1.一种双波导耦合式的等离子电光调制器，连接于片上光网络，其特征在于：所述双波导耦合式的等离子电光调制器包括sio2基，sio2基上刻蚀三条波导参数一致的si波导，外侧的si波导用于输入激光，另外一侧的si波导用于传输调制好的激光信号并连接片上光网络；位于中间的si波导的上方沉积有第一hfo2层、ito层、第二hfo2层及导体层；
所述导体层施加阳极电压，位于sio2基上方的si波导面用于施加阴极电压。
2.根据权利要求1所述双波导耦合式的等离子电光调制器，其特征在于：所述si波导为脊型si波导。
3.根据权利要求2所述双波导耦合式的等离子电光调制器，其特征在于：所述导体层为au层。
4.根据权利要求3所述双波导耦合式的等离子电光调制器，其特征在于：所述脊型si波导的高度为透视谱窗口发生移动的高度。
5.根据权利要求1-4任一所述双波导耦合式的等离子电光调制器，其特征在于：所述片上光网络为ornoc拓扑结构的片上光网络。
6.根据权利要求1-4任一所述双波导耦合式的等离子电光调制器，其特征在于：沉积采用喷溅工艺方法。
7.根据权利要求3所述双波导耦合式的等离子电光调制器，其特征在于：所述脊型si波导的宽度wg＝400nm，相邻si波导之间的间距wgap＝150nm，位于两侧的两条脊型si波导的波导高度hg＝180nm，位于中间的脊型si波导高度hig＝180nm，第一hfo2层的厚度hig＝15nm、ito层厚度hhfo＝20nm、第二hfo2层厚度hig＝15nm、au层厚度hau＝500nm及脊型si波导长度lcoupling＝8500nm；所述双波导耦合式的等离子电光调制器的工作波长为1400nm-1600nm。