光学膜、光学膜的制备方法及应用与流程

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种光学膜、光学膜的制备方法及应用。

背景技术：

随着显示技术的迅猛发展，液晶显示面板具有高分辨率的发展趋势。液晶显示面板分辨率的提高会造成像素电极开口率的降低，从而降低光的穿透率，进而对液晶显示面板的大视角显示亮度造成负面影响。

在现有技术中，通过采用在液晶显示面板上增设视角扩散膜的方式，以达到提高液晶显示面板的大视角显示亮度的目的。如图1所示，所述视角扩散膜采用双层复合光学膜层结构，其中，各层光学膜层采用折射率不同的各向同性光学材料。

无论在亮态画面还是暗态画面下，现有技术的视角扩散膜都会产生视角扩散的效果，其中，在亮态画面下，现有技术的视角扩散膜具有积极效果，将部分正视角的光调制至大视角(如45度视角)中，从而有效提高大视角的显示亮度；在暗态画面下，液晶显示面板的超大视角(60度以上视角)漏光现象比较严重，而由于超大视角应用场景较少，所以液晶显示面板超大视角的漏光现象原本是可以被接受的。但是，液晶显示面板增设现有技术的视角扩散膜后，受视角扩散膜的光路调制作用，超大视角的暗态漏光被调制至正视角出射，从而导致正视角的暗态漏光增强，进而降低液晶显示面板在正视角的对比度，即：现有的视角扩散膜既具有在亮态下提高大视角显示亮度的积极效果，又具有在暗态下增强正视角的暗态漏光、降低液晶显示面板在正视角的对比度的消极效果。

因此，迫切需要开发一种新型的视角扩散膜，以保留现有视角扩散膜的积极效果，而消除现有视角扩散膜的消极效果。

技术实现要素：

本申请提供了一种光学膜、光学膜的制备方法及应用，所述光学膜可应用于显示面板中作为视角扩散膜，其保留了现有视角扩散膜的积极效果，而消除现有视角扩散膜的消极效果。

第一方面，本申请提供了一种光学膜，包括：依次层叠设置的一第一电极层、一各向同性光学材料层、一液晶材料层和一第二电极层；所述各向同性光学材料层上设有多个凹槽结构，各个所述凹槽结构内填充有所述液晶材料层；所述液晶材料层的o光折射率值小于所述各向同性光学材料层的o光折射率值，而所述液晶材料层的e光折射率值与所述各向同性光学材料层的e光折射率值相同。

在本申请的一些实施例中，所述第一电极层包括层叠设置的第一承载基体和第一电极，所述第二电极层包括层叠设置的第二承载基体和第二电极。

在本申请的一些实施例中，所述光学膜还包括多个支撑衬垫，各相邻凹槽结构之间设有一所述支撑衬垫，并且各个所述支撑衬垫位于所述各向同性光学材料层与所述第二电极层之间。所述支撑衬垫用于保持液晶材料层的厚度，以避免所述各向同性光学材料层的局部出现塌陷现象，而导致液晶材料层厚度不均的问题。

在本申请的一些实施例中，所述光学膜还包括多个第一取向膜和一第二取向膜，各个所述第一取向膜分别设置于各个所述凹槽结构的槽底面上，所述第二取向膜层叠设置于所述第二电极层靠近所述液晶材料层的一面上。所述第一取向膜和所述第二取向膜的作用是：对所述液晶材料层的液晶分子进行排序。

在本申请的一些实施例中，在由下至上的竖直方向上，各个所述凹槽结构的截面为左右对称的不规则形状，且各个所述凹槽结构的截面宽度逐渐减小。

在本申请的一些实施例中，在由下至上的竖直方向上，各个所述凹槽结构的截面包括第一等腰梯形面、第二等腰梯形面和第三等腰梯形面，其中，所述第二等腰梯形面的底角大于所述第三等腰梯形面的底角，且所述第三等腰梯形面的底角大于所述第一等腰梯形面的底角。

第二方面，本申请提供了一种光学膜的制备方法，用于制备第一方面中所述光学膜，包括如下步骤：

提供一第一承载基体和一第二承载基体，分别在所述第一承载基体和所述第二承载基体上制作形成一第一电极和一第二电极，获得一第一电极层和一第二电极层；

在所述第一电极层上制作形成一各向同性光学材料层；

在所述各向同性光学材料层上制作多个凹槽结构；

在各个所述凹槽结构内注入液晶材料；

将所述第一电极层和所述第二电极层对向固定，以封装液晶材料，形成液晶材料层，获得光学膜。

在本申请的一些实施例中，在将所述第一电极层和所述第二电极层对向固定，以封装液晶材料的步骤之前，还包括步骤：在所述第二电极层上制作形成多个支撑衬垫，各个所述支撑衬垫的位置分别与各相邻凹槽结构之间的各向同性光学材料层的位置相对应。

在本申请的一些实施例中，在所述在各个所述凹槽结构内注入液晶材料步骤之前，还包括步骤：在各个所述凹槽结构的槽底面上制作形成一第一取向膜，在所述第二电极层上制作形成一第二取向膜。

第三方面，本申请提供了第一方面所述光学膜在显示面板中的应用，所述光学膜可应用于显示面板中作为视角扩散膜，其保留了现有视角扩散膜的积极效果，而消除现有视角扩散膜的消极效果。

本申请提供了一种光学膜、光学膜的制备方法及应用，产生如下的技术效果：

本申请的光学膜改变了现有视角扩散膜的结构组成，现有视角扩散膜为双层结构，每层采用折射率不同的各向同性光学材料，而本申请的光学膜保留一各向同性光学材料层，将另一各向同性光学材料层替换为液晶材料层。

本申请的光学膜可应用于显示面板中作为视角扩散膜，所述光学膜位于所述显示面板的出光面上，所述显示面板可为液晶显示面板，也可为非液晶显示面板，如：有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,oled)显示面板、微发光二极管(microlightemittingdiode,micro-led)显示面板、量子点发光二极管(quantumdotlightemittingdiodes,qled)显示面板等，其保留了现有视角扩散膜的积极效果，并消除了现有视角扩散膜的消极效果，所述光学膜的制备方法具有操作简便、便于工业化生产的优点。

当未对所述光学膜施加驱动电压时，所述光学膜不具有或仅具有微弱的视角调制作用，以改善现有液晶显示面板暗态漏光、正视角对比度低的问题。当对所述光学膜施加驱动电压时，所述光学膜具有视角调制作用，并随着驱动电压的增大，所述光学膜的视角调制作用越强，以提高大视角显示的亮度。

应用有所述光学膜的液晶显示面板，与应用有现有视角扩散膜的液晶显示面板在正视角(0度)～80度的亮度相一致。但是，与应用有现有视角扩散膜的液晶显示面板相比，应用有所述光学膜的液晶显示面板在正视角(0度)的对比度提高了一倍左右，所述光学膜极大地改善了正视角暗态漏光、正视角对比度低的问题。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为现有技术中视角扩散膜在长度方向上的剖视图。

图2为本申请实施例中光学膜在长度方向上的剖视图。

图3为本申请实施例中各个所述凹槽结构的结构示意图。

图4为本申请实施例中在不同驱动电压下液晶材料层的液晶指向矢分布图。

图5为本申请实施例中在不同驱动电压下所述光学膜的niso与neff之间差值的分布图。

图6为本申请实施例中光学膜的制备方法的流程示意图。

图7为本申请实施例的液晶显示面板、对比例1的液晶显示面板和对比例2的液晶显示面板分别在正视角(0度)～80度视角的亮度变化曲线图。

图8为本申请实施例的液晶显示面板、对比例1的液晶显示面板和对比例2的液晶显示面板分别在正视角(0度)～80度视角的对比度变化曲线图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

第一方面，本申请实施例提供了光学膜，如图2所示，所述光学膜依次层叠设置的一第一电极层1、一各向同性光学材料层2、一液晶材料层3和一第二电极层4；所述各向同性光学材料层2上设有多个凹槽结构21，各个所述凹槽结构21内填充有所述液晶材料层3；所述液晶材料层3的o光(ordinaryrays,寻常光)折射率值(no)小于所述各向同性光学材料层2的o光折射率值，而所述液晶材料层3的e光(extraordinaryrays，非常光)折射率值(ne)与所述各向同性光学材料层2的e光折射率值相同。

具体的，所述各向同性光学材料层2的材质可为包含树脂材料的紫外光敏胶高分子材料，所述液晶材料层的材质可为向列相液晶或蓝相液晶。所述各向同性光学材料层2的厚度范围为10微米～200微米，所述液晶材料层3的厚度为5微米～100微米。所述多个凹槽结构21为等间隔设置，即：相邻凹槽结构21之间的间隙相等。

所述第一电极层1和所述第二电极层4均包括透明导电薄膜，所述透明导电薄膜是一种既能导电又在可见光范围内具有高透明率的薄膜，材质可为金属膜系、氧化物膜系、高分子膜系等，例如：氧化铟锡(indiumtinoxides，ito)薄膜、铝掺杂氧化锌薄膜、碳纳米管透明导电薄膜、二氧化锡透明导电薄膜等，本申请实施例优选为ito薄膜。

由于ito薄膜具有柔韧性强、易加工的特性，所以在受热或受力作用下易发生变形，所以不能直接在ito薄膜上制作形成所述各向同性光学材料层2和所述液晶材料层3。因此，所述第一电极层1包括层叠设置的一第一承载基体11和一第一电极12，所述第二电极层4包括层叠设置的一第二承载基体41和一第二电极42；其中，所述第一电极12和所述第二电极42均为ito薄膜，所述第一承载基体11和所述第二承载基体41的材质可为玻璃、塑料等透明材料。

通过调控第一电极层1和第二电极层4对所述液晶材料层3施加的电压大小，来改变液晶材料层3中液晶分子的偏转角度，从而调整neff的大小，达到控制niso与neff之间差值的目的，即：控制所述光学膜是否发生视角扩散的调制作用，以及控制视角扩散调制作用的强弱。

在一些实施例中，所述光学膜还包括多个支撑衬垫5，各相邻凹槽结构21之间设有一所述支撑衬垫5，并且各个所述支撑衬垫5位于所述各向同性光学材料层2与所述第二电极层4之间。所述支撑衬垫5的配置不影响将所述液晶材料层3填充在各个所述凹槽结构21内，以及不影响各个所述凹槽结构21内的液晶材料的连通。

具体的，所述支撑衬垫5主要成分是紫外线固化型的树脂，与所述液晶材料层3的液晶分子直接接触，其截面形状可为圆形、梯形等。所述支撑衬垫5用于保持液晶材料层3的厚度，以避免所述各向同性光学材料层2的局部出现塌陷现象，而导致液晶材料层3厚度不均的问题。

在一些实施例中，所述光学膜还包括多个第一取向膜(alignmentfilm)6和一第二取向膜7，各个所述第一取向膜6分别设置于各个所述凹槽结构21的槽底面上，所述第二取向膜7叠设置于所述第二电极层4靠近所述液晶材料层3的一面上，即：第二取向膜7采用整面结构，且所述第二取向膜7设置于所述第二电极42靠近所述液晶材料层3的一面上。所述液晶材料层3的液晶分子配向方式可采用常规技术手段，如：摩擦配向、光控配向等，在此不作具体限定。

所述第一取向膜6和所述第二取向膜7的材质为高分子聚合物，本申请实施例优选为聚酰亚胺。所述第一取向膜6和所述第二取向膜7用于对所述液晶材料层3的液晶分子进行排序，本申请实施例优选为：所述第一取向膜6对所述液晶材料层3上部的液晶分子排序方向，与所述第二取向膜7对所述液晶材料层3下部的液晶分子排序方向相一致。

在一些实施例中，在由下至上的竖直方向上，各个所述凹槽结构21的截面为左右对称的不规则形状，且各个所述凹槽结构21的截面宽度逐渐减小。

优选的，在由下至上的竖直方向上，各个所述凹槽结构21的截面包括第一等腰梯形面、第二等腰梯形面和第三等腰梯形面，其中，所述第二等腰梯形面的底角大于所述第三等腰梯形面的底角，且所述第三等腰梯形面的底角大于所述第一等腰梯形面的底角。

例如：所述液晶材料层的液晶分子为正性向列相液晶e7，液晶e7的o光折射率值no为1.517，e光折射率值ne为1.741。各个所述凹槽结构21的厚度为18.8微米，各个所述凹槽结构3内填充有液晶e7。如图3所示，各个所述凹槽结构21在所述光学膜长度方向上的截面为钟形，所述截面在由下至上的竖直方向上，包括第一等腰梯形面211、第二等腰梯形面212和第三等腰梯形面213，所述第二等腰梯形面212的底角大于所述第三等腰梯形面213的底角，且所述第三等腰梯形面213的底角大于所述第一等腰梯形面211的底角。

所述第一等腰梯形面211的下底长度b1为18.94微米，高度h1为3.51微米；所述第二等腰梯形面212的下底长度b2(即为第一等腰梯形面211的上底长度a1)为12.62微米，高度h2为12.71微米；所述第三等腰梯形面213的下底长度b3(即为第二等腰梯形面212的上底长度a2)为10.26微米，上底长度a3为7.12微米，高度h3为2.58微米。

当所述第一电极层1和所述第二电极层4对所述液晶材料层3未施加驱动电压时，如图3所示，所述液晶材料层3中所有液晶分子的长轴方向排序一致，即：所有液晶分子的长轴均与所述光学膜的宽度方向相平行，在理想状态下，此时，各液晶分子的等效折射率相等，即：所述液晶材料层3对于入射光波的等效折射率(neff)为一固定值，并且与所述各向同性光学材料层2的等效折射率(niso)相等，所述光学膜不具有视角调制作用。需要说明的是，在实际应用中，可能会存在微小的偏差，即：未施加驱动电压时，neff与niso的数值可能不相等，可能出现niso与neff之间的差值在零值左右，但所述光学膜的视角调制作用微弱，相较于现有视角扩散膜，仍能极大地降低液晶显示面板正视角的暗态漏光，提高液晶显示面板在正视角的对比度。

当所述第一电极层1和所述第二电极层4对所述液晶材料层3施加驱动电压时，受电场的影响，各液晶分子发生偏转。如图4所示，图4-a、图4-b、图4-c和图4-d分别为2v、3v、5v和8v驱动电压下液晶材料层3的液晶指向矢分布图，驱动电压越大，液晶分子的偏转角度越大，液晶分子的长轴越倾向平行于电力线方向，当电场强度足够大时，所有液晶分子的长轴均与电力线平行，即：所有液晶分子以平行于电力线方向的方式排列，所有液晶分子均直立起来。根据不同驱动电压下各液晶分子的指向矢数据，通过下述公式(1)可计算出不同驱动电压下各液晶分子的等效折射率nx。

在上述公式(1)中，所述θ表示液晶分子长轴与所述光学膜宽度方向之间的夹角，ne为液晶分子的e光折射率值，no为液晶分子的o光折射率值，对应本实施例中，ne为1.741，no为1.517。

通过各液晶分子的等效折射率，可以获得neff的数值分布，进而获得不同驱动电压下所述光学膜的niso与neff之间差值的分布图，即为图5所示，其中，图5-a、图5-b、图5-c和图5-d分别为2v、3v、5v和8v驱动电压下所述光学膜的niso与neff之间差值的分布图，随着驱动电压的增加，niso与neff之间的差值分布亦增大，代表着所述光学膜的视角调制作用越来越强。反之，随着驱动电压降低，所述光学膜的视角调制作用越来越弱，直至在理想状态下，驱动电压为零(即：不施加驱动电压)时，niso与neff之间的差值为零，所述光学膜不具有视角调制作用。

第二方面，本申请提供了一种光学膜的制备方法，用于制备第一方面中所述的光学膜，如图6所示，包括如下步骤：

s1、提供一第一承载基体和一第二承载基体，分别在所述第一承载基体和所述第二承载基体上制作形成一第一电极和一第二电极，获得一第一电极层和一第二电极层。

具体的，所述第一电极和所述第二电极可采用本领域常规技术手段制作，如：涂布工艺或电子印刷工艺，所述涂布工艺可为喷涂、旋涂等。所述第一电极层和所述第二电极层的厚度不作具体限定，可依据实际需要自行选择。

s2、在所述第一电极层上制作形成一各向同性光学材料层。

具体的，所述各向同性光学材料层可采用本领域常规技术手段制作，如：涂布工艺或电子印刷工艺，所述涂布工艺可为喷涂、旋涂等。所述各向同性光学材料层的厚度为10微米～200微米。

s3、在所述各向同性光学材料层上制作多个凹槽结构。

具体的，所述凹槽结构的制作可采用本领域常规技术手段制作，如：刻蚀工艺等。所述多个凹槽结构为等间隔设置，凹槽结构的截面为左右对称的不规则形状，且在由下至上的竖直方向上，各个所述凹槽结构的截面宽度逐渐减小。

s4、在各个所述凹槽结构内注入液晶材料。

具体的，可采用本领域常规技术手段注入液晶材料，如：液晶滴注工艺等。所述液晶材料为向列相液晶或蓝相液晶。

s5、将所述第一电极层和所述第二电极层对向固定，以封装液晶材料，形成液晶材料层，获得光学膜。

具体的，可采用本领域常规技术手段将所述第一电极层和所述第二电极层进行对向固定，如：真空对盒工艺。为防止液晶溢出和水汽侵入，可进一步将所述第一电极层和所述第二电极层的四周采用边框胶密封，所述边框胶可为现有产品，如：热固化树脂和/或紫外固化树脂。

在一些实施例中，在所述步骤s5之前，还包括步骤：在所述第二电极层上制作形成多个支撑衬垫，各个所述支撑衬垫的位置分别与各相邻凹槽结构之间的各向同性光学材料层的位置相对应。

具体的，所述支撑衬垫可采用本领域常规技术手段制作，如：光刻工艺。所述支撑衬垫主要成分是紫外线固化型的树脂，可为圆球状、柱状等形状。

在一些实施例中，在所述步骤s4之前，还包括步骤：在各个所述凹槽结构的槽底面上制作形成一第一取向膜，在所述第二电极层上制作形成一第二取向膜。

具体的，所述第一取向膜和所述第二取向膜的材质优选为聚酰亚胺，所述第一取向膜和所述第二取向膜可采用本领域常规技术手段制作，如：先在各个所述凹槽结构的槽底面和所述第二电极层上分别涂布形成一聚酰亚胺层，再通过摩擦工艺在聚酰亚胺层上摩擦出方向性的沟槽。又如：先在聚酰亚胺中掺入光敏单体，然后在各个所述凹槽结构的槽底面和所述第二电极层上分别涂布掺有光敏单体的聚酰亚胺材料，固化后进行偏振紫外光照工艺，以对液晶分子完成光控配向。

第三方面，本申请实施例提供了第一方面所述光学膜在显示面板中的应用，第一方面所述光学膜可应用于显示面板中作为视角扩散膜，即：所述光学膜位于所述显示面板的出光面上。

具体的，所述显示面板可为液晶显示面板，也可为非液晶显示面板，如：oled显示面板、micro-led显示面板、qled显示面板等。对于液晶显示面板可为常规显示模式，如：扭曲向列型(twistednematic,tn)显示模式、垂直配向型(verticalalignment,va)显示模式、面内转换型(in-planeswitching,ips)显示模式等，可依据实际需要自行选择，在此不作具体限定。

实施例：一种液晶显示面板，包括：

一第一基板，包括多个像素；

一第二基板，与所述第一基板相对设置；

一液晶层，填充于所述第一基板与所述第二基板之间；

第一偏光片，设置于所述第一基板背离所述液晶层的一面上；

第二偏光片，设置于所述第二基板背离所述液晶层的一面上；以及

第一方面中所述的光学膜，设置于所述第一偏光片背离所述第一基板的一面上，其中，所述光学膜中各个凹槽结构的位置分别与各个所述像素的位置相对应。

优选的，所述第一基板为彩膜(colorfilter,cf)基板，所述第二基板可为薄膜晶体管(thin-filmtransistors,tft)阵列基板。所述光学膜中第一电极层和第二电极层施加的驱动电压可由外部电源提供，也可由tft阵列基板提供。

优选的，所述液晶显示面板为tn显示模式。特别优选的，当tft阵列基板未施加电场时，像素表现为暗态；当tft阵列基板施加电场时，像素表现为亮态，通过调整tft阵列基板施加电场的大小来调控像素的灰阶程度。

当像素表现为暗态时，所述光学膜中，所述第一电极层和所述第二电极层对所述液晶材料层未施加驱动电压，理想状态下，所述光学膜不具有视角调制作用，从而完全消除了现有视角扩散膜的消极效果，即：超大视角(60度以上视角)的暗态漏光不会被调制至正视角出射，有效避免增强正视角的暗态漏光和降低液晶显示面板在正视角的对比度。

当像素表现为亮态时，针对显示灰阶程度的不同，tft阵列基板对像素提供相应强度的电场。在所述光学膜中，所述第一电极层和所述第二电极层对所述液晶材料层施加一固定的驱动电压，以使niso的数值大于neff的数值，即：所述光学膜具有视角调制作用，将部分正视角的光调制至大视角(如45度视角)中，从而有效提高大视角的显示亮度，实现正视角观看模式和大视角观看模式之间自由切换。

对比例1：

本对比例提供一种液晶显示面板，其与所述第三方面中实施例区别之处仅在于：所述第一偏光片背离所述彩膜基板的一面上不设置具有视角调制作用的光学膜。

对比例2：

本对比例提供一种液晶显示面板，其与所述第三方面中实施例区别之处仅在于：所述第一偏光片背离所述彩膜基板的一面上设置现有技术中的视角扩散膜(如图1所示)。

将所述第三方面中实施例的液晶显示面板、对比例1的液晶显示面板和对比例2的液晶显示面板分别在正视角(0度)～80度视角进行亮度测试和对比度测试，获得图7和图8，所述亮度测试和对比度测试可采用本领域的常规技术手段，在此不再赘述。

由图7可知，对比例2的液晶显示面板和第三方面实施例中的液晶显示面板在正视角(0度)～80度视角亮度相一致，并且30度～80度大视角的亮度明显优越于对比例1的液晶显示面板，即：本申请实施例的光学膜与现有视角扩散膜对亮态光强度分布所起的作用相同。

由图8可知，相较于对比例2的液晶显示面板，第三方面实施例中的液晶显示面板在正视角(0度)的对比度提高了一倍左右，即：相较于现有视角扩散膜，本申请实施例的光学膜极大地改善了正视角暗态漏光的问题，所述光学膜保留现有视角扩散膜在亮态下提高大视角显示亮度的积极效果，消除了现有视角扩散膜增强正视角暗态漏光、降低正视角对比度的消极作用。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种，进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。