一种偏光片、电子设备及偏光片的制备方法与流程

本申请涉及电子设备技术领域，特别是涉及一种偏光片、电子设备及偏光片的制备方法。

背景技术：

目前，电子设备(例如，手机、平板、电视等)对于屏幕边框的利用率要求越来越高；为实现全面屏效果，屏体摄像头概念应运而生。而为了降低电子设备中的金属层对外界环境光的反射，一般需要在屏体上设置偏光片，以降低金属层对外界环境光的反射，提高电子设备在强光下的对比度。

但是偏光片会造成屏体一侧设置的摄像头的透过率低，因此通常需要将对应于摄像头位置处的偏光片进行挖槽处理，以形成去偏光区域。

本申请的发明人在长期研究过程中发现，上述形成去偏光区域的做法较为繁琐；且后期偏光片与盖板等进行贴合时，光学胶oca无法完全填充偏光片内挖槽形成的断差，进而会产生光学上的问题，以及可能会导致灰尘在此凹陷区域积累。

技术实现要素：

本申请主要解决的技术问题是提供一种偏光片、电子设备及偏光片的制备方法，能够较为简单的形成去偏光区域。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种偏光片，包括：基膜，其一侧表面定义有第一区域以及围绕在所述第一区域周围的第二区域；线偏光膜，位于所述基膜的所述一侧表面，且覆盖所述第二区域；透明填充体，与所述线偏光膜同层设置，且覆盖所述第一区域；相位差膜，覆盖所述线偏光膜和所述透明填充体远离所述基膜的一侧。

其中，所述第一区域的所述基膜表面具有疏水性，所述第二区域的所述基膜表面具有亲水性，以使得所述线偏光膜仅覆盖所述第二区域。

其中，所述透明填充体和所述相位差膜材料相同。

其中，所述第一区域表面的水滴角为100°-120°，以使得所述透明填充体与所述第一区域的所述基膜连接。

其中，所述第一区域的所述基膜表面设置有接着剂，所述透明填充体通过所述接着剂与所述第一区域的所述基膜连接。

为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种电子设备，包括：显示层；相位差膜，位于所述显示层一侧；线偏光膜，位于所述相位差膜远离所述显示层一侧，且所述线偏光膜设置有开口；透明填充体，位于所述开口内；光学器件，位于所述显示层背对所述相位差膜一侧，且所述光学器件的感光区与所述开口位置对应。

为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种偏光片的制备方法，所述制备方法包括：在基膜一侧形成线偏光膜、透明填充体以及相位差膜；其中，所述基膜一侧表面定义有第一区域以及围绕在所述第一区域周围的第二区域；所述线偏光膜位于所述基膜的所述一侧表面，且覆盖所述第二区域；所述透明填充体与所述线偏光膜同层设置，且覆盖所述第一区域；所述相位差膜覆盖所述线偏光膜和所述透明填充体远离所述基膜一侧。

其中，所述在所述基膜一侧形成线偏光膜、透明填充体以及相位差膜之前，所述制备方法还包括：

对所述基膜的所述一侧表面进行处理，以使得所述基膜的所述第一区域的表面具有疏水性，所述第二区域的表面具有亲水性。

其中，所述在基膜一侧形成线偏光膜、透明填充体以及相位差膜，包括：

在所述基膜的所述一侧表面涂布线偏材料，所述线偏材料仅附着于所述第二区域的表面以形成所述线偏光膜；

在所述基膜一侧涂布相位差材料，所述相位差材料覆盖所述线偏光膜远离所述基膜一侧表面以及所述第一区域；其中，覆盖所述第一区域的所述相位差材料形成所述透明填充体，覆盖所述线偏光膜和所述透明填充体远离所述基膜一侧表面的所述相位差材料形成所述相位差膜。

其中，所述在所述基膜一侧涂布相位差材料之前，所述制备方法还包括：

对所述第一区域的所述基膜表面进行处理，以使得所述第一区域的所述基膜表面的水滴角为100°-120°；或，在所述第一区域表面涂覆一层接着剂。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请所提供的偏光片中基膜一侧表面定义有第一区域以及围绕在第一区域周围的第二区域；线偏光膜和透明填充体位于基膜的同一侧表面，且线偏光膜仅覆盖第二区域，透明填充体覆盖第一区域；相位差膜覆盖线偏光膜和透明填充体远离基膜一侧。一方面，由于线偏光膜不覆盖第一区域，因此偏光片对应于第一区域的位置形成去偏光区域。与现有技术中对偏光片进行整个挖槽处理相比，该方式结构简单，且工艺易于实现。另一方面，由于采用透明填充体填充未被线偏光膜覆盖的第一区域，因此使得最终形成的偏光片表面平整，后期当该偏光片与盖板等贴合时，避免了现有技术中需要光学胶等进行断差填充的问题，进而提升显示品质，降低灰尘堆积的概率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1为本申请偏光片一实施方式的结构示意图；

图2为图1中透明填充体和线偏光膜一实施方式的俯视示意图；

图3为本申请偏光片另一实施方式的结构示意图；

图4为本申请偏光片的制备方法一实施方式的流程示意图；

图5为本申请偏光片的制备方法另一实施方式的流程示意图；

图6为本申请电子设备一实施方式的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

请参阅图1-图2，图1为本申请偏光片一实施方式的结构示意图，图2为图1中透明填充体和线偏光膜一实施方式的俯视示意图。该偏光片包括基膜10、线偏光膜12、透明填充体14和相位差膜16。

具体地，基膜10一侧表面定义有第一区域aa以及围绕在第一区域aa周围的第二区域bb。第一区域aa的形状可以为规则图形，例如，圆形、椭圆形、矩形等；当然，第一区域aa的形状也可为非规则图形。基膜10可以为三醋酸纤维膜tac等，当其位于线偏光膜12一侧时，可以降低外部水汽对线偏光膜12的侵蚀。线偏光膜12位于基膜10的一侧表面，且覆盖第二区域bb，但未覆盖第一区域aa，此时线偏光膜12对应第一区域aa的位置形成开口。透明填充体14与线偏光膜12同层设置，且覆盖第一区域aa，即透明填充体14填充线偏光膜12形成的开口区域。在本实施例中，透明填充体14不具有线偏效果，且其高度可以线偏光膜12高度齐平，从而可以实现无断差。相位差膜16覆盖线偏光膜12和透明填充体14远离基膜10一侧，相位差膜16可以包括1/4波长相位差层，还可以包括1/2波长相位差层。

一方面，由于线偏光膜12不覆盖第一区域aa，因此偏光片对应于第一区域aa的位置形成去偏光区域。与现有技术中对偏光片进行整个挖槽处理相比，该方式结构简单，且工艺易于实现。另一方面，由于采用透明填充体14填充线偏光膜12的开口区域(即未被线偏光膜12覆盖的第一区域aa)，因此可以使得最终形成的偏光片表面较为平整非异形，后期当该偏光片与盖板等贴合时，避免了现有技术中需要光学胶等进行断差填充的问题，提升了显示品质，降低灰尘堆积的概率。

在一个实施方式中，上述第一区域aa表面具有疏水性，第二区域bb表面具有亲水性，以使得线偏光膜12仅覆盖第二区域bb。当采用涂布线偏材料的方式形成线偏光膜12时，由于第一区域aa表面具有疏水性，线偏材料无法覆盖第一区域aa表面，进而无法在第一区域aa表面形成线偏光膜12。该设计方式使得形成具有开口区域的线偏光膜12的方式较为简单。

在又一个实施方式中，如图3所示，透明填充体14a和相位差膜16a材料相同。例如，可以在上述实施方式的基础上，在线偏光膜12a远离基膜10a一侧涂覆一层相位差材料，延伸入线偏光膜12a的开口区域内的相位差材料形成透明填充体14a，覆盖线偏光膜12a和透明填充体14a远离基膜10a一侧的相位差材料形成相位差膜，其中，透明填充体14a和相位差膜16a可以在同一步骤中形成。该设计方式可以使得形成透明填充体14a和相位差膜16a的方式较为简单，且效率较高。当然，在其他实施方式中，透明填充体14a和相位差膜16a的材料也可不同，此时，两者可先后形成。

在另一个实施方式中，请再次参阅图1或图3，第一区域aa/aa1表面的水滴角为100°-120°，以使得透明填充体14/14a与第一区域aa/aa1的基膜10/10a连接。在本实施例中，可以利用电晕、等离子等处理方式对第一区域aa/aa1的原本的疏水性表面进行处理，以使得其水滴角为100°-120°(例如，100°、110°、120°等)，从而改善第一区域aa/aa1的表面接着力，使得后续透明填充体14/14a能够与第一区域aa/aa1的基膜10/10a连接。

在又一个实施方式中，为改善第一区域aa/aa1的表面接着力，第一区域aa/aa1表面也可使用接着剂进行表面处理，例如，有机硅压敏胶、环氧树脂胶、玻璃胶等，透明填充体14/14a通过接着剂与第一区域aa/aa1的基膜10/10a连接，当然，也可以使用接着剂作为透明填充体14/14a，再形成一层覆盖透明填充体14/14a和先偏光膜12的相位差膜16。

在其他实施方式中，上述偏光片也可以包括其他结构，例如，抗干扰层，位于线偏光膜12与相位差膜16之间，此时透明填充体14可以与抗干扰层的材质相同。

下面从制备方法的角度对本申请所提供的偏光片作进一步说明。

请结合图1，本申请所提供的偏光片的制备方法包括：在基膜10一侧形成线偏光膜12、透明填充体14以及相位差膜16；其中，基膜10的一侧表面定义有第一区域aa以及围绕在第一区域aa周围的第二区域bb；线偏光膜12位于基膜10的一侧表面，且覆盖第二区域bb；透明填充体14与线偏光膜12同层设置，且覆盖第一区域aa；相位差膜16覆盖线偏光膜12和透明填充体14远离基膜10一侧。

在一个实施方式中，当偏光片的结构如图1中所示时，请参阅图4，图4为本申请偏光片的制备方法一实施方式的流程示意图，上述在基膜10一侧形成线偏光膜12、透明填充体14以及相位差膜16具体为：

s101：在基膜10的一侧表面形成透明填充体14，且透明填充体14仅覆盖第一区域aa。

s102：在基膜10的一侧表面形成线偏光膜12，且线偏光膜12覆盖未被透明填充体14覆盖的第二区域bb。

s103：在透明填充体14和线偏光膜12远离基膜10一侧形成相位差膜16。

在另一个实施方式中，当偏光片的结构如图3中所示时，上述在基膜10a一侧形成线偏光膜12a、透明填充体14a以及相位差膜16a之前，本申请所提供的制备方法还包括：对基膜10a的一侧表面进行处理，以使得基膜10a的第一区域aa1的表面具有疏水性，第二区域bb1的表面具有亲水性。例如，当基膜10a为三醋酸纤维素膜tac时，基膜10a原本表面为疏水性界面，可以利用一阻挡件将基膜10a上的第一区域aa1进行遮挡，然后对基膜10a上的第二区域bb1依次进行碱液皂化处理、纯水清洗处理、烘干后，使得第二区域bb1表面为亲水性界面。

进一步，请参阅图5，图5为本申请偏光片的制备方法另一实施方式的流程示意图。上述在基膜10a一侧形成线偏光膜12a、透明填充体14a以及相位差膜16a具体包括：

s201：在基膜10a的一侧表面涂布线偏材料，线偏材料仅附着于第二区域bb1的表面以形成线偏光膜12a。

s202：在基膜10a一侧涂布相位差材料，相位差材料覆盖线偏光膜12a远离基膜10a一侧表面以及第一区域aa1；其中，覆盖第一区域aa1的相位差材料形成透明填充体14a，覆盖线偏光膜12a和透明填充体14a远离基膜10a一侧表面的相位差材料形成相位差膜16a。

此外，在本实施例中，为了增加透明填充体14a与第一区域aa1表面的结合力，可在上述步骤s202之前对第一区域aa1表面进行处理，以使得第一区域aa1表面的水滴角为100°-120°，例如，可以利用电晕或等离子等处理方式。或者，也可在上述步骤s202之前在第一区域aa1表面涂覆一层接着剂。

请参阅图6，图6为本申请电子设备一实施方式的结构示意图，该电子设备包括显示层20、相位差膜22、线偏光膜24、透明填充体26、光学器件28。

具体地，显示层20可以包括层叠设置的衬底、薄膜晶体管层、发光层、触控层等。相位差膜22位于显示层20一侧，例如，该相位差膜22可以位于触控层一侧；该相位差膜22可以包括1/4波长相位差层、1/2波长相位差层中至少一种。线偏光膜24位于相位差膜22远离显示层20一侧，且线偏光膜24设置有开口(未标示)，透明填充体26位于开口内。光学器件28可以是摄像头、屏下指纹传感器、距离传感器等，光学器件28位于显示层20背对相位差膜22一侧，光学器件28的感光区与开口位置对应。当然，在其他实施方式中，该电子设备还可以包括盖板21，位于线偏光膜24远离显示层20一侧。或者，该电子设备还可以进一步包括基膜，位于线偏光膜24与盖板21之间。

一方面，由于线偏光膜24设置有开口，开口内填充的为不具有线偏功能的透明填充体26，因此对应于线偏光膜24的开口的位置形成去偏光区域。与现有技术中对偏光片进行整个挖槽处理相比，该方式结构简单，且工艺易于实现。另一方面，由于采用透明填充体26填充线偏光膜24的开口区域，因此使得最终形成的偏光片表面平整非异形，后期当该偏光片与盖板21等贴合时，避免了现有技术中需要光学胶进行断差填充问题，进而提升显示品质，降低灰尘堆积的概率。

此外，在本实施例中，上述相位差膜22、线偏光膜24、透明填充体26可直接采用涂布的方式在显示层20上形成。例如，可以先在显示层20上形成相位差膜22；然后在相位差膜22与光学器件28的感光区对应的区域上形成透明填充体26；接着在透明填充体26的周围区域形成线偏光膜24。且优选地，透明填充体26与线偏光膜24高度齐平。

在其他实施例中，也可先形成包含相位差膜22、线偏光膜24、透明填充体26的偏光片，例如，可以利用图4或图5中的方式形成偏光片，此时所形成的偏光片中可以包含上述实施例中的基膜；然后采用贴合的方式将该偏光片贴合到显示层20上。

以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。