液晶显示器的制作方法

[0001]
本发明构思的实施例涉及一种显示设备。更具体地，本发明构思涉及一种液晶显示器。


背景技术：

[0002]
当前，液晶显示器是最广泛使用的显示设备中的一种显示设备。液晶显示器包括电极形成在其上的显示面板以及液晶层，并且它通过将电压施加至电极以形成电场而重新排列液晶层的液晶分子并且通过控制光的透射而显示图像。
[0003]
包括在液晶显示器中的多个像素中的每一个像素包括像素电极、公共电极以及被连接至像素电极的晶体管。晶体管被连接至传输由栅驱动器产生的栅信号的栅线并且被连接至传输由数据驱动器产生的数据电压的数据线，并且根据栅信号将数据电压传输至像素电极。
[0004]
该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强本发明的背景技术的理解，并且因此它可能包含不构成在该国中对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

[0005]
晶体管被连接至用于与像素电极连接的接触部分，并且晶体管和像素电极通过接触部分被连接。晶体管和接触部分一起被布置在像素电极的一侧，并且遮光部分覆盖晶体管和接触部分以不被用户观看到。遮光部分应当具有可以覆盖晶体管和接触部分的宽度。当遮光部分的宽度较宽时，液晶显示器的开口率可能减小，并且在一些情况下，可能出现由于遮光部分而导致的其中水平线被观看到的缺陷。
[0006]
本发明构思的实施例已经致力于提供一种可以通过高效地布置晶体管和接触部分而减小遮光部分宽度的液晶显示器。
[0007]
本发明构思的实施例提供一种液晶显示器，包括：第一栅线；与第一栅线交叉的第一数据线；包括被连接至第一栅线的栅电极、漏电极和被连接至第一数据线的源电极的第一晶体管；被连接至漏电极的第一连接线；被连接至第一连接线的第一接触部分；以及被连接至第一接触部分的第一像素电极，其中，第一像素电极可以被布置在第一晶体管与第一接触部分之间。
[0008]
第一连接线可以跨第一像素电极延伸。
[0009]
第一像素电极可以包括：在第一方向上延伸的水平主干部分；在与第一方向交叉的第二方向上延伸的垂直主干部分；以及多个细微分支部分，多个细微分支部分每个在对角方向上从水平主干部分和垂直主干部分中的一个延伸，并且其中，第一连接线可以与垂直主干部分重叠并且在第二方向上延伸。
[0010]
第一像素电极可以进一步包括在第二方向上突出并且与第一接触部分重叠的第一延伸部分。
[0011]
液晶显示器可以进一步包括被布置在第一接触部分与第一延伸部分之间的绝缘
层，其中，绝缘层可以包括与第一接触部分和第一延伸部分重叠的开口，并且第一接触部分和第一延伸部分可以通过开口彼此接触。
[0012]
液晶显示器可以进一步包括：覆盖第一栅线和第一晶体管的第一遮光部分；以及与第一遮光部分间隔开的第二遮光部分，第一像素电极在第一遮光部分与第二遮光部分之间，第二遮光部分覆盖第一接触部分。
[0013]
液晶显示器可以进一步包括：与第一栅线邻近的第二栅线；包括被连接至第二栅线的栅电极、漏电极和被连接至第一数据线的源电极的第二晶体管；被连接至漏电极的第二连接线；被连接至第二连接线并且与第一接触部分邻近的第二接触部分；以及被连接至第二接触部分的第二像素电极，其中，第二像素电极可以被布置在第二晶体管与第二接触部分之间，第一像素电极和第二像素电极可以被布置在第一栅线与第二栅线之间，并且第一接触部分和第二接触部分可以被布置在第一像素电极与第二像素电极之间。
[0014]
液晶显示器可以进一步包括：与第一像素电极重叠的第一滤色器；以及与第二像素电极重叠的第二滤色器，其中，第一滤色器和第二滤色器可以彼此间隔开，第一接触部分和第二接触部分两者在第一滤色器与第二滤色器之间。
[0015]
液晶显示器可以进一步包括：被布置在第一像素电极和第二像素电极上的液晶层；面对第一像素电极和第二像素电极中的每一个的第二基板，液晶层在第二基板与第一像素电极和第二像素电极之间；以及被布置在第二基板上并且与第一像素电极、第二像素电极、第一接触部分和第二接触部分重叠的滤色器。
[0016]
液晶显示器可以进一步包括：与第一数据线邻近的第二数据线；第三晶体管，该第三晶体管包括被连接至第一栅线的栅电极和被连接至第二数据线的源电极，并且与第一晶体管邻近；以及第四晶体管，该第四晶体管包括被连接至第二栅线的栅电极和被连接至第二数据线的源电极，并且与第二晶体管邻近。
[0017]
液晶显示器可以进一步包括：覆盖第一栅线、第一晶体管和第三晶体管的第一遮光部分；与第一遮光部分间隔开的第二遮光部分，第一像素电极在第一遮光部分与第二遮光部分之间，第二遮光部分覆盖第一接触部分和第二接触部分；以及覆盖第二栅线、第二晶体管和第四晶体管的第三遮光部分。
[0018]
第一数据线和第二数据线每个可以与第一像素电极和第二像素电极重叠。
[0019]
本发明构思的另一实施例提供一种液晶显示器，包括：第一栅线；与第一栅线邻近的第二栅线；被布置在第一栅线与第二栅线之间的多个接触部分；被布置在第一栅线与多个接触部分之间的第一像素电极；以及被布置在第二栅线与多个接触部分之间的第二像素电极，其中，多个接触部分中的第一接触部分可以被连接至第一像素电极，并且多个接触部分中的第二接触部分可以被连接至第二像素电极。
[0020]
液晶显示器可以进一步包括：面对第一接触部分和第二接触部分的多个晶体管，第一像素电极在多个晶体管与第一接触部分和第二接触部分之间，多个晶体管中的至少一个晶体管被连接至第一栅线；以及面对第一接触部分和第二接触部分的多个晶体管，第二像素电极在多个晶体管与第一接触部分和第二接触部分之间，多个晶体管中的至少一个晶体管被连接至第二栅线。
[0021]
多个晶体管中的被连接至第一栅线的第一晶体管可以被连接至第一接触部分，并且多个晶体管中的被连接至第二栅线的第二晶体管可以被连接至第二接触部分。
[0022]
液晶显示器可以进一步包括：连接第一晶体管和第一接触部分并且与第一像素电极重叠的第一连接线；以及连接第二晶体管和第二接触部分并且与第二像素电极重叠的第二连接线。
[0023]
液晶显示器可以进一步包括：被连接至第一晶体管和第二晶体管的第一数据线，以及被连接至多个晶体管中的被连接至第一栅线的第三晶体管和多个晶体管中的被连接至第二栅线的第四晶体管的第二数据线。
[0024]
第一数据线和第二数据线可以与第一像素电极和第二像素电极重叠，并且第一连接线和第二连接线可以被布置在第一数据线与第二数据线之间。
[0025]
液晶显示器可以进一步包括：覆盖第一栅线的第一遮光部分；与第一遮光部分间隔开的第二遮光部分，第一像素电极在第一遮光部分与第二遮光部分之间，第二遮光部分覆盖多个接触部分；以及覆盖第二栅线并且与第二遮光部分间隔开的第三遮光部分，第二像素电极在第二遮光部分与第三遮光部分之间。
[0026]
液晶显示器可以进一步包括：与第一像素电极重叠的第一滤色器；以及与第一滤色器间隔开并且与第二像素电极重叠的第二滤色器，多个接触部分在第一滤色器与第二滤色器之间。
[0027]
根据本发明构思的实施例，通过高效地布置晶体管和接触部分，可以改善液晶显示器的开口率，并且可以防止由于遮光部分而导致的其中水平线被观看到的缺陷。
附图说明
[0028]
图1图示根据本发明构思的实施例的液晶显示器的平面图。
[0029]
图2图示实施例的沿着图1的线a-a’和线a
”-
a
”’
截取的截面图。
[0030]
图3图示实施例的沿着图1的线b-b’截取的截面图。
[0031]
图4图示另一实施例的沿着图1的线a-a’和线a
”-
a
”’
截取的截面图。
[0032]
图5图示另一实施例的沿着图1的线b-b’截取的截面图。
具体实施方式
[0033]
下文中将参照其中示出本发明的示例性实施例的附图更充分地描述本发明构思的实施例。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同方式修改所述实施例，所有这些都不脱离本公开的精神或范围。
[0034]
与描述不相关的部分将被省略以清楚地描述本公开，并且贯穿说明书，相同的附图标记表示相同的元件。
[0035]
进一步，在附图中，为了方便描述，通过示例的方式图示每个元件的尺寸和厚度，并且本公开不必限于附图中所图示的那些元件。在附图中，为了清楚，可以夸大层、膜、面板、区域等的厚度。
[0036]
将理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在中间元件。进一步，在说明书中，词语“上”和“上面”意味着被布置在对象部分上或下，并且不必意味着基于重力方向而被布置在对象部分的上侧。
[0037]
此外，除非明确相反描述，否则词语“包括”以及诸如“包含”或“含有”的变形将被
理解为暗示了包括所述元件但是不排除任何其他元件。
[0038]
进一步，贯穿说明书，短语“在平面图中”意味着从顶部观看目标部分，并且短语“在截面图中”意味着从侧面观看通过垂直切割目标部分形成的截面。
[0039]
进一步，贯穿说明书，词语“重叠”意味着在截面中垂直重叠的状态，或者在平面图中完全或部分被布置在同一区域中的状态。
[0040]
下文中，将参照图1至图3描述根据本发明构思的实施例的液晶显示器。
[0041]
图1图示根据本发明构思的实施例的液晶显示器的平面图。图2图示实施例的沿着图1的线a-a’和线a
”-
a
”’
截取的截面图。图3图示实施例的沿着图1的线b-b’截取的截面图。
[0042]
参照图1至图3，液晶显示器包括多个像素px。多个像素px可以在平面图中在第一方向x和第二方向y上排列。第二方向y与第一方向x交叉。第二方向y可以是垂直于第一方向x的方向。第三方向z可以是垂直于由第一方向x和第二方向y形成的平面的方向。
[0043]
图1图示其中三个像素px在第一方向x上排列并且两个像素px在第二方向y上排列的示例。将首先参照图1至图3描述一个像素px的配置，并且随后将描述多条栅线121、多个像素电极191、多个晶体管、多个接触部分177等的排列。
[0044]
液晶显示器包括彼此面对的第一基板110和第二基板210以及被布置在第一基板110与第二基板210之间的液晶层3。
[0045]
以下将描述在第一基板110上的配置。
[0046]
包括栅线121、栅电极124和存储电极线131的栅导电层被布置在第一基板110上。栅导电层可以包括铜(cu)、铝(al)、镁(mg)、银(ag)、金(au)、铂(pt)、钯(pd)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、钼(mo)、钨(w)、钛(ti)、铬(cr)、钽(ta)中的至少一种以及其合金。
[0047]
栅线121可以包括多条栅线121a和121b。栅线121可以在第一方向x上延伸。栅线121可以包括两条栅线121a和121b。两条栅线121a和121b可以在第一方向x上平行延伸并且可以彼此被连接以围绕栅电极124。栅线121可以包括栅电极124。
[0048]
存储电极线131与栅线121和栅电极124间隔开，并且可以传输诸如公共电压的恒定电压。存储电极线131可以与第一基板110上的栅线121被布置在同一层上。存储电极线131可以由与栅线121相同的材料形成。
[0049]
存储电极线131可以包括在第一方向x上延伸的水平部分131a、被连接至水平部分131a并且在第二方向y上延伸的多个垂直部分131b以及水平部分131a的一部分延伸的延伸部分131c。多个垂直部分131b可以被布置在像素电极191的相对侧处。存储电极线131可以与像素电极191的边缘重叠。
[0050]
栅绝缘膜140被布置在栅导电层上。栅绝缘膜140可以包括诸如氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)和/或氧化硅(sio
x
)的无机绝缘材料。
[0051]
包括沟道半导体154和多个防台阶半导体156的半导体层被布置在栅绝缘膜140上。半导体层可以包括非晶硅或多晶硅和/或氧化物半导体材料。沟道半导体154可以与栅电极124重叠。
[0052]
包括数据线171a和171b的配对、源电极173、漏电极175、连接线176和接触部分177的数据导电层被布置在栅绝缘膜140和半导体层上。数据导电层可以包括铜(cu)、铝(al)、镁(mg)、银(ag)、金(au)、铂(pt)、钯(pd)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、钼(mo)、钨(w)、钛(ti)、铬(cr)、钽(ta)中的至少一种以及其合金。
[0053]
数据线171包括第一数据线171a和第二数据线171b。数据线171在第二方向y上延伸并且与栅线121交叉。第一数据线171a可以在第二方向y上延伸并且被连接至源电极173。此外，第二数据线171b也可以在第二方向y上延伸并且被连接至源电极173。第一数据线171a和第二数据线171b可以与像素电极191重叠。存储电极线131的垂直部分131b可以被布置在与一个像素电极191重叠的第一数据线171a和与在第一方向x上与一个像素电极191邻近的另一像素电极191重叠的第二数据线171b之间。
[0054]
源电极173可以形成为在第一方向x上从数据线171延伸，并且随后在第二方向y上以条状延伸。然而，源电极173的形状不限于此。
[0055]
多个防台阶半导体156可以被布置在其中栅导电层和数据线171彼此交叉的部分之间。多个防台阶半导体156可以防止数据线171由于栅导电层导致的台阶出现而被断开。
[0056]
漏电极175与数据线171和源电极173间隔开。漏电极175可以形成为在与栅电极124重叠的区域中在第二方向y上以条状延伸以面对源电极173。彼此面对的源电极173和漏电极175之间的区域中的大部分可以与沟道半导体154重叠。然而，漏电极175的形状不限于此。
[0057]
连接线176可以在第二方向y上从漏电极175延伸以与像素电极191重叠。连接线176可以跨像素电极191延伸至像素电极191的相对侧。
[0058]
接触部分177被布置在漏电极175的相对侧处，像素电极191在接触部分177与漏电极175之间。接触部分177可以被连接至连接线176的与像素电极191交叉的一端。也就是说，像素电极191被布置在包括漏电极175的晶体管与接触部分177之间，并且接触部分177可以通过连接线176被连接至晶体管。接触部分177可以在连接线176的一端处具有延伸形状，例如，接触部分177可以是具有比连接线176的宽度大的宽度的矩形或正方形。接触部分177的一部分可以与存储电极线131的延伸部分131c部分重叠。接触部分177可以与存储电极线131的延伸部分131c重叠，栅绝缘膜140在接触部分177与存储电极线131的延伸部分131c之间以形成存储电容器。即使当没有来自第一数据线171a和第二数据线171b的数据电压被施加至漏电极175和像素电极191时，存储电容器也可以用作维持被施加至漏电极175和被连接至漏电极175的像素电极191的电压。
[0059]
栅电极124、源电极173和漏电极175与沟道半导体154一起形成作为开关元件的晶体管。晶体管的沟道形成在源电极173与漏电极175之间的沟道半导体154中。
[0060]
第一绝缘层180被布置在数据导电层和暴露的半导体层上。第一绝缘层180可以包括诸如氮化硅(sin
x
)和/或氧化硅(sio
x
)的无机绝缘材料。
[0061]
滤色器230可以被布置在第一绝缘层180上。滤色器230可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。滤色器230可以唯一地显示原色中的一种。滤色器230与像素电极191重叠。滤色器230可以在第二方向y上延伸并且具有与像素电极191的至少一部分重叠的矩形；滤色器230可以与像素电极191的全部重叠。滤色器230可以与晶体管重叠。图2图示其中滤色器230被布置在与像素电极191和晶体管重叠的区域中的实施例。可替代地，滤色器230可以不与晶体管重叠，但是可以仅与像素电极191重叠。滤色器230可以不与接触部分177重叠。滤色器230可以与邻近的滤色器230间隔开，接触部分177在滤色器230与邻近的滤色器230之间。也就是说，一个滤色器230可以被布置为对应于一个像素电极191。
[0062]
第二绝缘层240被布置在滤色器230和接触部分177上。第二绝缘层240可以包括无
机绝缘材料和/或有机绝缘材料。
[0063]
第一绝缘层180和第二绝缘层240可以包括开口185。开口185与接触部分177重叠。接触部分177可以通过开口185被(例如电气地和/或物理地)连接至像素电极191，并且像素电极191可以被连接至晶体管。
[0064]
包括像素电极191的像素电极层可以被布置在第二绝缘层240上。像素电极层可以包括诸如氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)的透明导电材料、和/或诸如铝(al)、银(ag)、铬(cr)的金属和/或其合金。
[0065]
在平面图中，像素电极191的整体形状可以近似是正方形，并且像素电极191可以包括其一部分被移除的图案(例如像素电极191可以具有实心多边形的形状，诸如部分被移除从而形成细缝的矩形，下面进一步论述)。像素电极191包括水平主干部分192、垂直主干部分193、多个细微分支部分194、连接部分195以及延伸部分196。
[0066]
水平主干部分192可以在第一方向x上延伸，并且垂直主干部分193可以以十字形状被连接至水平主干部分192以在第二方向y上延伸。多个细微分支部分194在与第一方向x和第二方向y倾斜的对角方向上从水平主干部分192和垂直主干部分193中的一个延伸。彼此面对的、水平主干部分192在其之间的细微分支部分194在不同方向上延伸。彼此面对的、垂直主干部分193在其之间的细微分支部分194在不同方向上延伸。在邻近的细微分支部分194之间移除电极的部分，得到被称作细缝的空间。由细微分支部分194与水平主干部分192或垂直主干部分193形成的锐角可以是大约40
°
至大约45
°
，但是锐角的角度不限于此，并且它可以通过考虑诸如液晶显示器的可见性的显示器特性而适当地调节。
[0067]
延伸部分196可以通过连接部分195被连接至细微分支部分194。连接部分195可以在细微分支部分194的一端处在第一方向x上延伸像素电极191的宽度。延伸部分196可以具有在基于垂直主干部分193的一侧(左侧或右侧)处在第二方向y上从连接部分195突出的形状。延伸部分196可以与接触部分177和开口185重叠，并且可以通过开口185与接触部分177接触。也就是说，像素电极191可以通过开口185被连接至接触部分177，可以通过被连接至接触部分177的连接线176而被连接至晶体管，并且可以通过晶体管接收数据电压。
[0068]
如上所述，当像素电极191具有包括水平主干部分192、垂直主干部分193和多个细微分支部分194的形状时，连接线176可以与垂直主干部分193重叠，同时在第二方向y上延伸。当连接线176在第二方向y上延伸并且与垂直主干部分193重叠时，可以减小由连接线176引起的像素px的开口率的降低。
[0069]
像素电极191的左边缘和右边缘的端部可以与存储电极线131的垂直部分131b重叠。在一些实施例中，像素电极191的左边缘和右边缘可以不与垂直部分131b重叠。
[0070]
下文中，将描述面对第一基板110并且被布置在第一基板110上面的第二基板210。
[0071]
遮光部分220可以被布置在第二基板210下面。遮光部分220可以包括第一遮光部分和第二遮光部分。第一遮光部分在第一方向x上延伸以覆盖栅线121和被连接至栅线121的晶体管。例如，在一些实施例中，第一遮光部分可以覆盖栅线121和被连接至栅线121的晶体管的全部；然而，在其他实施例中，第一遮光部分可以仅覆盖栅线121和晶体管中的每一个的一部分，也就是说小于栅线121和晶体管的全部。第二遮光部分在第一方向x上延伸以覆盖接触部分177、开口185和延伸部分196。例如，在一些实施例中，第二遮光部分可以覆盖接触部分177、开口185和延伸部分196的全部；然而，在其他实施例中，第二遮光部分可以仅
覆盖接触部分177、开口185和延伸部分196中的每一个的一部分，也就是说小于接触部分177、开口185和延伸部分196的全部。第一遮光部分与第二遮光部分间隔开，像素电极191在第一遮光部分与第二遮光部分之间。遮光部分220可以阻挡邻近的像素电极191之间的光泄漏。
[0072]
覆盖层250可以被布置在遮光部分220下以提供平坦表面。覆盖层250可以包括绝缘材料。在一些实施例中，覆盖层250可以被省略。
[0073]
公共电极270被布置在覆盖层250下。公共电极270可以在与其中图像被显示的显示区域相对应的区域中的大部分中连续地形成。类似像素电极层，公共电极270也可以包括诸如ito或izo的透明导电材料或者诸如铝(al)、银(ag)、铬(cr)的金属或其合金。在一些实施例中，公共电极270可以不被图案化为包括狭缝等，但是在其他实施例中，公共电极270可以包括形成在其一部分中的狭缝、切口等。
[0074]
液晶层3被布置在第一基板110与第二基板210之间。液晶层3可以包括具有负介电各向异性的液晶分子31。在液晶层3中不存在电场的情况下，液晶分子31可以被取向，使得它们的主轴相对于第一基板110和第二基板210的表面垂直地倾斜或以预定角度倾斜。液晶分子31可以根据像素电极191(例如细微分支部分194)的图案化部分的边缘与公共电极270之间的边缘场或台阶而预倾斜。
[0075]
覆盖像素电极191和第二绝缘层240的第一取向膜11可以被布置在第一基板110中，并且第二取向膜21可以被布置在第二基板210中的公共电极270下。第一取向膜11和第二取向膜21可以是垂直取向膜。在第一取向膜11和第二取向膜21的与液晶层3邻近的表面上，可以布置多个聚合物突起。多个聚合物突起可以通过使反应单体(rm)与诸如紫外线的光反应而形成，并且可以用于维持液晶分子31的预倾斜。
[0076]
数据电压被施加至其的像素电极191与第二基板210的公共电极270一起产生电场。根据所产生的电场，确定被布置在像素电极191与公共电极270之间的液晶分子31的取向方向。穿过液晶层3的光的亮度根据液晶分子31的所确定的取向方向而控制。
[0077]
下文中，将描述多条栅线121、多个像素电极191、多个晶体管、多个接触部分177等的排列。
[0078]
如图1中所图示，多个接触部分177被布置在两条邻近的栅线121之间。第一像素电极(例如在平面图中的上像素电极，诸如图1中所示的上像素电极)被布置在两条栅线121中的第一栅线(例如在平面图中的上栅线，诸如图1中所示的上栅线)与多个接触部分177之间。第二像素电极(例如，在平面图中的下像素电极，诸如图1中所示的下像素电极)被布置在两条栅线121中的第二栅线(例如，在平面图中的下栅线)与多个接触部分177之间。
[0079]
在被布置在第一像素电极与第二像素电极之间的两个接触部分177之中，第一接触部分(例如在平面图中在右侧处的接触部分，诸如图1中所示的接触部分)被连接至第一像素电极，并且第二接触部分(例如在平面图中在左侧处的接触部分，诸如图1中所示的接触部分)被连接至第二像素电极。第一接触部分和第二接触部分可以被排列为在第一方向x上彼此邻近。第一像素电极和第二像素电极可以彼此面对，两个接触部分177在第一像素电极与第二像素电极之间。
[0080]
被连接至第一栅线的多个晶体管面对第一接触部分和第二接触部分，第一像素电极在多个晶体管与第一接触部分和第二接触部分之间。多个晶体管之中被连接至第一栅线
的第一晶体管(例如在平面图中在右侧处的晶体管，诸如图1中所示的晶体管)可以通过与第一像素电极重叠的连接线176被连接至第一接触部分。
[0081]
被连接至第二栅线的多个晶体管面对第一接触部分和第二接触部分，第二像素电极在多个晶体管与第一接触部分和第二接触部分之间。多个晶体管之中被连接至第二栅线的第二晶体管(例如在平面图中在右侧处的晶体管，如图1中所示的晶体管)可以通过与第二像素电极重叠的连接线176被连接至第二接触部分。
[0082]
第一晶体管和第二晶体管可以被连接至同一数据线。例如，第一晶体管和第二晶体管可以被连接至与第一晶体管和第二晶体管邻近的第一数据线171a。
[0083]
多个晶体管之中被连接至第一栅线的第三晶体管(例如在平面图中在左侧处的晶体管，如图1中所示的晶体管)和多个晶体管之中被连接至第二栅线的第四晶体管(例如在平面图中在左侧处的晶体管，如图1中所示的晶体管)可以被连接至第二数据线171b。也就是说，第三晶体管和第四晶体管可以被连接至同一数据线。第三晶体管可以被连接至面对第一像素电极的像素电极(未示出)，第一栅线在第三晶体管与面对第一像素电极的像素电极之间。第四晶体管可以被连接至面对第二像素电极的像素电极(未示出)，第二栅线在第四晶体管与面对第二像素电极的像素电极之间。第一晶体管和第三晶体管可以在第一方向x上彼此邻近排列。第二晶体管和第四晶体管可以在第一方向x上彼此邻近排列。
[0084]
连接第一晶体管和第一像素电极的连接线176被布置在第一数据线171a与第二数据线171b之间，第一数据线171a和第二数据线171b每个与第一像素电极和第二像素电极重叠。连接第二晶体管和第二像素电极的连接线176被布置在第一数据线171a与第二数据线171b之间，第一数据线171a和第二数据线171b每个与第一像素电极和第二像素电极重叠。
[0085]
多个遮光部分220在第一方向x上延伸以覆盖多条栅线121、多个晶体管和多个接触部分177。多个遮光部分220可以包括第一遮光部分、第二遮光部分和第三遮光部分。第一遮光部分覆盖第一栅线、第一晶体管和第三晶体管。第二遮光部分覆盖第一接触部分和第二接触部分。第三遮光部分覆盖第二栅线、第二晶体管和第四晶体管。例如，在一些实施例中，第三遮光部分可以覆盖第二栅线、第二晶体管和第四晶体管的全部；然而，在其他实施例中，第三遮光部分可以仅覆盖第二栅线、第二晶体管和第四晶体管中的每一个的一部分，也就是说小于第二栅线、第二晶体管和第四晶体管的全部。第一遮光部分与第二遮光部分间隔开，第一像素电极在第一遮光部分与第二遮光部分之间。第二遮光部分与第三遮光部分间隔开，第二像素电极在第二遮光部分与第三遮光部分之间。
[0086]
如上所述，当在第一方向x上延伸的多个遮光部分220在第二方向y上排列时，像素电极191可以被布置在遮光部分220之中邻近的遮光部分220之间；彼此邻近的遮光部分220中的一个遮光部分220可以覆盖被连接至像素电极191的晶体管，并且彼此邻近的遮光部分220中的另一遮光部分220可以覆盖被连接至晶体管的接触部分；而晶体管和像素电极可以通过接触部分被连接。
[0087]
两个晶体管在像素电极191的一侧处在第一方向x上排列，并且两个接触部分177在像素电极191的另一侧处在第一方向x上排列，因此可以减小被布置在像素电极191之间的遮光部分220的宽度。因此，可以改善液晶显示器的开口率，防止由于遮光部分220而导致的其中水平线被观看到的缺陷。
[0088]
下文中，将参照图4和图5描述另一实施例的液晶显示器。因为以上已经描述了图1
和图2的实施例，所以以下描述将主要聚焦于图4和图5中的差异。
[0089]
图4图示另一实施例的沿着图1的线a-a’和线a
”-
a
”’
截取的截面图。图5图示另一实施例的沿着图1的线b-b’截取的截面图。
[0090]
在图2和图3中，滤色器230形成在第一基板110上，而在图4和图5中，滤色器230形成在第二基板210上。
[0091]
如图4和图5中所图示，第二绝缘层240可以被直接布置在第一绝缘层180上。
[0092]
滤色器230可以被布置在第二基板210和遮光部分220下面。滤色器230不仅可以与像素电极191重叠，而且可以与晶体管和接触部分177重叠。滤色器230可以沿着一个像素列在第二方向y上延伸并且与包括在一个像素列中的多个像素重叠。与第一像素列重叠的第一滤色器、与邻近的第二像素列重叠的第二滤色器以及与邻近的第三像素列重叠的第三滤色器可以是用于显示不同颜色的滤色器。例如，第一滤色器可以是红色滤色器，第二滤色器可以是绿色滤色器，并且第三滤色器可以是蓝色滤色器。
[0093]
覆盖层250可以被布置在滤色器230下。覆盖层250可以被省略，并且公共电极270可以被布置在滤色器230下。
[0094]
因为滤色器230形成在第二基板210上，所以可以减少外部光的反射。此外，因为滤色器230形成在第二基板210上，所以不必确保接触部分177与滤色器230之间的分离距离，并且因此可以进一步改善液晶显示器的开口率。
[0095]
虽然已经结合当前被视为实际的示例性实施例描述了本发明，但是要理解，本发明不限于所公开的实施例，而是相反，意在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等价设置。因此，本领域技术人员将理解，本发明构思的各种修改和其他等价实施例是可能的。因此，本发明构思的真实技术保护范围必须基于所附权利要求的技术精神而确定。