显示模组及显示装置的制作方法

本文涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种显示模组及显示装置。

背景技术：

随着显示技术的发展，人们对于显示产品的需求越来越高，高解析度产品是其中一种必然趋势。但是随着解析度越来越高，像素越来越小，尤其是手机及微显示产品。

比如，以ppi(pixelsperinch，像素密度)为1500的产品为例，像素宽度进一步变窄(比如小于6um)，而像素bm(blackmatrix，黑矩阵)的宽度一般大于2um，因此开口变小，造成面板(panel)透过率降低。

技术实现要素：

第一方面，本公开提供了一种显示模组，包括：对盒设置的阵列基板结构层和彩膜基板结构层，所述阵列基板结构层和彩膜基板结构层之间包括液晶层，阵列基板结构层位于彩膜基板结构层和背光源结构层之间；

所述阵列基板结构层包括：第一基底和依次设置在所述第一基底上的第一绝缘层、第一偏光结构层和驱动结构层；所述第一基底上还设置至少一个反射结构；或者，所述阵列基板结构层包括：第一基底和依次设置在第一基底上的第一偏光结构层、第一绝缘层和驱动结构层；所述第一偏光结构层上还设置至少一个反射结构；

所述驱动结构层包括形成像素驱动电路的半导体开关元件；

所述第一绝缘层覆盖所述反射结构；所述反射结构用于将来自背光源结构层的部分入射光反射回所述背光源结构层；其中，所述背光源结构层包括反射片；所述反射结构在第一基底上的正投影覆盖半导体开关元件的有源层在第一基底上的正投影；

所述第一偏光结构层用于将来自背光源结构层的入射光转换为偏振光并透射至液晶驱动层。

第二方面，本公开提供了一种显示模组，包括：对盒设置的阵列基板结构层和彩膜基板结构层，所述阵列基板结构层和彩膜基板结构层之间包括液晶层，彩膜基板结构层位于阵列基板结构层和背光源结构层之间；

所述阵列基板结构层包括：第一基底和设置在所述第一基底上的驱动结构层；所述驱动结构层包括形成像素驱动电路的半导体开关元件和遮光结构；所述遮光结构在第一基底上的正投影覆盖所述像素驱动电路的半导体开关元件的有源层；

所述彩膜基板结构层包括：第二基底和依次设置在所述第二基底上的第一绝缘层、第一偏光结构层、第一平坦层和彩膜层；所述第二基底上还设置至少一个反射结构；或者所述彩膜基板结构层包括：第二基底和依次设置在所述第二基底上的第一偏光结构层、第一绝缘层、第一平坦层和彩膜层；所述第一偏光结构层上还设置至少一个反射结构；或者所述彩膜基板结构层包括：第二基底和依次设置在所述第二基底上的第一偏光结构层、第一绝缘层和彩膜层；所述第一偏光结构层上还设置至少一个反射结构；

所述彩膜层包括间隔设置的子像素和黑矩阵；所述黑矩阵用于分隔相邻子像素；

所述第一偏光结构层用于将来自背光源结构层的入射光转换为偏振光并透射至彩膜层；

所述第一绝缘层覆盖所述反射结构；所述反射结构用于将来自背光源结构层的部分入射光反射回所述背光源结构层；其中，所述背光源结构层包括反射片；

所述反射结构与黑矩阵相对设置，二者中的至少一个在第一基底上的正投影覆盖半导体开关元件的有源层在第一基底上的正投影。

第三方面，本公开提供了一种显示装置，包括上述显示模组。

本公开实施例提供了一种显示模组及显示装置，通过在阵列基板结构层(当阵列基板结构层更靠近背光源时)或彩膜基板结构层(当彩膜基板结构层更靠近背光源时)中设置反射结构，能够将来自背光源结构层的部分入射光反射回所述背光源结构层，通过反射结构与背光源结构层中的反射片间的来回反射来提升光透过开口区域的概率，达到提升面板透过率的目的。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。

图1为本公开实施例提供的一种显示模组的结构示意图；

图2为本公开实施例提供的另一种显示模组的结构示意图；

图3为本公开实施例提供的第一偏光结构层的一种示例(金属线栅偏振器)；

图4为本公开实施例提供的彩膜基板结构层的结构示意图；

图5为本公开实施例提供的一种显示模组的结构示意图(彩膜基板在上)；

图6为本公开实施例提供的一种显示模组的结构示意图；

图7为本公开实施例提供的另一种显示模组的结构示意图；

图8为本公开实施例提供的另一种显示模组的结构示意图；

图9为本公开实施例提供的第一偏光结构层的一种示例(金属线栅偏振器)；

图10为本公开实施例提供的一种显示模组的结构示意图(阵列基板在上)。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

本公开实施例提供了一种显示模组，如图1和图2所示，本公开实施例提供的一种显示模组，包括：对盒设置的阵列基板结构层1和彩膜基板结构层2，所述阵列基板结构层和彩膜基板结构层之间包括液晶层，阵列基板结构层位于彩膜基板结构层和背光源结构层之间；

所述阵列基板结构层包括：第一基底12和依次设置在所述第一基底上的第一绝缘层14、第一偏光结构层16和驱动结构层18；所述第一基底上还设置至少一个反射结构100；或者，所述阵列基板结构层包括：第一基底12和依次设置在第一基底12上的第一偏光结构层16、第一绝缘层14和驱动结构层18；所述第一偏光结构层上还设置至少一个反射结构100；

所述驱动结构层包括形成像素驱动电路的半导体开关元件；

所述第一绝缘层覆盖所述反射结构；所述反射结构用于将来自背光源结构层的部分入射光反射回所述背光源结构层；其中，所述背光源结构层包括反射片；所述反射结构在第一基底上的正投影覆盖半导体开关元件的有源层在第一基底上的正投影；

所述第一偏光结构层用于将来自背光源结构层的入射光转换为偏振光并透射至液晶驱动层。

本公开实施例提供的上述显示模组，通过在第一基底上设置反射结构，能够将来自背光源结构层的部分入射光反射回所述背光源结构层，通过反射结构与背光源结构层中的反射片间的来回反射来提升光透过开口区域的概率，达到提升面板透过率的目的。

在一些示例性的实施方式中，所述第一偏光结构层包括反射式偏光片，所述反射式偏光片用于将来自背光源结构层的一部分入射光转换为第一偏振光并透射至液晶驱动层，将来自背光源结构层的另一部分入射光转换为第二偏振光并反射回所述背光源结构层；所述第一偏振光与第二偏振光的偏振方向相互垂直。上述实施方式通过在第一偏光结构层中设置反射式偏光片，能够将没有被反射式偏光片透射出去的那一部分背光源的光反射回所述背光源结构层，通过反射式偏光片与背光源结构层中的反射片间的来回反射来提升光透过开口区域的概率，达到提升面板透过率的目的。

如图3所示，在一些示例性的实施方式中，所述反射式偏光片包括：金属线栅偏振器(wiregridpolarizer，简称wgp)。wgp可以透射与线栅垂直的入射光，反射与线栅平行的入射光。如图3所示，wgp可以透射平行于纸面方向的入射光，反射垂直于纸面的入射光。

在一些示例性的实施方式中，所述反射式偏光片包括：双倍亮度增强膜(dualbrightnessenhancementfilm，简称dbef)或高级偏振膜(advancedpolarizerfilm，简称apf)。

如图4所示，在一些示例性的实施方式中，所述彩膜基板结构层2包括：第二基底22和依次设置在所述第二基底上的彩膜层24和第一平坦层26；所述彩膜层包括间隔设置的子像素300和黑矩阵200。

在一些示例性的实施方式中，所述彩膜层包括rgb彩膜。黑矩阵(blackmatrix)借助于高度遮光性能的材料，用以分隔彩色滤光片(rgb彩膜)中红、绿、蓝三原色(防止色混淆)、防止漏光，从而有利于提高各个色块的对比度。所述黑矩阵用于分隔相邻子像素。

在一些示例性的实施方式中，所述驱动结构层还包括形成像素驱动电路的电极走线；所述黑矩阵还用于遮掩像素驱动电路的电极走线和半导体开关元件。

在一些示例性的实施方式中，所述第一绝缘层和第一平坦层能够起到层间绝缘和平坦化层表面的作用。

在一些示例性的实施方式中，所述反射结构采用的反射材料的材质为金属，比如，采用银、铝或钼作为反射材料。

在一些示例性的实施方式中，多个反射结构沿着驱动结构层中的栅线方向和数据线方向呈网格状分布。

如图5所示，在一些示例性的实施方式中，所述第一偏光结构层包括金属线栅偏振器，所述反射结构采用金属的反射材料。在一些仿真实验中，可以测得当反射结构采用的反射材料为银时，wgp+银反射结构的组合可以使得背光源的光效大大提升。比如，相较于没有采用反射结构，仅仅使用apf偏光片的面板，光效提升幅度可以达到30％。

本公开实施例提供了一种显示模组，如图6、图7和图8所示，本公开实施例提供的一种显示模组，包括：对盒设置的阵列基板结构层1和彩膜基板结构层2，所述阵列基板结构层和彩膜基板结构层之间包括液晶层，彩膜基板结构层位于阵列基板结构层和背光源结构层之间；

所述阵列基板结构层包括：第一基底12和设置在所述第一基底上的驱动结构层18；所述驱动结构层包括形成像素驱动电路的半导体开关元件和遮光结构400；所述遮光结构在第一基底上的正投影覆盖所述像素驱动电路的半导体开关元件的有源层；

所述彩膜基板结构层2包括：第二基底22和依次设置在所述第二基底上的第一绝缘层14、第一偏光结构层16、第一平坦层26和彩膜层24；所述第二基底上还设置至少一个反射结构100；或者所述彩膜基板结构层2包括：第二基底22和依次设置在所述第二基底上的第一偏光结构层16、第一绝缘层14、第一平坦层26和彩膜层24；所述第一偏光结构层上还设置至少一个反射结构100；或者所述彩膜基板结构层2包括：第二基底22和依次设置在所述第二基底上的第一偏光结构层16、第一绝缘层14和彩膜层24；所述第一偏光结构层上还设置至少一个反射结构100；

所述彩膜层包括间隔设置的子像素300和黑矩阵200；所述黑矩阵用于分隔相邻子像素；

所述第一偏光结构层用于将来自背光源结构层的入射光转换为偏振光并透射至彩膜层；

所述第一绝缘层覆盖所述反射结构；所述反射结构用于将来自背光源结构层的部分入射光反射回所述背光源结构层；其中，所述背光源结构层包括反射片；

所述反射结构与黑矩阵相对设置，二者中的至少一个在第一基底上的正投影覆盖半导体开关元件的有源层在第一基底上的正投影。

本公开实施例提供的上述显示模组，通过倒置阵列基板结构层以及彩膜基板结构层，并在彩膜基板结构层中设置反射结构，能够将来自背光源结构层的部分入射光反射回所述背光源结构层，通过反射结构与背光源结构层中的反射片间的来回反射来提升光透过开口区域的概率，达到提升面板透过率的目的。

在一些示例性的实施方式中，所述驱动结构层还包括形成像素驱动电路的电极走线；所述遮光结构在第一基底上的正投影覆盖电极走线在第一基底上的正投影。

在一些示例性的实施方式中，所述第一偏光结构层包括反射式偏光片，所述反射式偏光片用于将来自背光源结构层的一部分入射光转换为第一偏振光并透射至彩膜层，将来自背光源结构层的另一部分入射光转换为第二偏振光并反射回所述背光源结构层；所述第一偏振光与第二偏振光的偏振方向相互垂直。上述实施方式通过在第一偏光结构层中设置反射式偏光片，能够将没有被反射式偏光片透射出去的那一部分背光源的光反射回所述背光源结构层，通过反射式偏光片与背光源结构层中的反射片间的来回反射来提升光透过开口区域的概率，达到提升面板透过率的目的。

如图9所示，在一些示例性的实施方式中，所述反射式偏光片包括：金属线栅偏振器(wiregridpolarizer，简称wgp)。wgp可以透射与线栅垂直的入射光，反射与线栅平行的入射光。如图9所示，wgp可以透射平行于纸面方向的入射光，反射垂直于纸面的入射光。

在一些示例性的实施方式中，所述反射式偏光片包括：双倍亮度增强膜(dualbrightnessenhancementfilm，简称dbef)或高级偏振膜(advancedpolarizerfilm，简称apf)。

在一些示例性的实施方式中，所述第一绝缘层和第一平坦层能够起到层间绝缘和平坦化层表面的作用。

在一些示例性的实施方式中，所述反射结构采用金属的反射材料，比如，采用银、铝或钼作为反射材料。

如图10所示，在一些示例性的实施方式中，所述第一偏光结构层包括金属线栅偏振器，所述反射结构采用金属的反射材料。在一些仿真实验中，可以测得当反射结构采用的反射材料为银时，wgp+银反射结构的组合可以使得背光源的光效大大提升。比如，相较于没有采用反射结构，仅仅使用apf偏光片的面板，光效提升幅度可以达到30％。

本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示模组。

所述显示装置可以为液晶显示装置。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、增强现实(augmentedreality，简称ar)、虚拟现实(virtualreality，简称vr)等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。

虽然本申请所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本申请而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。