一种基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器及其调控方法与流程

文档序号:18641059发布日期:2019-09-11 23:18阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明提供一种基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器及其调控方法,属于太赫兹应用技术领域。本发明调制器采用VO2薄膜和金属光栅复合结构,利用二氧化钒的热致相变特性和对光栅周期的改变实现对太赫兹频率和幅度的多功能动态调节。相比于传统的超结构的调控方法,通过温度变化控制二氧化钒的相变过程,相变前后二氧化钒发生从绝缘相到金属相的变化,电阻率和透射率发生显著变化,在25℃到100℃的温度范围内,都能实现太赫兹透射响应幅度的调节,幅度的调节可达到百分之七十以上;通过改变金属光栅的周期尺寸和金属线条的宽度,调控太赫兹的响应频率,整体的调控范围为0.1thz到3thz。

技术研发人员:高敏;王旭;林媛;罗盛鲜;路畅;潘泰松
受保护的技术使用者:电子科技大学
技术研发日:2019.07.02
技术公布日:2019.09.10
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