成像装置中蠕变效应的补偿的制作方法

成像装置中蠕变效应的补偿
1.相关申请的交叉引用
2.本技术根据35 usc
§
119要求于2020年6月29日提交的德国专利申请no.10 2020 208 009.7的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
3.发明背景
4.本发明涉及适用于利用uv使用的光，特别地极紫外(euv)范围内的光的微光刻光学布置。此外，本发明涉及一种包括这样的布置的光学成像装置。本发明可以与任何期望的光学成像方法结合使用。它可以特别有利地用于微电子电路及其中使用的光学部件(例如光学掩模)的制造或检查中。
5.与微电子电路的制造结合使用的光学装置典型地包括多个光学元件单元，多个光学元件单元包括在成像光路中布置的一个或多个光学元件，诸如透镜元件、反射镜或光栅。所述光学元件典型地在成像过程中协作，以便将物体的图像(例如，掩模上形成的图案)转印到基板(例如，所谓的晶片)。光学元件典型地被组合成一个或多个功能组，该一个或多个功能组如果适当的话被保持在分离的成像单元中。特别是在以在所谓的真空紫外范围中的波长(vuv，例如在193nm的波长)操作的原理上折射的系统的情况下，这样的成像单元通常由保持一个或多个的光学元件的光学模块的堆叠体形成。所述光学模块典型地包括具有实质上环形外部支撑单元的支撑结构，该支撑结构支撑一个或多个光学元件保持件，该一个或多个光学元件保持件继而保持光学元件。
6.半导体部件的不断演进的小型化导致对用于半导体的生产的光学系统的越来越高分辨率的恒定需求。对于越来越高分辨率的需求使得需要越来越大的数值孔径(na)和光学系统的越来越高成像准确度。
7.获得越来越高的光学分辨率的一种方法是减少用在成像过程中的光的波长。近年来的趋势越来越促进了系统的开发，在该系统中使用所谓的极紫外(euv)范围中的光，典型地在5nm至20nm的波长处，大多数情况在大约13nm的波长处。在该euv范围中，不再可以使用常规的折射光学系统。这是由于以下事实：在该euv范围中，用于折射光学系统的材料的吸收率过高而在可用光功率的情况下不能实现可接受的成像结果。因此，在该euv范围中，必须使用反射光学系统来成像。
8.向euv范围内具有高数值孔径(例如，na》0.4)的纯反射光学系统的该过渡导致关于成像装置的设计的相当大的挑战。
9.上述提及的因素导致关于参与成像的光学元件相对于彼此的位置和/或取向以及关于单独光学元件的形变非常严格的要求，以便实现期望的成像准确度。此外，必须在整个操作过程中、最终在系统的整个使用寿命中，维持该高成像准确度。
10.因此，在成像期间协作的光学成像装置的部件(即，例如，照明装置的光学元件、掩模、投射装置的光学元件以及基板)必须以明确限定的方式支撑以便维持这些部件之间的预先确定的明确限定的空间关系，并且以便获得这些部件的最小的非期望的形变以便最终实现尽可能高的成像质量。
11.在这种情况下，挑战通常在于对成像中涉及的光学部件(例如，光学元件)的情况
(即，位置和/或取向)采取最精确的可能测量，并且通过适当控制的情况控制装置用成像过程所需的精度(典型地在1nm或更小的范围内)和控制带宽(典型地高达200hz)来主动地设定至少一些光学元件的情况。在这种情况下，测量的精度的一个重要因素是用于测量的测量装置的稳定和精确支撑。可能的话，该支撑应确保测量装置的部件相对于与测量装置的测量结果相关的限定参考具有明确限定的情况(即，位置和/或取向)。
12.在该上下文中经常使用的选项是将测量装置支撑在分离的支撑结构上，该分离的支撑结构通常也被称为计量框架或传感器框架。在这种情况下，这样的计量框架典型地支撑在其他(单部分或多部分)负荷承载结构(“力框架”)上，除了计量框架以外，该结构经由情况控制装置还支撑成像装置的至少一些光学部件(例如，至少一些光学元件)。这可以确保计量框架可以大幅地远离光学部件的支撑负荷。
13.在这种情况下，为了使计量框架尽可能不受成像装置的内部干扰(例如，由运动部件引起的振动)和外部干扰(例如，不需要的震动)，计量框架通过振动解耦装置以振动隔离或振动解耦的方式频繁地被支撑在负荷承载结构上。典型地，这通过振动解耦装置的多个支撑弹簧装置来实现。
14.尽管这可以实现计量框架的良好动态振动隔离(在短时间尺度上)，但是发现，所谓的蠕变效应或沉降效应可能在很长的时间尺度上出现在振动解耦装置的区域中，特别地在支撑弹簧装置的区域中。结果，从长远来看，存在计量框架的情况的改变，因此存在相对于负荷承载结构的用于控制情况控制装置的参考的情况的改变。然而，蠕变或沉降效应(出于简化目的，简单地包含在下面的术语“蠕变效应”中)也可能发生在没有这样的振动解耦装置或支撑弹簧装置的任何其他支撑构思中。这种的参考情况的改变典型地在操作期间由情况控制装置补偿；然而，后者为此必须提供足够行程，并且因此提供足够的移动储备，因此必须具有对应复杂或昂贵的设计。


技术实现要素：

15.因此，本发明基于的目的是提供微光刻光学装置和包括这样的装置的对应光学成像装置，以及对应方法，它们不具有上述缺点，或者至少在较小程度上具有这些缺点，并且特别地以最简单和最具成本效益的方式促进具有最高可能成像质量的光学成像。
16.本发明使用独立权利要求的特征来实现该目的。
17.本发明是基于以下的技术教导：如果提供运动学上平行于在负荷承载的第一支撑结构与承载测量装置的第二支撑结构之间的支撑弹簧装置而起作用的磁性装置，则可以容易且有成本效益地获得具有高成像质量的光学成像，所述磁性装置施加磁性支撑力以抵消相关情况的改变。在这里，很容易利用这样的情况，例如，由两个磁体的排斥产生的磁性支撑力随着磁体的接近度增加而过比例地增加。
18.因此，两个支撑结构的相关情况的改变可以通过磁性支撑力的大幅增加的阻力以简单且被动的方式抵消，这总体上显著减少相关情况的改变的程度。然而，同样地，磁性支撑力还可以获得支撑弹簧装置的实质减轻，由此可以显著减少支撑弹簧装置的区域中的蠕变或沉降效应。
19.在本发明的意义上，术语“静态的相关情况的改变”应理解为意味着相关情况的改变或第一支撑结构与第二支撑结构之间的漂移，其在纯静态下(即不是结构的动态激发下)
出现。如下文将更详细地解释的那样，可以通过过滤掉短期或动态影响的合适方法来检测这样的静态的相关情况的改变或漂移。作为示例，可以对适当长的时间段内的相关情况信息进行简单平均化。
20.在常规设计的情况下，取决于静态的相关情况的改变的程度，可以存在相关情况控制装置的相对较显著的静态(或非动态)偏转，因此存在光学元件与它们的初始相关情况的相对较显著的静态(或非动态)偏转，通过该偏转来补偿该相关情况的改变，因此通过该偏转，光学元件跟随该相关情况的改变。这迄今为止可能会导致相关情况控制装置不再能够在操作期间供应光学元件的动态相关情况控制所需的行程，因为它在该方面达到它的极限。
21.在常规设计中，这种冲突仅可以借助于相关情况控制装置设计为具有对应大的运动范围来解决，这允许其在成像装置的使用寿命期间相应地做出反应。然而，这与相对高的成本有关，因为具有对应高动态的位移运动特别地仅可以以相对较大的费用来实现。因此，从成本的角度来看，相关情况控制装置的动态的运动范围的部分最终被浪费，通过该部分，光学元件被调整以跟随静态的相关情况的改变。
22.相比之下，使用本磁性补偿，即使在指定的相对较长的操作时期期间，也可以通过简单的、可能纯被动的方式，容易地且有利地至少显著地减少第二支撑结构的相对偏转，并因此减少参考的相对偏转。在操作时期内第二支撑结构的支撑下的蠕变或沉降效应可能具有显而易见的影响。如果磁性装置被设计为至少间歇地活动(即，例如以可以主动增加其支撑力的方式，例如通过增加磁化)，则第二支撑结构以及因此参考甚至可以回到(或接近)它的初始状态，它在成像装置的初始调整之后(典型地立即在成像装置的第一次启动期间)具有该初始状态。因此，甚至跟随参考的相关情况控制装置或由相关情况控制装置携载的光学元件然后返回到它们的初始状态。相关情况控制装置的漂移因此在被动情况下大幅减少，并且在主动情况下甚至至少实质上被移除。
23.因此，特别地可以以简单且有利的方式将相关情况控制装置的最大所需或可能的行程保持相对较小或限制为所需的绝对最小值。特别地不需要为补偿长期蠕变或沉降效应而保留大的运动储备。该运动储备可以保持显著更小。
24.根据一个方面，本发明因此涉及微光刻光学成像装置的布置，特别是用于使用极紫外(euv)范围中的光，所述装置包括第一支撑结构和第二支撑结构，其中第一支撑结构被配置为支撑成像装置的至少一个光学元件。第一支撑结构通过支撑装置支撑第二支撑结构。第二支撑结构支撑测量装置，该测量装置被配置为在空间中至少一个自由度直到所有六个空间自由度测量至少一个光学元件相对于参考(特别是第二支撑结构的参考)的位置和/或取向。减少装置被配备为用于在至少一个校正自由度上减少第一支撑结构与第二支撑结构之间的静态的相关情况的改变。减少装置包括包括磁性装置，该磁性装置运动学上平行于在第一支撑结构与第二支撑结构之间的支撑装置而起作用，该磁性装置被配置为施加磁性支撑力，其抵消相关情况的改变。
25.在此，支撑装置原理上可以具有任何设计，特别是它可以是主动(即，可主动调整的)或被动支撑装置。第一支撑结构可以通过在第一支撑结构和第二支撑结构之间运动学上相互平行地起作用的多个支撑单元支撑第二支撑结构。在有利的变型的情况下，第一支撑结构通过支撑装置的振动解耦装置的多个支撑弹簧装置支撑第二支撑结构，其中支撑弹
簧装置在第一支撑结构与第二支撑结构之间运动学上相互平行地起作用。在这种情况下，每一个支撑弹簧装置限定了在第一支撑结构与第二支撑结构之间施加支撑力的支撑力方向以及沿着支撑力方向的支撑长度。然后，相关情况的改变可以通过支撑弹簧装置中的至少一个沿着其支撑力方向的长度的改变而引起，这由支撑弹簧装置的蠕变过程产生。磁性装置然后运动学上平行于在第一支撑结构与第二支撑结构之间的支撑弹簧装置而起作用。该减少装置因此还可以被称为蠕变减少装置。
26.原理上，磁性装置可以具有任意设计，可以施加任意强度的磁性支撑力，其与支撑弹簧装置的力相匹配。因此，磁性支撑力可以吸收第二支撑结构和由第二支撑结构携载的部件的总重量的大部分，使得存在支撑弹簧装置上的显著降低负荷(因此，它们甚至可以可选地只需要能够吸收动态负荷)，因此可以减少蠕变和沉降效应。优选地，磁性装置被配置为使得它吸收第二支撑结构和由第二支撑结构携载的部件的总重量的至少一部分。该部分可以具有任意值。优选地，该部分为总重量的至少0.5％至20％、优选地至少1％至15％、进一步优选地至少2％至5％。由此，可以获得特别有利的变型，特别地从动态的观点来看。
27.在优选的变型中，磁性装置包括至少一个磁性单元对，该磁性单元对由相互分配的两个磁性单元构成，它们至少在磁性支撑力的方向上以非接触的方式相互作用以达到生成磁性支撑力的目的。这里，磁性单元对的第一磁性单元可以机械地连接到第一支撑结构，并且磁性单元对的第二磁性单元可以机械地连接到第二支撑结构。此外，在某些变型中，至少一个磁性单元对的磁性单元可以被配置和布置为使得它们对磁性支撑力的贡献通过两个磁性单元的相互排斥来实现。同样，在某些变型中，至少一个磁性单元对的磁性单元可以被配置和布置为使得它们对磁性支撑力的贡献通过两个磁性单元的相互吸引来实现。由此，可以在各个情况下实现特别简单的设计。应当理解，可以按需要组合前述变型(通过吸引和排斥)。
28.原理上，磁性装置或其至少一个磁性单元对可以以任何合适的方式在功能上、特别地空间上相应地分配到支撑装置(例如，分配到一个或多个支撑单元或支撑弹簧装置)。优选地，该分配自然地与支撑装置(例如，一个或多个支撑单元或支撑弹簧装置)的预期蠕变或沉降行为相匹配。如果至少一个磁性单元对在功能上、特别是在空间上分配到支撑装置(例如，至少一个或多个支撑单元或支撑弹簧装置)，则是特别有利的。如果至少一个磁性单元对，特别是恰好一个磁性单元对在功能上分配到支撑弹簧装置的多个支撑单元中的每一个(特别地到支撑弹簧装置或支撑单元中的每一个)，则可以特别简单地与对蠕变或沉降效应的简单的基于需求补偿进行匹配。
29.如已经提到的，原理上可以使用主动磁性单元对，其磁性支撑力可以至少间歇地主动更改或设定。然而，如果磁性装置的至少一个磁性单元包括至少一个永磁体，则出现在该方面被动的特别简单的配置。在此，在特别简单的情况下，磁性装置的磁性单元对的两个磁性单元可以各自包括至少一个永磁体。这样的配置通过特别简单的设计和作为两个磁性单元的距离的函数的磁性支撑力的过比例的路程来区分。在其他变型中，磁性装置的磁性单元对的至少一个第一磁性单元可以包括多个永磁体，它们的磁场彼此叠加，使得在对由磁性单元对生成的磁性支撑力有贡献的方向上，磁性支撑力在可指定的运动部分之上以可指定轮廓而作用在磁性单元的第二磁性单元上。
30.在此，可以特别是在可指定的运动部分之上实现实质恒定的磁力。在这种情况下，
磁性单元对然后具有至少接近于零的刚度，这从动态的观点来看可以是特别有利的，因为在该方面动态振动解耦行为主要或甚至排他地通过支撑弹簧装置来限定。
31.在某些变型中，可以提供磁性装置，其被配置为使得磁性支撑力至少逐部分地随着相关情况的改变增加而成比例地增加。特别地，磁性装置可以被配置为使得磁性支撑力至少逐部分地随着相关情况的改变增加而过比例地增加。自然地，两种变型都与支撑弹簧装置相匹配并且有利地导致上文已经描述的静态相对偏转的减少。
32.原理上，磁性装置的至少一个磁性单元可以设计为使得它本身已经在所需的解耦自由度中提供了必要的解耦(用于支撑第二支撑结构)。在另外的变型中，在操作期间，磁性装置的至少一个磁性单元在支撑力方向上对支撑结构的一个施加磁性生成的支撑力，其中至少一个磁性单元通过解耦装置机械地连接到支撑结构中的一个，特别地连接到第二支撑结构。然后，解耦装置被配置为在与支撑力方向不同的至少一个解耦自由度上在磁性单元与支撑结构之间生成至少部分机械解耦。在此，所述至少一个解耦自由度可以是横向于支撑力方向延伸的平移自由度。附加地或替代地，所述至少一个解耦自由度可以是绕横向于支撑力方向延伸的轴线的旋转自由度。在所有这些情况下都可以以简单的方式获得有利的振动解耦。
33.在特别容易实现的某些变型中，在操作期间，磁性装置的至少一个磁性单元在支撑结构中的一个上在支撑力方向上施加磁性生成的支撑力，其中至少一个磁性单元通过在支撑力方向上延伸的解耦装置机械地连接到支撑结构。在这种情况下，解耦装置可以包括在支撑力方向上伸长的柔性解耦元件，以便以简单的方式实现解耦。附加地或替代地，解耦装置可以包括在支撑力方向上伸长的板簧元件，以便以简单的方式实现解耦。附加地或替代地，解耦装置可以包括在支撑力方向上伸长的窄的——特别是柔性的杆状弹簧元件，以便以简单的方式实现解耦。
34.在优选的变型中，提供控制装置，该控制装置被配置为基于支撑装置的状态的改变，特别是基于支撑装置的至少一个支撑弹簧装置沿其支撑力方向上的长度的改变来控制磁性装置，以改变磁性支撑力。在此，出于确定状态的改变的目的，控制装置可以使用状态改变模型、特别地时间相关的状态改变模型，其描述了支撑装置的情况行为的改变。例如，出于确定至少一个支撑弹簧装置沿其支撑力方向的长度的改变的目的，控制装置可以使用支撑弹簧装置的蠕变模型、特别地时间相关的蠕变模型，其描述了支撑弹簧装置的蠕变行为。
35.在某些变型中，提供检测装置和控制装置，其中检测装置被配置为检测至少一个相关情况检测值，该相关情况检测值代表在至少一个校正自由度上第一支撑结构与第二支撑结构之间的相关情况，并且将所述相关情况检测值输出至控制装置。在蠕变补偿模式中，控制装置被配置为基于相关情况检测值、特别地基于相关情况检测值随时间的改变，控制磁性装置来改变磁性支撑力。
36.原理上，补偿模式下磁性支撑力的改变可以在任何合适的时间实现，也可以由任何时间事件(例如，可指定的间隔)和/或非时间事件(例如，检测到的冲击负荷、达到某一数目的成像进程、启动或关闭成像装置等)来触发。
37.在某些变型中，控制装置被配置为如果由相关情况改变信息或相关情况检测值表示的相关情况改变超过可指定的极值，则激活蠕变补偿模式。因此，自然地可以特别高效地
并以基于需求的方式对蠕变或沉降效应做出反应。
38.附加地或替代地，控制装置可以被配置为基于可指定的事件，特别地在可指定的时间间隔来激活蠕变补偿模式，其中蠕变补偿模式在成像装置的第一次操作和/或蠕变补偿模式的先前激活之后被激活了特别地0.25至10年、优选地0.5至5年、更优选地1至2年。
39.原理上，控制装置可以以任何合适的方式来设计，以便实现对磁性装置的控制，该磁性装置适配于相应的光学成像过程。特别地，可以提供用于控制支撑装置的任何合适的控制带宽。在特别有利的变型中，控制装置的控制带宽为10hz至1000hz、优选地20hz至500hz、进一步优选地50hz至300hz。
40.其中由于蠕变或沉降效应而存在与成像过程或其成像误差相关的相关情况的改变并且由(被动或主动)磁性装置抵消的自由度或多个自由度可以是任意自由度，直至空间中的所有六个自由度。在此，在主动解决方案的情况下，可以指定任何合适的极值，当超过时需要或触发磁性支撑力的改变。
41.在某些变型中，相关情况的改变的至少一个自由度是旋转自由度、特别地围绕横向于重力方向延伸的倾斜轴线的旋转自由度。可指定的极值则优选地代表第一支撑结构和第二支撑结构之间的相关情况与可指定的相对目标情况的偏差，该偏差为1μrad到500μrad、优选地10μrad到300μrad、进一步优选地20μrad到100μrad。附加地或替代地，相关情况的改变的至少一个自由度可以是平移自由度、特别是沿重力方向的平移自由度。那么，可指定的极值优选地代表第一支撑结构与第二支撑结构之间的相关情况与可指定的相对目标情况的偏差，偏差为1μm到500μm、优选地10μm到300μm、进一步优选20μm到100μm。
42.本发明还涉及光学成像装置，特别是用于微光刻的光学成像装置，其包括具有第一光学元件组的照明装置、用于接收物体的物体装置、包括第二光学元件组的投射装置和图像装置，其中照明装置被配置为照亮物体并且投射装置被配置为将物体的像投射到图像装置上。照明装置和/或投射装置包括根据本发明的至少一个布置。这使得可以在相同程度上实现上述变型和优点，因此在该方面参考上述给定的说明。
43.本发明还涉及用于微光刻光学成像装置的方法，特别是用于使用极紫外(euv)范围内的光，其中第一支撑结构通过支撑装置支撑第二支撑结构并且被配置为支撑成像装置的至少一个光学元件。第二支撑结构支撑测量装置，该测量装置被配置为在空间中至少一个自由度直到所有六个空间自由度测量至少一个光学元件相对于参考(特别是第二支撑结构的参考)的位置和/或取向。在补偿步骤中，借助于磁性生成的磁性支撑力在至少一个自由度上至少减少第一支撑结构与第二支撑结构之间的静态相关情况的改变，该磁性支撑力抵消相关情况的改变并且被运动学上平行于在第一支撑结构与第二支撑结构之间的支撑装置施加。这同样可以在相同程度上实现上述变型和优点，因此在这方面参考上述给定的说明。
44.从从属权利要求和与附图有关的优选的示例性实施例的以下描述中，本发明的其他方面和示例性实施例是显而易见的。所公开的特征的所有组合，无论它们是否是权利要求的主题，都在本发明的保护的范围内。
附图说明
45.图1是根据本发明的光学成像装置的优选实施例的示意图，其包括根据本发明的
光学布置的优选实施例。
46.图2是来自图1的成像装置的一部分在第一状态下的示意图。
47.图3是来自图2的成像装置的一部分在第二状态下的示意图。
48.图4是来自图2的成像装置的一种变型的一部分的示意图。
49.图5是来自图2的成像装置的另一变型的一部分的示意图。
50.图6是来自图2的成像装置的另一变型的一部分的示意图。
51.图7是来自图2的成像装置的另一变型的一部分的示意图。
52.图8是根据本发明的方法的优选示例性实施例的流程图，其可以使用来自图1的成像装置来实行。
具体实施方式
53.下面参考图1至图8描述根据本发明的形式为微光刻投射曝光设备101的光学成像装置的优选实施例，其包括根据本发明的光学装置的优选实施例。为了简化以下说明，在附图中指示x、y、z坐标系，其中z方向与重力的方向反向延伸。不用说，在其他配置中可以选择x、y、z坐标系的任何所需的其他取向。
54.图1是投射曝光设备101的示意性不成比例的示意图，该投射曝光设备101用在用于制造半导体部件的微光刻过程中。投射曝光设备101包括照明装置102和投射装置103。投射装置103被配置为在曝光过程中将在掩模单元104中设置的掩模104.1的结构的图像转印到基板单元105中设置的基板105.1上。为此，照明装置102照明掩模104.1。光学投射装置103从掩模104.1接收光，且将掩模104.1的掩模结构的像投射到诸如晶片等的基板105.1上。
55.照明装置102包括含有光学元件组106.1的光学单元106。投射装置103包括具有光学元件组107.1的其他光学单元107。光学元件组106.1、107.1沿着投射曝光设备101的折叠中央射线路径101.1设置。每个光学元件组106.1、107.1可以包括任意多个光学元件。
56.在本实施例中，投射曝光设备101用在euv范围中的使用光(极紫外辐射)操作，该光的波长在5nm与20nm之间，特别是波长为13nm。因此，照明装置102和投射装置103的元件组106.1、107.1中的光学元件排他地是反射光学元件。光学元件组106.1、107.1可以包括根据本发明的一个或多个光学布置，如下面参考光学布置108所描述的。光学单元106和107各自通过基底结构101.2支撑。
57.在本发明的其他配置中，当然还可以(特别是取决于照明光的波长)单独地或对于光学模块以任何期望的组合来使用任何类型的光学元件(折射、反射、衍射)。
58.下面参考作为投射装置103的一部分的布置108以示例性方式描述根据本发明的布置。在成像装置101的情况下，尤其对于投射装置103的光学元件组107.1的光学元件相对于彼此的位置和/或取向有非常严格的要求，以便获得所需的成像准确度。此外，必须在其整个操作过程中、最终在系统的整个使用寿命中，维持该高成像准确度。
59.因此，必须以明确限定的方式支撑光学元件组107.1的光学元件，以便观察元件组107.1的光学元件与其余光学部件之间指定的明确限定的空间关系，并且以便从而最终获得尽可能高的成像质量。
60.为此，在本示例中，元件组107.1的光学元件的相关情况(即，位置和/或取向)通过
控制装置109的测量装置109.1(在图1中仅以极大简化的方式图示)来测量。测量装置109.1将其测量信号lms馈送到控制装置109的控制单元109.2。基于测量装置109.1的测量信号lms，控制单元109.2然后控制在负荷承载的第一结构111.1上支撑的相关情况控制装置110。然后，通过相关情况控制装置110，元件组107.1的每个光学元件的相关情况相对于中央参考112使用成像过程所需的控制带宽(通常高达200hz)和精度(典型地在1nm及以下的范围内)来主动地设定。
61.在本示例中，测量装置109.1向相关情况控制装置110输出测量信息mi，该测量信息mi代表在空间中的至少一个自由度上元件组107.1的相应光学元件关于参考112的相应位置和/或取向。在成像装置101第一次启动的状态下(其中成像装置101在第一操作状态om1)，控制单元109.2因此相应地基于测量信息mi控制相关情况控制装置110，以便生成元件组107.1的光学元件关于参考112的位置和/或取向的第一目标状态s1，如图2中对于元件组107.1的光学元件107.2所示。
62.成像装置101可达到的成像质量的一个必要因素是测量装置109.1的测量的精度，这继而取决于尽可能稳定和精确的测量装置109.1的支撑。如果可能的话，该支撑应确保测量装置109.1的部件具有与测量装置109.1的测量结果涉及的中央参考112相关的明确限定的相关情况(即，位置和/或方向)。
63.为此，测量装置109.1的测量单元109.3被支撑在分离的第二支撑结构111.2上，其通常也被称为计量框架。计量框架111.2继而被支撑在(单部分或多部分)负荷承载的第一结构111.1上。这可以确保计量框架111.2可以大幅地远离元件组107.1的光学元件的支撑负载。
64.为了使计量框架111.2尽可能不受成像装置101的内部干扰(例如，由移动部件引起的振动)和外部干扰(例如，不需要的冲击)的影响，计量框架111.2通过支撑装置113被支撑在负荷承载结构111.1上。原理上，支撑装置113可以以任何合适的方式设计成具有一个或多个支撑元件。在本示例中，支撑装置被配置为振动解耦装置113的形式，通过该振动解耦装置113，计量框架111.2以振动隔离或振动解耦的方式被支撑在负荷承载结构111.1上。这通过振动解耦装置113的支撑弹簧装置113.1形式的多个支撑元件来实现，其中支撑弹簧装置113.1在负荷承载第一支撑结构111.1与计量框架111.2之间运动学上相互平行地起作用。每一个支撑弹簧装置113.1限定支撑力方向sfr，沿该支撑力方向sfr在第一支撑结构111.1与第二支撑结构111.2之间施加支撑力sf，并沿支撑力方向sfr限定支撑长度sl1。
65.虽然这可以实现计量框架111.2与负荷承载的第一支撑结构111.1的良好动态振动隔离或振动解耦(在短时间尺度上)，但是发现，所谓的蠕变效应或沉降效应可能在长时间尺度上出现在振动解耦装置113的区域中，特别地在支撑弹簧装置113.1的区域中。因此，支撑弹簧装置113.1的支撑长度长期改变(如图3和4中长度sl2所指示)，并且因此在计量框架111.2的相关情况下以及在用于控制相关情况控制装置110相对于负荷承载的结构111.1的参考112的相关情况(关于图3中由轮廓112.1指示的初始相关情况)下两者都存在改变，如图3所示(以大幅夸大的方式)。原理上，借助于调整元件组107.1的光学元件以跟随参考112(如图3所示)，在成像装置101的正常操作期间，由相关情况控制装置110可以补偿参考112的这样的相关情况的改变。然而，由相关情况控制装置110在成像装置101的使用寿命内对参考112的情况的改变的这样的补偿然而需要足够范围，从而需要相关情况控制装置110
的足够的移动储备，因此后者必须具有相应复杂或昂贵的设计。
66.为了很大程度上避免这种情况，在本示例中提供了减少装置或补偿装置115，以达到在至少一个校正自由度上在第一支撑结构111.1与第二支撑结构111.2之间减少或至少部分地补偿的这样的静态相关情况的改变的目的。减少装置或补偿装置115包括被动或主动可控制的磁性装置115.1，该磁性装置运动学上平行于第一支撑结构与第二支撑结构之间的支撑弹簧装置并且具有一系列磁性单元对115.2，其中如果合适的话(即，在主动设计的情况下)可以由控制单元109.2控制。在本示例中，磁性装置115.1在第一操作模式om1中在计量框架111.2上施加第一磁性支撑力mft1，所述磁性支撑力是磁性单元对115.2的单独磁力贡献mfc的结果。如下文仍将更详细地解释的，磁性支撑力mft甚至可以在控制单元的一部分上进行更改以完全补偿相关情况的改变。
67.为此，在本实施例中，控制装置109可以捕获相关情况改变信息rcsi，该信息代表在至少在一个自由度上负荷承载的第一支撑结构110.1与第二支撑结构110.2之间的静态相关情况的改变。控制装置109具有补偿模式ccm(下文也称为蠕变补偿模式ccm)，其中主动磁性装置115.1然后由控制单元109.2控制，以便基于相关情况改变信息rsci将主动磁性单元对115.2的磁力贡献afc以及磁性支撑力mft改变成第二磁性支撑力mft2。在这种情况下，选择第二磁性支撑力mft2使得计量框架111.2返回到图2中所示的初始状态。然后，在遵循补偿模式ccm的第二操作模式om2中，主动磁性装置115.1在计量框架111.2上施加第二磁性支撑力mft2。
68.可以理解的是，对磁性装置115.1的控制既可以实现为闭环控制电路(其中通过适当的检测信号实际检测相关情况改变信息rsci)，也可以实现为开放控制系统(其中例如相关情况改变信息rsci通过适当的模型来确定)，这将在下面更详细地解释。
69.使用该校正或补偿，例如可以以简单且有利的方式使计量框架111.2、参考112以及相关情况控制装置110(以及元件组107.1的光学元件，例如由其承载的光学元件107.2)在经过某一相对较长的操作时间段后(在此期间蠕变或沉降效应对第二支撑结构110.2的支撑具有显而易见的影响)返回到(或接近)它们的初始状态，它们在成像装置的初始调整之后(典型地立即在成像装置101的第一次启动期间)具有该初始状态，因此它们在第一操作状态om1中具有该初始状态。
70.因此，特别是可以以简单且有利的方式将相关情况控制装置110的最大所需可能行程保持得相对较小或限制为所需的绝对最小值。特别地，不需要通过相关情况控制装置110保持大的运动储备来补偿长期蠕变或沉降效应。该运动储备可以保持显著更小，并且例如被限制为对于第一操作模式om1的持续时间所预期的值。
71.应当理解，磁性支撑力mft可以更改任意期望的次数并且因此可以按需要经常切换到蠕变补偿模式ccm。使用这一点，可以在成像装置101的整个使用寿命期间获得对应有利的操作行为。
72.此外，通过磁性单元对115.2的适当设计，可以获得被动变型(即，没有磁性支撑力的主动变化的变型)中的相关情况的改变的有利减少。如果磁性单元对115.2的至少一个磁性单元包括至少一个永磁体，则在这方面为被动的特别简单的配置出现。在此，在特别简单的情况下，磁性装置115.1的磁性单元对115.2的两个磁性单元可以各自包括至少一个永磁体。然后，这样的配置通过特别简单的设计和取决于两个磁性单元之间距离的磁力贡献mfc
的过比例轮廓或路线来区分。
73.在另外的变型中，磁性装置的磁性单元对的至少第一磁性单元可以包括多个永磁体，它们的磁场彼此叠加，使得在对由磁性单元对生成的磁性支撑力mft的磁力贡献mfc的方向上，磁力贡献mfc在可指定的运动部分之上且以可指定的轮廓或路线作用在磁性单元对115.2的第二磁性单元上。
74.在此，可以特别地在可指定的运动部分之上实现实质恒定的磁力。在这种情况下，磁性单元对115.2的刚度则至少接近于零，这从动态的观点来看可能是特别有利的，因为在这方面动态振动解耦行为主要或甚至排他地通过支撑弹簧装置113.1来限定。
75.在某些变型中，可以提供磁性装置115.1，其被配置为使得磁性支撑力mft至少逐部分地随着相关情况的改变增加而成比例地增加。特别地，磁性装置115.1可以被配置为使得磁性支撑力mft至少逐部分地随着相关情况的改变增加而过比例地增加。自然地，两种变型都与支撑弹簧装置113.1相匹配并且有利地导致上文已经描述的静态相对偏转的减少。
76.原理上，在主动变型的情况下，可以以任何合适的方式确定相关情况的改变或相关联的相关情况改变信息rsci。相关情况控制装置110可以包括例如连接到控制单元109.2的偏转检测装置110.2。偏转检测装置110.2检测偏转信息di，其代表在至少一个自由度上光学元件107.2关于第一支撑结构111.1从第一初始状态的偏转。控制装置109然后从偏转信息di——特别地基于偏转信息di随时间的改变——导出相关情况改变信息rsci。
77.因此，相关情况控制装置110可以包括用于主动调整光学元件107.2的多个相关情况控制致动器110.1，为了清楚起见，图2和图3中分别图示了该致动器中的仅一个相关情况控制致动器110.1。在典型的变型中，提供多个相关情况控制致动器110.1，其以平行运动学系统的方式在第一支撑结构111.1与光学元件107.1之间起作用。例如，可以提供六个相关情况控制致动器110.1，其以六足运动系统的方式起作用。
78.作为示例，偏转检测装置110.2可以检测调整信息vi，其代表相应相关情况控制致动器110.1从调整的第一初始状态的调整。控制装置109.1然后可以从调整信息vi，特别是基于调整信息vi随时间的改变，推导出相关情况改变信息rsci。
79.此外，偏转检测装置110.2可以包括至少一个调整传感器110.3，该调整传感器110.3被分配到相应的相关情况控制致动器110.1。调整传感器110.3输出调整传感器信息vsi，其代表相关情况控制致动器110.1的定位移动，特别是相关情况控制致动器110.1的长度的改变。控制装置109然后可以从调整传感器信息vsi导出调整信息vi。应当理解，原理上，可以为每个相关情况控制致动器110.1提供任意数目的调整传感器110.3，以便确定调整信息vi。在本示例中，至少两个调整传感器110.3被分配到相应的相关情况控制致动器110.1，因为这允许对调整信息vi的特别可靠、容错的确定。
80.然而，应理解，在其他变型中，原理上还可以以任何其他合适的方式检测调整信息vi(附加地或作为调整使用传感器110.3的替代)。因此，例如可以规定，在从第一初始状态开始的历史中没有间隙地检测和存储用于相应一个相关情况控制致动器110.2的控制信号，并且从该控制信号的历史确定调整信息vi。
81.在某些变型中，控制装置109还可以可选地包括成像误差检测装置(此处未更详细地示出)，其产生至少一个成像误差信息iei，其代表成像装置的成像误差。控制装置109然后从成像误差信息iei，特别是基于成像误差信息iei随时间的改变，导出相关情况改变信
息rsci。这些变型有利地使用成像装置的成像误差与由蠕变或沉降效应引起的在第一支撑结构111.1与第二支撑结构111.2之间的静态的相关情况的改变之间的已知关系。因此，某些相关情况的改变会导致特征成像误差，因此其具有特征指纹，这是从理论和/或模拟预先确定的。这些特征成像误差或指纹然后可用于推断操作期间控制装置109中的实际的相关情况的改变。
82.特别地在光学成像装置101还包括被动光学部件的变型的情况下，在成像误差与这样的相关情况的改变之间出现特别明确的关系，该被动光学部件参与成像但不通过相关情况控制装置110主动设定，而是代替地在操作期间以实质刚度的方式连接到第一支撑结构111.1，如图1中由轮廓107.3指示的，其表示止挡件。在这种情况下，只有元件组107.1的主动调整的光学元件由相关情况控制装置110重新定位以跟随相关情况的改变，而被动部件(诸如止挡件107.3)保持在它们的相关情况中，从而在部件107.1和107.3之间产生相关情况的改变，这伴随着特征成像误差。
83.在其它变型中，控制装置109可以附加地或替代地包括相关情况检测装置，如图2中由轮廓109.4所指示的。在这种情况下，相关情况检测装置109.4生成至少一个相关情况信息rsi，其代表在至少一个自由度上第一支撑结构111.1与第二支撑结构111.2之间的相关情况，所述信息被输出到控制单元109.2。控制装置109然后从相关情况信息rsi，特别是基于相关情况信息rsi随时间的改变，导出相关情况改变信息rsci。以这种方式，可以实现对相关情况改变信息rsci的特别简单和精确的检测。
84.虽然上述有源变型各自实现闭环控制电路，但是还可以实现具有开放控制系统的变型，如上所述。因此，在某些变型中，控制装置109还可以使用支撑装置113的状态改变模型cm来确定相关情况改变信息rsci，其中状态改变模型cm特别地可以是时间相关的(例如，以便在支撑装置113内映射老化过程)。在这种情况下，状态改变模型cm描述了支撑装置113的相关情况行为的(特别是时间相关的)改变。在本示例中，状态改变模型可以使用支撑弹簧装置113的蠕变模型cm，其中支撑弹簧装置113的蠕变模型cm描述支撑弹簧装置113的(可选地时间相关的)蠕变行为。根据这种以足够准确度已知的相关情况改变行为或蠕变行为，相关情况改变信息rsci可以在没有其它传感器系统的情况下确定并且可以直接用于控制。然而，在其它变型中，状态改变模型或蠕变模型cm也可以用于检验相关情况改变信息rsci的合理性，其以另一种方式确定，诸如上文或下文所述。
85.关于该点应再次提及，上述或下文所述的用于确定相关情况改变信息rsci的变型原理上可以任意组合，例如以便获得合并的(例如，平均的)相关情况改变信息rsci。此外或替代地，用于确定相关情况改变信息rsci的单独变型自然地也可以用于检验用于确定相关情况改变信息rsci的其他变型的结果的合理性。
86.原理上，改变磁性支撑力mft还可以在任何合适的时间来实现或由任何时间事件(例如，可指定的间隔)和/或非时间事件(例如，检测到的冲击负荷，达到某一数目的成像进程、启动或关闭成像装置101等)来触发。
87.在本示例中，如果由相关情况改变信息rsci表示的相关情况改变超过可指定的极值lim(即，如果以下情况适用：rsci》lim)，则控制装置109激活蠕变补偿模式ccm。因此，自然地可以特别高效地并以基于需求的方式对蠕变或沉降效应做出反应。
88.附加地或替代地，如上所述，控制装置109可以基于可指定的事件，特别地以可指
定的时间间隔，激活蠕变补偿模式或补偿模式ccm，其中蠕变补偿模式在成像装置101的第一次操作和/或蠕变补偿模式ccm的先前激活之后被激活了特别地0.25至10年、优选地0.5至5年、更优选地1至2年。
89.原理上，控制装置109可以以任何合适的方式设计以便实现对适配于成像装置101的相应光学成像过程的相关情况控制装置110的控制。在此，可以提供任何合适的控制带宽来控制相关情况控制装置110。在特别有利的变型中，控制装置109的控制带宽为10hz至1000hz、优选20hz至500hz、进一步优选50hz至300hz。
90.一个自由度或多个自由度dof(其中由于蠕变或沉降效应，存在与成像过程或其成像误差相关的相关情况的改变)可以是任意自由度，直至空间中的所有六个自由度。在此可以指定任何合适的极值，如果超过该极值，则需要或促使磁性支撑力mft的改变。
91.在某些变型中，相关情况的改变的至少一个自由度dof是旋转自由度，特别是围绕横向于重力方向延伸的倾斜轴线的旋转自由度。可指定的极值则优选地代表第一支撑结构111.1与第二支撑结构111.2之间的相关情况与可指定的相对目标情况的偏差，该偏差为1μrad到500μrad、优选地10μrad到300μrad、进一步优选地20μrad到100μrad。附加地或替代地，相关情况的改变的至少一个自由度dof可以是平移自由度，特别是沿重力方向的平移自由度。可指定的极值则优选地代表第一支撑结构111.1与第二支撑结构111.2之间的相关情况与可指定的相对目标情况的偏差，该偏差为1μm到500μm、优选地10μm到300μm、进一步优选地20μm到100μm。
92.原理上，磁性装置115.1可以以任何合适的方式设计为用于生成磁性支撑力mft。优选地，磁性装置115.1的刚度自然地与支撑弹簧装置113.1的刚度匹配，以便在所需的解耦自由度中获得振动解耦装置113的期望解耦效果。优选地，磁性装置115.1被设计成使得它在这些解耦自由度中对计量框架111.2的支撑的刚度提供最小可能的贡献，在所述解耦自由度中，振动解耦装置113应提供解耦。优选地，磁性装置115.1在这些解耦自由度中对计量框架111.2的支撑的刚度实质上没有贡献。
93.原理上，支撑弹簧装置113.1与磁性装置115.1之间的相互作用可以以任何合适的方式设计，以便获得计量框架111.2的期望的振动解耦支撑。因此，磁性装置115.1可以被配置为使得磁性支撑力mft至少部分地减轻支撑弹簧装置113.1并且磁性支撑力mft被动地或主动地增加以至少部分地补偿相关情况的改变，正如下面将结合图4和图6进行描述的。同样地，磁性装置115.1然而也可以被配置为使得磁性支撑力mft对支撑弹簧装置113.1预加应力并且磁性支撑力mft被减少以至少部分地补偿相关情况的改变，正如下面将结合图5进行说明的。
94.在图4和图6的变型中，用于减轻支撑弹簧装置113.1的磁性装置115.1被配置为使得磁性支撑力mft补偿计量框架111.2和由其携载的部件(诸如测量装置109.1)的总重量的至少一部分。如果该部分为总重量的至少0.5％至20％、优选地至少1％至15％、进一步优选地至少2％至5％，则是特别有利的。特别地，可以有利的是，如果至少大部分重量由磁性支撑力mft吸收，则支撑弹簧装置113.1因而显著减轻静负荷，并且还由于该减轻而减少蠕变或沉降效应。
95.原理上，可以使用任何合适的磁性单元对115.2来生成磁性支撑力mft。在下面结合图4至图7描述的示例中，磁性装置115.1在各个情况下包括多个磁性单元对115.2，其中
每个磁性单元对115.2在各个情况下具有两个永久磁化的磁性单元115.3和115.4。
96.如下面初始基于图4的变型所描述的，磁性单元对115.2包括永久磁化的第一磁性单元115.3和永久磁化的第二磁性单元115.4，它们彼此分配以通过位于它们之间的气隙115.5非接触地相互作用。此处，第一磁性单元115.3机械地连接到负荷承载第一支撑结构111.1，而第二磁性单元115.4机械地连接到计量框架111.2。
97.此处，在一个主动变型中，第一磁性单元115.3可以包括示意性指示的线圈单元115.6，出于更改第一磁性单元115.3的磁化的目的，所述线圈单元可连接到控制装置109的电压源(未示出)。由此，通过对线圈单元115.6的适当控制，可以特别容易地适配第一磁性单元115.3的磁场强度，并因此适配磁力贡献mfc或总体上磁性支撑力mft。
98.在图4的变型中，第一磁性单元115.3和第二磁性单元115.4的磁化被选择为使得对磁性支撑力mft的贡献mfc由第一磁性单元115.3与第二磁性单元115.4的相互排斥产生。因此，第一磁性单元115.3和第二磁性单元115.4试图增加第一磁性单元115.4与第二磁性单元115.5之间的气隙115.5。
99.这样的布置通常具有力轮廓，其中，随着气隙115.5的减少，磁性单元对115.1对磁性支撑力mft的力贡献mfc至少部分地随着相关情况的改变增加而过比例增加。这样，相关情况的改变可以有利地通过由力贡献mfc或得到的磁性支撑力mft产生的大幅增加的阻力来抵消，所以即使在磁性单元对115.1的被动设计的情况下，也可以至少部分地补偿或减少相关情况的改变，其在其他方式下由支撑弹簧装置113.1中的蠕变或沉降过程产生。在磁性单元对115.1的主动变型的情况下，甚至可以通过控制单元109.2的适当控制来重新建立初始状态。
100.原理上，磁性单元对115.2可以被设计为使得它本身已经在(为第二支撑结构111.2的支撑)所需的解耦自由度中提供必需的解耦。在本示例中，磁性单元对115.2经由解耦装置115.8机械地连接到第二支撑结构111.2。在此，解耦装置115.8被配置为在与力mfc的磁力方向不同的多个解耦自由度上在磁性单元对115.2与支撑结构111.2之间生成至少部分机械解耦。在本示例中，解耦自由度是横向于磁力方向延伸的平移自由度。此外，在围绕横向于磁力方向延伸的轴的旋转自由度上存在解耦。在所有这些情况下都可以以简单的方式获得有利的振动解耦。
101.为此，解耦装置115.8被配置为在磁力方向上伸长的柔性解耦元件，具体地被配置为在磁力方向上伸长的板簧元件或者被配置为窄的、特别是在磁力方向上伸长的柔性杆状弹簧元件。在这两种情况下都可以轻松获得所需的解耦。
102.在图4的变型中，磁性装置115.1被配置为使得磁性支撑力mft至少部分地减轻支撑弹簧装置113.1，并且磁性支撑力mft增加以至少部分地补偿相关情况的改变，如上所述。
103.在下面描述的图5的变型中，磁性装置115.1然而被配置为使得磁性支撑力mft对支撑弹簧装置113.1预加应力，并且磁性支撑力mft减少以至少部分地补偿相关情况的改变。在这种情况下，在基本设计和功能方面，图5的变型对应于图4的变型，因此这里只讨论区别。通过值已经增加100的附图标记来提供相似部件，并且在没有明确说明的情况下，关于这些部件的性质明确参考与图4的变型相关的解释。
104.图5的变型与图4的变型的区别在于，磁性单元对215.2的第一磁性单元115.3和第二磁性单元115.4以相反的方式布置(与图4的磁性单元对115.2相比较)，所以磁性支撑力
mft对支撑弹簧装置113.1施加预应力，并且磁性支撑力mft减少以至少部分补偿相关情况的改变。为此，最终仅相应地适配解耦装置215.8。
105.下面描述的图6的变型在其基本设计的方面与图5的变型相似，因此在此仅讨论区别。在图6的变型中，磁性装置115.1再次配置为使得磁性支撑力mft减轻支撑弹簧装置113.1，其中已经反转第二磁性单元115.4，从而选择第一磁性单元115.3和第二磁性单元115.4的磁化使得从第一磁性单元115.3和第二磁性单元115.4的相互吸引产生对磁性支撑力mft的贡献mfc。因此，第一磁性单元315.3和第二磁性单元315.4试图减少第一磁性单元115.4和第二磁性单元115.5之间的气隙115.5。
106.图6的变型与图5的变型的区别在于，相关情况的改变的补偿仅通过线圈单元115.6主动地实现，该线圈单元115.6出于更改第一磁性单元115.3的磁化的目的可连接到控制装置109的电压源(未示出)。由此，为了获得补偿，通过对线圈单元115.6的适当控制，可以特别容易地增加第一磁性单元115.3的磁场强度，并因此增加磁力贡献mfc或总体上增加磁性支撑力mft。
107.下面基于图7描述了另一个变型。在基本设计和功能方面，图7的变型对应于图4的变型，所以这里只讨论区别。通过值已经增加200的附图标记来提供相似部件，并且在没有明确说明的情况下，关于这些部件的性质明确参考与图4的变型相关的解释。
108.图7的变型与图4的变型的区别在于，磁性单元对115.2的第一磁性单元315.3由多个磁性元件315.7制成以具有杯形设计。在此，相应的磁化被选择为使得磁场线315.9叠加，使得磁性单元对115.2对磁性支撑力mft的贡献mfc在相关情况的改变的相对较长行程内实质上恒定。在这种情况下，磁性单元对115.2的刚度则至少接近于零，这从动态的观点来看可能是特别有利的，因为在这方面动态振动解耦行为主要或甚至排他地通过支撑弹簧装置113.1来限定。
109.应理解，在磁场线315.9的适当叠加的情况下，还可以获得磁性单元对115.2对磁性支撑力mft的贡献mfc在相关情况的改变之上的实质上任何其他轮廓或路线。
110.此外，应理解，原理上(图4至图7的)各种磁性单元对115.2也可以按需要在磁性装置115内彼此组合。特别地，由于支撑的第二支撑结构111.2的质量分布，相应的磁性单元对115.2可以具体地与相关联的支撑弹簧装置113.1及其蠕变行为或与其负载情况相匹配。
111.使用上述主动设计，可以执行如上所述的根据本发明的方法。在此，如图8所示，该过程最初在步骤114.1中开始。这例如在成像装置101的第一次启动时被实行，其中成像装置则是在第一操作状态om1。
112.然后，在步骤114.2中，在控制装置109内检验是否已经发生触发蠕变补偿模式ccm的激活的上述事件中的一个。如果这不是这种情况，则重复该检验。然而，如果情况是这样，则在步骤114.3中在控制装置109中以上述方式更改或适配磁性支撑力mft，其中控制装置109然后将成像装置101置于第二操作状态om2中(其然后替换第一个操作状态om1)。然后，在步骤114.3中，在控制装置109中检验是否应终止该过程。如果不是，则跳回到步骤114.2。否则，该过程在步骤114.4中终止。除此之外，关于该方法的其他细节，参考上述解释以避免重复。
113.在前文中，本发明仅基于其中元件组107.1的每个光学元件的相关情况被关于中央参考112主动调整的示例来描述。然而，应理解，在其他变型中，仅元件组107.1的一些光
学元件(甚至可能只有一个光学元件)可以关于中央参考112主动调整，而元件组107.1的其余光学元件关于光学元件的相对于中央参考112的已经主动调整的一个光学元件进行主动调整。特别地，元件组107.1的光学元件中的仅一个可以用作参考元件并且可以相对于中央参考112直接地主动调整，而元件组107.1的所有其他光学元件相对于该参考元件(因此仅间接地关于中央参考112)主动地调整。
114.上面仅基于根据微光刻领域的示例排他地描述了本发明。然而，可以理解的是，本发明也可以用在任何其他光学应用的情景中，特别是在不同波长的成像方法，其中在支撑重的光学单元方面出现相似的问题。
115.此外，本发明可以与物体的检查(诸如所谓的掩模检查)结合使用，其中对用于微光刻的掩模的完整性等进行检查。图1中，例如传感器单元(其检测掩模104.1的投射图案的成像(以供进一步处理))则替换基板105.1。然后，该掩模检查可以实质上发生在与随后的微光刻过程中所使用的波长相同的波长处。但是，同样还可以使用与其偏离的任何期望波长以供检查。
116.最终，已经基于特定示例性实施例描述了本发明，该示例性实施例示出所附专利权利要求中限定的特征的特定组合。在此时应该明确指出的是，本发明的主题不限于这些特征组合，而是诸如从以下专利权利要求中显而易见的所有其他特征组合也属于本发明的主题。