显示面板的像素单元及显示面板的制作方法

1.本技术涉及电池领域，具体涉及一种显示面板的像素单元及显示面板。


背景技术：

2.请参照图1，图1为现有技术的显示面板的像素单元的平面示意图。所述像素单元包括垂直交错的数据线dl'及扫描线(栅极线)sl'、位于所述数据线dl'及扫描线sl'交错处的像素电极元件p'。所述像素电极元件p'包括了主像素电极部(main pixel electrode)m'以及子像素电极部(sub
‑
pixel electrode)s'。
3.上述像素单元的具有大开口率和高穿透率的特点，将氧化铟锡(indium tin oxide,ito)制作的透明主像素电极部m'和子像素电极部s'放在扫描线sl'一侧，并使用自子像素电极部s'向外延伸的连接线90做为主像素电极部m'和数据线dl'之间的屏蔽元件。所述屏蔽元件有两个作用，其中一作用是在所述显示面板呈现低灰阶时屏蔽数据线dl'对液晶的干扰，即避免数据线dl'上方的液晶的旋转被干扰。另一个作用是作为主像素电极部m'和数据线dl'之间的屏蔽层，用以减小二者之间的寄生电容。
4.然而，上述像素单元为了扩大其开口率，并未积极将所述连接线90设计为避免暗态漏光的结构。根据已有的漏光问题，经下板偏光片偏振后的偏振光在掠过数据线dl'的侧边时，其偏振态会发生变化而不再具有下板偏光片决定的偏振态。所述偏振态改变的光线会穿过上偏光片，造成子像素电极部s'与数据线dl'之间的漏光区lk1。因此在图1中的子像素电极部s'侧漏光区需要被遮挡。对于主像素电极部m'而言，子像素电极部s'的连接线90和主像素电极部m'之间的缝隙成为了漏光区lk2，其中的液晶分子在暗态会受到主像素电极部m'和子像素电极部s'电压的差别而不正常的偏转，导致造成暗态漏光，造成显面板的显示品质下降。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供一种显示面板的像素单元及显示面板，以解决现有技术的显示面板的像素单元在数据线和像素电极之间形成有多个漏光区而造成暗态漏光，导致显示面板的显示品质下降的技术问题。
6.在一方面，本技术实施例提供一种显示面板的像素单元，设置为对应于由二扫描线垂直相交于二数据线所形成的一开口区，其特征在于所述像素单元包括：
7.遮光矩阵元件，设置在所述二数据线上方，且包括二平行于所述二数据线的遮光条；以及
8.像素电极且所述像素电极包括：
9.主像素电极部，其中所述主像素电极部具有分别邻近所述二数据线的二侧边；以及
10.子像素电极部，具有二分别邻近所述二数据线的二侧边以及二分别自所述二侧边延伸出的连接线；
11.其中，各所述遮光条遮蔽对应的所述数据线及对应的所述连接线，分别与所述主像素电极部的所述二侧边重叠，且分别与所述子像素电极部的所述二侧边重叠。
12.在本技术一些实施例中，所述子像素电极部的所述两分别朝所述主像素电极部延伸，且所述连接线至少部分重叠于对应的所述数据线；
13.所述主像素电极部的各所述侧边分别与对应的所述连接线之间形成一间距；以及
14.各所述遮光条包括：
15.第一遮光段，遮蔽其中一所述数据线的邻近所述主像素电极部的一段及其中一所述连接线重叠，且与所述主像素电极部的其中一所述侧边重叠；以及
16.第二遮光段，连接所述第一遮光段，遮蔽其中一所述数据线的邻近所述子像素电极部的一段，且与所述子像素电极部的其中一所述侧边重叠。
17.在本技术一些实施例中，所述主像素电极部沿着所述扫描线方向的尺寸小于所述子像素电极部沿着所述扫描线方向的尺寸；
18.其中，所述第一遮光段沿着所述扫描线方向的宽度大于所述第二遮光段沿着所述扫描线方向的宽度。
19.在本技术一些实施例中，所述第二遮光段的沿着所述扫描线方向的所述宽度大于所述数据线的宽度；以及
20.所述第一遮光段沿着所述扫描线方向的所述宽度大于所述连接线沿着所述扫描线方向的宽度及所述间距的总和。
21.在本技术一些实施例中，所述间距在所述数据线所在平面的投影位于所述第一遮光段在所述数据线所在平面的投影中。
22.在本技术一些实施例中，所述遮光矩阵元件为矩形，环绕所述像素电极，且进一步包括二分别遮蔽所述二扫描线的遮光块，且各所述遮光块分别连接于所述二遮光条之间。
23.在另一方面，本技术实施例一种显示面板，包括下基板、上基板以及介于所述下基板与所述上基板之间的液晶层，其中所述下基板包括玻璃基板，以及依次间接或直接层叠设置于所述玻璃基板上的第一金属层、第二金属层、遮光矩阵层、以及透明导电层，所述下基板还包括：
24.二扫描线，由所述第一金属层图案化而成；
25.二数据线，由所述第二金属层图案化而成，垂直相交于所述扫描线，其中在所述二扫描线与所述二数据线之间形成一开口区；
26.遮光矩阵元件，由所述遮光矩阵层图案化而成，设置为对应于所述二数据线上方，且包括二平行于所述二数据线的遮光条；以及
27.像素电极，由所述透明导电层图案化而成，设置为对应于所述开口区，位于所述遮光矩阵层上方，且包括：
28.主像素电极部，其中所述主像素电极部具有分别邻近所述二数据线的二侧边；以及
29.子像素电极部，具有二分别邻近所述二数据线的二侧边以及二分别自所述二侧边延伸出的连接线；
30.其中，所述二遮光条分别遮蔽所述二数据线，分别与所述主像素电极部的所述二侧边重叠，且分别与所述子像素电极部的所述二侧边重叠。
31.在本技术一些实施例中，所述子像素电极部的所述两连接线分别朝所述主像素电极部延伸，且所述连接线至少部分重叠于对应的所述数据线；
32.所述主像素电极部的各所述侧边分别与对应的所述连接线之间形成一间距；以及
33.各所述遮光条包括：
34.第一遮光段，遮蔽其中一所述数据线的邻近所述主像素电极部的一段及其中一所述连接线，且与所述主像素电极部的其中一所述侧边重叠；以及
35.第二遮光段，连接所述第一遮光段，遮蔽其中一所述数据线的邻近所述子像素电极部的一段，且与所述子像素电极部的其中一所述侧边重叠。
36.在本技术一些实施例中，所述主像素电极部沿着所述扫描线方向的宽度小于所述子像素电极部沿着所述扫描线方向的宽度；
37.其中，所述第一遮光段沿着所述扫描线方向的宽度大于所述第二遮光段沿着所述扫描线方向的宽度。
38.在本技术一些实施例中，所述第二遮光段的沿着所述扫描线方向的所述宽度大于所述数据线的宽度；以及
39.所述第一遮光段沿着所述扫描线方向的所述宽度大于所述连接线沿着所述扫描线方向的宽度及所述间距的总和。
40.本技术具有至少下列优点：
41.本技术提供的显示面板的像素单元及显示面板，其中数据线上覆盖遮光矩阵元件，所述遮光矩阵元件的二遮光条分别遮蔽所述二数据线，各遮光条包括了第一遮光段以及第二遮光段，所述第一遮光段与主像素电极部侧边重叠，且与子像素电极部的连接线重叠，所述第二遮光段与所述子像素电极部的侧边重叠，且所述第一遮光段宽度大于所述第二遮光段宽度。本技术通过上述的遮光条技术手段，有效遮蔽了数据线与像素电极之间的漏光区，避免显示面板的光线从非预期的方向泄漏出去而造成暗态漏光，解决现有技术的显示面板的像素单元在数据线和像素电极之间形成有多个漏光区而造成暗态漏光，导致显示面板的显示品质下降的技术问题，进而提升了显示品质。
附图说明
42.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
43.图1是现有技术的显示面板的像素单元的平面示意图；
44.图2是本技术实施例提供的显示面板的像素单元的平面示意图，其中遮光矩阵元件以虚线标示以清晰示出元件之间的相对关系；
45.图3是本技术实施例提供的显示面板的像素单元的数据线及遮光矩阵元件平面示意图；以及
46.图4是本技术实施例提供的显示面板的立体分解示意图。
具体实施方式
47.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
48.本技术实施例提供一种显示面板的像素单元及显示面板，以解决现有技术的显示面板的像素单元在数据线dl和像素电极p之间形成有多个漏光区而造成暗态漏光，导致显示面板的显示品质下降的技术问题。
49.请参照图2及图3本技术实施例提供一种显示面板的像素单元设置为对应于由二扫描线sl垂直相交于二数据线dl所形成的一开口区，所述像素单元包括：遮光矩阵元件30、以及像素电极p。
50.所述遮光矩阵元件30设置在所述二数据线dl上方，且包括二平行于所述二数据线dl的遮光条35。
51.所述像素电极p包括：主像素电极部m以及子像素电极部s。
52.所述主像素电极部m具有分别邻近所述二数据线dl的二侧边11。
53.所述子像素电极部s具有二分别邻近所述二数据线dl的二侧边21以及二分别自所述二侧边21延伸出的连接线23。
54.各所述遮光条35遮蔽对应的所述数据线dl及对应的所述连接线23，分别与所述主像素电极部m的所述二侧边11重叠，且分别与所述子像素电极部s的所述二侧边21重叠。
55.为了考虑在显示面板的上基板与下基板之间的对位容差(tolerance)的预留的宽度，所述遮光条35的宽度必须宽到足以与所述主像素电极部m的所述二侧边11重叠且分别与所述子像素电极部s的所述二侧边21。藉此，在上基板与下基板因为精度不足而无法完全对位时，足够宽的所述遮光条35仍可有效邻接所述主像素电极部m的所述二侧边11以及所述子像素电极部s的所述二侧边21，达成对漏光区域的良好遮光效果。
56.在本技术一些实施例中，所述子像素电极部s的所述两连接线23分别朝所述主像素电极部延伸，且所述连接线23至少部分重叠于对应的所述数据线dl。所述主像素电极部m的各所述侧边11分别与对应的所述连接线23之间形成一间距g。各所述遮光条35包括第一遮光段351以及第二遮光段353。
57.所述第一遮光段351遮蔽其中一所述数据线dl的邻近所述主像素电极部m的一段及其中一所述连接线23，且与所述主像素电极部m的其中一所述侧边11重叠。
58.所述第二遮光段353连接所述第一遮光段351，遮蔽其中一所述数据线dl的邻近所述子像素电极部s的一段，且与所述子像素电极部s的其中一所述侧边21重叠。
59.在本技术一些实施例中，所述主像素电极部m沿着所述扫描线sl方向的尺寸小于所述子像素电极部s沿着所述扫描线sl方向的尺寸。所述第一遮光段351沿着所述扫描线sl方向的宽度w1大于所述第二遮光段353沿着所述扫描线sl方向的宽度w2。
60.在本技术一些实施例中，所述第二遮光段353的沿着所述扫描线sl方向的所述宽
度w2大于所述数据线dl的宽度。所述第一遮光段351沿着所述扫描线sl方向的所述宽度w1大于所述连接线23沿着所述扫描线sl方向的宽度及所述间距g的总和。
61.在本技术一些实施例中，所述间距g在所述数据线dl所在平面的投影位于所述第一遮光段351在所述数据线dl所在平面的投影中。
62.在本技术一些实施例中，所述遮光矩阵元件30为矩形，环绕所述像素电极p，且进一步包括二分别遮蔽所述二扫描线sl的遮光块31、32，且各所述遮光块31、32分别连接于所述二遮光条35之间。
63.请参照图4，在另一方面，本技术实施例一种显示面板，包括下基板1、上基板2以及介于所述下基板1与之间所述上基板2的液晶层lc，其中所述下基板包括玻璃基板50，以及依次间接或直接层叠设置于所述玻璃基板50上的第一金属层m1、第二金属层m2、遮光矩阵层bm、以及透明导电层60，所述下基板1还包括：二扫描线sl、二数据线dl、遮光矩阵元件30、以及像素电极p。
64.所述二扫描线sl由所述第一金属层m1图案化而成。
65.所述二数据线dl由所述第二金属层m2图案化而成，垂直相交于所述扫描线sl，其中在所述二扫描线sl与所述二数据线dl之间形成一开口区。
66.所述遮光矩阵元件30，由所述遮光矩阵层bm图案化而成，设置在所述二数据线dl上方，且包括二平行于所述二数据线dl的遮光条35。具体的，所述遮光矩阵层bm的材料包括黑色光阻或金属。金属材质的所述遮光矩阵层bm除了具有遮光的效果，还可具有电性屏蔽的作用。
67.所述像素电极p由所述透明导电层60图案化而成，设置为对应于所述开口区，位于所述遮光矩阵层bm上方，且包括主像素电极部m以及子像素电极部s。所述透明导电层60的材料可为氧化铟锡(indium tin oxide,ito)。
68.所述主像素电极部m具有分别邻近所述二数据线dl的二侧边11。
69.所述子像素电极部s具有二分别邻近所述二数据线dl的二侧边21以及二分别自所述二侧边21延伸出的连接线23。
70.所述二遮光条35分别遮蔽所述二数据线dl，分别与所述主像素电极部m的所述二侧边11重叠，且分别与所述子像素电极部s的所述二侧边21重叠。
71.为了考虑在显示面板的上基板与下基板之间的对位容差(tolerance)的预留的宽度，所述遮光条35的宽度必须宽到足以与所述主像素电极部m的所述二侧边11重叠且分别与所述子像素电极部s的所述二侧边21。藉此，在上基板与下基板因为精度不足而无法完全对位时，足够宽的所述遮光条35仍可有效邻接所述主像素电极部m的所述二侧边11以及所述子像素电极部s的所述二侧边21，达成对漏光区域的良好遮光效果。
72.在本技术一些实施例中，所述子像素电极部s的所述两连接线23分别朝所述主像素电极部m延伸，且所述连接线23至少部分重叠于对应的所述数据线dl。所述主像素电极部m的各所述侧边11分别与对应的所述连接线23之间形成一间距g。各所述遮光条35包括第一遮光段351以及第二遮光段353。
73.所述第一遮光段351遮蔽其中一所述数据线dl的邻近所述主像素电极部m的一段及其中一所述连接线23，且与所述主像素电极部m的其中一所述侧边重叠。
74.所述第二遮光段353连接所述第一遮光段351，遮蔽其中一所述数据线dl的邻近所
述子像素电极部s的一段，且与所述子像素电极部s的其中一所述侧边21重叠。
75.在本技术一些实施例中，所述主像素电极部m沿着所述扫描线sl方向的尺寸小于所述子像素电极部s沿着所述扫描线sl方向的尺寸。所述第一遮光段351沿着所述扫描线sl方向的宽度w1大于所述第二遮光段353沿着所述扫描线sl方向的宽度w2。
76.在本技术一些实施例中，所述第二遮光段353的沿着所述扫描线sl方向的所述宽度w2大于所述数据线dl的宽度。所述第一遮光段351沿着所述扫描线sl方向的所述宽度w1大于所述连接线23沿着所述扫描线sl方向的宽度及所述间距g的总和。
77.详细而言，本技术实施例提供所述显示面板的下基板1还包括：绝缘层gi、半导体层(图中未示)、第一钝化层pv1、彩色光阻层cf、以及第二钝化层pv2。所述玻璃基板50、所述第一金属层m1、所述绝缘层gi、所述半导体层、所述第二金属层m2、所述第一钝化层pv1、所述彩色光阻层cf、所述第二钝化层pv2、所述遮光矩阵层bm、以及所述透明导电层60依序叠设以构成所述下基板1。
78.本技术具有至少下列优点：
79.本技术提供的显示面板的像素单元及显示面板，其中数据线dl上覆盖遮光矩阵元件30，所述遮光矩阵元件30的二遮光条35分别遮蔽所述二数据线dl，各遮光条35包括了第一遮光段351以及第二遮光段353，所述第一遮光段351与主像素电极部m侧边11重叠，且与子像素电极部s的连接线23重叠，所述第二遮光段353与所述子像素电极部s的侧边21重叠，且所述第一遮光段351宽度大于所述第二遮光段353宽度。本技术通过上述的遮光条35技术手段，有效遮蔽了数据线dl与像素电极p之间的漏光区，避免显示面板的光线从非预期的方向泄漏出去而造成暗态漏光，解决现有技术的显示面板的像素单元在数据线dl和像素电极p之间形成有多个漏光区而造成暗态漏光，导致显示面板的显示品质下降的技术问题，进而提升了显示品质。
80.以上对本技术实施例所提供的显示面板的像素单元及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。