1.一种基于benes结构且具有均衡损耗的大规模光开关拓扑阵列芯片实现方法，其特征在于，两层波导之间通过层间耦合实现光信号传递，同时两级光开关单元之间的每条波导只经历一次层间耦合；所述的两层波导位于两层介质中。
2.根据权利要求1所述的基于benes结构且具有均衡损耗的大规模光开关拓扑阵列芯片实现方法，其特征在于，所述的两层介质的材料相同或不同。
3.根据权利要求1所述的基于benes结构且具有均衡损耗的大规模光开关拓扑阵列芯片实现方法，其特征在于，所述的两层波导之间设有隔离介质，隔离介质的折射率低于所述的两层介质的折射率。
4.根据权利要求1所述的基于benes结构且具有均衡损耗的大规模光开关拓扑阵列芯片实现方法，其特征在于，所述的光开关拓扑阵列包括多个交换模块，位于对称中心的交换模块包括光交换阵列以及内部互连的交叉波导，其他的交换模块均包含光开关单元阵列以及与下一级或上一级光开关单元阵列相连的耦合波导阵列；
所述的光交换阵列是由若干列光开关单元阵列构成，每一列中光开关单元的数量相同；所述的光开关单元阵列是由光开关单元构成的阵列，光开关单元阵列全部位于同一层波导中；所述的内部互连的交叉波导由相邻开关单元相互连接得到，连接方式按照benes结构的拓扑规则确定；所述的耦合波导阵列采用两层波导结构，每层波导位于不同层介质中，所述的两层波导空间上相互交叉。
5.根据权利要求4所述的基于benes结构且具有均衡损耗的大规模光开关拓扑阵列芯片实现方法，其特征在于，同一级数的光开关单元位于同一交换模块中。
6.根据权利要求4所述的基于benes结构且具有均衡损耗的大规模光开关拓扑阵列芯片实现方法，其特征在于，所述的光交换拓扑阵列的多个交换模块位于多个芯片上。
7.根据权利6要求所述一种大规模光开关拓扑阵列芯片的设计方法，其特征在于，不同芯片间采用端面耦合或者垂直耦合方式进行封装。