂直透过光刻板，避免了堆胶3对光刻产生的影响，并避免了胶边去除的工艺，从而提高了芯片4光刻效率、成品率及不规则芯片4利用率。

另外，本发明实施例可以根据芯片4来设置光刻形状，即，本发明实施例的光刻形状是可以根据芯片4进行调整的，所以本发明实施例的光刻板可以对不规则形状的芯片4进行光刻，以充分对芯片4进行利用。

需要说明的是，本发明实施例的光刻板可应用于以下任一种芯片4的光刻上，如，硅芯片、碲化镉芯片和碲镉汞芯片。

另外，本发明实施例中，母板1和子板2暴露在外的表面上都镀有金属铬。

具体来说，本发明实施例在母板1上将需要设置子板2的位置，去除镀层铬，形成与子板2形状相同的开窗11，并将子板2的底面21粘接到母板1上，母板1的结构具体如图2所示。

如图3所示，本发明实施例在子板2的侧面都镀有金属铬，子板2的底面21与母板1连接，子板2的顶面22上设有光刻图形，该光刻图形可以根据芯片4形状进行任意设置。

本发明实施例的子板2为各种立方体结构，如，长方体结构、正方体结构、金字塔形结构，等等。立方体结构的高度高于堆胶3的高度，从而避免堆胶3对光刻产生的影响。

当子板2设置为金字塔形结构时，金字塔的顶面22设有光刻图形，金字塔的底面21与母板1连接。

具体实施时，本发明实施例为了便于操作者把持，而将母板1设置的面积大于芯片4的面积，且母板1面积大于子板2的面积。

而本发明实施例母板1的大小可以根据光刻机进行设定，本发明实施例对此不作具体限定。

如图4所示，本发明实施例通过子板2的厚度来消除边角堆胶3对光刻的影响，最终使得光线能够垂直透过光刻图形，避免了堆胶3对光刻产生的影响。

尽管为示例目的，已经公开了本发明的优选实施例，本领域的技术人员将意识到各种改进、增加和取代也是可能的，因此，本发明的范围应当不限于上述实施例。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种光刻板，本发明的光刻板由母板和子板两部分组成，光刻图形设置在子板上，操作人员把持母板，将光刻板安装入光刻机进行光刻工艺，由于子板的厚度高于堆胶的高度，所以可以有效避免堆胶对光刻的影响，从而有效解决现有技术中因堆胶导致的光刻图形失真的问题。

技术研发人员：张轶;刘世光;李春领
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十一研究所
技术研发日：2019.06.10
技术公布日：2019.08.27