掩模版子场热控制的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月21日提交的美国临时专利申请号62/783,884的优先权，该申请通过引用整体并入本文。

本公开涉及光刻设备和系统中的掩模版子场热控制。

背景技术：

光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(ic)。例如，光刻设备可以将图案形成装置(例如，掩模、掩模版)的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投影在衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4-20nm范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。

随着双重图案化技术被广泛用于突破平版印刷限制以增加扫描速度和加速度，减小重叠误差变得越来越重要。一个重要的重叠误差因素是掩模版加热。在掩模版子场曝光过程中，掩模版上的热负载高度不一致。结果，传统的均匀掩模版背面冷却系统会导致掩模版的未使用区域的“过度冷却”，从而导致温度非均匀，该温度非均匀使掩模版变形并且增加重叠。需要提供一种具有选择性地控制掩模版的子场的温度的能力的掩模版夹具。

技术实现要素：

本公开的一个方面提供了一种设备。该设备包括被配置为固定物体的夹具。夹具包括在空间上以图案布置的多个气体分布特征。该设备还包括气压控制器，该气压控制器被配置为单独地控制通过多个气体分布特征中的每个气体分布特征的气体流量以对夹具与物体之间的空间中的气压分布进行调制。在一些实施例中，气体分布特征包括以阵列形式布置的多个沟槽或孔。

在一些实施例中，气体分布特征是以列和行的图案化阵列布置的多个沟槽。奇数行或偶数列中的沟槽沿行方向延伸，偶数行或奇数列中的沟槽沿列方向延伸。

在一些实施例中，该设备还包括被配置为将气体分布特征连接到气体供应系统和真空系统的多个气体管道、以及每个被配置为通过对应气体分布特征控制气体流量的多个阀。在一些实施例中，多个阀是压电阀或微机电系统阀。

在一些实施例中，气压控制器还被配置为在多个气体管道的子集中生成气压驻波以进一步对夹具与物体之间的空间中的气压分布进行调制。

在一些实施例中，该设备还包括嵌入夹具中并且以图案化阵列布置的多个流体通道。每个流体通道形成子回路，该子回路被配置为穿过流体流以局部地控制夹具的对应区域的温度。在一些实施例中，该设备还包括温度控制器，该温度控制器被配置为单独地控制穿过每个子回路的流体流的温度和流体流量，从而调制夹具的空间温度分布。

在一些实施例中，该设备还包括嵌入夹具中并且以阵列形式布置的多个热电装置。多个热电装置中的每个热电装置被配置为局部地控制夹具的对应区域的温度。在一些实施例中，多个热电装置包括珀耳帖装置、热离子冷却装置或热隧道冷却装置。在一些实施例中，该设备还包括温度控制器，该温度控制器被配置为单独地控制通过每个热电装置的电流的强度，从而调制夹具的空间温度分布。

在一些实施例中，该设备还包括嵌入夹具中并且以图案化阵列布置的多个加热丝。每个加热丝形成被配置为局部加热夹具的对应区域的子回路。在一些实施例中，该设备还包括温度控制器，该温度控制器被配置为单独地控制通过每个子回路的电流的强度，从而调制夹具的空间温度分布。

在一些实施例中，该设备还包括嵌入夹具中并且以图案化阵列布置的多个感应加热器。每个感应加热器被配置为局部加热夹具的对应区域。在一些实施例中，该设备还包括温度控制器，该温度控制器被配置为单独地控制与每个感应加热器相对应的磁场的强度，从而调制夹具的空间温度分布。

在一些实施例中，该设备还包括多个红外加热器，每个红外加热器被配置为向物体的正面的子场发射红外光束以局部加热物体的子场。在一些实施例中，该设备还包括温度控制器，该温度控制器被配置为单独地控制每个红外加热器的位置、以及从每个红外加热器发射的红外光束的强度和方向，从而调制物体的空间温度分布。在一些实施例中，该设备还包括在物体的正面上的红外光吸收层。

在一些实施例中，该设备还包括嵌入夹具中并且以图案化阵列布置的多个电极。每个电极被配置为用作射频天线以局部加热物体的对应区域。在一些实施例中，该设备还包括温度控制器，该温度控制器被配置为单独地生成高频电信号，该高频电信号被叠加到每个电极上的低频静电电压上，从而调制物体的空间温度分布。

在一些实施例中，物体是掩模版或掩模。物体的子场暴露在光刻辐射束下，导致物体上的空间非均匀热负载分布。在一些实施例中，该设备还包括被配置为远程检测物体上的空间温度分布的温度传感器阵列。

本公开的另一方面提供了一种用于调制固定在夹具上的物体的空间温度分布的方法。该方法包括确定物体上的空间非均匀热负载分布，以及基于空间非均匀热负载分布调制物体与夹具之间的空间中的空间气压分布。

在一些实施例中，该方法还包括确定物体的热膨胀系数(cte)过零温度(tzc)的空间变化，以及基于ctetzc的空间变化调制物体与夹具之间的空间中的空间气压分布。

在一些实施例中，确定物体上的空间非均匀热负载分布包括确定暴露在光刻辐射束下的物体的第一子场、以及未暴露于光刻辐射束的物体的第二子场。在一些实施例中，确定物体上的空间非均匀热负载分布包括使用温度传感器阵列远程检测物体上的空间温度分布。

在一些实施例中，调制空间气压分布包括在与物体的第一子场相对应的夹具中的多个气体分布特征的第一子集中生成高气体流量以形成与第一子场相对应的高气压，以及在与物体的第二子场相对应的夹具中的多个气体分布特征的第二子集中生成低气体流量以形成与第二子场相对应的低气压。

在一些实施例中，调制空间气压分布还包括在与物体的第一子场和第二子场的边界相对应的夹具中的多个气体分布特征的第三子集中生成负气体流量以形成与边界相对应的急剧气压转变。在一些实施例中，调制空间气压分布还包括在连接到多个气体分布特征的第一子集的至少一个气体管道中生成气压驻波。

在一些实施例中，该方法还包括基于空间非均匀热负载分布调制到物体的空间热通量分布。

在一些实施例中，调制空间热通量分布包括单独地控制穿过嵌入夹具中的流体通道的多个子回路中的每个子回路的流体流的温度和流体流量以调制夹具的空间温度分布。流体通道的多个子回路以图案化阵列布置。

在一些实施例中，调制空间热通量分布包括单独地控制通过多个热电装置中的每个热电装置的电流的强度以调制夹具的空间温度分布。多个热电装置以图案化阵列布置。

在一些实施例中，调制空间热通量分布包括单独地控制通过嵌入夹具中的加热丝的多个子回路中的每个子回路的电流的强度以调制夹具的空间温度分布。加热丝的多个子回路以图案化阵列布置。

在一些实施例中，调制空间热通量分布包括单独地控制与多个感应加热器中的每个感应加热器相对应的磁场的强度以调制夹具的空间温度分布。多个感应加热器以图案化阵列布置。

在一些实施例中，调制空间热通量分布包括单独地控制从物体的正面上的多个红外加热器中的每个红外加热器发射的红外光束的辐射位置和强度以调制物体的空间温度分布。

在一些实施例中，调制空间热通量分布包括单独地控制嵌入夹具中以用作射频天线的多个电极中的每个电极以调制物体的空间温度分布。多个电极以图案化阵列布置。在一些实施例中，该方法还包括生成叠加到多个电极中的每个电极上的低频静电电压上的高频电信号。

下面参考附图详细描述本发明的其他特征和优点以及本发明各种实施例的结构和操作。注意，本发明不限于本文中描述的特定实施例。这样的实施例在本文中仅出于说明的目的而呈现。基于本文中包含的教导，其他实施例对于相关领域的技术人员将是很清楚的。

附图说明

并入本文中并且构成说明书一部分的附图示出了本发明，并且与说明书一起进一步用于解释本发明的原理并且使得相关领域的技术人员能够制造和使用本发明。现在将仅通过示例并且参考附图来描述本发明的实施例，在附图中：

图1是根据示例性实施例的光刻设备的示意图；

图2是根据示例性实施例的掩模版台卡盘的透视示意图。

图3是图2中掩模版台卡盘的俯视图。

图4a-4e示出了根据示例性实施例的暴露于光刻辐射束的掩模版中的示例性各种子场的示意图；

图5a是根据示例性实施例的包括以图案化阵列布置的多个沟槽的夹具的示意性俯视图。

图5b是根据示例性实施例的包括以阵列布置的多个孔的夹具的示意性俯视图。

图6示出了根据一些实施例的子场曝光中夹具上的掩模版的示意性截面图和气压分布的示意图；

图7示出了根据一些实施例的子场曝光中夹具上的掩模版的示意性截面图和气体气压驻波的示意图；

图8示出了根据本公开的一些实施例的、包括多个内部流体通道的示例性夹具的示意性俯视图。

图9示出了根据本公开的一些实施例的、包括多个热电装置的示例性夹具的示意性俯视图。

图10示出了根据本公开的一些实施例的、包括多个加热丝的示例性夹具的示意性俯视图。

图11示出了根据本公开的一些实施例的、包括多个感应加热器的示例性夹具的示意性侧视图。

图12示出了根据本公开的一些实施例的、示例性红外加热器和掩模版的示意性侧视图。

图13示出了根据本公开的一些实施例的、包括发射rf辐射的多个电极的示例性夹具的示意性截面图。

图14示出了根据本公开的一些实施例的、用于控制掩模版的空间温度分布的示例性方法的示意图。

从下面结合附图进行的详细描述中，本发明的特征和优点将变得更加明显，其中相同的附图标记自始至终标识对应元素。在附图中，相似的附图标记通常表示相同、功能相似和/或结构相似的元素。此外，通常，附图标记最左边的数字标识了该附图标记第一次出现的图。除非另有说明，否则本公开全文中提供的附图不应当解释为按比例绘制的附图。

具体实施方式

本说明书公开了合并有本发明的特征的一个或多个实施例。所公开的实施例仅举例说明本发明。本发明的范围不限于所公开的实施例。本发明由所附的权利要求限定。

所描述的实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的引用表明所描述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但每个实施例可能不一定包括特定特征、结构或特性。此外，这样的短语不一定指代相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，应当理解，结合其他实施例实现这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的知识范围内，无论该其他实施例是否明确描述。

诸如“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上面”、“上部”等空间相关术语在本文中可以用于描述方便以描述一个元素或特征的与图中所示的另一元素或特征的关系。除了图中描绘的取向，空间相对术语旨在涵盖使用或操作中的设备的不同取向。该设备可以以其他方式定向(旋转90度或以其他取向)并且本文中使用的空间相对描述词同样可以相应地解释。

如本文中使用的，术语“约”表示可以基于特定技术而变化的给定量的值。基于特定技术，术语“约”可以表示给定量的值，该值在值的例如10-30％(例如，该值的±10％、±20％或±30％)内变化。

本公开的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本公开的实施例还可以实现为存储在机器可读介质上的指令，该指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(rom)；随机存取存储器(ram)；磁盘存储介质；光存储介质；闪存设备；电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。此外，固件、软件、例程和/或指令在本文中可以被描述为执行某些动作。然而，应当理解，这样的描述仅仅是为了方便，并且这样的动作实际上是由计算装置、处理器、控制器或其他装置执行固件、软件、例程、指令等产生的，并且这样做可以引起执行器或其他装置与物理世界相互作用。

然而，在更详细地描述这样的实施例之前，呈现可以在其中实现本公开的实施例的示例环境是有益的。

示例性光刻系统

图1示出了包括辐射源so和光刻设备la的光刻系统。辐射源so被配置为生成euv辐射束b并且将euv辐射束b提供给光刻设备la。光刻设备la包括照射系统il、被配置为支撑图案形成装置ma(例如，掩模)的支撑结构mt、投影系统ps和被配置为支撑衬底w的衬底台wt。

照射系统il被配置为在euv辐射束b入射到图案形成装置ma上之前调节euv辐射束b。此外，照射系统il可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起提供具有期望截面形状和期望强度分布的euv辐射束b。除了或代替琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11，照射系统il可以包括其他反射镜或装置。

在如此调节之后，euv辐射束b与图案形成装置ma相互作用。由于这种相互作用，生成图案化euv辐射束b'。投影系统ps被配置为将图案化euv辐射束b'投影到衬底w上。为此，投影系统ps可以包括多个反射镜13、14，反射镜13、14被配置为将图案化euv辐射束b'投影到由衬底台wt保持的衬底w上。投影系统ps可以对图案化euv辐射束b'应用缩减因子，从而形成具有小于图案形成装置ma上的对应特征的特征的图像。例如，可以应用为4或8的缩减因子。尽管投影系统ps在图1中被示出为仅具有两个反射镜13、14，但是投影系统ps可以包括不同数目的反射镜(例如，六个或八个反射镜)。

衬底w可以包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻设备la将由图案化euv辐射束b'形成的图像与先前形成在衬底w上的图案对准。

在辐射源so、照射系统il和/或投影系统ps中可以提供有相对真空，即，压力远低于大气压的少量气体(例如，氢气)。

辐射源so可以是激光产生等离子体(lpp)源、放电产生等离子体(dpp)源、自由电子激光器(fel)或能够生成euv辐射的任何其他辐射源。

示例性掩模版台

图2和3示出了根据本公开的一些实施例的示例性掩模版台卡盘200的示意图。作为支撑结构mt的一个示例的掩模版台卡盘200可以包括顶部台表面202、底部台表面204、侧部台表面206和夹具300。在一些实施例中，具有夹具300的掩模版台卡盘200可以在光刻设备la中实现。例如，掩模版台卡盘200可以是光刻设备la中的支撑结构mt。在一些实施例中，夹具300可以设置在顶部台表面202上。例如，如图2所示，夹具300可以设置在顶部台表面202的中心。

在例如光刻设备la等一些光刻设备中，具有夹具300的掩模版台卡盘200可以用于保持和定位掩模版w以进行扫描或图案化操作。在一个示例中，掩模版台卡盘200可能需要强大的驱动器、大的平衡质量和沉重的框架来支撑它。在一个示例中，掩模版台卡盘200可以具有大的惯性并且重量可以超过500kg以推动和定位重约0.5kg的掩模版w。为了完成通常在光刻扫描或图案化操作中发现的掩模版w的往复运动，可以通过驱动掩模版台卡盘200的线性电机提供加速和减速力。

在一些实施例中，如图2和3所示，掩模版台卡盘200可以包括用于系统校准操作的基准212和用于定位操作的编码器214。例如，编码器214可以是用于干涉仪的玻璃刻度。基准212可以沿第一方向(例如，掩模版台卡盘200的横向方向(即，x方向))被附接。并且编码器214可以沿第二方向(例如，掩模版台卡盘200的纵向方向(即，y方向))被附接。在一些实施例中，如图2和3所示，基准212可以与编码器214正交。

如图2和3所示，掩模版台卡盘200可以包括夹具300。夹具300被配置为将掩模版保持在掩模版台卡盘200上的固定平面中。夹具300可以设置在顶部台表面202上。在一些实施例中，夹具300可以使用机械、真空、静电或其他合适的夹持技术来保持和固定物体。物体可以是例如图案形成装置ma，诸如掩模或掩模版。

在一些实施例中，夹具300可以是静电夹具，静电夹具可以被配置为通过静电夹持(即，保持)物体，例如真空环境中的掩模版。由于需要在真空环境中执行euv，所以真空夹具不能用于夹持掩模或掩模版，而是可以使用静电夹具。例如，夹具300可以包括电极、电极上的电阻层、电阻层上的介电层和从介电层突出的突节。在使用中，可以向夹具300施加电压，例如几kv。并且，电流可以流过电阻层，使得电阻层的上表面处的电压与电极的电压基本相同，并且生成电场。此外，库仑力(即，电性相反的带电粒子之间的吸引力)将物体吸引到夹具300并且将物体保持在适当位置。在一些实施例中，夹具300可以是刚性材料，例如金属、电介质、陶瓷或其组合。

示例性掩模版温度调节系统

图案形成装置ma将图案赋予入射到图案形成装置ma的表面上的euv辐射束b上。当物体(例如，掩模版)被夹持到夹具300时，物体的表面接收euv辐射束b。当物体暴露于入射的euv辐射束b时，物体的一部分可以从辐射束吸收能量并且加热。当物体被加热时，物体的各部分会膨胀和变形，导致图案化euv辐射束b'的不希望失真，从而导致衬底w处的图像重叠误差。

因此，温度调节系统可以被配置为对物体进行热调节以最小化重叠。在一些实施例中，夹具300可以被配置为用作散热器以被保持在低于物体的目标平均温度的温度，以实现物体的这种温度控制。因此，根据各种实施例，被夹持在掩模版台卡盘200上的物体可以在基本上室温(例如，大约22℃)或任何其他限定操作温度下被调节。

在一些实施例中，在子场曝光期间，被夹持在掩模版台卡盘200上的物体上的热负载是非均匀的。如图4a-4e所示，暴露于euv辐射束b的掩模版400中的示例性子场410可能导致掩模版400的非均匀性温度分布。传统的均匀掩模版背面冷却方法可能导致掩模版400的未曝光区域中的过度冷却。也就是说，掩模版400的未曝光区域的温度没有保持在过零温度(tzc)附近，零温度是掩模版的热膨胀系数的过零点，导致温度非均匀性，从而使掩模版变形并且增加重叠。所公开的温度调节系统可以选择性地控制掩模版400的子场的温度，以确保被夹持在掩模版台卡盘200上的掩模版400的均匀的温度分布。

在一些实施例中，温度调节系统可以包括流体流温度调节子系统。如图2所示，掩模版台卡盘200可以包括一个或多个流体管道225(即，水管道)，连接到光刻设备la的一个或多个流体供应装置(图中未示出)。在一些实施例中，流体管道225是流体软管。在一些实施例中，掩模版台卡盘200还可以包括容纳和/或支撑流体管道225的一个或多个流体管道载体(图中未示出)。此外，夹具300包括连接到一个或多个流体管道225的多个内部流体通道。内部流体通道可以被配置用于引导温度调节流体(诸如水、酒精、乙二醇、相变冷却剂等)通过夹具300的导热良好的区域，以通过使被调节到目标温度的流体穿过由夹具限定的至少一个通道来将夹具300保持在低于物体的目标温度的温度。在一些实施例中，内部流体通道可以被配置为限定夹具300的各个子场，以在空间上调制夹具300上的掩模版400的温度分布。

在一些实施例中，由于低接触面积，掩模版400与夹具300之间的直接导热性很差。为了实现高热导性，温度调节系统还可以包括气流温度调制子系统。如图2所示，掩模版台卡盘200可以包括连接到光刻设备la的一个或多个气体供应装置(图中未示出)的一个或多个气体管道223(即，氢气管道)。在一些实施例中，气体管道223是气体软管。在一些实施例中，掩模版台卡盘200还可以包括容纳和/或支撑气体管道223的一个或多个气体管道载体(图中未示出)。此外，夹具300可以包括连接到一个或多个气体管道223以使氢气(h2)流入掩模版400与夹具300之间的空间中的多个气体沟槽。在一些实施例中，气体沟槽和/或其他气体分布特征可以被配置为在掩模版400上限定不同的子场，该子场可以被单独地热控制。空间调制掩模版400与夹具300之间的空间中的气体(例如，h2)压力可以用于改进掩模版热调节。

在一些实施例中，温度调节系统还可以包括被配置为调制夹具300的一个或多个子场上的温度分布的任何其他合适的热调制子系统。例如，热调制子系统可以包括嵌入夹具300中以局部地控制夹具300的不同子场的多个热电装置，诸如珀耳帖(peltier)装置、热离子冷却装置、热隧道冷却装置。作为另一示例，热调制子系统可以包括一个或多个加热装置，诸如嵌入式加热丝、红外加热器、射频辐射加热器、感应加热器等，以选择性地加热夹具300的各个子场以提高夹具300上的掩模版的温度均匀性。

掩模版与夹具之间的示例性气压调制

如上所述，掩模版加热和由此产生的掩模版的平面内和平面外变形是造成重叠误差的主要因素。特别地，在子场曝光期间，热负载在掩模版表面上是非均匀的，并且导致非均匀的温度分布。在一些实施例中，夹具300可以包括多个气体分布特征，诸如以图案布置的沟槽和/或孔。气体分布特征被配置为在掩模版400上限定可以被选择性地热控制的变化的子场。空间调制掩模版400与夹具300之间的空间中的气体(例如，h2)压力可以用于改进掩模版热调节。例如，图5a和5b示出了根据本公开的一些实施例的示例性夹具的示意性俯视图。

在一些实施例中，如图5a所示，夹具300包括以阵列形式布置的多个沟槽500。奇数行中的沟槽500沿行的方向(例如，图5a所示的x方向)延伸。偶数行中的沟槽500沿垂直于行的方向(例如，如图5a所示的y方向)延伸。奇数列中的沟槽500沿列的方向(例如，如图5a所示的y方向)延伸。偶数列中的沟槽500沿垂直于列的方向(例如，如图5a所示的x方向)延伸。因此，多个沟槽500可以限定多个单位场，每个单位场被四个沟槽500围绕。在一些实施例中，沿行的方向延伸的沟槽500的第一长度等于沿列的方向延伸的沟槽500的第二长度，每个单位场具有正方形形状。在一些其他实施例中，沿行的方向延伸的沟槽500的第一长度与沿列的方向延伸的沟槽500的第二长度不同，每个单位场具有矩形形状。

在一些其他实施例中，如图5b所示，夹具300包括以阵列形式布置的多个孔550。注意，如图5a和5b所示的沟槽500和孔550的形状和/或尺寸仅旨在说明而非限制。沟槽500和孔550可以具有基于实际需要而设计的任何合适的形状和尺寸。例如，沟槽500可以具有弯曲形状。还注意，如图5a和5b所示的沟槽500和孔550的图案也是说明性的，但不是限制性的。例如，沟槽500和孔550可以以任何其他合适的图案布置，这些图案在掩模版400上限定各种子场。此外，在图中未示出的一些其他实施例中，夹具300可以同时包括以任何合适的图案布置以在掩模版400上限定各种子场的多个沟槽500和孔550。

如图5a所示的每个沟槽500或如图5b所示的每个孔510可以穿透夹具300的顶层并且互连到如图2所示的对应气道223。沟槽500和/或孔510可以用作气体入口或气体出口。在一些实施例中，每个沟槽500和/或每个孔510可以包括被配置为控制通过的气流的阀(图中未示出)。诸如微机电系统(mems)阀、压电阀、气压调节器、流量控制阀等任何合适类型的阀都可以用于直接或间接打开/关闭气流、调节气体流量和/或在夹具300与掩模版400之间的特定区域中排气到真空。例如，阀可以是开关、开关真空或可变流量限制。在一些实施例中，为了实现真空，阀可以排气至真空管线，或直接排气至腔室。在一些替代实施例中，阀没有设置在沟槽500和/或孔510中，而被设置在气体管道223中以分别控制沟槽500和/或孔510的气体流量。

基于对阀的控制，可以在各种气体分布特征(例如，沟槽500、孔550)上实现不同气体流量。这可以调制夹具300与掩模版400之间的空间340中的气压分布以局部地控制不同子场中的热导率。图6示出了根据一些实施例的在子场曝光中的夹具上的掩模版的示意性截面图和气压分布的示意图。

如图6所示，掩模版400的子场410暴露在euv辐射束415下，导致子场410中的热负载高于掩模版300的其他区域。为了保持掩模版400中的均匀温度分布，可能需要子场410上的相对较大的冷却效率和掩模版400的其他区域上的相对较小的冷却效率。与位于子场410下方的沟槽502、504、506、508和510相对应的阀可以被控制以将气体(例如，h2)注入夹具300与掩模版400之间的空间340中，使得子场410下方的空间区域340可以具有高气压610。在一些实施例中，沟槽502、504、506、508和510的气体流量可以被控制为相等或不同以确保均匀的高气压610，从而导致与子场410相对应的均匀分布的高热导率。与沟槽512、514、516、518和520相对应的阀可以被关闭以逐渐降低气压，如图6中的虚线640所示。

在一些实施例中，可以进一步调制边界子场410和掩模版400的其他区域处的空间340中的气压。例如，诸如图6所示的沟槽512等一些气体分布特征可以通过抽出气体来从空间340中去除气体。因此，当沟槽512被用作泵时，沟槽512处的气压可以迅速下降到接近零，导致从高气压区域到低气压区域的急剧转变630。

如图5a、5b和6所示的另一示例掩模版400可以包括设置在多个沟槽500和/或孔550的边缘处的一个或多个阻障部580。一个或多个阻障部580可以是流动障碍物、泄漏密封件等，其被配置为将气压快速地降低到接近零，导致空间340的边缘处的气压分布的急剧转变620。在一些实施例中，当夹具300与掩模版400之间的距离在约8微米到约12微米的范围内时，阻障部580的高度可以在约2微米到约3微米的范围内。在一些实施例中，可以在相邻沟槽500和/或孔550之间设置附加阻障部以进一步限定子场的边界。

图7示出了根据一些实施例的子场曝光中夹具上的掩模版的示意性截面图和气压驻波的示意图。在一些实施例中，在连接到夹具上的气体分布特征的气体储存器350和/或气体管道223中可以生成气压驻波，以在空间340中设置在空间上被调制的气压分布。驻波的峰值区域650可以对应于在euv辐射束415下曝光的掩模版400的子场410，并且驻波650的波谷区域可以对应于掩模版400的未曝光区域。气压驻波可以是一维空间分布波或二维空间分布波。气压驻波可以由单个或少量执行器通过控制振动频率以设置各种波长的气压驻波来致动。通向夹具300的表面的沟槽500和/或孔550可以将气压驻波连接到空间340中的气压分布以进一步调制热传导。

在一些实施例中，空间340中的气压分布在约3％大气压到约5％大气压的范围内变化。要注意的是，基于掩模版400的材料刚度，气压分布的变化不会引起掩模版400的显著变形，从而对重叠误差的贡献微不足道。

在一些实施例中，与多个沟槽500和/或孔550相对应的阀可以由温度调节系统的电控制模块来寻址和控制。阀可以通过多个电源线和数据线连接到电控制模块。在一个实施例中，连接到夹具300的软管和电线的数目为了掩模版台卡盘200的性能而被最小化，因为电线和软管可以将力传递到夹具300，这会导致位置误差。例如，可以使用输入和输出线的成对匹配来寻址和/或控制与具有较少输入/输出线的沟槽500和/或孔550相对应的多个阀中的每个。作为另一示例，诸如脉宽调制、不同谐振频率选择等时间相关技术可以用于以较少数目的输入/输出线获取更多可寻址自由度。

夹具或掩模版板上的示例性空间热通量调制

如上所述，除了气流温度调制子系统，温度调节系统还可以包括任何其他合适的空间热通量调制子系统，以用于调制夹具300和/或掩模版400上的热通量分布。图7-12示出了根据本公开的一些实施例的各种示例性空间热通量调制子系统的示意图。

在一些实施例中，温度调节系统还包括流体流温度调制子系统。如图8所示，根据本公开的一些实施例，包括多个内部流体通道的示例性夹具的示意性俯视图被示出。夹具300可以包括嵌入夹具300中的多个内部流体通道610。在一些实施例中，内部流体通道610可以被分段成子回路，子回路以图案化阵列布置并且可以单独地寻址。内部流体通道610的每个子回路可以被配置为限定夹具300的单位场以局部地调制夹具300的单位场的温度。

在一些实施例中，内部流体通道610的每个子回路可以使用与上文针对气阀而描述的类似的技术来控制。例如，多个独立的流体管道225可以用于将具有不同温度的流体流分别供应给内部流体通道610的所选择的子回路。作为另一示例，与内部流体通道610的每个子回路相对应的阀可以被独立地控制以限制通过子回路的流体流量。因此，可以实现夹具300的整个表面的期望温度分布以空间调制从夹具300到掩模版400的热通量。

要注意的是，图8所示的内部流体通道610的子回路的数目、内部流体通道610的尺寸、内部流体通道610的相邻子回路之间的间隙、内部流体通道610的每个子回路的形状、以及内部流体通道610的多个子回路的图案化阵列仅是说明性的，而不是限制本公开的范围。可以应用使得流体流温度调制子系统能够空间调制夹具300的温度分布的内部流体通道610的形状、尺寸、图案和分段的任何合适的设计。在一些实施例中，沟槽500和/或孔550可以设置在夹具300的上层中，并且内部流体通道610可以嵌入夹具300的下层中。在一些实施例中，沟槽500和/或孔550可以设置在内部流体通道610的相邻子回路之间的间隙中。

在一些实施例中，温度调节系统还包括热电温度调制子系统。如图9所示，根据本公开的一些实施例，示出了包括多个热电装置的示例性夹具的示意性俯视图。夹具300可以包括嵌入夹具300中的多个热电装置620。在一些实施例中，多个热电装置620可以以阵列布置并且可以被单独地寻址。每个热电装置620可以限定夹具300的单位场并且被配置为局部地控制夹具300的对应单位场的温度。例如，热电装置620可以是珀尔帖装置，其被配置为使用珀耳帖效应来局部地控制流入和流出掩模版400的各个子场的热流。作为另一示例，热电装置620可以是热离子冷却装置或热隧道冷却装置，其嵌入夹具300中以局部地控制流入和流出掩模版400的各个子场的热流。

注意，图9所示的热电装置620的数目、热电装置620的尺寸、相邻热电装置620之间的间隙、热电装置620的形状和多个热电装置620的布置仅是说明性的，而不是限制本公开的范围。可以应用使得热电温度调节子系统能够空间调制夹具300的温度分布的热电装置620的形状、尺寸和布置的任何合适的设计。在一些实施例中，沟槽500和/或孔550可以设置在夹具300的上层中，并且热电装置620可以嵌入夹具300的下层中。在一些实施例中，沟槽500和/或孔550可以被设置在相邻热电装置620之间的间隙中。

在一些实施例中，温度调节系统还包括一个或多个加热装置，该加热装置被配置为加热掩模版400的从光刻光束或夹具300的对应部分接收较少热负载的部分，从而使得净热负载在掩模版400上在空间上均匀。一个或多个加热装置可以包括用于选择性地加热夹具300或掩模版400的各个子场以增加掩模版400的温度均匀性的嵌入式加热丝、一个或多个红外加热器、一个或多个射频辐射加热器、一个或多个感应加热器等。

如图10所示，示出了根据本公开的一些实施例的包括多个加热丝的示例性夹具的示意性俯视图。夹具300可以包括多个加热丝630，加热丝630被分段成多个子回路，该子回路以图案化阵列布置并且可以被单独地寻址。加热丝630的每个子回路可以被配置为限定夹具300的单位场以局部加热夹具300的单位场。这样，可以实现从夹具300到掩模版的期望的热通量分布。

注意，图10所示的加热丝630的子回路数目、加热丝630的尺寸、相邻加热丝630子回路之间的间隙、每个加热丝子回路630的形状和加热丝630的多个子回路的图案化阵列仅是说明性的，而不是限制本公开的范围。可以应用能够实现各种子场热通量调制的加热丝630的形状、尺寸、图案和段的任何合适的设计。在一些实施例中，沟槽500和/或孔550可以设置在夹具300的上层中，并且加热丝630可以嵌入夹具300的下层中。在一些实施例中，沟槽500和/或孔550可以被设置在加热丝630的相邻子回路之间的间隙中。

如图11所示，示出了根据本公开的一些实施例的包括多个感应加热器的示例性夹具的示意性侧视图。夹具300可以包括多个感应加热器640，诸如专用电线(例如，线圈)。多个感应加热器640可以嵌入夹具300中并且以图案化阵列布置并且可以被单独地寻址。每个感应加热器640可以被配置为限定夹具300的单位场以局部加热夹具300的单位场。这样，可以实现从夹具300到掩模版的期望的热通量分布。在一些实施例中，可以通过图案化电接收结构以空间调制从夹具300到掩模版400的背面的热通量分布来增强感应加热效果。

注意，图11所示的感应加热器640的数目、感应加热器640的尺寸、相邻感应加热器640之间的间隙、每个感应加热器640的形状和多个感应加热器640的图案化阵列仅是说明性的，而不是限制本公开的范围。可以应用能够实现各种子场热通量调制的感应加热器640的形状、尺寸、图案和段的任何合适的设计。

在如图11所示的一些实施例中，沟槽500(或孔550)和感应加热器640可以设置在夹具300中的同一层中，并且沟槽500(或孔550)可以设置在相邻感应加热器640之间的间隙中。在一些其他实施例中，沟槽500和/或孔550可以设置在夹具300的上层中，并且感应加热器640可以嵌入夹具300的下层中。还注意，多个感应加热器640可以设置在光刻系统内的单独的模块(例如，掩模版掩蔽模块)中以空间调制到掩模版400的正面的热通量。

如图12所示，示出了根据本公开的一些实施例的示例性红外加热器和掩模版的示意性侧视图。在一些实施例中，温度调节系统还包括多个红外加热器640，红外加热器640被配置为加热接收较少的来自光刻光束的热负载的掩模版400的正面的各个部分。每个红外加热器640可以被控制以发射红外线(ir)光束以覆盖掩模版400的单位场以局部加热掩模版400的单位场。由多个红外加热器640发射的红外光的强度分布的变化可以在掩模版400的正面上实现热通量调制。在一些实施例中，可以通过将ir吸收层655图案化到掩模版400的正面上以促进空间调制ir光束的加热来增强红外加热效果。

在一些实施例中，单个红外加热器640可以被控制以加热掩模版400的不同单位场。例如，红外加热器640可以被控制以移动到另一位置以发射ir束以加热另一区域。作为另一示例，红外加热器640可以被控制以旋转以向不同方向发射ir束。作为又一示例，光学对准系统可以用于将从红外加热器640发射的ir束引导到不同方向。这样，可以减少红外加热器640的数目。

在一些实施例中，温度调节系统还包括射频(rf)辐射加热子系统(也可以称为介电加热子系统)。图13示出了根据本公开的一些实施例的包括发射rf辐射的多个电极的示例性夹具的示意性截面图。夹具300可以包括以图案(例如，阵列)布置并且可以被单独地寻址的多个电极660。可以生成高频电信号并且将其叠加到电极660上的低频静电钳位电压上，使得电极600可以用作rf天线并且加热掩模版400的背面。每个电极630的rf辐射665可以被配置为限定掩模版400的单位场以局部加热掩模版400的单位场。通过控制rf辐射的频率和不同电极660上的电压，可以实现对到掩模版400的背面的热通量的调制。

注意，图13所示的电极600的数目、尺寸、形状和布置仅是说明性的，而不是限制本公开的范围。在如图13所示的一些实施例中，沟槽500(或孔550)和电极660可以设置在夹具300中的同一层中，并且沟槽500(或孔550)可以设置在相邻电极660之间的间隙中。在一些其他实施例中，沟槽500和/或者孔550可以设置在夹具300的上层中，并且电极660可以嵌入夹具300的下层中。还注意，多个电极660可以设置在光刻系统内的单独的模块(例如，掩模版掩蔽模块)中，以空间调制到掩模版400的正面的热通量。

注意，一个或多个上述空间热通量调制子系统(包括流体流温度调制子系统、热电温度调制子系统、加热丝、感应加热器、红外加热器、和射频辐射加热子系统)是可选的。也就是说，上述子系统和/或装置的各种组合中的任一种可以被包括在温度调节系统中以调节掩模版的空间温度分布。

用于掩模版空间温度分布控制的示例性方法

如上所述，所公开的温度调节系统可以在空间上控制掩模版(或掩模)的温度分布，以减少由于掩模版上的非均匀热负载引起的重叠误差。注意，上述气压调制也可以用于校正掩模版(或掩模)的材料的非均匀性，从而进一步减少重叠误差。

参考图14，示出了根据本公开的一些实施例的用于控制掩模版的空间温度分布的示例性方法的示意图。注意，以下公开的方法的详细说明以掩模版为例，而所公开的方法也可以用于控制掩模或其他物体的空间温度分布。

该方法可以开始于操作1401，在操作1401中，可以确定设置在夹具上的掩模版的热膨胀系数(cte)过零温度(tzc)的空间变化。ctetzc的系数的空间变化通常是掩模版的材料制造过程所固有的，并且可能是不可避免的。ctetzc的空间变化可以表示，掩模版的最佳平均温度在空间上变化以最小化掩模版热应力。在一些实施例中，可以在将掩模版加载到夹具上之前由单独的系统执行cte测量，以确定掩模版的ctetzc系数的空间变化。在另一实施例中，来自在光刻设备中使用掩模版的先前曝光的数据可以用于确定整个掩模版上的温度的最佳空间变化。在另一实施例中，可以假定掩模版具有与通过相同制造工艺而制造的其他掩模版基本相同的ctetzc的系数的空间变化。掩模版的ctetzc的系数的空间变化可以记录在可以与掩模版的单位场的空间位置相对应寻址的元素阵列中。

该方法可以进行到操作1403，在操作1403中，可以确定掩模版上的空间非均匀热负载分布。如上文结合图4a-4e和6所述，暴露于光刻辐射束的掩模版的一个或多个子场会导致掩模版上的空间非均匀热负载分布。掩模版上的空间非均匀热负载分布可以通过使用任何合适的技术来确定。例如，掩模版上的空间非均匀热负载分布可以基于在光刻辐射束下的掩模版的暴露区域的检测位置来确定。作为另一示例，光刻系统中的温度传感器阵列可以用于远程检测掩模版上的实时空间温度分布。

该方法可以进行到操作1405，在操作1405中，可以基于掩模版的ctetzc的系数的空间变化和/或掩模版上的空间非均匀热负载分布来调制掩模版与夹具之间的空间中的空间气压分布。

在一些实施例中，可以局部地控制掩模版与夹具之间的空间中的空间气压分布以调制来自掩模版背面的热传导，从而降低来自掩模版的局部ctetzc的局部平均温度增量。掩模版与夹具之间的空间中的气体密度的大小可以被调制，以补偿掩模版内的ctetzc的变化。在一些替代实施例中，省略了操作1401，并且基于掩模版上的空间非均匀热负载分布来调制掩模版与夹具之间的空间中的空间气压分布。

在一些实施例中，可以通过单独地控制通过夹具上的多个气体分布特征中的每个气体分布特征的气流来调制掩模版与夹具之间的空间中的空间气压分布。如上文结合图5a、5b和6所述，操作1405可以包括通过控制一个或多个阀来单独地调制通过沟槽和/或孔的子集中的每个沟槽和/或孔的气体流量。当掩模版的第一子场具有较大热负载(例如，暴露在光刻辐射束下)时，与第一子场相对应的沟槽和/或孔的子集可以具有较高气体流量以增加气压，使得掩模版的第一子场可以具有较高导热性以促进冷却效果。与具有较小热负载(例如，被掩模覆盖)的第二子场相对应的沟槽和/或孔可以具有较小或接近零的气体流量以降低气压，使得掩模版的第二子场可以具有较低导热性以抑制冷却效果。在一些实施例中，与掩模版的第一子场和第二子场的边界相对应的沟槽和/或孔可以具有负气体流量以排气到真空，以生成掩模版上的不同热负载的边界处的急剧气压转变和热导率的陡峭阶跃。

在一些实施例中，操作1405还可以包括生成驻压力波以进一步调制掩模版与夹具之间的空间中的空间气压分布。在一些实施例中，气压驻波可以在气体储存器或连接到夹具上的气体分布特征的气体管道中生成，并且可以是一维空间分布波或二维空间分布波。气压驻波可以由单个或少量执行器通过控制振动频率以设置各种波长的气压驻波来致动。诸如通向夹具的表面的沟槽和/或孔等气体分布特征可以将所生成的气压驻波连接到掩模版与夹具之间的空间中的空间气压分布，以进一步调制热导率。

该方法可以进行到操作1407，在操作1407中，可以基于掩模版的ctetzc的系数的空间变化和/或掩模版上的空间非均匀热负载分布来调制掩模版的空间热通量分布。

在一些实施例中，操作1407可以包括单独地控制穿过嵌入夹具中的流体通道的多个子回路中的每个子回路的流体流的温度和流体流量，以调制夹具的空间温度分布。如上文结合图8所述，流体通道的多个子回路可以以图案化阵列布置，并且每个子回路可以局部地控制夹具的单位场的温度。

在一些实施例中，操作1407可以包括单独地控制通过多个热电装置中的每个热电装置的电流强度以调制夹具的空间温度分布。如上文结合图9所述，多个热电装置可以以图案化阵列布置，并且每个热电装置可以局部地控制夹具的单位场的温度。

在一些实施例中，操作1407可以包括单独地控制通过嵌入夹具中的加热丝的多个子回路中的每个子回路的电流强度，以调制夹具的空间温度分布。如上文结合图10所述，多个加热丝子回路以图案化的阵列布置，并且每个子回路可以局部地控制夹具的单位场的温度。

在一些实施例中，操作1407可以包括单独地控制与多个感应加热器中的每个感应加热器相对应的磁场的强度，以调制夹具的空间温度分布。如以上结合图11所述，多个感应加热器被嵌入夹具中并且以图案化阵列布置，并且每个感应加热器可以局部地控制夹具的单位场的温度。

在一些实施例中，操作1407可以包括单独地控制从物体的正面上的多个红外加热器中的每个红外加热器发射的红外光束的辐射位置和强度，以调制物体的空间温度分布。如上文结合图12所述，从红外加热器发射的每个红外光束可以局部地控制物体的单位视场的温度。

在一些实施例中，操作1407可以包括单独地控制嵌入夹具中的多个电极中的每个电极，以用作射频天线以调节物体的空间温度分布。如上文结合图13所述，多个电极以图案化阵列布置。可以生成高频电信号，并且将其叠加到多个电极中的每个电极上的低频静电电压上以局部地控制物体单位场的温度。

各个实施例中的所公开的方法的操作可以通过任何合适的硬件模块和软件模块的组合直接执行。硬件模块可以包括上述任何装置和部件、以及光刻系统中的一个或多个硬件解码处理器，诸如微处理器、微控制器、中央处理单元(cpu)、网络处理器(np)、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其他可编程逻辑器件、离散门或晶体管逻辑器件、以及离散硬件部件。软件模块可以包括与所公开的方法的操作相关的任何合适的程序、指令和信息，并且可以驻留在光刻系统中的任何合适的存储/存储器介质中，诸如随机存取存储器、闪存、只读存储器、可编程只读存储器、电可擦除可编程存储器、寄存器等。

应当注意，在一些实现中，图14的框中所示的操作可以以任何顺序或序列执行或实现，而不限于图14所示和描述的顺序和序列。具体地，两个连续框实际上在适当的情况下可以基本上同时或并行地执行。例如，操作1405和1407可以基本上同时执行以在掩模版上实现均匀的温度分布以最小化重叠误差。

可以使用以下条项进一步描述实施例：

1.一种设备，包括：

夹具，被配置为固定物体，所述夹具包括在空间上以图案布置的多个气体分布特征；以及

气压控制器，被配置为单独地控制通过所述多个气体分布特征中的每个气体分布特征的气体流量，以空间调制所述夹具与所述物体之间的空间中的气压分布。

2.根据条项1所述的设备，其中：

所述气体分布特征包括以阵列形式布置的多个沟槽或孔。

3.根据条项2所述的设备，其中：

所述气体分布特征是以列和行的图案化阵列布置的多个沟槽；

奇数行或偶数列中的所述沟槽沿行方向延伸；以及

偶数行或奇数列中的所述沟槽沿列方向延伸。

4.根据条项1所述的设备，还包括：

多个气体管道，被配置为将所述气体分布特征连接到气体供应系统和真空系统；以及

多个阀，所述多个阀中的每个阀被配置为通过对应的气体分布特征控制气体流量。

5.根据条项4所述的设备，其中：

所述气压控制器还被配置为在所述多个气体管道的子集中生成气压驻波，以进一步空间调制所述夹具与所述物体之间的所述空间中的所述气压分布。

6.根据条项4所述的设备，其中：

所述多个阀为压电阀或微机电系统阀。

7.根据条项1所述的设备，还包括：

多个流体通道，嵌入所述夹具中并且以图案化阵列布置，其中每个流体通道形成子回路，所述子回路被配置为穿过流体流以局部地控制所述夹具的对应区域的温度。

8.根据条项7所述的设备，还包括：

温度控制器，被配置为单独地控制通过每个子回路的所述流体流的温度和流体流量，从而调制所述夹具的空间温度分布。

9.根据条项1所述的设备，还包括：

多个热电装置，嵌入所述夹具中并且以阵列形式布置，

其中所述多个热电装置中的每个热电装置被配置为局部地控制所述夹具的对应区域的温度。

10.根据条项9所述的设备，其中：

所述多个热电装置包括珀耳帖装置、热离子冷却装置或热隧道冷却装置。

11.根据条项9所述的设备，还包括：

温度控制器，被配置为单独地控制通过每个热电装置的电流的强度，从而调制所述夹具的空间温度分布。

12.根据条项1所述的设备，还包括：

多个加热丝，嵌入所述夹具中并且以图案化阵列布置，其中每个加热丝形成被配置为局部加热所述夹具的对应区域的子回路。

13.根据条项12所述的设备，还包括：

温度控制器，被配置为单独地控制通过每个子回路的电流的强度，从而调制所述夹具的空间温度分布。

14.根据条项1所述的设备，还包括：

多个感应加热器，嵌入所述夹具中并且以图案化阵列布置，

其中每个感应加热器被配置为局部加热所述夹具的对应区域。

15.根据条项14所述的设备，还包括：

温度控制器，被配置为单独地控制与每个感应加热器相对应的磁场的强度，从而调制所述夹具的空间温度分布。

16.根据条项1所述的设备，还包括：

多个红外加热器，所述多个红外加热器中的每个红外加热器被配置为向所述物体的正面的子场发射红外光束以局部加热所述物体的所述子场。

17.根据条项16所述的设备，还包括：

温度控制器，被配置为单独地控制每个红外加热器的位置、以及从每个红外加热器发射的所述红外光束的强度和方向，从而调制所述物体的空间温度分布。

18.根据条项16所述的设备，还包括：

红外光吸收层，在所述物体的所述正面上。

19.根据条项1所述的设备，还包括：

多个电极，嵌入所述夹具中并且以图案化阵列布置，每个电极被配置为用作射频天线以局部加热所述物体的对应区域。

20.根据条项19所述的设备，还包括：

温度控制器，被配置为单独地生成高频电信号，所述高频电信号被叠加到每个电极上的低频静电电压上，从而调制所述物体的空间温度分布。

21.根据条项1所述的设备，其中：

所述物体是掩模版或掩模；以及

所述物体的子场暴露在光刻辐射束下，导致所述物体上的空间非均匀热负载分布。

22.根据条项1所述的设备，还包括：

温度传感器阵列，被配置为远程检测所述物体上的空间温度分布。

23.一种用于调制固定在夹具上的物体的空间温度分布的方法，包括：

确定所述物体上的空间非均匀热负载分布；以及

基于所述空间非均匀热负载分布调制所述物体与所述夹具之间的空间中的空间气压分布。

24.根据条项23所述的方法，还包括：

确定所述物体的热膨胀系数(cte)过零温度(tzc)的空间变化；以及

基于所述ctetzc的所述空间变化调制所述物体与所述夹具之间的空间中的空间气压分布。

25.根据条项23所述的方法，其中所述确定所述物体上的所述空间非均匀热负载分布包括：

确定暴露在光刻辐射束下的所述物体的第一子场、以及未暴露于所述光刻辐射束的所述物体的第二子场。

26.根据条项23所述的方法，其中所述确定所述物体上的所述空间非均匀热负载分布包括：

使用温度传感器阵列远程检测所述物体上的空间温度分布。

27.根据条项25所述的方法，其中所述调制所述空间气压分布包括：

在与所述物体的所述第一子场相对应的所述夹具中的多个气体分布特征的第一子集中生成高气体流量，以形成与所述第一子场相对应的高气压；以及

在与所述物体的所述第二子场相对应的所述夹具中的多个气体分布特征的第二子集中生成低气体流量，以形成与所述第二子场相对应的低气压。

28.根据条项27所述的方法，其中所述调制所述空间气压分布还包括：

在与所述物体的所述第一子场和所述第二子场的边界相对应的、所述夹具中的所述多个气体分布特征的第三子集中生成负气体流量，以形成与所述边界相对应的急剧气压转变。

29.根据条项27所述的方法，其中所述调制所述空间气压分布还包括：

在连接到多个气体分布特征的所述第一子集的至少一个气体管道中生成气压驻波。

30.根据条项27所述的方法，还包括：

基于所述空间非均匀热负载分布调制到所述物体的空间热通量分布。

31.根据条项30所述的方法，其中：

所述调制所述空间热通量分布包括：单独地控制通过嵌入所述夹具中的流体通道的多个子回路中的每个子回路的流体流的温度和流体流量，以调制所述夹具的空间温度分布，以及

所述流体通道的多个子回路以图案化阵列布置。

32.根据条项30所述的方法，其中调制所述空间热通量分布包括：

单独地控制通过多个热电装置中的每个热电装置的电流的强度以调制所述夹具的空间温度分布，其中所述多个热电装置以图案化阵列布置。

33.根据条项30所述的方法，其中：

所述调制所述空间热通量分布包括：单独地控制通过嵌入所述夹具中的加热丝的多个子回路中的每个子回路的电流的强度以调制所述夹具的空间温度分布，以及

所述加热丝的多个子回路以图案化阵列布置。

34.根据条项30所述的方法，其中：

所述调制所述空间热通量分布包括单独地控制与多个感应加热器中的每个感应加热器相对应的磁场的强度，以调制所述夹具的空间温度分布，以及

所述多个感应加热器以图案化阵列布置。

35.根据条项30所述的方法，其中所述调制所述空间热通量分布包括：

单独地控制从所述物体的正面上的多个红外加热器中的每个红外加热器发射的红外光束的辐射位置和强度以调制所述物体的空间温度分布。

36.根据条项30所述的方法，其中：

所述调制所述空间热通量分布包括：单独地控制嵌入所述夹具中以用作射频天线的多个电极中的每个电极以调制所述物体的空间温度分布，以及

所述多个电极以图案化阵列布置。

37.根据条项36所述的方法，还包括：

生成叠加到所述多个电极中的每个电极上的低频静电电压上的高频电信号。

结束语

虽然在本文中可以具体参考光刻设备在ic制造中的使用，但是应当理解，本文中描述的光刻设备可以具有其他应用。可能的其他应用包括制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(lcd)、薄膜磁头等。

尽管在本文中可以在光刻设备的上下文中具体参考本公开的实施例，但是本公开的实施例可以用于其他设备中。本公开的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备、或者测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案形成装置)等物体的任何设备的一部分。这些设备通常可以称为光刻工具。这样的光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。

虽然上文可能已经具体参考了在光刻的上下文中使用本公开的实施例，但是应当理解，在上下文允许的情况下，本公开不限于光刻并且可以用于其他应用，例如压印光刻。

应当理解，本文中的用语或术语是为了描述的目的而非限制性的，因此本说明书的术语或用语应当由相关领域的技术人员根据本文中的教导来解释。

以上示例是对本公开的实施例的说明而非限制。对在本领域中通常遇到的并且相关领域的技术人员很清楚的各种条件和参数的其他合适的修改和调节在本公开的精神和范围内。

虽然上面已经描述了本公开的特定实施例，但是应当理解，本公开可以以不同于所描述的方式来实践。以上描述旨在说明而非限制。因此，对于本领域技术人员来说很清楚的是，可以在不脱离下面阐述的权利要求的范围的情况下对所描述的公开内容进行修改。

应当理解，“具体实施方式”部分而不是“发明内容”和“摘要”部分旨在用于解释权利要求。“发明内容”和“摘要”部分可以阐述发明人所设想的本发明的一个或多个但不是所有示例性实施例，并且因此并不旨在以任何方式限制本发明和所附权利要求。

上面已经借助于示出特定功能及其关系的实现的功能性构建块描述了本发明。为便于描述，本文中已经任意限定了这些功能构建块的边界。只要适当地执行所指定的功能及其关系，就可以限定替代边界。

对具体实施例的前述描述将如此充分地揭示本发明的一般性质以使得其他人可以在不脱离本发明的一般概念的情况下通过应用本领域技术内的知识容易地修改和/或适应这样的具体实施例的各种应用，而无需过度实验。因此，基于本文中呈现的教导和指导，这样的适应和修改旨在在所公开的实施例的等效物的含义和范围内。

本发明的广度和范围不应当受上述示例性实施例中的任一个限制，而应当仅根据所附权利要求及其等效物来限定。