显示基板及显示装置的制作方法

1.本公开属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及显示装置。


背景技术：

2.随着触摸屏技术的发展，出现了各种不同的触摸技术。按照触摸屏的工作原理不同，触摸技术大体包括以下几种：电阻式触摸屏、电容式触摸屏、红外线式触摸屏、电磁式触摸屏和表面声波式触摸屏。其中，电容式触摸屏的应用最广。


技术实现要素：

3.本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板及显示装置。
4.第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，其包括：
5.衬底基板，
6.多个子像素，设置在衬底基板上，每个所述子像素中至少设置在所述衬底基板上的像素电极和公共电极；在第一方向上并排设置的所述子像素形成第一像素组；在第二方向上并排设置的所述子像素形成第二像素组；
7.第一层间绝缘层，设置在所述像素电极所在层和公共电极所在层之间；
8.多条触控信号线，设置在所述衬底基板上，所述多条触控信号沿所述第二方向延伸，且沿所述第一方向并排设置；其中，
9.至少部分相邻设置的所述第二像素组之间设置有一条所述触控信号线；
10.对于任一所述触控信号线，所述触控信号线和与之在所述第一方向上最近的所述子像素中的所述像素电极在所述衬底基板上的正投影的间距为第一距离；所述触控信号线和与之在所述第一方向上最近的所述子像素中的所述公共电极在所述衬底基板上的正投影的间距为第二距离，且所述第一距离小于所述第二距离。
11.其中，所述像素电极相较于所述公共电极更靠近所述衬底基板；所述触控信号线与所述像素电极同层设置。
12.其中，所述公共电极相较于所述公共电极更靠近所述衬底基板；所述触控信号线与所述公共电极同层设置。
13.其中，所述显示基板还包括：
14.多条数据线，设置在衬底基板上，所述多条数据线沿所述第二方向延伸，并沿所述第一方向并排设置；位于同一所述第二像素组中的各所述子像素由同一所述数据线提供数据电压信号。
15.其中，所述数据线与所述触控信号线同层设置。
16.其中，所述显示基板还包括：
17.多个屏蔽电极，设置在第一层间绝缘层背离所述衬底基板的一侧，一个所述屏蔽电极在衬底基板上的正投影覆盖一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影。
18.其中，正投影在所述衬底基板上重叠的所述屏蔽电极和所述数据线，二者的中心线在所述衬底基板上的正投影重叠。
19.其中，所述屏蔽电极与所述公共电极同层设置，且材料相同。
20.其中，所述数据线位于所述触控信号线靠近所述衬底基板的一侧，且在所述触控信号线和与所述数据线所在层之间设置有第二层间绝缘层。
21.其中，一条所述数据线与一条所述触控信号线在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
22.其中，所述显示基板还包括：多条栅线；设置在衬底基板上，所述多条栅线沿所述第一方向延伸，且沿所述第二方向并排设置；
23.位于同一所述第一像素组中的各所述子像素由同一所述栅线提供扫描信号；一个所述第二像素组中的各个子像素由一条所述数据线提供数据电压。
24.其中，所述显示基板还包括：多条栅线；设置在衬底基板上，所述多条栅线沿所述第一方向延伸，且沿所述第二方向并排设置；
25.位于同一所述第一像素组中的所述子像素由两条所述栅线提供扫描信号，且其中位于奇数个所述第二像素组中的所述子像素由一条所述栅线控制，位于偶数个所述第二像素组中的所述子像素由另一条所述栅线控制；
26.每两个相邻设置的所述第二像素组中的各所述子像素由一条所述数据线提供数据电压。
27.其中，所述数据线和所述触控信号线位于同一所述第二子像素在所述第一方向上的不同侧。
28.其中，所述第一距离与所述第二距离的比值为[0.5,1)。
[0029]
其中，所述第一距离在为1～10μm；所述第二距离为1～15μm。
[0030]
其中，所述像素电极和所述公共电极中的一者为板状电极，另一者则为狭缝电极，且所述板状电极相较于所述狭缝电极更靠近衬底基板；
[0031]
所述狭缝电极的宽度为1～5μm，所述狭缝电极间的间隙为1～10μm；板状电极的宽度不小于3μm。
[0032]
其中，所述触控电极线的线宽为1～10μm。
[0033]
第二方面，本公开实施例提供一种显示装置，其包括上述的显示基板。
附图说明
[0034]
图1为一种示例性的显示基板的示意图。
[0035]
图2为图1所示的显示基板的a-a＇的截面图。
[0036]
图3为本公开实施例的一种显示基板局部截面图。
[0037]
图4为本公开实施例的显示基板的示意图。
[0038]
图5为本公开实施例的另一种显示基板局部截面图。
[0039]
图6为应用图5所示的显示基板的显示装置示意图。
[0040]
图7为图6的显示装置的模拟液晶光效示意图。
[0041]
图8为图4所示的显示基板的b-b＇的截面图。
[0042]
图9为应用图8所示的显示基板的显示装置示意图。
[0043]
图10为图9的显示装置的模拟液晶光效示意图。
[0044]
图11为本公开实施例的另一种显示基板局部截面图。
[0045]
图12为应用图11所示的显示基板的显示装置示意图。
[0046]
图13为图12的显示装置的液晶光效仿真示意图。
具体实施方式
[0047]
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
[0048]
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0049]
需要说明的是，本公开实施例提供一种显示基板及显示装置。该显示装置可以为液晶显示装置(liquid crystal display)也可以为有机电致发光二极管oled(organic light-emitting diode)显示装置。当然，还可以是其他类型的显示装置，在此不一一列举。在本公开实施例中以显示装置为液晶显示装置为例进行描述。其中，液晶显示装置包括相对设置的显示基板和对盒基板，以及设置在显示基板和对盒基板之间的液晶层。其中所采用的显示基板可以为阵列基板，也可以是coa基板(color on array)。当显示基板为阵列基板时，对盒基板则包括彩膜层；当显示基板为coa基板时，则无需在对盒基板上设置彩膜层。在本公开实施例中，以显示基板为阵列基板为例进行说明。
[0050]
图1为一种示例性的显示基板的示意图；图2为图1所示的显示基板的a-a＇的截面图；如图1和2所示，如图1所示，该显示基板包括衬底基板10，设置在该衬底基板10上的多条栅线gl和多条数据线dl，以及由栅线gl和数据线dl交叉设置所限定出的多个子像素。其中，多条栅线gl沿第一方向x延伸，且沿第二方向y并排设置；多条数据线dl沿第二方向y延伸，且沿第一方向x并排设置；沿第一方向x并排设置的多个子像素01形成一第一像素组；沿第二方向y并排设置的多个子像素01形成一第二像素组。每个子像素至少包括薄膜晶体管20、像素电极30和公共电极40。位于同一第一像素组中的各子像素01中的薄膜晶体管20的栅极连接同一条栅线gl；位于同一第二像素组中的各子像素中的薄膜晶体管20的源极连接同一条数据线dl。其中，参照图2，子像素01中的薄膜晶体管20包括沿背离衬底基板10方向依次设置的栅极、有源层、源极和漏极。薄膜晶体管20的漏极与像素电极30连接。在栅极和有源层所在层之间设置栅极绝缘层50，像素电极30位于第一层间绝缘层50背离衬底基板10的一侧；在薄膜晶体管20的源极和漏极、像素电极30背离衬底基板10的一侧覆盖有第一层间绝缘层60，公共电极40形成在第一层间绝缘层60背离衬底基板10的一侧。其中，图2中以像素电极30采用板状电极，公共电极40采用狭缝电极。
[0051]
另外，继续参照图1，显示基板包括呈阵列排布的多个像素单元100，每个像素单元100包括n个子像素，n≥2，且n为整数。在本公开实施例中以一个像素单元中包括三个子像素，也即n＝3为例。例如每个像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。在该种情况下，可以是位于同一列的子像素的发光颜色相同。
[0052]
继续参照图2，该显示基板应用显示装置中可实现触控功能，因此，该显示基板中不仅包括上述结构，而且还包括触控信号线和触控电极，一个触控电极连接一条触控信号线。其中，可以是呈阵列排布的多个像素单元中设置一个触控电极，也可以是每个像素单元中设置一个触控电极。在本公开实施例中子像素中的公共电极40可以复用为触控电极。例如，呈阵列排布的多个子像素中的公共电极40连接为一体结构，并作为一个触控电极，且触控信号线tx位于相邻设置的第二像素组之间。在该种情况下，显示阶段，给触控信号线tx输入公共电压信号，触控电极作为公共电极。触控阶段，给触控信号线tx输入触控信号，通过读取触控信号线tx输出的信号以确定触控的位置。在本公开实施例的描述中均以公共电极复用为触控电极为例进行描述。
[0053]
需要说明的是，本公开实施例中所谓第一方向x和第二方向y并非是指直线延伸的方向，而是指某一结构的走向或者某一结构的长度方向。图2中仅以薄膜晶体管20为底栅型薄膜晶体管20为例，这并不构成对本公开实施例保护范围的限制。薄膜晶体管20也可以采用顶栅型薄膜晶体管20。
[0054]
发明人发现，在相关技术中，通常触控信号线tx与公共电极40之间的间距要小于与像素电极30之间的间距，且在显示阶段触控信号线tx为公共电极40输入为公共电压信号，也即公共电极40与触控信号线tx的电位在显示阶段相等，因此触控电极线与公共电极40之间无电场，从而导致应用该显示基板的显示装置在该位置液晶分子不会发生偏转，进而导致边缘光效降低，显示装置的整体透过率降低。
[0055]
针对上述技术问题，在本公开实施例中提供如下技术方案。
[0056]
第一方面，图3为本公开实施例的一种显示基板的截面图；如图3所示，本公开实施例提供一种显示基板，其包括：衬底基板10、多个子像素01、第一层间绝缘层50、多条触控信号线tx。其中，各子多个子像素01均设置在衬底基板10上，每个子像素01中至少设置在衬底基板10上的像素电极30和公共电极40；在第一方向x上并排设置的子像素01形成第一像素组101；在第二方向y上并排设置的子像素01形成第二像素组102；第一层间绝缘层50设置在所述像素电极30所在层和公共电极40所在层之间；多条触控信号线tx设置在所述衬底基板10上，所述多条触控信号沿所述第二方向y延伸，且沿所述第一方向x并排设置；其中，至少部分相邻设置的第二像素组102之间设置有一条触控信号线tx；在本公开实施例中，对于任一触控信号线tx，该触控信号线tx和与之在第一方向x上最近的子像素01中的像素电极30在衬底基板10上的正投影的间距为第一距离s1；触控信号线tx和与之在第一方向x上最近的子像素01中的所述公共电极40在衬底基板10上的正投影的间距为第二距离s2，且第一距离s1小于所述第二距离s2。
[0057]
需要说明的是，在本公开实施例中子像素01不仅仅包括像素电极30和公共电极40，还包括薄膜晶体管20，该薄膜晶体管20的具体结构可以与图2所示的一致，仅在图3中用20表示，在此不再重复描述。
[0058]
在本公开实施例中，由于显示基板中的对于任一触控信号线tx和与之最近的像素
电极30在衬底基板10上的正投影之间的距离为第一距离s1，该触控信号线tx和与之最近的公共电极40在衬底基板10上的正投影之间的距离为第二距离s2，且第一距离s1小于第二距离s2，与此同时，在显示阶段触控信号线tx被写入公共电压，因此，该触控信号线tx可以和与之在衬底基板10上正投影最近的像素电极30在显示阶段形成公共电场，可以使得应用该显示基板的显示装置在该触控信号线tx和像素电极30之间的液晶分子发生偏转，从而提高显示装置的整体透过率降低。
[0059]
在本公开实施例中，像素电极30和公共电极40中的一者为板状电极，另一者则为狭缝电极，且板状电极相较于狭缝电极更靠近衬底基板10。在一些示例中，狭缝电极的宽度范围在1～5μm左右，狭缝电极的间隙范围在1～10μm左右；板状电极的宽度不小于3μm。触控电极线的线宽范围在1～10μm左右。
[0060]
在一些示例中，为使得触控信号线tx和与之最近的像素电极30在显示阶段可以形成均为稳定的平面电场，避免该触控信号线tx最近的公共电极40干扰该电场，因此，需要合理的设置触控信号线tx和像素电极30、公共电极40之间的距离，也即合理的设置第一距离s1和第二距离s2，在本公开实施例中，第一距离s1与第二距离s2的比值为[0.5，1)，例如：第一距离s1和第二距离s2的比例可以为0.55。在一些示例中，第一距离s1在1～10μm左右；第二距离s2在1～15μm左右。
[0061]
在一些示例中，该显示基板不仅包括前述结构，而且还可以包括多条栅线gl和多条数据线dl。
[0062]
在一个示例中，如图1所示，多条栅线gl和多条数据线dl交叉设置，一个交叉位置设置一个子像素01，也即位于同一第一像素组101中的各子像素01由同一条栅线gl提供扫描信号，位于同一第二像素组102中的各子像素01由同一条数据线dl提供数据电压信号。例如：位于同一第一像素组101中的各子像素01中的薄膜晶体管20的栅极连接同一条栅线gl，位于同一第二像素组102中的各子像素01中的薄膜晶体管20的源极连接同一条数据线dl。
[0063]
在另一个示例中，图4为本公开实施例的一种显示基板的示意图；如图4所示，位于同一第一像素组101中的各子像素01由同两条栅线gl提供扫描信号，且位于奇数个第二像素组102中的子像素01和位于偶数个第二像素组102中的子像素01由不同的栅线gl提供扫描信号；每两个第二像素组102由同一数据线dl提供数据电压信号。具体的，位于同一第一像素组101、且位于奇数个第二像素组102中的各子像素01中的薄膜晶体管20的栅极连接同一条栅线gl，位于同一第一像素组101、且位于偶数个第二像素组102中的各子像素01中的薄膜晶体管20的栅极连接同一条栅线gl；每两个相邻设置的第二像素组102中的各子像素01中的薄膜晶体管20的源极连接同一条数据线dl。
[0064]
在一些示例中，为同一第一像素组101中的各子像素01提供扫描信号的两条栅线gl分别位于该第一像素组101在第二方向y的两侧。在一些示例中，由同一数据线dl提供数据电压信号的两个第二像素组102，该数据线dl位于这两个第二像素组102之间。通过该种设置方式，便于布线的同时，便于各子像素01与信号线的连接。
[0065]
在一些示例中，触控电极线可以与公共电极40同层设置，也可以与像素电极30同层设置，以下结合具体示例对本公开实施例的显示基板中的像素电极30、公共电极40和触控信号线tx的位置进行说明，但需要说明的是，下述示例并不构成对本公开实施例保护范围的限制。
[0066]
第一种示例：显示基板为图1和5所示的显示基板，该显示基板包括多条栅线gl、多条数据线dl、多条触控信号线tx和多个子像素01。其中，多条栅线gl沿第一方向x延伸且沿第二方向y并排设置，多条数据线dl和多条触控信号线tx均沿第二方向y延伸、沿第一方向x并排设置。栅线gl和数据线dl交叉设置，并在二者交叉位置设置一个子像素01，位于同一第一像素组101的各个子像素01中的薄膜晶体管20的栅极连接同一条栅线gl，位于同一第二像素组102的各个子像素01中的薄膜晶体管20的源极连接同一条数据线dl。任意两相邻的栅线gl之间设置一个第一像素组101；任意两相邻设置的数据线dl之间设置一个第二像素组102；任意两相邻设置的触控信号线tx之间设置一个第二像素组102。
[0067]
参照图5，每个子像素01中的像素电极30为板状电极，公共电极40为狭缝电极，在该种情况下，像素电极30相较公共电极40更靠近衬底基板10。像素电极30和公共电极40之间设置第一层间绝缘层50，触控信号线tx、数据线dl均与像素电极30同层设置。显示基板中的对于任一触控信号线tx和与之最近的像素电极30在衬底基板10上的正投影之间的距离为第一距离s1，该触控信号线tx和与之最近的公共电极40在衬底基板10上的正投影之间的距离为第二距离s2，且第一距离s1小于第二距离s2，因此在显示阶段，不仅像素电极30和公共电极40形成边缘电场，而且像素电极30和触控信号线tx形成共面电场，将该显示基板应用至显示装置中，可以有效的提高光线透过率。
[0068]
在一些示例中，在第一层间绝缘层50背离衬底基板10的一侧还设置有多个屏蔽电极60，一个屏蔽电极60在衬底基板10上的正投影覆盖一条数据线dl在衬底基板10上的正投影。之所以如此设置，是为了避免在显示阶段触控信号和数据线dl之间产生电场，而造成应用该显示基板的显示装置的液晶分子在该位置发生无效偏转，影响显示装置的显示。其中，本公开实施例中的屏蔽电极60可与公共电极40层同层设置，且材料相同，以此可以通过一次构图形成公共电极40和屏蔽电极60，不会增加工艺步骤，而且还有利于产品的轻薄化。进一步的，在本公开实施例中正投影在衬底基板10上重叠的屏蔽电极60和数据线dl二者共中心线，以此可以保证屏蔽电极60可以很好的将数据线dl与公共电极40之间形成的电场区域覆盖。
[0069]
另外，需要说明的是，由于在任意两相邻的第二像素组102之间均设置有一条数据线dl和一条触控信号线tx，为便于数据线dl与子像素01中的薄膜晶体管20的源极连接，触控信号线tx位于与之最近的数据线dl背离该数据线dl所连接的第二像素组102的一侧。
[0070]
为了验证本公开实施例的显示基板的性能，将该显示基板应用至显示装置中进行了实验验证。具体的，图6为应用图5所示的显示基板的显示装置示意图；如图6所示，该显示装置不仅包括图5的显示基板，还包括与该显示基板相对设置的彩膜基板，以及设置在显示基板和彩膜基板中间的液晶层110。其中彩膜基板包括衬底基板70，设置在衬底基板70上的彩色滤光层，设置在彩色滤光层背离衬底基板70一侧的平坦化层90。该彩色滤光层包括色组81和黑矩阵82，且黑矩阵82在衬底基板10上的正投影覆盖数据线dl、触控信号线tx、子像素01中的薄膜晶体管20等非透光元件在衬底基板10上的正投影。其中，数据线dl的线宽w3为3um，触控信号线tx的线宽度wt为3um，数据线dl和与之最近的触控信号线tx之间的间距s4为4.5um，像素电极30的宽度w1为39.75um，像素电极30和与之最靠近的数据线dl之间的间距s6为5um，触控信号线tx和与之最近的像素电极30之间的间距(也即第一距离)s1为4.5um，触控信号线tx和与之最近的公共电极40之间的间距(也即第二距离)s25.25μm为
4.5um，屏蔽电极60的宽度w4为9um，且该屏蔽电极60与与之在衬底基板10上正投影重叠的数据线dl共中心线，屏蔽电极60和与之相邻的公共电极40之间的最大间距(s5+wt+s2)为12.75um，公共电极40的宽度w2为2.6um，公共电极40的狭缝宽度s3为5um。在该种情况下，像素电极30与触控信号线tx形成共面电场，像素电极30与公共电极40形成边缘电场，二者共同驱动液晶分子转动，提供液晶层110的液晶光效。图7为图6的显示装置的模拟液晶光效示意图；如图7所示，在触控信号线tx和像素电极30之间形成的平面电场以使液晶分子偏转(图7虚线框区域)，有效的提高了显示装置的光线透过率。
[0071]
第二种示例，该显示基板为图4所示的显示基板，该显示基板包括多条栅线gl、多条数据线dl、多条触控信号线tx和多个子像素01。其中，多条栅线gl沿第一方向x延伸且沿第二方向y并排设置，多条数据线dl和多条触控信号线tx均沿第二方向y延伸、沿第一方向x并排设置。其中，位于同一第一像素组101、且位于奇数个第二像素组102中的各子像素01中的薄膜晶体管20的栅极连接同一条栅线gl，位于同一第一像素组101、且位于偶数个第二像素组102中的各子像素01中的薄膜晶体管20的栅极连接同一条栅线gl；每两个相邻设置的第二像素组102中的各子像素01中的薄膜晶体管20的源极连接同一条数据线dl。，为同一第一像素组101中的各子像素01提供扫描信号的两条栅线gl分别位于该第一像素组101在第二方向y的两侧。由同一数据线dl提供数据电压信号的两个第二像素组102，该数据线dl位于这两个第二像素组102之间。通过该种设置方式，便于布线的同时，便于各子像素01与信号线的连接。
[0072]
图8为图4所示的显示基板的b-b＇的截面图；如图8所示，每个子像素01中的像素电极30为板状电极，公共电极40为狭缝电极，在该种情况下，像素电极30相较公共电极40更靠近衬底基板10。像素电极30和公共电极40之间设置第一层间绝缘层50，触控信号线tx、数据线dl均与像素电极30同层设置。显示基板中的对于任一触控信号线tx和与之最近的像素电极30在衬底基板10上的正投影之间的距离为第一距离s1，该触控信号线tx和与之最近的公共电极40在衬底基板10上的正投影之间的距离为第二距离s2，且第一距离s1小于第二距离s2，因此在显示阶段，不仅像素电极30和公共电极40形成边缘电场，而且像素电极30和触控信号线tx形成共面电场，将该显示基板应用至显示装置中，可以有效的提高光线透过率。
[0073]
在一些示例中，在第一层间绝缘层50背离衬底基板10的一侧还设置有多个屏蔽电极60，一个屏蔽电极60在衬底基板10上的正投影覆盖一条数据线dl在衬底基板10上的正投影。之所以如此设置，是为了避免在显示阶段触控信号和数据线dl之间产生电场，而造成应用该显示基板的显示装置的液晶分子在该位置发生无效偏转，影响显示装置的显示。其中，本公开实施例中的屏蔽电极60可与公共电极40层同层设置，且材料相同，以此可以通过一次构图形成公共电极40和屏蔽电极60，不会增加工艺步骤，而且还有利于产品的轻薄化。进一步的，在本公开实施例中正投影在衬底基板10上重叠的屏蔽电极60和数据线dl二者共中心线，以此可以保证屏蔽电极60可以很好的将数据线dl与公共电极40之间形成的电场区域覆盖。
[0074]
在一些示例中，如图4和8所示，为便于布线，且使得显示基板的透过率均一，一条数据线dl和一条触控信号线tx位于同一第二像素组102的在第一方向x上的不同侧。
[0075]
为了验证本公开实施例的显示基板的性能，将该显示基板应用至显示装置中进行了实验验证。具体的，图9为应用图8所示的显示基板的显示装置示意图；如图9所示，该显示
装置不仅包括图8的显示基板，还包括与该显示基板相对设置的彩膜基板，以及设置在显示基板和彩膜基板中间的液晶层110。其中彩膜基板包括衬底基板70，设置在衬底基板70上的彩色滤光层，设置在彩色滤光层背离衬底基板70一侧的平坦化层90。该彩色滤光层包括色组81和黑矩阵82，且黑矩阵82在衬底基板10上的正投影覆盖数据线dl、触控信号线tx、子像素01中的薄膜晶体管20等非透光元件在衬底基板10上的正投影。其中，数据线dl的线宽度w3为3um，触控信号线tx的线度wt为3um，数据线dl和与之最近的触控信号线tx之间的间距s4为4.5um，像素电极30的宽度w1为20um，像素电极30和与之最近的数据线dl之间的间距s6为5um，像素电极30和与之最近的触控信号线tx之间的间距(也即第一距离s1)s1为4.5um，触控信号线tx和与之最近的公共电极40之间的间距s2(也即第二距离s2)为6.2μm，屏蔽电极60的宽度9um，且该屏蔽电极60与与之在衬底基板10上正投影重叠的数据线dl共中心线，屏蔽电极60和与之相邻的公共电极40之间的最小间距s7为4.2um，公共电极40的宽度为2.4um，公共电极40的狭缝宽度为4.2um。在该种情况下，像素电极30与触控信号线tx形成共面电场，像素电极30与公共电极40形成边缘电场，二者共同驱动液晶分子转动，提供液晶层110的液晶光效。图10为图9的显示装置的模拟液晶光效示意图；如图10所示，在触控信号线tx和像素电极30之间形成的平面电场以使液晶分子偏转(图10虚线框区域)，有效的提高了显示装置的光线透过率。
[0076]
第三种示例，该显示基板包括多条栅线gl、多条数据线dl、多条触控信号线tx和多个子像素01。其中，多条栅线gl沿第一方向x延伸且沿第二方向y并排设置，多条数据线dl和多条触控信号线tx均沿第二方向y延伸、沿第一方向x并排设置。栅线gl和数据线dl交叉设置，并在二者交叉位置设置一个子像素01，位于同一第一像素组101的各个子像素01中的薄膜晶体管20的栅极连接同一条栅线gl，位于同一第二像素组102的各个子像素01中的薄膜晶体管20的源极连接同一条数据线dl。任意两相邻的栅线gl之间设置一个第一像素组101；任意两相邻设置的数据线dl之间设置一个第二像素组102；任意两相邻设置的触控信号线tx之间设置一个第二像素组102。
[0077]
图11为本公开实施例的另一种显示基板局部截面图，参照图11，每个子像素01中的公共电极40为板状电极，像素电极30为狭缝电极，在该种情况下，公共电极40相较像素电极30更靠近衬底基板10。像素电极30和公共电极40之间设置第一层间绝缘层50，触控信号线tx和公共电极40同层设置。数据线dl位于触控信号线tx靠近衬底基板10的一侧，且触控信号线tx和数据线dl所在层之间设置有第二层间绝缘层120。显示基板中的对于任一触控信号线tx和与之最近的像素电极30在衬底基板10上的正投影之间的距离为第一距离s1，该触控信号线tx和与之最近的公共电极40在衬底基板10上的正投影之间的距离为第二距离s2，且第一距离s1小于第二距离s2，因此在显示阶段，不仅像素电极30和公共电极40形成ffs(fringe field switching，边缘场开关)模式电场，而且像素电极30和触控信号线tx形成ips(in plane switching，沿面开关)模式电场，将该显示基板应用至显示装置中，可以有效的提高光线透过率。
[0078]
在一些示例中，参照图11，一条数据线dl与一条触控信号线tx在衬底基板10上的正投影至少部分重叠，通过该种设置方式，可以有效的像素开口率。
[0079]
另外，需要说明的是，由于在任意两相邻的第二像素组102之间均设置有一条数据线dl和一条触控信号线tx，为便于数据线dl与子像素01中的薄膜晶体管20的源极连接，触
控信号线tx位于与之最近的数据线dl背离该数据线dl所连接的第二像素组102的一侧。
[0080]
为了验证本公开实施例的显示基板的性能，将该显示基板应用至显示装置中进行了实验验证。具体的，图12为应用图11所示的显示基板的显示装置示意图；如图12所示，该显示装置不仅包括图11的显示基板，还包括与该显示基板相对设置的彩膜基板，以及设置在显示基板和彩膜基板中间的液晶层110。其中彩膜基板包括衬底基板70，设置在衬底基板70上的彩色滤光层，设置在彩色滤光层背离衬底基板70一侧的平坦化层90。该彩色滤光层包括色组81和黑矩阵82，且黑矩阵82在衬底基板10上的正投影覆盖数据线dl、触控信号线tx、子像素01中的薄膜晶体管20等非透光元件在衬底基板10上的正投影。其中，数据线dl的线宽w1为4um，触控信号线tx的宽度wt为4um，公共电极40的宽度w2为17um，公共电极40和与之最靠近的数据线dl/触控信号线tx之间的间距s2(也即第二距离s2)为5.5um，像素电极30和与之最近的触控信号线tx之间的间距s1(也即第一距离s1)为4.9um，像素电极30的宽度w1为3.4um，像素电极30的狭缝宽度s3为4um。在该种情况下，像素电极30和公共电极40形成ffs模式电场，而且像素电极30和触控信号线tx形成ips模式电场，二者共同驱动液晶分子转动，提供液晶层110的液晶光效。图13为图12的显示装置的液晶光效仿真示意图；如图13所示，在触控信号线tx和像素电极30之间形成的平面电场以使液晶分子偏转(图13虚线框区域)，有效的提高了显示装置的光线透过率。
[0081]
需要说明的是，以上仅提供三种具体示例，但并不构成对本公开实施例保护范围的限制。
[0082]
第二方面，本实施例提供一种显示装置，该显示装置包括上述的显示基板。该显示装置可以为：液晶面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0083]
本实施例的显示装置包括上述的显示装置，故其光学透过率明显提高。
[0084]
当然，本实施例的显示装置中还可以包括其他常规结构，如电源单元、显示驱动单元等。
[0085]
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。