低温多晶硅显示面板及其制作方法、液晶显示装置与流程

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅显示面板及其制作方法、液晶显示装置。

背景技术：

低温多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，简称ltps)显示面板具有高分辨率、反应速度快、高亮度等优点，得到了越来越广泛的应用。对于ltps液晶显示面板而言，其包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，其中，阵列基板上设有薄膜晶体管层，彩膜基板上设有彩膜层和黑矩阵。但是，如果将该种结构的面板应用在曲面屏时，彩膜基板和阵列基板弯曲后，二者的相对位置会发生偏移，导致阵列基板中的金属层暴露在彩膜基板上由黑矩阵限定的开口区内，出现金属漏光现象。

目前，受到ltps显示面板工艺制程因素的限制，难以利用coa(colorfilteronarray)技术改善该问题，只能通过减小开口区面积的方式以降低金属层暴露在开口区的可能性，但是，由于ltps显示面板的像素密度较高，单个子像素的开口区面积本就较小，以牺牲开口率的方式改善金属漏光现象，会对ltps显示面板的显示带来较大影响。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例提供了一种低温多晶硅显示面板及其制作方法、液晶显示装置，在保证低温多晶硅显示面板具有较高显示性能的前提下，有效改善金属漏光现象。

一方面，本发明实施例提供了一种低温多晶硅显示面板，包括：

相对设置的阵列基板和对盒基板、以及填充在所述阵列基板和所述对盒基板之间的液晶；其中，所述阵列基板包括衬底基板，所述衬底基板上沿出光方向依次设置有低温多晶硅有源层、栅极层和源漏极层；

所述低温多晶硅显示面板还包括：

彩膜层，所述彩膜层设于所述阵列基板，且所述彩膜层位于所述源漏极层背向所述衬底基板的一侧；

遮光层，所述遮光层用于对低温多晶硅显示面板的开口区域进行限定，至少部分所述遮光层设于所述阵列基板，且所述阵列基板上的所述遮光层位于所述源漏极层背向所述衬底基板的一侧。

另一方面，本发明实施例提供了一种低温多晶硅显示面板的制作方法，用于制作上述低温多晶硅显示面板，包括：

形成阵列基板，形成阵列基板的过程包括：在衬底基板上依次形成低温多晶硅有源层、栅极层和源漏极层，其中，形成所述低温多晶硅有源层时在500℃～600℃范围内对其进行激光退火处理，形成所述源漏极层时在300℃～400℃范围内对其进行高温回火处理；在所述源漏极层背向所述衬底基板的一侧形成彩膜层和至少部分遮光层，所述遮光层用于对低温多晶硅显示面板的开口区域进行限定；

形成对盒基板；

将所述阵列基板和所述对盒基板对盒，并在所述阵列基板和所述对盒基板内灌注液晶。

再一方面，本发明实施例提供了一种液晶显示装置，包括上述低温多晶硅显示面板。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：

在本发明实施例所提供的技术方案中，彩膜层和至少部分遮光层设置在阵列基板上，也就是说，阵列基板上的金属层，如栅极层和源漏极层与至少部分遮光层位于同一侧，当低温多晶硅显示面板弯曲时，金属层与该部分遮光层的相对位置关系不会受到阵列基板和对盒基板之间对位因素的影响，阵列基板同一区域的金属层和遮光层在同一弯曲力的作用下的形变程度相近，因而该区域的金属层仍会被遮光层遮挡，降低其暴露在开口区域内的风险，从而对金属漏光现象进行有效改善。而且，相较于现有技术中通过增大遮光层覆盖面积以改善金属漏光的方式，采用本发明实施例所提供的技术方案，无需对遮光层覆盖面积进行调整，从而使低温多晶硅显示面板仍保持较高的开口率，使其具有更优的显示性能。

而且，在低温多晶硅显示面板的工艺制程中，在形成低温多晶硅有源层时，需要在500℃～600℃的温度范围内对其进行激光退火处理，在形成源漏极层时，需要在300℃～400℃范围内对其进行高温回火处理。由于目前形成遮光层和彩膜层的材料的耐受温度小于250℃，因此，在本发明实施例中，通过将彩膜层和至少部分遮光层设置在源漏极层背向衬底基板的一侧，能够使低温多晶硅显示面板所需采用的高温处理的工艺流程均在形成彩膜层和遮光层之前进行，形成彩膜层和遮光层后，无需再进行高温处理，从而避免了彩膜层和遮光层受到高温工艺制程的影响，提高了彩膜层和遮光层设置的可靠性，进而提高了将彩膜层和遮光层集成在阵列基板上的可实施性。

此外，还需要说明的是，当仅有部分遮光层设置在阵列基板上时，由于该部分遮光层也用于对开口区域进行限定，那么，当低温多晶硅显示面板弯曲时，提高该部分遮光层与金属层之间的对位稳定性，使金属层仍被覆盖该部分遮光层覆盖，仍能在一定程度上降低金属层暴露在开口区域的风险，对金属漏光现象进行改善。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本发明实施例所提供的显示面板的结构示意图；

图2为图1沿a1-a2方向的剖视图；

图3为本发明实施例所提供的平坦化层的结构示意图；

图4为本发明实施例所提供的遮光层的设置位置示意图；

图5为本发明实施例所提供的遮光层的结构示意图；

图6为本发明实施例所提供的遮光层的另一种结构示意图；

图7为本发明实施例所提供的遮光层的又一种结构示意图；

图8为本发明实施例所提供的遮光层的另一种设置位置示意图；

图9为本发明实施例所提供的遮光层的又一种设置位置示意图；

图10为本发明实施例所提供的遮光层的再一种设置位置示意图；

图11为本发明实施例所提供的遮光层的另一种设置位置示意图；

图12为本发明实施例所提供的遮光层的又一种设置位置示意图；

图13为本发明实施例所提供的遮光层的再一种设置位置示意图；

图14为本发明实施例所提供的遮光层的再一种设置位置示意图；

图15为本发明实施例所提供的遮光层的另一种设置位置示意图；

图16为本发明实施例所提供的遮光层的又一种设置位置示意图；

图17为图1沿b1-b2方向的剖视图；

图18为图1沿b1-b2方向的另一种剖视图；

图19为本发明实施例所提供的连接层的设置位置示意图；

图20为本发明实施例所提供的制作方法的流程图；

图21为本发明实施例所提供的制作方法的另一种流程图；

图22为本发明实施例所提供的液晶显示装置的结构示意图。

【具体实施方式】

为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二来描述绝缘层、遮光部，但这些绝缘层、遮光部不应限于这些术语。这些术语仅用来将绝缘层、遮光部彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一绝缘层也可以被称为第二绝缘层，类似地，第二绝缘层也可以被称为第一绝缘层。

本发明实施例提供了一种低温多晶硅显示面板，如图1和图2所示，图1为本发明实施例所提供的显示面板的结构示意图，图2为图1沿a1-a2方向的剖视图，该低温多晶硅显示面板包括：相对设置的阵列基板1和对盒基板2、以及填充在阵列基板1和对盒基板2之间的液晶3；其中，阵列基板1包括衬底基板4，衬底基板4上沿该低温多晶硅显示面板的出光方向依次设置有低温多晶硅有源层5、栅极层6和源漏极层7。

此外，低温多晶硅显示面板还包括：彩膜层8，彩膜层8设于阵列基板1，且彩膜层8位于源漏极层7背向衬底基板4的一侧；遮光层9，遮光层9用于对低温多晶硅显示面板的开口区域10，即低温多晶硅显示面板的出光区域进行限定，至少部分遮光层9设于阵列基板1，且阵列基板1上的遮光层9位于源漏极层7背向衬底基板4的一侧。

可以理解的是，阵列基板1和对盒基板2上还分别设置有配向层11，以驱动液晶3正常翻转，此外，阵列基板1和对盒基板2之间还设置有支撑柱12，用以对盒厚进行稳定支撑，支撑柱12既可以设置在阵列基板1上，也可以设置在对盒基板2上，本发明实施例对此不作限定。

在本发明实施例所提供的低温多晶硅显示面板中，彩膜层8和至少部分遮光层9设置在阵列基板1上，也就是说，阵列基板1上的金属层，如栅极层6和源漏极层7与至少部分遮光层9位于同一侧，当低温多晶硅显示面板弯曲时，金属层与该部分遮光层9的相对位置关系不会受到阵列基板1和对盒基板2之间对位因素的影响，阵列基板1同一区域的金属层和遮光层9在同一弯曲力的作用下的形变程度相近，因而该区域内的金属层仍会被遮光层9遮挡，降低了其暴露在开口区域10内的风险，从而对金属漏光现象进行有效改善。而且，相较于现有技术中通过增大遮光层覆盖面积以改善金属漏光的方式，采用本发明实施例所提供的技术方案，无需对遮光层9的覆盖面积进行调整，从而使低温多晶硅显示面板仍保持较高的开口率，使其具有更优的显示性能。

而且，在低温多晶硅显示面板的工艺制程中，在形成低温多晶硅有源层5时，需要在500℃～600℃的温度范围内对其进行激光退火处理，在形成源漏极层7时，需要在300℃～400℃范围内对其进行高温回火处理。由于目前形成遮光层9和彩膜层8的材料的耐受温度小于250℃，因此，在本发明实施例中，通过将彩膜层8和至少部分遮光层9设置在源漏极层7背向衬底基板4的一侧，能使低温多晶硅显示面板所需采用的高温处理的工艺流程均在形成彩膜层8和遮光层9之前进行，形成彩膜层8和遮光层9后，无需再进行高温处理，从而避免了彩膜层8和遮光层9受到高温工艺制程的影响，提高了彩膜层8和遮光层9设置的可靠性，进而提高了将彩膜层8和遮光层9集成在阵列基板1上的可实施性。

此外，还需要说明的是，当仅有部分遮光层9设置在阵列基板1上时，由于该部分遮光层9也用于对开口区域10进行限定，那么，当低温多晶硅显示面板弯曲时，提高该部分遮光层9与金属层之间的对位稳定性，使金属层仍被该部分遮光层9覆盖，仍能在一定程度上降低金属层暴露在开口区域10的风险，对金属漏光现象进行改善。

可选地，请再次参见图2，为实现平坦化，阵列基板1还包括平坦化层13，平坦化层13位于彩膜层8背向衬底基板4的一侧；至少部分遮光层9位于平坦化层13背向衬底基板4的一侧。

可选地，结合图1，如图3所示，图3为本发明实施例所提供的平坦化层的结构示意图，阵列基板1具有显示区14和围绕显示区14的非显示区15，平坦化层13从显示区14延伸至非显示区15，平坦化层13上开设有凹槽16，凹槽16位于非显示区15。

为有效实现平坦化，平坦化层13远离衬底基板4的上表面为一较为平整的表面，当将遮光层9设置在平坦化层13背向衬底基板4的一侧时，以遮光层9位于平坦化层13的上表面为例，在形成遮光层9时，将遮光材料，如黑色树脂材料在平坦化层13的上表面整面涂覆后，会呈现一整层遮光且表面较为平整的遮光膜层，在后续进行曝光时，掩膜板难以与遮光膜层进行对位，进而难以在遮光膜层中刻蚀形成开口区域10。而在本发明实施例中，通过在平坦化层13位于非显示区15的部分上开设凹槽16，凹槽16所在位置与周边位置会形成高度差，后续涂覆遮光材料形成遮光膜层时，遮光膜层会在凹槽16处向下凹陷，使遮光膜层在凹槽16所在位置与周边位置处形成灰阶差异，在掩膜板对位时，可根据此处形成的灰阶差异作为对位标识，从而实现精准对位，提高刻蚀的准确性，进而提高开口区域10的设置位置的准确性。

而且，相较于阵列基板1上的其他膜层来说，平坦化层13厚度较大，因此，在平坦化层13上设置凹槽16，凹槽16所在位置与周边位置处形成的高度差较大，后续涂覆遮光材料形成遮光膜层后，凹槽16所在位置与周边位置处形成的灰阶差异也就更明显，因而能够更好地被识别。

此外，为进一步增大高度差，提高识别的准确性，请再次参见图3，平坦化层13在凹槽16处镂空设置，即凹槽16贯穿了平坦化层13。

可选地，如图4所示，图4为本发明实施例所提供的遮光层的设置位置示意图，阵列基板1还包括：触控信号线17，触控信号线17设于平坦化层13背向衬底基板4的一侧；第一绝缘层18，第一绝缘层18设于触控信号线17背向衬底基板4的一侧；公共电极19，公共电极19设于第一绝缘层18背向衬底基板4的一侧，公共电极19复用为触控电极，且公共电极19与触控信号线电连接(图中未示出)；第二绝缘层20，第二绝缘层20设于公共电极19背向衬底基板4的一侧；像素电极21，像素电极21位于第二绝缘层20背向衬底基板4的一侧，像素电极21与源漏极层7电连接；其中，公共电极19和像素电极21可采用透明导电材料，如氧化铟锡等材料形成。具体地，当低温多晶硅显示面板处于显示模式时，公共电极19接收公共电极信号，源漏极层7向像素电极21提供驱动信号，像素电极21和公共电极19之间形成电场，驱动液晶3翻转，从而实现正常显示；当低温多晶硅处于触控模式时，公共电极19复用为触控电极，当手指触摸显示屏时，手指所在位置处的公共电极19的耦合电容会发生变化，驱动芯片进而根据触控信号线17所传输的检测信号，对手指的触摸位置进行确定。

基于此，至少部分遮光层9位于像素电极21背向衬底基板4的一侧，如此一来，在有效改善金属漏光且使低温多晶硅显示面板保持高开口率的前提下，在形成遮光层9时，只需要在形成像素电极21后，增加形成遮光层9的工艺流程即可，不会对阵列基板1原有的工艺流程造成较大影响。

进一步地，如图5所示，图5为本发明实施例所提供的遮光层的结构示意图，第二绝缘层20上设有第一过孔22，第一过孔22位于低温多晶硅显示面板的非开口区域，部分遮光层9沉积在第二绝缘层20的第一过孔22内，其中，非开口区是指显示区中除开口区域以外的不出光区域。由于像素电极21为独立的块状电极，因此，将遮光层9设置在像素电极21背向衬底基板4的一侧时，部分遮光层9会从像素电极21上延伸至第二绝缘层20，与第二绝缘层20直接接触，通过在第二绝缘层20上形成第一过孔22，在涂覆遮光材料以形成遮光层9时，部分遮光材料会下沉至第一过孔22内，从而使遮光材料所形成的遮光层9的膜层厚度减小，避免由遮光层9过厚导致阵列基板上表面起伏较大，进而有利于后续配向层11的涂覆和配向。

或者，如图6所示，图6为本发明实施例所提供的遮光层的另一种结构示意图，第二绝缘层20上设有第一过孔22，公共电极19上设有第二过孔23，第一过孔22和第二过孔23位于低温多晶硅显示面板的非开口区域，部分遮光层9沉积在第一过孔22和第二过孔23内。通过进一步在公共电极19上设置第二过孔23，遮光材料可经由第一过孔22进一步下沉至第二过孔23内，从而进一步减小了遮光层9的厚度，进而更大程度的提高了阵列基板1整体膜层上表面的平整性。

或者，如图7所示，图7为本发明实施例所提供的遮光层的又一种结构示意图，第二绝缘层20上设有第一过孔22，公共电极19上设有第二过孔23，第一绝缘层18上设有第三过孔24，第一过孔22、第二过孔23和第三过孔24位于低温多晶硅显示面板的非开口区域，部分遮光层9沉积在第一过孔22、第二过孔23和第三过孔24内。通过进一步在第一绝缘层18上设置第三过孔24，遮光材料可经由第一过孔22、第二过孔23进一步下沉至第三过孔24内，更大程度地减小遮光层9的厚度，以更大程度的提高阵列基板1整体膜层上表面的平整性。

此外，在平坦化层13背向衬底基板4一侧的膜层中设置过孔，还有利于彩膜层8等有机膜层中未完全挥发的小分子物质在后续制程中进一步通过过孔挥发出去，避免小分子物质残留在面板内，对面板的工作稳定性造成影响。

进一步地，请再次参见图4，遮光层9背向衬底基板4的一侧形成有液态胶25。通过在遮光层9的上侧形成液态胶，能够利用液态胶25对阵列基板1整体膜层的上表面进行平坦化，有利于后续配向层11的涂覆和配向，而且，基于图5～图7，当在遮光层9下侧的膜层上形成过孔，如第一过孔22、第二过孔23和第三过孔24时，遮光层9的膜层厚度较小，阵列基板1整体膜层上表面的起伏程度也较小，在涂覆液态胶25时，仅需利用较薄的液态胶25就可实现平坦化，从而减小了像素电极21与液晶3之间的距离，提高了像素电极21对液晶3的驱动效果。此外，液态胶25还能对遮光层9进行隔离，避免形成遮光层9的有机物材料中的添加剂污染液晶3。

可选地，如图8所示，图8为本发明实施例所提供的遮光层的另一种设置位置示意图，阵列基板1还包括：触控信号线17，触控信号线17设于平坦化层13背向衬底基板4的一侧；第一绝缘层18，第一绝缘层18设于触控信号线17背向衬底基板4的一侧；公共电极19，公共电极19设于第一绝缘层18背向衬底基板4的一侧，公共电极19复用为触控电极，且公共电极19与触控信号线17电连接(图中未示出)；第二绝缘层20，第二绝缘层20设于公共电极19背向衬底基板4的一侧；像素电极21，像素电极21位于第二绝缘层20背向衬底基板4的一侧，像素电极21与源漏极层7电连接。

基于此，请再次参见图8，至少部分遮光层9位于第二绝缘层20与像素电极21之间；或者，如图9所示，图9为本发明实施例所提供的遮光层的又一种设置位置示意图，至少部分遮光层9位于公共电极19与第二绝缘层20之间；或者，如图10所示，图10为本发明实施例所提供的遮光层的再一种设置位置示意图，至少部分遮光层9位于公共电极19与第一绝缘层18之间。

采用上述设置方式，在有效改善金属漏光且使低温多晶硅显示面板保持高开口率的前提下，一方面，遮光层9位于触控信号线17背向衬底基板4的一侧，遮光层9除了对源漏极层7、栅极层6等金属层进行遮挡外，还对触控信号线17也进行遮挡，从而更大程度地降低了金属可见的风险；另一方面，遮光层9还能增大像素电极21、公共电极19与与其他金属层，如触控信号线17、源漏极层7和栅极层6之间的间距，从而降低像素电极21和公共电极19与其他金属层之间的耦合电容，进一步降低功耗。

可选地，如图11所示，图11为本发明实施例所提供的遮光层9的另一种设置位置示意图，阵列基板1还包括：触控信号线17，触控信号线17设于平坦化层13背向衬底基板4的一侧；第一绝缘层18，第一绝缘层18设于触控信号线17背向衬底基板4的一侧。

基于此，请再次参见图11，至少部分遮光层9位于触控信号线17与平坦化层13之间；或者，如图12所示，图12为本发明实施例所提供的遮光层的又一种设置位置示意图，至少部分遮光层9位于触控信号线17与第一绝缘层18之间。

采用上述设置方式，在有效改善金属漏光且使低温多晶硅显示面板保持高开口率的前提下，一方面，遮光层9与平坦化层13距离较近，尤其地，当遮光层9位于触控信号线17与平坦化层13之间时，遮光层9直接设置在平坦化层13的表面，结合图3，当平坦化层13上设置凹槽16以形成高度差时，遮光层9所具有的灰阶差异受高度差的影响较大，使得灰阶差异也较大，因而更容易被识别；另一方面，遮光层9与触控信号线17、源漏极层7和栅极层6之间的间距均较小，当低温多晶硅显示面板弯曲时，同一区域的遮光层9与该部分金属层在弯曲力的作用下的形变程度相近，从而进一步保证该部分金属层被遮光层9覆盖，更大程度地降低该部分金属层暴露在开口区域10的风险。

可选地，请再次参见图4～图12，彩膜层8位于源漏极层7背向衬底基板4的表面，以保证彩膜层8不会受到高温制程工艺的影响，提高其可靠性。而且，将彩膜层8设置在源漏极层7背向衬底基板4的表面时，彩膜层8会与源漏极层7与栅极层6之间的层间介质层直接接触，目前，层间介质层通常由氧化硅或氮化硅材料形成，形成彩膜层的色阻材料与氧化硅或氮化硅材料之间的粘附性较高，提高了彩膜层8设置的可靠性，有利于量产化。

可选地，如图13所示，图13为本发明实施例所提供的遮光层的再一种设置位置示意图，阵列基板1还包括平坦化层13，平坦化层13位于源漏极层7背向衬底基板4的一侧；彩膜层8和至少部分遮光层9位于源漏极层7与平坦化层13之间，如此设置，同样能够在保证低温多晶硅显示面板具有较高开口率额前提下有效改善金属漏光现象，而且，还能保证彩膜层8和遮光层9不会受到高温制程工艺的影响。

进一步地，请再次参见图13，为实现更好的遮光效果，至少部分遮光层9位于彩膜层8背向衬底基板4的一侧；或者，如图14所示，图14为本发明实施例所提供的遮光层的再一种设置位置示意图，彩膜层8位于至少部分遮光层9背向衬底基板4的一侧。采用上述设置方式，遮光层9与源漏极层7和栅极层6之间的间距均较小，当低温多晶硅显示面板弯曲时，同一区域的遮光层9与该部分金属层在弯曲力的作用下的形变程度相近，从而进一步保证该部分金属层被遮光层9覆盖，更大程度地降低该部分金属层暴露在开口区域10的风险。

可选地，结合图1，如图15所示，图15为本发明实施例所提供的遮光层的另一种设置位置示意图，遮光层9包括第一遮光部26和第二遮光部27，第一遮光部26沿第一方向延伸，第二遮光部27沿第二方向延伸，第一遮光部26和第二遮光部27交叉限定低温多晶硅显示面板的开口区域10；彩膜层8包括多个颜色的色阻28，在第一方向上，相邻两个不同颜色的色阻28存在交叠，相邻两个色阻28交叠的部分复用为第二遮光部27。

对于某种颜色的色阻28来说，该色阻28只能允许该颜色的光对应的波段范围内的光线射出，例如，红色色阻只能使得波长范围在625～740nm的红光射出，当在一种颜色的色阻28上叠加另一种颜色的色阻28时，由于两种颜色的光对应的波长范围不同，因此，经由一种颜色色阻28射出的光线，无法进一步经由另一种颜色的色阻28射出，从而实现遮光作用。通过将不同颜色色阻28交叠的部分复用为第二遮光部27，无需再采用额外的工艺形成第二遮光部27，简化了制作工艺，降低了制作成本，而且还降低了低温多晶硅显示面板的盒厚。

进一步地，如图16所示，图16为本发明实施例所提供的遮光层的又一种设置位置示意图，色阻28包括红色色阻29、绿色色阻30和蓝色色阻31；阵列基板1还包括触控信号线17，触控信号线17位于彩膜层8朝向衬底基板4的一侧，在垂直于衬底基板4所在平面的方向上，触控信号线17与红色色阻29和蓝色色阻31交叠的部分交叠。红光的波长范围为625～740nm，蓝光的波长范围在440～485nm，两种颜色光对应的波长范围差异较大，因此，由红色色阻29和蓝色色阻31交叠形成的第二遮光部27的遮光效果更好，通过将触控信号线17与红色色阻29和蓝色色阻31交叠的部分交叠，能够提高对触控信号线17的遮挡效果，更大程度地避免触控信号线17的金属可见。

可选地，结合图1，如图17所示，图17为图1沿b1-b2方向的剖视图，遮光层9包括沿第一方向延伸的第一遮光部26和沿第二方向延伸的第二遮光部27，第一遮光部26和第二遮光部27交叉限定出低温多晶硅显示面板的开口区域10；第一遮光部26和第二遮光部27均位于阵列基板1。将第一遮光部26和第二遮光部27均设置在阵列基板1上，也就是将限定开口区域10的全部遮光层9均与金属层设置在同一侧，当低温多晶硅显示面板弯曲时，金属层与全部遮光层9的相对位置关系均不会受到阵列基板1和对盒基板2之间对位因素的影响，从而进一步改善了金属漏光现象。

或者，结合图1，如图18所示，图18为图1沿b1-b2方向的另一种剖视图，遮光层9包括沿第一方向延伸的第一遮光部26和沿第二方向延伸的第二遮光部27，第一遮光部26和第二遮光部27交叉限定出低温多晶硅显示面板的开口区域10；第二遮光部27位于阵列基板1，第一遮光部26位于对盒基板2。由于开口区域10由第一遮光部26和第二遮光部27共同限定，因此，将第二遮光部27设置在阵列基板1上，当低温多晶硅显示面板弯曲时，金属层仍能被第二遮光部27遮挡，同样能够降低金属层暴露在开口区域10的风险。

此外，在本发明实施例中，将彩膜层8和/或遮光层9集成设置在阵列基板1上后，增大了像素电极21与源漏极层7之间的间距，当像素电极21通过过孔与源漏极层7电连接时，过孔深度较大，工艺难度也较大，为此，如图19所示，图19为本发明实施例所提供的连接层的设置位置示意图，阵列基板1上还可设有连接层32，连接层32与触控信号线17同层设置，像素电极21通过连接层32电连接至源漏极层7。如此设置，像素电极21与连接层32之间的过孔、以及连接层32与源漏极层7之间的过孔深度均较小，既降低了工艺难度，还提高了像素电极21与源漏极层7的连接稳定性。而且，连接层32与触控信号线17同层设置，避免了连接层32额外占用膜层空间，且连接层32和触控信号线17可采用同一构图工艺形成，简化了连接层32的工艺流程。

本发明实施例还提供了一种低温多晶硅显示面板的制作方法，该制作方法用于制作上述低温多晶硅显示面板，结合图1和图2，如图20所示，图20为本发明实施例所提供的制作方法的流程图，该制作方法包括：

步骤s1：形成阵列基板1，形成阵列基板1的过程包括：在衬底基板4上依次形成低温多晶硅有源层5、栅极层6和源漏极层7，其中，形成低温多晶硅有源层5时在500℃～600℃范围内对其进行激光退火处理，形成源漏极层7时在300℃～400℃范围内对其进行高温回火处理；在源漏极层7背向衬底基板4的一侧形成彩膜层8和至少部分遮光层9，遮光层9用于对低温多晶硅显示面板的开口区域10进行限定。

需要说明的是，在形成栅极层6时，可根据栅极层6的形成材料选择性的对栅极层6进行回火处理，例如，若形成栅极层6的金属材料的导电性较弱，可以在300℃～400℃范围内对其进行高温回火处理，以增强其导电性，若形成栅极层6的金属材料的导电性较强，无需进行高温回火处理。

步骤s2：形成对盒基板2。

步骤s3：将阵列基板1和对盒基板2对盒，并在阵列基板1和对盒基板2内灌注液晶3。

在本发明实施例所提供的技术方案中，阵列基板1上的金属层，如栅极层6和源漏极层7与至少部分遮光层9位于同一侧，当低温多晶硅显示面板弯曲时，金属层与该部分遮光层9的相对位置关系不会受到阵列基板1和对盒基板2之间对位因素的影响，阵列基板1同一区域的金属层和遮光层9在同一弯曲力的作用下的形变程度相近，因而该区域内的金属层仍会被遮光层9遮挡，降低了其暴露在开口区域10内的风险，从而对金属漏光现象进行有效改善。而且，采用本发明实施例所提供的技术方案，无需对遮光层9的覆盖面积进行调整，从而使低温多晶硅显示面板仍保持较高的开口率，使其具有更优的显示性能。

而且，在本发明实施例中，通过将彩膜层8和至少部分遮光层9设置在源漏极层7背向衬底基板4的一侧，能使低温多晶硅显示面板所需采用的高温处理的工艺流程均在形成彩膜层8和遮光层9之前进行，形成彩膜层8和遮光层9后，无需再进行高温处理，从而避免了彩膜层8和遮光层9受到高温因素的影响，提高了彩膜层8和遮光层9设置的可靠性，进而提高了将彩膜层8和遮光层9集成在阵列基板1上的可实施性。

可选地，结合图2，为实现平坦化，形成阵列基板1的过程还包括：在彩膜层8背向衬底基板4的表面形成平坦化层13；在源漏极层7背向衬底基板4的一侧形成至少部分遮光层9的过程包括：在平坦化层13背向衬底基板4的一侧形成至少部分遮光层9。

可选地，结合图1和图3，阵列基板1具有显示区14和围绕显示区14的非显示区15；形成平坦化层13的过程包括：平坦化层13从显示区14延伸至非显示区15，在平坦化层13上开设凹槽16，使凹槽16位于非显示区15。如此设置，凹槽16所在位置与周边位置会形成高度差，后续涂覆遮光材料形成遮光膜层时，遮光膜层会在凹槽16处向下凹陷，使遮光膜层在凹槽16所在位置与周边位置处形成灰阶差异，在掩膜板对位时，可根据此处形成的灰阶差异作为对位标识，从而实现精准对位，提高刻蚀的准确性，进而提高开口区域10的设置位置的准确性。

而且，相较于阵列基板1上的其他膜层来说，平坦化层13厚度较大，因此，在平坦化层13上设置凹槽16，凹槽16所在位置与周边位置处形成的高度差较大，后续涂覆遮光材料形成遮光膜层后，凹槽16所在位置与周边位置处形成的灰阶差异也就更明显，因而能够更好地被识别。

可选地，结合图4，如图21所示，图21为本发明实施例所提供的制作方法的另一种流程图，形成阵列基板1的过程还包括：

步骤k1：在平坦化层13背向衬底基板4的一侧形成触控信号线17。

步骤k2：在触控信号线17背向衬底基板4的一侧形成第一绝缘层18。

步骤k3：在第一绝缘层18背向衬底基板4的一侧形成公共电极19，公共电极19复用为触控电极，且公共电极19与触控信号线17电连接。

步骤k4：在公共电极19背向衬底基板4的一侧形成第二绝缘层20。

步骤k5：在第二绝缘层20背向衬底基板4的一侧形成像素电极21。

基于此，在平坦化层13背向衬底基板4的一侧形成至少部分遮光层9的过程包括：在像素电极21背向衬底基板4的一侧形成至少部分遮光层9。如此一来，在有效改善金属漏光且使低温多晶硅显示面板保持高开口率的前提下，在形成遮光层9时，只需要在形成像素电极21后，增加形成遮光层9的工艺流程即可，不会对阵列基板1原有的工艺流程造成较大影响。

进一步地，结合图7，第一绝缘层18上设有第三过孔24，公共电极19上设有第二过孔23，第二绝缘层20上设有第一过孔22，部分遮光层9沉积在第一过孔22、第二过孔23和第三过孔24内；或，结合图6，公共电极19上设有第二过孔23，第二绝缘层20上设有第一过孔22，部分遮光层9沉积在第一过孔22和第二过孔23内；或，结合图5，第二绝缘层20上设有第一过孔22，部分遮光层9沉积在第一过孔22内；其中，第一过孔22、第二过孔23和第三过孔24位于低温多晶硅显示面板的非开口区域。

通过在遮光层9朝向衬底基板4的一侧的膜层上形成过孔，在涂覆遮光材料以形成遮光层9时，部分遮光材料会下沉至过孔内，从而使遮光材料所形成的遮光层9的膜层厚度减小，避免由遮光层9过厚导致阵列基板上表面起伏较大，有利于后续配向层11的涂覆和配向。此外，还有利于彩膜层8等有机膜层中未完全挥发的小分子物质在后续制程中进一步通过过孔挥发出去，避免小分子物质残留在面板内，对面板的工作稳定性造成影响。

进一步地，结合图4，形成阵列基板1的过程还包括：在遮光层9背向衬底基板4的一侧形成液态胶25，一方面利用液态胶25对阵列基板1整体膜层的上表面进行平坦化，有利于后续配向层11的涂覆和配向，另一方面，基于图5～图7，当在遮光层9下侧的膜层上形成过孔，如第一过孔22、第二过孔23和第三过孔24时，遮光层9的膜层厚度较小，阵列基板1整体膜层上表面的起伏程度也较小，在涂覆液态胶25时，仅需利用较薄的液态胶25就可实现平坦化，从而减小了像素电极21与液晶3之间的距离，提高了像素电极21对液晶3的驱动效果；再一方面，液态胶25还能对遮光层9进行隔离，避免形成遮光层9的有机物材料中的添加剂污染液晶3。

可选地，请再次参见图21，形成阵列基板1的过程还包括：

步骤k1：在平坦化层13背向衬底基板4的一侧形成触控信号线17。

步骤k2：在触控信号线17背向衬底基板4的一侧形成第一绝缘层18。

步骤k3：在第一绝缘层18背向衬底基板4的一侧形成公共电极19，公共电极19复用为触控电极，且公共电极19与触控信号线17电连接。

步骤k4：在公共电极19背向衬底基板4的一侧形成第二绝缘层20。

步骤k5：在第二绝缘层20背向衬底基板4的一侧形成像素电极21。

基于此，在平坦化层13背向衬底基板4的一侧形成至少部分遮光层9的过程包括：结合图8，在第二绝缘层20与像素电极21之间形成至少部分遮光层9，或，结合图10，在公共电极19与第一绝缘层18之间形成至少部分遮光层9，或，结合图9，在公共电极19与第二绝缘层20之间形成至少部分遮光层9。采用上述设置方式，在有效改善金属漏光且使低温多晶硅显示面板保持高开口率的前提下，一方面，遮光层9位于触控信号线17背向衬底基板4的一侧，遮光层9除了对源漏极层7、栅极层6等金属层进行遮挡外，还对触控信号线17也进行遮挡，从而更大程度地降低了金属可见的风险；另一方面，遮光层9还能增大像素电极21、公共电极19与与其他金属层，如触控信号线17、源漏极层7和栅极层6之间的间距，从而降低像素电极21和公共电极19与其他金属层之间的耦合电容，进一步降低功耗。

或者，在平坦化层13背向衬底基板4的一侧形成至少部分遮光层9的过程包括：结合图11，在触控信号线17与平坦化层13之间形成至少部分遮光层9，或，结合图12，在触控信号线17与第一绝缘层18之间形成至少部分遮光层9。采用上述设置方式，在有效改善金属漏光且使低温多晶硅显示面板保持高开口率的前提下，一方面，遮光层9与平坦化层13距离较近，尤其地，当遮光层9位于触控信号线17与平坦化层13之间时，遮光层9直接设置在平坦化层13的表面，结合图3，当平坦化层13上设置凹槽16以形成高度差时，遮光层9所具有的灰阶差异受高度差的影响较大，使得灰阶差异也较大，因而更容易被识别；另一方面，遮光层9与触控电极17、源漏极层7和栅极层6之间的间距均较小，当低温多晶硅显示面板弯曲时，同一区域的遮光层9与该部分金属层在弯曲力的作用下的形变程度相近，从而进一步保证该部分金属层被遮光层9覆盖，更大程度地降低该部分金属层暴露在开口区域10的风险。

可选地，结合图13和图14，在源漏极层7背向衬底基板4的一侧形成彩膜层8和至少部分遮光层9的过程包括：在源漏极层7背向衬底基板4的一侧形成彩膜层8，在彩膜层8背向衬底基板4的一侧形成至少部分遮光层9，在至少部分遮光层9背向衬底基板4的一侧形成平坦化层13；或，在源漏极层7背向衬底基板4的一侧形成至少部分遮光层9，在彩膜层8背向衬底基板4的一侧形成彩膜层8，在彩膜层8背向衬底基板4的一侧形成平坦化层13。采用上述设置方式，遮光层9与源漏极层7和栅极层6之间的间距均较小，当低温多晶硅显示面板弯曲时，同一区域的遮光层9与该部分金属层在弯曲力的作用下的形变程度相近，从而进一步保证该部分金属层被遮光层9覆盖，更大程度地降低该部分金属层暴露在开口区域10的风险。

可选地，结合图1和图15，在源漏极层7背向衬底基板4的一侧形成彩膜层8的过程包括：在源漏极层7背向衬底基板4的一侧形成多个颜色的色阻28，在第一方向上，相邻两个不同颜色的色阻28存在交叠；遮光层9包括第一遮光部26和第二遮光部27，第一遮光部26沿第一方向延伸，第二遮光部27沿第二方向延伸，第一遮光部26和第二遮光部27交叉限定低温多晶硅显示面板的开口区域10，相邻两个色阻28交叠的部分复用为第二遮光部27。通过将不同颜色色阻28交叠的部分复用为第二遮光部27，无需再采用额外的工艺形成第二遮光部27，简化了制作工艺，降低了制作成本，而且还降低了低温多晶硅显示面板的盒厚。

本发明实施例还提供了一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括上述低温多晶硅显示面板。具体地，该液晶显示装置可以是车载显示屏、手机、电脑或电视等电子显示设备，当该液晶显示装置用作车载显示屏时，可以应用在汽车、船只或飞机等交通工具中，以该液晶显示装置应用在汽车上为例，如图22所示，图22为本发明实施例所提供的液晶显示装置的结构示意图，该液晶显示装置100包括上述低温多晶硅显示面板200，该液晶显示装置100可以为独立于汽车中的固有结构，也可以与汽车中的其他结构集成设置，如与前挡风玻璃集成设置或与仪表盘周边的台面集成设置，本发明实施例对此均不作限定。

由于本发明实施例所提供的液晶显示装置100包括上述低温多晶硅显示面板200，因此，采用该液晶显示装置100，能够在保持高开口率的前提下有效改善金属漏光，而且还能避免彩膜层8和遮光层9受到高温工艺制程的影响，提高了彩膜层8和遮光层9设置的可靠性，进而提高了将彩膜层8和遮光层9集成在阵列基板1上的可实施性。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。