1.一种双波长超窄带宽介质超材料吸收器，其特征在于，包括：
au衬底层(1)；
设于au衬底层(1)上的sio2介质层(2)；
以及设于sio2介质层上的si材料非对称光栅，所述非对称光栅于每个周期内设有高度相同、宽度不同的光栅一(31)和光栅二(32)。
2.如权利要求1所述的双波长超窄带宽介质超材料吸收器，其特征在于，所述光栅一(31)与光栅二(32)的宽度比为2：3，间距与光栅一(31)的宽度相等，且该非对称光栅的周期宽度为光栅一(31)与光栅二(32)宽度之和的2～2.5倍；所述sio2介质层的厚度为光栅二宽度的4倍。
3.如权利要求2所述的双波长超窄带宽介质超材料吸收器，其特征在于，所述光栅一(31)的宽度w1为0.2um，光栅二(32)的宽度w2为0.3um。
4.如权利要求2所述的双波长超窄带宽介质超材料吸收器，其特征在于，所述光栅一(31)和光栅二(32)的高度h为0.78～0.8um。
5.如权利要求2所述的双波长超窄带宽介质超材料吸收器，其特征在于，所述au衬底层(1)的厚度为0.2um。
6.如权利要求1-5任一项所述的双波长超窄带宽介质超材料吸收器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
s1、通过磁控溅射在au衬底上先后生长sio2层和si薄层；
s2、在si薄层上旋涂电子束抗蚀胶，经电子束曝光和显影后在抗蚀胶上形成非对称光栅图形；
s3、去胶，并利用离子体刻蚀技术将所述非对称光栅图形转移到si薄层上。