1.一种硅基多模式干涉仪的偏振分束器，其特征在于，包括：
硅基板；
平面结构，形成在所述硅基板上，并且其特征在于，所述平面结构是等腰梯形形状，所述等腰梯形形状具有由两个锥形边连接的第一平行边和第二平行边，所述第一平行边和所述第二平行边沿着平分这对平行边的对称线分开的长度不大于100μm，所述第一平行边具有第一宽度，所述第一宽度大于所述第二平行边的第二宽度；
一对输入端口，耦合到所述第一平行边，所述一对输入端口分别与等腰梯形形状的所述平面结构的所述两个锥形边边缘对齐；以及
一对输出端口，耦合到所述第二平行边，所述一对输出端口分别与所述两个锥形边边缘对齐；
其中，所述平面结构被配置为经由一个输入端口接收在c波段中的任何波长的输入光波并且分成分别输出到所述一对输出端口的横向电模式光波和横向磁模式光波。
2.根据权利要求1所述的硅基多模式干涉仪的偏振分束器，其特征在于，其中，所述硅基板包括绝缘体上硅基板中的一定厚度的硅层。
3.根据权利要求2所述的硅基多模式干涉仪的偏振分束器，其特征在于，其中，所述平面结构的厚度与所述硅层具有220nm的相同厚度。
4.根据权利要求3所述的硅基多模式干涉仪的偏振分束器，其特征在于，其中，所述平面结构包括硅基多模式干涉仪，所述硅基多模式干涉仪是长度不大于80μm，第一宽度不大于5μm的等腰梯形形状。
5.根据权利要求3所述的硅基多模式干涉仪的偏振分束器，其特征在于，其中，所述平面结构，是长度不大于70μm且第一宽度不大于4μm的等腰梯形形状。
6.根据权利要求3所述的硅基多模式干涉仪的偏振分束器，其特征在于，其中，所述平面结构的长度不大于60μm，并且第一宽度不大于3μm。
7.根据权利要求3所述的硅基多模式干涉仪的偏振分束器，其特征在于，其中，所述平面结构是长度不大于50μm且第一宽度为2μm的等腰梯形形状。
8.根据权利要求1所述的硅基多模式干涉仪的偏振分束器，其特征在于，其中，所述平面结构被配置为以小于1db的功率损耗向所述一对输出端口中的第一输出端口输出主要在c波段中的任何波长的te模式光波，所述第一输出端口是相对于接收所述输入光波的一个输入端口的交叉端口；并且以小于1db的功率损耗向所述一对输出端口中的第二输出端口输出主要在所述c波段中的任何波长的tm模式光波，所述第二输出端口相对于接收所述输入光波的输入端口是条形端口，其中，所述一个输入端口是经由一个输入波导接收所述输入光波的所述一对输入端口中的一个，并且不接收所述输入光波的另一输入端口被终止。
9.根据权利要求8所述的硅基多模式干涉仪的偏振分束器，其特征在于，其中，所述第一输出端口处的所述te模式光波包括所述输入光波中的te模式的清晰自像，并且所述第二输出端口处的所述tm模式光波包括所述输入光波中的tm模式的清晰自像。
10.根据权利要求8所述的硅基多模式干涉仪的偏振分束器，其特征在于，其中，所述平面结构被配置为以大于-13db的功率损耗使到所述第二输出端口的在c波段中的任何波长的te模式光波的输出减少，并且同时，以大于-20db的功率损耗使到所述第一输出端口的在c波段中的任何波长的tm模式光波的输出减少。
11.根据权利要求8所述的硅基多模式干涉仪的偏振分束器，其特征在于，其中，所述平面结构被配置为以大于-33db的功率损耗使c波段中的任何波长的te模式光波向所述一个输入端口进行小幅的反射，并且以大于-59db的功率损耗使在c波段中的任何波长的tm模式光波向所述一个输入端口进行小幅的反射。
12.根据权利要求1所述的硅基多模式干涉仪的偏振分束器，其特征在于，其中，一对输入端口/输出端口中的每一个包括锥形形状，所述锥形形状具有与所述第一平行边/第二平行边连接并与所述第一宽度/第二宽度的末端或起点对齐的第一端口宽度和与相同宽度的硅波导连接的第二端口宽度，所述第一端口宽度大于所述第二端口宽度。
13.根据权利要求12所述的硅基多模式干涉仪的偏振分束器，其特征在于，其中，所述第一端口宽度为0.7μm，所述第二端口宽度为0.45μm。