本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术：
液晶显示器通过控制液晶分子的旋转方向和旋转角度来控制穿透液晶层的光亮，从而显示各种灰度的图像，其具有高画面质量、体积小、重量轻等优点，广泛应用于移动电话、笔记本电脑、电视机以及显示器等产品中。
目前，液晶显示器的阵列基板和彩膜基板上通常设置有框胶，用于防止液晶外漏并用于将阵列基板和彩膜基板连接在一起。同时，为了使液晶分子按照特定的旋转方向进行排列，需要分别在阵列基板和彩膜基板上制作配向膜，用于限制液晶分子的配向状态。传统的配向膜制造方法是将溶有高分子化合物聚酰亚胺的溶液涂布在需要制作配向膜的基板表面，之后对聚酰亚胺液进行配向处理，形成配向膜。但由于液体的流动性，聚酰亚胺液容易扩散至密封区框胶粘结处，影响框胶的附着力，从而影响阵列基板和彩膜基板的连接。
技术实现要素：
基于此，有必要针对由于液体的流动性，聚酰亚胺液容易扩散至密封区框胶粘结处，影响框胶的附着力的问题，提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上密封区的挡墙和设置于所述衬底基板上显示区的配向膜；
所述挡墙位于密封区框胶粘结处的内侧，所述挡墙用于防止所述显示区的配向膜向所述框胶粘结处扩散；
所述挡墙包括第一挡墙及第二挡墙；所述第一挡墙包括多个间隔设置的第一阻挡件；所述第二挡墙位于所述第一挡墙与所述框胶粘结处之间，所述第二挡墙包括多个间隔设置的第二阻挡件；
所述第一挡墙用于对所述配向膜进行至少第一流动方向的阻挡，所述第二挡墙用于对所述配向膜进行至少第二流动方向的阻挡。
在其中一个实施例中，所述第一阻挡件和所述第二阻挡件均为片状结构的挡片，所述挡片的阻挡面用于提供对所述至少第一流动方向的阻挡和对所述至少第二流动方向的阻挡。
在其中一个实施例中，作为所述第一阻挡件的挡片的阻挡面与配向膜的涂布方向平行，作为所述第二阻挡件的挡片的阻挡面与配向膜的涂布方向垂直；其中，所述配向膜的涂布方向为从显示区指向密封区。
在其中一个实施例中，所述第一阻挡件沿与配向膜的涂布方向垂直的第一直线依次间隔排列；所述第二阻挡件分为两列分别沿与配向膜的涂布方向垂直的第二直线和第三直线依次间隔排列，相邻两个第二阻挡件分别位于第二直线和第三直线上。
在其中一个实施例中，作为所述第一阻挡件的挡片的阻挡面与配向膜的涂布方向呈第一预设角度，作为所述第二阻挡件的挡片的阻挡面与配向膜的涂布方向呈第二预设角度。
在其中一个实施例中，所述第一预设角度大于0度且小于90度，所述第二预设角度大于0度且小于90度。
在其中一个实施例中，所述第一阻挡件和所述第二阻挡件均为三棱柱体，所述三棱柱体与所述衬底基板垂直的三个柱面均可用于提供对所述至少第一流动方向的阻挡和对所述至少第二流动方向的阻挡。
在其中一个实施例中，所述衬底基板上形成有公共电极金属；所述公共电极金属上形成有栅绝缘层；所述栅绝缘层上形成有钝化层；所述公共电极金属对应的钝化层区域为公共电极金属区，所述挡墙设置于所述公共电极金属区上；所述密封区包括所述公共电极金属区。
一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上密封区的挡墙和设置于所述衬底基板上显示区的配向膜；所述阵列基板的制造方法包括：
在衬底基板上形成公共电极金属；
在所述公共电极金属上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成钝化层；
在公共电极金属区上设置挡墙，其中，所述公共电极金属对应的钝化层区域为公共电极金属区；所述挡墙包括第一挡墙及第二挡墙；所述第一挡墙包括多个间隔设置的第一阻挡件；所述第二挡墙位于所述第一挡墙与所述框胶粘结处之间，所述第二挡墙包括多个间隔设置的第二阻挡件；所述第一挡墙用于对所述配向膜进行至少第一流动方向的阻挡，所述第二挡墙用于对所述配向膜进行至少第二流动方向的阻挡。
一种显示装置，包括上述的阵列基板。
上述的阵列基板及其制造方法、显示装置，通过通过在衬底基板上密封区框胶粘结处的内侧设置第一挡墙及第二挡墙，第一挡墙包括多个间隔设置的第一阻挡件，第二挡墙位于第一挡墙与框胶粘结处之间，第二挡墙包括多个间隔设置的第二阻挡件，第一挡墙能够对配向膜进行至少第一流动方向的阻挡，从而减小配向膜的流动速度，第二挡墙能够对配向膜进行至少第二流动方向的阻挡，第二挡墙能够阻挡配向膜向框胶粘结处扩散，避免配向膜与框胶粘结处交叠而降低框胶的附着力。第一挡墙还能够阻挡配向膜的回流。
附图说明
图1为一实施例的阵列基板的结构示意图；
图2为另一实施例的阵列基板的结构示意图；
图3为另一实施例的阵列基板的结构示意图；
图4为另一实施例的阵列基板的结构示意图；
图5为另一实施例的阵列基板的结构示意图；
图6为一实施例的阵列基板的剖视图；
图7为另一实施例的阵列基板的剖视图；
图8为一实施例的阵列基板的制造方法的流程图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
请参阅图1至图4，其为本申请一实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。所述阵列基板包括衬底基板10、设置于所述衬底基板10上密封区11的挡墙20及设置于所述衬底基板10上显示区12的配向膜30。所述衬底基板10可以为透明基板，具体可以是采用玻璃或透明树脂等具有一定坚固性的透明材料制成的基板。
所述挡墙20位于密封区11框胶粘结处111的内侧，所述挡墙20用于防止所述显示区12的配向膜向所述框胶粘结处111扩散。
具体的，所述衬底基板10包括显示区12及围绕所述显示区12的非显示区，所述显示区12用于显示画面，所述非显示区为遮光区，防止背光模组的背光从所述非显示区透出，以保证液晶显示面板的显示效果。所述非显示区包括密封区11。
所述挡墙20包括第一挡墙21及第二挡墙22。所述第一挡墙21包括多个间隔设置的第一阻挡件211。所述第二挡墙22位于所述第一挡墙21与所述框胶粘结处111之间，所述第二挡墙22包括多个间隔设置的第二阻挡件221。
所述第一挡墙21用于对所述配向膜30进行至少第一流动方向的阻挡，所述第二挡墙22用于对所述配向膜30进行至少第二流动方向的阻挡。
在衬底基板10上密封区11框胶粘结处111的内侧设置第一挡墙21及第二挡墙22，第一挡墙21包括多个间隔设置的第一阻挡件211，第二挡墙22位于第一挡墙21与框胶粘结处111之间，第二挡墙22包括多个间隔设置的第二阻挡件221，第一挡墙21能够对配向膜30进行至少第一流动方向的阻挡，从而减小配向膜30的流动速度，第二挡墙22能够对配向膜30进行至少第二流动方向的阻挡，第二挡墙22能够阻挡配向膜30向框胶粘结处111扩散，避免配向膜30与框胶粘结处111交叠而降低框胶的附着力。第一挡墙21还能够阻挡配向膜30的回流。
在一实施例中，所述第一阻挡件211和第二阻挡件221均为片状结构的挡片，所述挡片的阻挡面用于提供对所述至少第一流动方向的阻挡和对所述至少第二流动方向的阻挡。片状结构的第一阻挡件211和第二阻挡件221制作容易，阻挡面能够实现对配向膜30的有效阻挡。
请参阅图1，作为所述第一阻挡件211的挡片的阻挡面与配向膜30的涂布方向平行，作为所述第二阻挡件221的挡片的阻挡面与配向膜30的涂布方向垂直；其中，所述配向膜30的涂布方向为从显示区12指向密封区11。通过设置与配向膜30的涂布方向平行的第一阻挡件211的挡片及与配向膜30的涂布方向垂直的第二阻挡件221的挡片，从而能够根据配向膜30的涂布方向对配向膜30的扩散进行阻挡。
请参阅图2，所述第一阻挡件211沿与配向膜30的涂布方向垂直的第一直线依次间隔排列。所述第二阻挡件221分为两列分别沿与配向膜30的涂布方向垂直的第二直线和第三直线依次间隔排列，相邻两个第二阻挡件分别位于第二直线和第三直线上。由于第一阻挡件211之间以及第二阻挡件221之间存在间隙，因此，配向膜30可以停留在所述间隙内，停止扩散。
进一步的，第一阻挡件211之间间隔均匀设置，第二阻挡件221之间间隔均匀设置，能够使得被所述第二挡墙22阻挡回流的配向膜30在向显示区12回流时，分布均匀，形成的配向膜30厚度均匀。
请参阅图3和图4，在一实施例中，作为所述第一阻挡件211的挡片的阻挡面与配向膜30的涂布方向呈第一预设角度，作为所述第二阻挡件221的挡片的阻挡面与配向膜30的涂布方向呈第二预设角度。第一阻挡件211的挡片的阻挡面及第二阻挡件221的挡片的阻挡面根据实际配向膜30的涂布方向设置成不同的角度，从而能够根据实际需要对配向膜30进行阻挡。
在一实施例中，所述第一预设角度大于0度且小于90度，所述第二预设角度大于0度且小于90度，可以使得挡墙20对配向膜30的阻挡和防回流效果都较好。
请参阅图5，所述第一阻挡件211和第二阻挡件221均为三棱柱体，所述三棱柱体与所述衬底基板10垂直的三个柱面均可用于提供对所述至少第一流动方向的阻挡和对所述至少第二流动方向的阻挡。第一阻挡件211和第二阻挡件221设置成三棱柱体结构能够使得挡墙20具有多个阻挡面，阻挡效果好。
需要说明的是，第一阻挡件211及第二阻挡件221还可以是其他的结构及其他的排列方式，在此不做限定。
在一实施例中，所述第一阻挡件211的高度小于所述第二阻挡件221的高度，从而挡墙20形成坡度结构，当配向膜30溶液较少时，第一挡墙21的高度刚好阻挡配向膜30的扩散，当配向膜30溶液较多时，配向膜30既可以通过第一阻挡件211的间隙扩散，也可以越上第一挡墙21，留存于第一挡墙21与第二挡墙22之间，可以防止配向膜30出现过多的回流，避免引起显示不均的问题。
所述第一阻挡件211及所述第二阻挡件221可以由制作阵列基板的第一金属层或第二金属层制作，这样第一挡墙21及第二挡墙22可以与阵列基板的第一金属层或第二金属层在同一制程中完成，减少阵列基板的制程，也使得挡墙的制作材料容易获取，节约成本。第一金属层可以是氧化铟锡，第二金属层可以是铜或铝。所述第一阻挡件211及所述第二阻挡件221也可以由非金属制成。
请参阅图6，其为本申请另一实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。所述阵列基板包括衬底基板10、设置于所述衬底基板10上密封区11的挡墙20及设置于所述衬底基板10上显示区12的配向膜30。所述衬底基板10可以为透明基板，具体可以是采用玻璃或透明树脂等具有一定坚固性的透明材料制成的基板。
所述挡墙20位于密封区11框胶粘结处111的内侧，所述挡墙20用于防止所述显示区12的配向膜向所述框胶粘结处111扩散。
所述挡墙20包括第一挡墙21及第二挡墙22。所述第一挡墙21包括多个间隔设置的第一阻挡件211。所述第二挡墙22位于所述第一挡墙21与所述框胶粘结处111之间，所述第二挡墙22包括多个间隔设置的第二阻挡件221。
所述第一挡墙21用于对所述配向膜30进行至少第一流动方向的阻挡，所述第二挡墙22用于对所述配向膜30进行至少第二流动方向的阻挡。
所述衬底基板10上形成有公共电极金属50。所述公共电极金属50上形成有栅绝缘层60。所述栅绝缘层60上形成有钝化层70。所述公共电极金属50对应的钝化层70区域为公共电极金属50区，所述挡墙20设置于所述公共电极金属50区上。所述密封区11包括所述公共电极金属区。所述公共电极金属50区上没有阻挡配向膜30扩散的阻挡物，因此，将挡墙20设置于公共电极金属50区上能够有效地阻挡配向膜30的扩散。
在一实施例中，所述衬底基板10设置有挡墙20的表面上开设有凹槽101，所述凹槽101位于所述挡墙20的内侧。进一步的，所述凹槽101位于所述公共电极金属50区上。在衬底基板10上涂布配向膜30时，形成配向膜30的溶液先扩散至所述凹槽101，并通过所述凹槽101扩散至所述挡墙20，从而增加了配向膜30扩散出挡墙20与框胶粘结处111交叠的难度。
在一实施例中，所述钝化层70开设有通孔，所述通孔与所述栅绝缘层60围成所述凹槽101。在其他实施例中，所述钝化层70及所述栅绝缘层60均开设有通孔，所述通孔与所述公共电极金属50围成所述凹槽101，还可以是所述钝化层70、所述栅绝缘层60及所述公共电极金属50均开设有通孔，所述通孔与所述衬底基板10围成所述凹槽101。
请参阅图7，当阵列基板为高级超维转换面板或平面转换面板中的阵列基板时，阵列基板包括衬底基板10、设置于所述衬底基板10上密封区11的挡墙20及设置于所述衬底基板10上显示区12的配向膜30。所述衬底基板10可以为透明基板，具体可以是采用玻璃或透明树脂等具有一定坚固性的透明材料制成的基板。所述衬底基板10上形成有氧化铟锡层80，所述氧化铟锡层80位于所述衬底基板10与所述公共电极金属50之间，即所述氧化铟锡层80上形成有公共电极金属50，所述公共电极金属50上形成有栅绝缘层60，所述栅绝缘层60上形成有钝化层70。所述公共电极金属50对应的钝化层70区域为公共电极金属50区，所述挡墙20设置于所述公共电极金属50区上。
需要说明的是，本申请实施例提供的阵列基板可以适用于ads型、ips型、in型等类型的液晶显示装置的生产。ads技术通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光率。
本申请的阵列基板，通过在衬底基板10上密封区11框胶粘结处111的内侧设置第一挡墙21及第二挡墙22，第一挡墙21包括多个间隔设置的第一阻挡件211，第二挡墙22位于第一挡墙21与框胶粘结处111之间，第二挡墙22包括多个间隔设置的第二阻挡件221，第一挡墙21能够对配向膜30进行至少第一流动方向的阻挡，从而减小配向膜30的流动速度，第二挡墙22能够对配向膜30进行至少第二流动方向的阻挡，第二挡墙22能够阻挡配向膜30向框胶粘结处111扩散，避免配向膜30与框胶粘结处111交叠而降低框胶的附着力。第一挡墙21还能够阻挡配向膜30的回流。
请参阅图8，本申请还提供一种阵列基板的制造方法。所述阵列基板包括衬底基板10、设置于所述衬底基板10上密封区11的挡墙20及设置于所述衬底基板10上显示区12的配向膜30。衬底基板10可以为透明基板，具体可以是采用玻璃或透明树脂等具有一定坚固性的透明材料制成的基板。该方法流程包括以下步骤：
步骤s1，在衬底基板10上形成公共电极金属50。
在衬底基板10上形成公共电极金属50可以包括：在衬底基板10上形成具有凹槽101的公共电极金属50。其中，公共电极金属50的制作材料可以采用钨、钛、钼、铝、钕、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，也可采用上述几种材料组合。
具体地，可以采用涂覆、沉积、溅射等方法在衬底基板10上形成表面平坦的公共电极金属50，之后采用具有特定图案的掩膜板进行曝光、显影、刻蚀及光刻胶剥离，从而形成具有凹槽101的公共电极金属50。
步骤s2，在所述公共电极金属50上形成栅绝缘层60。
可以采用涂覆、沉积、溅射等方法在公共电极金属50表面形成栅绝缘层60，例如，在公共电极金属50表面涂覆一层具有一定厚度的有机树脂材料，形成栅绝缘层60。
其中，栅绝缘层60还可以选用氧化物、氮化物或氧氮化合物生成，对应的反应气体可以为sih4、nh3、n2的混合气体或sih2cl2、nh3、n2的混合气体。
需要说明的是，由于公共电极金属50上形成有凹槽101，在形成栅绝缘层60后，栅绝缘层60上公共电极金属50的凹槽101对应区域也形成有凹槽101。
步骤s3，在所述栅绝缘层60上形成钝化层70。
可以采用涂覆、沉积、溅射等方法在栅绝缘层60上形成钝化层70，例如，在栅绝缘层60表面溅射一层具有一定厚度的硅化物，形成钝化层70。
其中，钝化层70可以选用氧化物、氮化物或氧氮化合物生成，对应的反应气体可以为sih4、nh3、n2的混合气体或sih2cl2、nh3、n2的混合气体。
需要说明的是，对应于公共电极金属50及栅绝缘层60上形成的凹槽101，钝化层70也形成有凹槽101。
步骤s4，在公共电极金属50区上设置挡墙20，其中，所述公共电极金属50对应的钝化层70区域为公共电极金属50区；所述挡墙20包括第一挡墙21及第二挡墙22；所述第一挡墙21包括多个间隔设置的第一阻挡件211；所述第二挡墙22位于所述第一挡墙21与所述框胶粘结处111之间，所述第二挡墙22包括多个间隔设置的第二阻挡件221；所述第一挡墙21用于对所述配向膜30进行至少第一流动方向的阻挡，所述第二挡墙22用于对所述配向膜30进行至少第二流动方向的阻挡。
在一实施例中，所述步骤s1之前还包括在衬底基板10上形成氧化铟锡层80。
氧化铟锡层80、栅绝缘层60及钝化层70的厚度可以根据实际需要设置，在此不做限定。
综上所述，本申请实施例提供的阵列基板的制造方法，通过在衬底基板10上密封区11框胶粘结处111的内侧设置第一挡墙21及第二挡墙22，第一挡墙21包括多个间隔设置的第一阻挡件211，第二挡墙22位于第一挡墙21与框胶粘结处111之间，第二挡墙22包括多个间隔设置的第二阻挡件221，第一挡墙21能够对配向膜30进行至少第一流动方向的阻挡，从而减小配向膜30的流动速度，第二挡墙22能够对配向膜30进行至少第二流动方向的阻挡，第二挡墙22能够阻挡配向膜30向框胶粘结处111扩散，避免配向膜30与框胶粘结处111交叠而降低框胶的附着力。第一挡墙21还能够阻挡配向膜30的回流。
本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述实施例的阵列基板。所述显示装置还包括彩膜基板及设置于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、有机发光二极管面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。