曝光装置及其使用方法与流程

本发明涉及显示面板制造技术领域，更具体地，涉及一种曝光装置及其使用方法。

背景技术：

随着显示技术的发展，显示领域对显示设备的分辨率要求越来越高。现有技术中，在显示面板的制造过程中，受到曝光设备成本和掩膜版设计规范等因素的限制，曝光工艺的精度和分辨率的提升非常困难。无论是通过采用掩膜版方法转印图形的液晶显示、驱动芯片制作以及电路板制造等，都会存在通过曝光装置所得到的转印图形只能为和掩膜版图形大小相同的问题，因此，亟待发明一种曝光装置，使得在不改变掩膜版结构的情况下，实现转印图形相对于掩膜图案大小的改变。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提供了一种曝光装置及其使用方法，用以改善通过曝光装置所得到的转印图形只能与掩膜图案大小相同的问题。

第一方面，本申请提供一种曝光装置，包括光源、掩膜版和光路补偿单元，所述光路补偿单元设置于所述掩膜版远离所述光源的一侧，所述掩膜版上设置有掩膜图案；

所述光路补偿单元包括第一子补偿单元和/或第二子补偿单元，其中，所述第一子补偿单元包括一具有中空结构的密闭组件，所述中空结构中设置有第一填充物，所述第一填充物用于改变所述密闭组件的压强，并改变所述光路补偿单元的折射率；

所述第二子补偿单元包括一透光结构，所述透光结构靠近和/或远离所述掩膜版的一侧表面设置有薄膜层，所述薄膜层和所述透光结构用于改变所述光路补偿单元的折射率。

第二方面，本申请提供了一种曝光装置的使用方法，应用于所述曝光装置；

所述曝光装置用于在转印基板上形成转印图形，所述转印基板设置于光路补偿单元远离掩膜版的一侧；

所述方法包括：

打开所述光源，使所述光源发出的光线经所述掩膜版和所述光路补偿单元；

所述光路补偿单元使所述掩膜版的掩膜图案在所述转印基板上形成所述转印图形。

与现有技术相比，本发明提供的一种曝光装置及其使用方法，至少实现了如下的有益效果：

本申请通过在现有曝光装置的基础上，提供一光路补偿单元设置于现有曝光装置中的掩膜版远离光源的一侧，通过对光路补偿单元折射率的调控，改变掩膜版图案所成像的大小，使得通过曝光装置所得到的转印图形相比掩膜版图案增大或减小；如此，仅通过对曝光装置的微加工，便提高了曝光装置生产指定转印图形的能力，有利于消除现有技术中曝光装置的使用局限性。

当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1所示为本申请实施例提供的曝光装置的一种示意图；

图2所示为本申请实施例提供的曝光装置的另一种示意图；

图3所示为本申请实施例提供的曝光装置的再一种示意图；

图4所示为本申请实施例提供的曝光装置的又一种示意图；

图5所示为本申请实施例提供的曝光装置的还一种示意图；

图6所示为本申请实施例提供的曝光装置中光路补偿单元的一种示意图；

图7所示为本申请实施例提供的曝光装置使用方法的一种流程图；

图8所示为本申请实施例提供的曝光装置中第一子补偿单元的使用方法的一种流程图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

现有技术中，无论是通过采用掩膜版方法转印图形的液晶显示、驱动芯片制作以及电路板制造等，都会存在通过曝光装置所得到的转印图形只能为和掩膜版图形大小相同的问题，因此，亟待发明一种曝光装置，使得在不改变掩膜版结构的情况下，实现转印图形相对于掩膜图案大小的改变。

有鉴于此，本发明提供了一种曝光装置及其使用方法，用以改善通过曝光装置所得到的转印图形只能与掩膜图案大小相同的问题。

传统的曝光系统中，设备的最小分辨率是由硬件决定的，设备一旦固定了，其对应的最小分辨率也就固定了，因此，传统的曝光系统在使用上具有较大的局限性；且在传统曝光系统中，一般都是按照掩膜图案的大小1:1形成转印图形的，也即，曝光系统中的掩膜图案的尺寸就决定了转印图形的尺寸，也就是说通过同一掩膜版只能生成一种转印图形，这样一台曝光装置仅能生产同一规格的膜层结构。

现有技术中，提升解像力的传统方法一般是对设备硬件进行更换升级，甚至是直接采用更新型的设备，有的研究通过对掩膜版进行处理来提升解像力，但掩膜版是耗材，这些做法都需要额外消耗巨大财力。

图1所示为本申请实施例提供的曝光装置的一种示意图，图2所示为本申请实施例提供的曝光装置的另一种示意图，图3所示为本申请实施例提供的曝光装置的再一种示意图，图4所示为本申请实施例提供的曝光装置的又一种示意图，图5所示为本申请实施例提供的曝光装置的还一种示意图；请参照图1-图5，鉴于上述现有技术中曝光系统所存在的原因，本申请提供了一种曝光装置100，包括光源10、掩膜版11和光路补偿单元13，光路补偿单元13设置于掩膜版11远离光源10的一侧，掩膜版11上设置有掩膜图案111；

光路补偿单元13包括第一子补偿单元131和/或第二子补偿单元132，其中，第一子补偿单元131包括一具有中空结构的密闭组件，中空结构中设置有第一填充物，第一填充物用于改变密闭组件的压强，并改变光路补偿单元13的折射率；

第二子补偿单元132包括一透光结构18，透光结构18靠近和/或远离掩膜版11的一侧表面设置有薄膜层181，薄膜层181和透光结构18用于改变光路补偿单元13的折射率。

请继续参照图1-图5，具体地，本申请提供了一种新型曝光装置100，包括光源10、掩膜版11和光路补偿单元13，可选地，在光源10和掩膜版11之间还包括照明系统14，照明系统14用于将光源10所发出的光线进行均匀处理，使得通过照明系统14打到掩膜版11上的光线是均匀的。掩膜版11远离光源10的一侧还包括掩膜版载台15、挡板16、镜面光学系统17、光路补偿单元13等，其中，掩膜版载台15用于放置掩膜版11，挡板16用于控制通过掩膜版载台15能够形成转印图形112的光线的区域，镜面光学系统17用于将实像以1:1的投影比例投影到光刻胶层，以保证投影效果更加清晰真实，提高曝光分辨率和曝光精度。

由于通过曝光装置100要生成相应的转印图形112，本申请中在曝光装置100的下方还设置有一玻璃基板19，玻璃基板19的上方涂布一光刻胶层，曝光装置100最终所形成的转印图形112在光刻胶层中产生。

请参照图1和图2，本申请提供了三种光路补偿单元13，其一为：本申请提供一种第一子补偿单元131，具体地，第一子补偿单元131包括一具有中空结构的密闭组件，本申请通过在此密闭组件的中空结构中设置第一填充物，也即通过在密闭组件中填充不同量和/或不同类型的第一填充物来改变密闭组件(第一子补偿单元131)的压强，从而改变第一子补偿单元131对光线的折射率。需要说明的是，第一子补偿单元131形成密闭组件时可选用玻璃材质进行制作，例如第一子补偿单元131为一具有中空结构的六面体玻璃；但本申请并不限制第一子补偿单元131的制作材料，只要能够具有透射光线的效果即可。本申请通过第一子补偿单元131对光线进行相应的折射，使得光线通过掩膜版11后在基板上所形成的转印图形112相对于掩膜图案111增大或减小，也即实现了通过调整第一子补偿单元131折射率的大小实现转印图形112相对于掩膜图案111大小的调整，有利于在不耗费大量财力和物力的基础上提高曝光装置100生产多样化转印图形112的能力，有利于消除现有技术中曝光装置100的使用局限性。

还需要说明的是，本申请通过改变第一子补偿单元131中空结构内的压强大小来改变了第一子补偿单元131对光线的折射率，当第一子补偿单元131对光线具有汇聚作用时，可将此第一子补偿单元131看作是一个凸透镜的功能；当第一子补偿单元131对光线具有发散作用时，可将此第一子补偿单元131看作是一个凹透镜的功能；但是由于现有技术中凹透镜和凸透镜的外形都是固定的，也即对光线汇聚或是发散的能效是一个固定的值，因此本申请所采用的通过改变第一子补偿单元131的压强来改变折射率的光路补偿单元13，更有利于消除现有技术中曝光装置100的使用局限性。

本申请图2中提供了一种外形为凸透镜的第一子补偿单元131，但是需要说明的是，此凸透镜形状的第一子补偿单元131的内部压强也可以通过对第一填充物的调整而发生改变。还需要说明的是，本申请所提供的第一子补偿单元131的外形可以根据需求进行相应的调整，本申请不对其进行外观的限定。

请参照图3和图5，其二为：本申请提供了一种第二子补偿单元132，具体地，本申请通过在透光结构18靠近掩膜版11的一侧设置一薄膜层181，或是在透光结构18远离掩膜版11的一侧设置一薄膜层181，亦或是透光结构18的上下两侧分别设置薄膜层181；由于薄膜层181自身对光线具有一定的折射能力，且结合透光结构18发生形变后也对光线具有一定的折射能力，通过薄膜层181和透光结构18对光线折射效果的叠加，本申请所提供的第二子补偿单元132对于光线产生的折射效果更强。本申请通过第二子补偿单元132对光线进行相应的折射，使得光线通过掩膜版11后在基板上所形成的转印图形112相对于掩膜图案111增大或减小，也即实现了通过调整第二子补偿单元132折射率的大小实现转印图形112相对于掩膜图案111大小的调整，有利于在不耗费大量财力和物力的基础上提高曝光装置100生产多样化转印图形112的能力，有利于消除现有技术中曝光装置100的使用局限性。

请参照图4，其三为：在现有曝光装置100中既设置第一子补偿单元131又设置第二子补偿单元132，由于设置第一子补偿单元131或第二子补偿单元132中的一者对于光线的折射具有一定的局限性，每增加一个补偿单元，就可增大转印图形112相比于掩膜图案111大小改变的幅度。本申请通过第一子补偿单元131和第二子补偿单元132对光线进行相应的折射的效果叠加，使得光线通过掩膜版11后在基板上所形成的转印图形112相对于掩膜图案111产生更大幅度的增大或减小，通过调整第一子补偿单元131和第二子补偿单元132折射率的大小实现转印图形112相对于掩膜图案111大小的调节，有利于在不耗费大量财力和物力的基础上提高曝光装置100生产多样化转印图形112的能力，有利于消除现有技术中曝光装置100的使用局限性。

还需要说明的是，本申请并不限定在一曝光装置100中设置第一子补偿单元131和第二子补偿单元132的数量，技术人员可根据使用需求进行相应的调整。

图6所示为本申请实施例提供的曝光装置中光路补偿单元的一种示意图，请参照图1-图6，其中图6中图4中的第一子补偿单元131的一种俯视图，可选地，密闭组件为一多面体结构，多面体结构至少包括相对设置的第一表面1311和第二表面1312；第一表面1311和第二表面1312平行设置，且第一表面1311和掩膜版11所在的平面平行设置。

具体地，本申请所提供的光路补偿单元13中的形成第一子补偿单元131的密闭组件可以为一多面体结构，此多面体结构至少包括相对设置的第一表面1311和第二表面1312，需要限定的是此第一表面1311和第二表面1312平行设置，且限定此第一表面1311需要和掩膜版11所在的平面平行设置；如此设置，光线经掩膜版11后可以以垂直的状态射入第一子补偿单元131的第一表面1311，进而在密闭组件的内部发生相应的折射后从第一子补偿单元131的第二表面1312出射；将第一表面1311和第二表面1312平行设置也有利于实验中计算光线折射后的出射角大小，有利于更方便且精确地控制第一子补偿单元131改变光线的传播方向，进而精确控制通过曝光装置100所形成的转印图形112的大小。

需要说明的是，本申请对于密闭组件其余表面的形状和大小并不做具体限定，只要结合第一表面1311和第二表面1312能够形成具有中空结构的密闭组件即可。还需要说明的是，本申请提供第一子补偿单元131的第一表面1311和第二表面1312平行设置仅是一种优选的设置方式，本申请对于第一子补偿单元131并不做具体的限定，只要通过改变第一子补偿单元131的折射率能够实现制作出不同大小转印图形112的功能即可。

请继续参照图1-图6，可选地，第一子补偿单元131包括若干具有独立密闭空间的子中空结构21。

具体地，本申请并不限定第一子补偿单元131中具有密闭空间的数量，因此，本申请所提供的第一子补偿单元131也可包括若干具有独立密闭空间的子中空结构21，若干子中空结构21共同组成第一子补偿单元131。

需要说明的是，本申请并不限定构成第一子补偿单元131的每一子中空结构21对于光线折射的效果，也即本申请并不限定每一子中空结构21中所设置的第一填充物的用量和类型相同。

需要说明的是，图6中所示的若干子中空结构21的形状仅为示意性表示，本申请对于任一子中空结构21在掩膜版11上的正投影形状并不做具体限定，技术人员根据需求对任一子中空结构21的形状和面积进行调整即可。此外，本申请对于任一第一子补偿单元131中所包括的子中空结构21的数量也不做具体限定，技术人员根据需求对子中空结构21的数量进行调整即可。

请继续参照图1-图6，可选地，至少两个子中空结构21对应的第一子补偿单元131的折射率不同。

具体地，为了满足当下显示领域对曝光装置100所产生转印图形112的多样化需求，对于本申请所提供的具有多个子中空结构21的第一子补偿单元131，可通过在不同的子中空结构21中填充量、或是类型不同的第一填充物，使得任一第一子补偿单元131中可具有多个对光线折射效果不同的区域，从而可以实现对于转印图形112相对于掩膜图案111局部区域指定性的增大或减小或不变，有利于在不耗费大量财力和物力的基础上提高曝光装置100生产多样化转印图形112的能力，有利于消除现有技术中曝光装置100的使用局限性。

请参照图4和图6，可选地，第一子补偿单元131还包括薄膜件20，薄膜件20设置于第一表面1311和第二表面1312之间，且薄膜件20所在的平面与第一表面1311相交；薄膜件20用于将第一子补偿单元131划分为若干具有独立密闭空间的子中空结构21。

具体地，第一子补偿单元131中还包括薄膜件20，薄膜件20设置于第一子补偿单元131的第一表面1311和第二表面1312之间，且薄膜件20所在的平面与第一表面1311相交，也即薄膜件20与第一表面1311和第二表面1312同时接触，从而利用薄膜件20将第一子补偿单元131划分为若干具有独立密闭空间的子中空结构21，进而通过在不同的子中空结构21中填充类型、或是用量不同的第一填充物，使得任一第一子补偿单元131中可具有多个对光线折射效果不同的区域。可以实现转印图形112相对于掩膜图案111局部区域指定性的增大或减小或不变，有利于在不耗费大量财力和物力的基础上提高曝光装置100生产多样化转印图形112的能力，有利于消除现有技术中曝光装置100的使用局限性。

请参照图4和图6，可选地，薄膜件20采用氟化镁薄膜材料制作。

具体地，本申请中用于隔断密闭组件形成多个子中空结构21的薄膜件20可选用氟化镁薄膜进行制作，氟化镁薄膜材料的消光系数为0，具有很好的透光性，同时光折射率低(1.38)，氟化镁薄膜材料的光折射率低于光学玻璃折射率(1.52)，且氟化镁薄膜材料容易被薄膜化，易于制作成薄膜结构。

需要说明的是，本申请中薄膜件20的制作材料并不以此为限，其它类似于氟化镁薄膜材料特性的材料也可以用于薄膜件20的制作。

可选地，第一填充物包括氢气或氩气。

具体地，本申请填充于密闭组件中或是说填充于子中空结构21中的第一填充物可选择氢气或氩气，通过改变充入子中空结构21中的氢气或是氩气的用量，可以改变子中空结构21内的压强大小，从而改变任一子中空结构21对应的第一子补偿单元131不同位置对于光线的折射率大小。从而可以实现对于转印图形112相对于掩膜图案111局部区域指定性的增大或减小或不变，有利于在不耗费大量财力和物力的基础上提高曝光装置100生产多样化转印图形112的能力，有利于消除现有技术中曝光装置100的使用局限性。

需要说明的是，本申请此处仅是提供了第一填充物可选择使用氢气或氩气，但并不仅限于此，其他可以改变子中空结构21内压强且不影响光线穿透的气体或是其他填充物均可，技术人员可根据需求进行相应的选择。

请参照图6，可选地，光路补偿单元13还包括气阀组件22；任一子中空结构21均连接一气阀组件22。

具体地，由于本申请第一子补偿单元131对于光线的折射率大小可根据填充入子中空结构21中气体的用量或是类型来控制，因此本申请所提供的第一子补偿单元131还包括气阀组件22，任一子中空结构21均连接一气阀组件22，通过气阀组件22来监控任一子中空结构21中的压强大小，并通过气阀组件22来调控子中空结构21中充入气体的量。便于通过气阀组件22对任一子中空结构21中的第一填充物进行调整和监控，从而有利于方便技术人员对第一子补偿单元131任一区域所需的光折射率进行调控。

通过改变任一子中空结构21对应的第一子补偿单元131不同位置对于光线的折射率大小，可以实现对于转印图形112相对于掩膜图案111局部区域指定性的增大或减小或不变，有利于在不耗费大量财力和物力的基础上提高曝光装置100生产多样化转印图形112的能力，有利于消除现有技术中曝光装置100的使用局限性。

请继续参照图6，可选地，气阀组件22至少包括一个进排气气阀221和一个气压计222。

具体地，本申请用于监控任一子中空结构21压强的气阀组件22至少包括一个气压计222和一个进排气气阀221，气压计222用于监控任一子中空结构21内气体的气压大小，也即实现对于任一子中空结构21内的压强大小的监控；进排气气阀221用于在子中空结构21中压强过大时排出一定量的气体，并用于在子中空结构21中压强过小时充入一定量的气体。通过气阀组件22对任一子中空结构21中的第一填充物进行调整和监控，从而有利于方便技术人员对第一子补偿单元131任一区域所需的光折射率进行调控。

需要说明的是，任一气阀组件22也可包括一个进气阀和一个排气阀，这样便于第一子补偿单元131和气体容置装置的连接，从而实现技术人员对于任一子中空结构21电子化的调控，有利于曝光装置100的信息化、机械化发展。

请参照图1-图5，可选地，透光结构18为可形变玻璃体。

具体地，透光结构18可选择具有可形变性质的玻璃体结构进行制作，本申请中的透光结构18表面还镀有薄膜层181，当薄膜层181设置于透光结构18靠近光源10的一侧时，光线打到薄膜层181后光线会经过一次折射，进而光线射入透光结构18后又会经过一次折射，从而可在现有曝光装置100的基础上提高经光路补偿单元13(薄膜层181+透光结构18)后光线在玻璃基板19之上所形成的转印图形112相对于掩膜图案111增大或减小的幅度，通过调整光路补偿单元13对光线折射率的大小实现转印图形112相对于掩膜图案111大小的调节，有利于在不耗费大量财力和物力的基础上提高曝光装置100生产多样化转印图形112的能力，有利于消除现有技术中曝光装置100的使用局限性。

请参照图3-图5，可选地，薄膜层181采用氮化硅或二氧化硅材料制作。

具体地，本申请设置于透光结构18一侧或两侧的薄膜层181可使用氮化硅或二氧化硅材料进行制作。由于薄膜层181为能够和透光结构18形成紧密组件的薄膜结构，本申请所提供的氮化硅或二氧化硅材料可以通过薄膜工艺制成薄膜结构，且相关薄膜工艺在本技术领域已经非常成熟，不会增加工艺繁琐度；此外，氮化硅或二氧化硅材料所制作的薄膜层181光透过率较高，也不会影响光线的传输数量。

需要说明的是，本申请所提供的采用氮化硅或二氧化硅材料来形成薄膜层181，仅是本申请所提供的一种较佳的选择，本申请并不对制作薄膜层181所采用的材料进行具体限定，通过工艺或厚度变化能够满足透光性和对折射率进行改变的其它材料也可以使用，只要所采用的材料制成的薄膜层能够达到本申请薄膜层181的相关技术效果即可。

本申请设置于透光结构18至少一侧的薄膜层181用于改变光折射率，使得经过掩膜版11的光线打到薄膜层181后会经过一次折射，进而光线射入透光结构18后又会经过一次折射，从而可在现有曝光装置100的基础上提高经光路补偿单元13(薄膜层181+透光结构18)后光线在基板上所形成的转印图形112相对于掩膜图案111增大或减小的幅度，通过调整光路补偿单元13对光线折射率的大小实现转印图形112相对于掩膜图案111大小的调节，有利于在不耗费大量财力和物力的基础上提高曝光装置100生产多样化转印图形112的能力，有利于消除现有技术中曝光装置100的使用局限性。

请继续参照图3-图5，可选地，薄膜层181在掩膜版11上的正投影与透光结构18在掩膜版11上正投影至少部分交叠。

具体地，本申请所提供的薄膜层181可以整面覆盖于透光结构18的表面，也可分区域设置于透光结构18的部分表面，本申请对于透光结构18表面设置薄膜层181的面积大小以及区域设定并不作任何限定，可根据需要转印图形112相对于掩膜图案111增大或减小的区域来调整需要设置薄膜层181的位置和面积大小。

本申请所提供的第二子补偿单元132，使得经过掩膜版11的光线打到薄膜层181后会经过一次折射，进而光线射入透光结构18后又会经过一次折射，从而可在现有曝光装置100的基础上提高经光路补偿单元13(薄膜层181+透光结构18)后光线在基板上所形成的转印图形112相对于掩膜图案111增大或减小的幅度，通过调整光路补偿单元13对光线折射率的大小实现转印图形112相对于掩膜图案111大小的调节。

可选地，薄膜层181采用电可变材料制作。

具体地，本申请中设置于透光结构18表面的薄膜层181也可选用电可变材料进行制作，通过调整施加给薄膜层181的电压大小或是电场大小使薄膜层181发生弯折，进而通过薄膜层181弯曲度和弯曲方向的改变带动透光结构18弯曲度和弯曲方向的改变，从而改变第二子透光结构18对于光线的折射率。省去了现有技术中需要通过其他结构来驱动透光结构18发生弯折的结构设置，有利于简化整个透光装置的膜层结构和器件结构，降低曝光装置100的制作流程和所需费用。

请参照图1-图5，可选地，光路补偿单元13同时包括第一子补偿单元131和第二子补偿单元132时，第一子补偿单元131设置于第二子补偿单元132靠近掩膜版11的一侧；或，第一子补偿单元131设置于第二子补偿单元132远离掩膜版11的一侧。

具体地，当在曝光装置100中同时设置第一子补偿单元131和第二子补偿单元132时，本申请可提供的一种设置方式为将第一子补偿单元131设置于第二子补偿单元132靠近掩膜版11的一侧，另一种设置方式为将第一子补偿单元131设置于第二子补偿单元132远离掩膜版11的一侧。本申请对于第一子补偿单元131和第二子补偿单元132之间是否还设置有其他膜层结构并不做具体限定，只要第一子补偿单元131和第二子补偿单元132均设置于掩膜版11和玻璃基板19之间即可。

本申请通过第一子补偿单元131和第二子补偿单元132对光线进行相应的折射的效果叠加，使得光线通过掩膜版11后在基板上所形成的转印图形112相对于掩膜图案111产生更大幅度的增大或减小，实现了通过调整第一子补偿单元131和第二子补偿单元132折射率的大小实现转印图形112相对于掩膜图案111大小的调节，有利于在不耗费大量财力和物力的基础上提高曝光装置100生产多样化转印图形112的能力，有利于消除现有技术中曝光装置100的使用局限性。

还需要说明的是，本申请并不限定在一曝光装置100中设置第一子补偿单元131和第二子补偿单元132的数量，技术人员可根据使用需求进行相应的调整。

请参照图4，可选地，第一子补偿单元131在掩膜版11上的正投影与第二子补偿单元132在掩膜版11上的正投影至少部分交叠。

具体地，当在曝光装置100中同时设置第一子补偿单元131和第二子补偿单元132时，本申请可将第一子补偿单元131和第二子补偿单元132层叠设置，且使得第一子补偿单元131在掩膜版11上的正投影与第二子补偿单元132在掩膜版11上的正投影重合，如此，可使得透过第一子补偿单元131的光线一定还能再次透过第二子补偿单元132。通过第一子补偿单元131和第二子补偿单元132对光线进行相应的折射的效果叠加，使得光线通过掩膜版11后在基板上所形成的转印图形112相对于掩膜图案111产生更大幅度的增大或减小，实现了通过调整第一子补偿单元131和第二子补偿单元132折射率的大小实现转印图形112相对于掩膜图案111大小的调节，有利于在不耗费大量财力和物力的基础上提高曝光装置100生产多样化转印图形112的能力，有利于消除现有技术中曝光装置100的使用局限性。

此外，也可设置第一子补偿单元131在掩膜版11上的正投影与第二子补偿单元132在掩膜版11上的正投影部分交叠；则需要对光线进行大幅度折射，使得转印图形112相对于掩膜图案111的部分区域增大或减小的区域，可设置光线即经过第一子补偿单元131又经过第二子补偿单元132；仅通过第一子补偿单元131或第二子补偿单元132便能够实现对转印图形112相对于掩膜图案111的部分区域增大或减小的话，可使得光线即经过第一子补偿单元131或仅经过第二子补偿单元132即可。

本申请中第一子补偿单元131和第二子补偿单元132各自的折射率、对光线具有折射效果的区域等均可根据需求进行相应调整，本申请对此并不做具体限定。

图7所示为本申请实施例提供的曝光装置使用方法的一种流程图，请参照图1-图7，基于同一发明构思，本申请还提供了一种曝光装置100的使用方法，应用曝光装置100，该曝光装置100为本申请提供的任一种曝光装置100；

曝光装置100用于在转印基板上形成转印图形112，转印基板设置于光路补偿单元13远离掩膜版11的一侧；

方法包括：

步骤101、打开光源10，使光源10发出的光线经掩膜版11和光路补偿单元13；

步骤102、光路补偿单元13使掩膜版11的掩膜图案111在转印基板上形成转印图形112。

具体地，本申清还提供了一种曝光装置100的使用方法，曝光装置100用于在转印基板上形成转印图形112，转印基板设置于光路补偿单元13远离掩膜版11的一侧；其中转印基板包括玻璃基板19和光学胶层，转印图形112具体为在光学胶层通过对光学胶的刻蚀形成所需的图形。

曝光装置100的使用方法包括步骤101和步骤102，步骤101为打开光源10，或者说是启动曝光装置100，使得光源10经照明系统14将光线进行均匀化处理后，光线可以均匀经过掩膜版11，进而光线穿过光路补偿单元13等膜层结构；通过步骤102使得曝光装置100可在转印基板上形成所制作的转印图形112，其中光路补偿单元13使掩膜版11上所具有的掩膜图案111经大小变化或不变后在转印基板上形成相应的转印图形112。

本申请通过使用光路补偿单元13对光线进行相应的折射，使得光线通过掩膜版11后在基板上所形成的转印图形112相对于掩膜图案111增大或减小，也即实现了通过调整光路补偿单元13对光线的折射率大小实现转印图形112相对于掩膜图案111大小的调整，有利于在不耗费大量财力和物力的基础上提高曝光装置100生产多样化转印图形112的能力，有利于消除现有技术中曝光装置100的使用局限性。

图8所示为本申请实施例提供的曝光装置中第一子补偿单元的使用方法的一种流程图，请参照图1-图8，可选地，当光路补偿单元13包括第一子补偿单元131时，第一子补偿单元131的使用方法包括：

步骤201、通过气压计222检测密闭组件中任一子中空结构21内的第一压强；

步骤202、将第一压强与预设压强进行比较；

步骤2031、若第一压强大于预设压强，则打开进排气气阀221排出至少部分第一填充物，并再次通过气压计222检测任一子中空结构21内的第一压强；

步骤2032、若第一压强小于预设压强，则打开进排气气阀221充入至少部分第一填充物，并再次通过气压计222检测任一子中空结构21内的第一压强；

步骤2033、若第一压强等于预设压强，则打开曝光装置100开始曝光。

具体地，第一子补偿单元131的使用方法包括：在步骤201中，通过气压计222来检测密闭组件中任一子中空结构21内的第一压强对应的数值，通过步骤202对步骤201中所检测到的第一压强和预设压强进行大小比较；若步骤202中计算得到的第一压强大于预设压强，则通过步骤2031打开进排气气阀221排出至少部分第一填充物，并再次通过气压计222检测任一子中空结构21内的第一压强；若步骤202中计算得到的第一压强小于预设压强，则通过步骤2032打开进排气气阀221充入至少部分第一填充物，并再次通过气压计222检测任一子中空结构21内的第一压强；若步骤202中计算得到的第一压强等于预设压强，则说明所检测的子中空结构21中的气体量已经达到了所需的量，则通过步骤2033开启曝光装置100制作转印图形112即可。

本申请通过在曝光装置100中加入光路补偿单元13，使用光路补偿单元13对光线进行相应的折射，使得光线通过掩膜版11后在基板上所形成的转印图形112相对于掩膜图案111增大或减小，也即实现了通过调整光路补偿单元13对光线的折射率大小实现转印图形112相对于掩膜图案111大小的调整，有利于在不耗费大量财力和物力的基础上提高曝光装置100生产多样化转印图形112的能力，有利于消除现有技术中曝光装置100的使用局限性。

通过上述实施例可知，本发明提供的曝光装置及其使用方法，至少实现了如下的有益效果：

本申请通过在现有曝光装置的基础上，提供一光路补偿单元设置于现有曝光装置中的掩膜版远离光源的一侧，通过对光路补偿单元折射率的调控，改变掩膜版图案所成像的大小，使得通过曝光装置所得到的转印图形相比掩膜版图案增大或减小；如此，仅通过对曝光装置的微加工，便提高了曝光装置生产指定转印图形的能力，有利于消除现有技术中曝光装置的使用局限性。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。