一种光学邻近校正的方法与流程

1.本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近校正的方法。


背景技术：

2.在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，光的衍射效应变得越来越明显，它的结果就是最终对设计图形产生的光学影像退化，最终在基底上经过光刻形成的实际图形变得和设计图形不同，这种现象被称为光学邻近效应(ope，optical proximity effect)。
3.为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(opc，optical proximity correction)。光学邻近校正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近校正模型，根据光学邻近校正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近校正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
4.现有的光学邻近校正方法中，提供目标图形后，整个光学邻近校正的过程包括多个循环，每次循环之中均需要对光学模拟图形上发现的缺陷进行移边修复。在选边的过程中，采用在光学邻近校正图形上一次形成标记进行选边。
5.然而，在上述方法中，由于每次循环产生的光学邻近校正图形位置多变，直接在光学邻近校正图形上进行一次选边，容易造成选错或选漏边，增加了校正的循环次数，导致校正运行时间增加。


技术实现要素：

6.本发明解决的技术问题是提供一种光学邻近校正的选边方法，提升选边的准确度，降低了光学邻近校正的整体运行时间。
7.为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种光学邻近校正的选边方法，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干目标图形；对所述目标版图进行若干次第一光学邻近校正，获取第一校正版图；在所述目标版图上获取若干第二关键区域；在所述第一校正版图上获取若干第三关键区域；对第n个第二关键区域进行第一选边处理，获取第三位置信息，所述n为大于等于1的自然数；对第n个第三关键区域进行第二次选边处理，根据第四位置信息在第n个第三关键区域设置第二缺陷标记，获取待移动边，所述第四位置信息在第n个第三关键区域上与所述第三位置信息相对应；对所述待移动边进行移边处理。
8.可选的，获取所述第二关键区域的方法包括：对所述第一校正版图进行模拟曝光，获取模拟曝光版图；对所述模拟曝光版图进行缺陷检测，获取若干第一关键区域；在所述目标版图上获取与所述第一关键区域位置一一对应的所述第二关键区域，所述第二关键区域至少包括部分所述目标图形。
9.可选的，所述缺陷的类型包括：桥接缺陷。
10.可选的，所述第一校正版图包括与所述目标图形对应的若干第一校正图形，所述模拟曝光版图包括与所述第一校正图形对应的若干曝光图形。
11.可选的，获取所述第三关键区域的方法包括：在所述第一校正版图上获取与所述第一关键区域位置一一对应的所述第三关键区域，所述第三关键区域至少包括部分所述第一校正图形。
12.可选的，所述第一关键区域至少包括部分所述曝光图形，每个所述第一关键区域包括一个缺陷，所述缺陷具有对应所述模拟曝光版图中的第一位置信息。
13.可选的，获取第三位置信息的方法包括：在所述第二关键区域内获取与所述第一位置信息相对应的第二位置信息；根据所述第二位置信息在第n个第二关键区域内设置第一缺陷标记，获取所述第一缺陷标记与所述目标图形边缘相交点的第三位置信息。
14.可选的，根据所述第二位置信息在第n个第二关键区域内设置所述第一缺陷标记的方法包括：根据所述第二位置信息，在所述第n个第二关键区域内获取所述第一缺陷标记的中心坐标；根据所述第一缺陷标记的中心坐标，形成所述第一缺陷标记。
15.可选的，获取所述第一缺陷标记的中心坐标的方法包括：在所述第n个第二关键区域内的目标图形轮廓上获取距离所述第二位置信息所定义位置距离最短的两个坐标；获取所述距离最短的两个坐标的中点作为所述第一缺陷标记的中心坐标。
16.可选的，形成所述第一缺陷标记的方法包括：以所述第一缺陷标记的中心坐标为中心沿着第一方向、第二方向、第三方向和第四方向同时进行若干次延伸，分别形成第一延伸图形、第二延伸图形、第三延伸图形和第四延伸图形；当所述第一延伸图形、所述第二延伸图形、所述第三延伸图形和所述第四延伸图形中的任意一条延伸图形和所述第n个第二关键区域上的所述目标图形相交时，把所述第一延伸图形、所述第二延伸图形、所述第三延伸图形和所述第四延伸图形所形成的图形作为所述第一缺陷标记。
17.可选的，所述第一方向与所述距离最短的两个坐标的连线平行；所述第一方向和所述第二方向相向；所述第三方向和所述第四方向相向；所述第一方向和所述第三方向垂直。
18.可选的，每次延伸形成的所述第一延伸图形、所述第二延伸图形、所述第三延伸图形和所述第四延伸图形的长度相同；第i+1次延伸的长度大于第i次延伸的长度，所述i为大于等于1的自然数；所述第一延伸图形、所述第二延伸图形、所述第三延伸图形和所述第四延伸图形的形状包括：线段或者矩形。
19.可选的，根据所述第四位置信息在第n个第三关键区域设置第二缺陷标记的方法包括：以所述第四位置信息为中心沿着第五方向和第六方向同时进行若干次延伸，分别形成第五延伸图形和第六延伸图形；当所述第五延伸图形和所述第六延伸图形中的任意一条延伸图形和所述第n个第三关键区域上的所述第一校正图形相交时，把所述第五延伸图形和所述第六延伸图形所形成的图形作为所述第二缺陷标记。
20.可选的，所述第五方向和所述第六方向相向；所述第五方向和所述第六方向平行于所述第三位置信息和所述第一缺陷标记的中心坐标的连线。
21.可选的，每次延伸形成的所述第五延伸图形和所述第六延伸图形的长度相同；第j+1次延伸的长度大于第j次延伸的长度，所述j为大于等于1的自然数；所述第五延伸图形和所述第六延伸图形的形状包括：线段或者矩形。
22.可选的，获取所述待移动边的方法包括：选取所述第二缺陷标记与第n个第三关键区域的所述第一校正图形边缘相交的边为所述待移动边。
23.可选的，所述待移动边的长度为：25纳米至40纳米。
24.与现有技术相比，本发明的技术方案具有优点：
25.本发明技术方案提供的一种光学邻近校正的方法中，通过先在所述目标图形上获取所述第一缺陷标记来进行所述第一选边处理，获取第三位置信息，再根据所述第三位置信息在所述第一校正图形上获取所述第二缺陷标记来进行第二选边处理，获取所述待移动边。由于所述目标图形的位置固定，而所述第一校正图形的位置多变，直接通过所述第一缺陷标记在所述第一校正图形上无法选中待移动边的概率大。而本发明的两次选边技术，首先选中固定的目标图形，再通过目标图形选中第一校正图形。由于第一校正图形是由目标图形和目标图形附近的环境决定的，因此第一校正图形与目标图形在相对位置上不会那么多变，从而在固定的目标图形上第一次选到的边位置更加接近在所述第一校正图形上的待移动边。因此本发明提升了选边的准确率，从而提升了修复缺陷的准确率，减少了光学邻近校正的循环次数，降低了光学邻近校正的整体运行时间。
附图说明
26.图1为一实施例的一种光学邻近校正的方法的流程图；
27.图2是本发明一实施例的一种光学邻近校正的方法的流程图；
28.图3为本发明一实施例中目标版图、第一校正版图和模拟曝光版图的示意图；
29.图4为本发明一实施例的所述模拟曝光版图上的第n个第一关键区域的示意图；
30.图5为本发明一实施例中步骤s260第一选边处理的流程图；
31.图6为本发明一实施例中所述目标版图上的第n个第二关键区域的示意图；
32.图7为本发明一实施例中所述第一缺陷标记的中心坐标的示意图；
33.图8为本发明一实施例中形成所述第一缺陷标记的示意图；
34.图9为本发明一实施例中获取所述第三位置信息的示意图；
35.图10为本发明一实施例中步骤s270第二选边处理的流程图；
36.图11为本发明一实施例中所述第一校正版图上的第n个第三关键区域的示意图；
37.图12为本发明一实施例中形成所述第二缺陷标记的示意图；
38.图13为本发明一实施例中获取带移动边的方法的示意图。
具体实施方式
39.如背景技术所述，由于每次循环产生的光学邻近校正图形位置多变，直接在光学邻近校正图形上进行一次选边容易造成选错或选漏边，增加了校正的循环次数，导致校正运行时间增加，以下结合图1进行详细说明。
40.图1为一实施例的一种光学邻近校正的方法的流程图。
41.请参考图1，所述一种光学邻近校正的方法包括：
42.步骤s100，提供目标版图，所述目标版图包括若干目标图形；
43.步骤s110，对所述目标版图进行若干次光学邻近校正，获取校正版图，所述校正版图包括与目标图形对应的若干校正图形；
44.步骤s120，对所述校正版图进行模拟曝光，获取模拟曝光版图，所述模拟曝光版图包括与校正图形对应的若干曝光图形；
45.步骤s130，对所述模拟曝光版图进行缺陷检测，获取若干第一关键区域，每个所述第一关键区域包括一个缺陷，所述缺陷类型为桥接缺陷，所述缺陷具有对应所述模拟曝光版图中的第一位置信息；
46.步骤s140，在所述校正版图上获取若干第二关键区域，所述第二关键区域和所述第一关键区域位置一一对应，所述第二关键区域内具有与所述第一位置信息对应的第二位置信息；
47.步骤s150，对第n个第二关键区域进行选边处理，根据所述第二位置信息在第n个第二关键区域内设置缺陷标记，获取待移动边；对所述待移动边进行移边处理。
48.在所述一种光学邻近校正的方法中，根据在校正图形上设置的缺陷标记，只进行了一次选边来获取待移动的边。由于整个光学邻近校正的过程包括多个循环，每次循环产生的更新的校正图形位置多变，因此直接在校正图形上进行一次选边容易造成选错或者选漏边，增加了校正的循环次数，导致校正运行时间的增加。
49.为解决所述技术问题，本发明实施例提供了一种光学邻近校正的方法，包括：通过先在所述目标图形上获取所述第一缺陷标记来进行所述第一选边处理，获取第三位置信息，再根据所述第三位置信息在所述第一校正图形上获取所述第二缺陷标记来进行第二选边处理，获取所述待移动边。由于所述目标图形的位置固定，而所述第一校正图形的位置多变，直接通过所述第一缺陷标记在所述第一校正图形上无法选中待移动边的概率大。而本发明的两次选边技术，首先选中固定的目标图形，再通过目标图形选中第一校正图形。由于第一校正图形是由目标图形和目标图形附近的环境决定的，因此第一校正图形与目标图形在相对位置上不会那么多变，从而在固定的目标图形上第一次选到的边位置更加接近在所述第一校正图形上的待移动边。因此本发明提升了选边的准确率，从而提升了修复缺陷的准确率，减少了光学邻近校正的循环次数，降低了光学邻近校正的整体运行时间。
50.为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
51.图2是本发明一实施例的一种光学邻近校正的方法的流程图。
52.请参考图2，所述一种光学邻近校正的方法包括：
53.步骤s200，提供目标版图，所述目标版图包括若干目标图形；
54.步骤s210，对所述目标版图进行若干次第一光学邻近校正，获取第一校正版图，所述第一校正版图包括与目标图形对应的若干第一校正图形；
55.步骤s220，对所述第一校正版图进行模拟曝光，获取模拟曝光版图，所述模拟曝光版图包括与第一校正图形对应的若干曝光图形；
56.步骤s230，对所述模拟曝光版图进行缺陷检测，获取若干第一关键区域，每个所述第一关键区域包括一个缺陷，所述缺陷类型为桥接缺陷，所述缺陷具有对应所述模拟曝光版图中的第一位置信息；
57.步骤s240，在所述目标版图上获取若干第二关键区域，所述第二关键区域和所述第一关键区域位置一一对应，所述第二关键区域内具有与所述第一位置信息对应的第二位置信息；
58.步骤s250，在所述第一校正版图上获取若干第三关键区域，所述第三关键区域和所述第一关键区域位置一一对应，所述第三关键区域至少包括部分所述第一校正图形；
59.步骤s260，对第n个第二关键区域进行第一选边处理，根据所述第二位置信息在第n个第二关键区域内设置第一缺陷标记，获取所述第一缺陷标记与所述目标图形边缘相交点的第三位置信息，所述第n个第三关键区域内具有与所述第三位置信息对应的第四位置信息；
60.步骤s270，对第n个第三关键区域进行第二次选边处理，根据所述第四位置信息在第n个第三关键区域设置第二缺陷标记，获取待移动边；对所述待移动边进行移边处理。
61.以下结合附图3至图13进行详细说明。
62.请参考图3，提供目标版图，所述目标版图包括目标图形200；对所述目标版图进行第一光学邻近校正，获取第一校正版图，所述第一校正版图包括与所述目标图形200对应的第一校正图形210；对所述第一校正版图进行模拟曝光，获取所述模拟曝光版图，所述模拟曝光版图包括与所述第一校正图形210对应的所述曝光图形220。
63.所述目标版图是为光刻层设计的版图，所述目标图形200具有最大误差容忍值spec。
64.所述第一校正版图用于后续获取模拟曝光版图以及后续移边处理。
65.所述模拟曝光版图用于后续缺陷检测。
66.通过所述曝光图形220和对应的所述目标图形200进行重合度的对比来判断是否完成校正。理想状态下，所述曝光图形220与所述目标图形200完全重合。所述曝光图形220和所述目标图形200的边缘差别称为边缘误差(epe)。所述边缘误差(epe)是用来衡量光学邻近校正质量的指标。实际校正时，当边缘误差(epe)小于或等于最大误差容忍值spec时，光学邻近校正完成。
67.在本实施例中，所述第一光学邻近校正是一个循环的过程。对所述目标图形进行若干次第一光学邻近校正，获取所述第一校正版图，直至所有所述模拟曝光版图中包含的曝光图形220和对应的所述目标版图中包含的目标图形200的边缘误差(epe)小于或等于所述目标图形200的最大误差容忍值spec为止，这样的目的是为后续的移边处理提供基础。
68.执行步骤s230，对所述模拟曝光版图进行缺陷检测，获取若干第一关键区域，每个所述第一关键区域包括一个缺陷，所述缺陷类型为桥接缺陷。
69.所述桥接缺陷指的是不应接触的相邻电路线条产生接触，会造成短路，影响产量。因此，减少桥接缺陷会降低器件失效率，提升产量。在本实施例中，所述曝光图形220具有可容忍最大距离，当所述曝光图形220相邻的轮廓之间的距离小于所述可容忍最大距离时，则产生所述桥接缺陷。
70.请参考图4，所述第n个第一关键区域包括部分所述曝光图形220，所述第n个第一关键区域包括一个所述桥接缺陷230，所述桥接缺陷230具有对应所述模拟曝光版图中的第一位置信息240。
71.需要说明的是，所述第一位置信息240包含若干个坐标。
72.执行步骤s240，在所述目标版图上获取若干第二关键区域，所述第二关键区域和所述第一关键区域位置一一对应，所述第二关键区域内具有与所述第一位置信息对应的第二位置信息。
73.请参考图6，所述第n个第二关键区域和所述第n个第一关键区域位置一一对应，所述第n个第二关键区域包括部分所述目标图形200，所述第二关键区域内具有与所述第一位
置信息240对应的第二位置信息250。
74.所述第二位置信息250包含若干个坐标。所述第二位置信息250用于后续在所述目标图形200上获取所述第一缺陷标记的中心坐标。
75.执行步骤s250，在所述第一校正版图上获取若干第三关键区域，所述第三关键区域和所述第一关键区域位置一一对应，所述第三关键区域至少包括部分所述第一校正图形。
76.请参考图5，对第n个第二关键区域进行第一选边处理，根据所述第二位置信息在第n个第二关键区域内设置第一缺陷标记，获取所述第一缺陷标记与所述目标图形边缘相交点的第三位置信息，所述第n个第三关键区域内具有与所述第三位置信息对应的第四位置信息。
77.在本实施例中，请参考图5，第一选边处理的方法包括：
78.步骤s261，在所述第n个第二关键区域内的目标图形轮廓上获取距离所述第二位置信息所定义位置距离最短的两个坐标；
79.步骤s262，获取所述距离最短的两个坐标的中点作为所述第一缺陷标记的中心坐标；
80.步骤s263，以所述第一缺陷标记的中心坐标为中心沿着第一方向、第二方向、第三方向和第四方向同时进行延伸，分别形成第一延伸图形、第二延伸图形、第三延伸图形和第四延伸图形；
81.步骤s264，判断所述第一延伸图形、所述第二延伸图形、所述第三延伸图形和所述第四延伸图形中的任意一条延伸图形和所述第n个第二关键区域上的所述目标图形是否相交；
82.步骤s265，当步骤s264条件成立时，把所述第一延伸图形、所述第二延伸图形、所述第三延伸图形和所述第四延伸图形所形成的图形作为所述第一缺陷标记；
83.步骤s266，根据所述第一缺陷标记和所述目标图形边缘相交的点，获取第三位置信息，所述第n个第三关键区域内具有与所述第三位置信息对应的第四位置信息。
84.以下结合附图7至图8对步骤s261至步骤s266进行详细说明。
85.请参考图7，在所述第n个第二关键区域内的所述目标图形200轮廓上获取距离所述第二位置信息250所定义位置距离最短的两个坐标260；获取所述距离最短的两个坐标260的中点作为所述第一缺陷标记的中心坐标270。
86.请参考图8，以所述缺陷标记的中心坐标270为中心沿着第一方向x1、第二方向y1、第三方向x2和第四方向y2同时进行延伸，分别形成第一延伸图形271、第二延伸图形272、第三延伸图形273和第四延伸图形274。所述第一方向x1与所述距离最短的两个坐标260的连线平行；所述第一方向x1和所述第二方向x2相向；所述第三方向y1和所述第四方向y2相向；所述第一方向x1和所述第三方向y1垂直。每次延伸形成的所述第一延伸图形271、所述第二延伸图形272、所述第三延伸图形273和所述第四延伸图形274的长度相同；第i+1次延伸的长度大于第i次延伸的长度，所述i为大于等于1的自然数；所述第一延伸图形271、所述第二延伸图形272、所述第三延伸图形273和所述第四延伸图形274的形状包括：线段或者矩形。
87.在本实施例中，所述曝光图形220具有可容忍最大距离，当所述曝光图形220相邻的轮廓之间的距离小于所述可容忍最大距离时，则产生所述桥接缺陷。在本实施例中，第一
次延伸的的长度为所述可容忍最大距离的一半加2nm。
88.在本实施例中，所述第一延伸图形271、所述第二延伸图形272、所述第三延伸图形273和所述第四延伸图形274的宽度为1纳米。
89.执行步骤s264，判断所述第一延伸图形271、所述第二延伸图形272、所述第三延伸图形273和所述第四延伸图形274中的任意一条延伸图形和所述第n个第二关键区域上的所述目标图形200是否相交。
90.请参考图9，当步骤s264条件成立时，把所述第一延伸图形271、所述第二延伸图形272、所述第三延伸图形273和所述第四延伸图形274所形成的图形作为所述第一缺陷标记280。根据所述第一缺陷标记280和所述目标图形200边缘相交的点，获取第三位置信息290。
91.所述第n个第三关键区域内具有与所述第三位置信息对应的第四位置信息。
92.所述第四位置信息是作为所述第二缺陷标记的中心坐标，用于后续在所述第一校正图形210上进行第二选边处理。
93.请继续参考图5，当步骤s264条件不成立时，重新执行步骤s263。
94.形成所述第一缺陷标记280是一个循环的过程。当所述第一延伸图形271、所述第二延伸图形272、所述第三延伸图形273和所述第四延伸图形274中的没有一条延伸图形和所述第n个第二关键区域上的所述目标图形200相交时，重新进行延伸，直至相交。
95.在所述目标图形200上进行所述第一次选边的目的是因为所述目标图形200的位置不会变化，相对于所述第一校正图形210的位置更加稳定，直接通过所述第一缺陷标记280在所述第一校正图形210上无法选中待移动边的概率大。由于所述第一校正图形210是由所述目标图形200和目标图形200附近的环境决定的，因此所述第一校正图形210与所述目标图形200在相对位置上不会那么多变，从而在固定的目标图形200上第一次选到的边位置更加接近在所述第一校正图形210上的待移动边。
96.请参考图10，对第n个第三关键区域进行第二次选边处理，根据所述第四位置信息在第n个第三关键区域设置第二缺陷标记，获取待移动边；对所述待移动边进行移边处理。
97.在本实施例中，请参考图10，所述第二选边处理的方法包括：
98.步骤s271，以所述第四位置信息为中心沿着第五方向和第六方向同时进行延伸，分别形成第五延伸图形和第六延伸图形；
99.步骤s272，判断当所述第五延伸图形和所述第六延伸图形中的任意一条延伸图形和所述第n个第三关键区域上的所述第一校正图形是否相交；
100.步骤s273，当步骤s272成立时，把所述第五延伸图形和所述第六延伸图形所形成的图形作为所述第二缺陷标记；
101.步骤s274，根据所述第二缺陷标记和所述校正图形边缘相交的边，获取待移动边；
102.步骤s275，对所述待移动边进行移边处理。
103.以下结合附图11至图13对步骤s271至步骤s275进行详细说明。
104.请参考图11，所述第n个第三关键区域和所述第n个第一关键区域位置一一对应，所述第n个第三关键区域包括部分所述第一校正图形210，所述第n个第三关键区域内具有与所述第三位置信息290对应的第四位置信息291。
105.所述第四位置信息291是作为所述第二缺陷标记的中心坐标，用于后续在所述第一校正图形210上进行第二选边处理。
106.请参考图12，以所述第四位置信息291为中心沿着第五方向z1和第六方向z2同时进行延伸，分别形成第五延伸图形292和第六延伸图形293。所述第五方向z1和所述第六方向z2相向；所述第五方向z1和所述第六方向z2平行于所述第三位置信息290和所述第一缺陷标记280的中心坐标270的连线。在本实施例中，第五方向z1为第一方向x1，第六方向z2为第二方向x2。每次延伸形成的所述第五延伸图形292和所述第六延伸图形293的长度相同；第j+1次延伸的长度大于第j次延伸的长度，所述j为大于等于1的自然数；所述第五延伸图形292和所述第六延伸图形293的形状包括：线段或者矩形。
107.在本实施例中，所述第五延伸图形292与所述第六延伸图形293的宽度为1纳米。
108.执行步骤s272，判断当所述第五延伸图形292和所述第六延伸图形293中的任意一条延伸图形和所述第n个第三关键区域上的所述第一校正图形210是否相交。
109.请参考图13，当步骤s272条件成立时，把所述第五延伸图形292和所述第六延伸图形293所形成的图形作为所述第二缺陷标记294。根据所述第二缺陷标记294和所述第一校正图形210边缘相交的边，获取待移动边。获取待移动边的方法包括：所述第二缺陷标记294和所述第一校正图形210边缘相交的边为所述待移动边295。
110.在本实施例中，所述待移动边295的长度为：25纳米至40纳米。
111.请继续参考图10，当步骤s272条件不成立时，重新执行步骤s271。
112.形成所述第二缺陷标记294是一个循环的过程。当所述第五延伸图形292和所述第六延伸图形293中没有一条延伸图形和所述第n个第三关键区域上的所述第一校正图形210相交时，重新进行延伸，直至相交。
113.执行步骤s275，对所述待移动边295进行移边处理。
114.请继续参考图10，在完成对第n个第三关键区域的第一校正图形进行移边处理之后，循环执行图10中的步骤，对第n+1个第三关键区域的第一校正图形进行移边处理，直至完成所有第三关键区域的校正图形的移边处理。
115.请继续参考图2，在完成所有第三关键区域的校正图形的移边处理之后，对移边后的校正图形进行模拟曝光，循环执行图2中的步骤s220至步骤s270，直至在步骤s230中没有检测到桥接缺陷。
116.由于进行了两次选边，在固定的所述目标图形上第一次选到的边位置更加接近在所述第一校正图形上的待移动的边，从而使得在所述第一校正图形上进行的第二次选边准确率更高，不容易选到错误的边或者漏选边,提升了修复缺陷的准确率。因此减少了图2中整个流程的循环次数，降低了光学邻近校正的整体运行时间。
117.虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。