半透半反显示装置及其制作方法与流程

1.本技术涉及显示器件技术领域，尤其涉及一种半透半反显示装置及其制作方法。


背景技术：

2.tft-lcd(即薄膜晶体管液晶显示器)因其物美价廉、质量轻、携带方便、使用寿命长、画面清晰及可靠度高等优点，备受人们的欢迎。tft-lcd产品在我们的日常生活中随处可见，大至商业广告，小至智能手表。因其可靠度高，也大量用于军工行业，例如航天航空等。
3.随着社会科学技术的进步以及人们生活品质的提高，特别是应用场景的拓展，人们对显示屏提出了更多、更高的要求。显示屏由起初的简单显示到现在的可读写、可互动以及高响应速度、高色域、高对比度、低功耗等等。显示的这些高要求，促使面板厂商不断科技创新，寻求新的解决方案来满足消费者的需求。
4.低功耗是目前显示屏的追求目标。为了达到低功耗的目的，各大面板厂纷纷亮出了各自的技术武器。各式各样的低功耗显示器面世，例如半透半反显示器、全反射显示器、电子纸显示器、oled(有机发光)显示器、micro led(微发光二极管)显示器等。然而现有技术的半透半反显示器中通过设置半透半反层实现半透半反特性，尽管可以降低功耗，但是屏幕的穿透率有所降低。


技术实现要素：

5.本技术提供一种半透半反显示装置及其制作方法，以解决现有技术的半透半反显示装置的穿透率低的问题。
6.一方面，本技术提供一种半透半反显示装置，包括：相对设置的第一阵列基板和第二阵列基板，及设于所述第一阵列基板和所述第二阵列基板的液晶层；
7.所述第一阵列基板包括第一tft背板、设于所述第一tft背板上的微发光二极管芯片、设于所述第一tft背板和所述微发光二极管芯片上的平坦层、设于所述平坦层上的反射层、设于所述平坦层和所述反射层上的色阻层，及设于所述色阻层上的公共电极层；
8.所述反射层上具有暴露出所述微发光二极管芯片的开口；
9.所述第二阵列基板包括第二tft背板，及与设于所述第二tft背板靠近所述液晶层一侧上的像素电极层。
10.在一些可能的实现方式中，所述第一tft背板包括第一衬底、设于所述第一衬底上的第一有源层、设于所述第一有源层上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的第一栅极、设于所述第一衬底、所述第一有源层和所述第一栅极上的第二绝缘层、设于所述第二绝缘层上并间隔设置的第一源极、第一漏极和接触电极；
11.所述第一源极和所述第一漏极连接所述第一有源层；
12.所述微发光二极管芯片分别连接所述第一漏极和所述接触电极。
13.在一些可能的实现方式中，所述第一tft背板还包括设于所述第一衬底上的遮光
层，及设于所述遮光层上的第三绝缘层；
14.所述遮光层位于所述第一有源层的下方，并遮挡所述第一有源层；
15.所述第一有源层和所述第二绝缘层位于所述第三绝缘层上。
16.在一些可能的实现方式中，所述第一源极与所述遮光层连接。
17.在一些可能的实现方式中，所述第二tft背板包括第二衬底、设于所述第二衬底上的第二栅极、设于所述第二衬底和所述第二栅极上的第四绝缘层、设于所述第四绝缘层上的第二有源层、第二源极和第二漏极，及设于所述第二有源层、所述第二源极和所述第二漏极上的第五绝缘层；
18.所述第二源极和所述第二漏极与所述第二有源层连接；
19.所述像素电极层位于所述第五绝缘层上并与所述第二漏极连接。
20.另一方面，本技术还提供一种半透半反显示装置的制作方法，包括：
21.提供第一tft背板，在所述第一tft背板上制作微发光二极管芯片；
22.在所述第一tft背板和所述微发光二极管芯片上制作平坦层；
23.在所述平坦层上制作反射层，并对所述反射层图案化处理，使所述反射层上具有暴露出所述微发光二极管芯片的开口；
24.在所述平坦层和所述反射层上制作色阻层；
25.在所述色阻层上制作公共电极层，以形成第一阵列基板；
26.提供第二tft背板，在所述第二tft背板上制作像素电极层，以形成第二阵列基板；
27.将所述第一阵列基板和所述第二阵列基板对组成盒，向所述第一阵列基板和所述第二阵列基板之间注入液晶。
28.在一些可能的实现方式中，所述第一tft背板包括第一衬底、设于所述第一衬底上的第一有源层、设于所述第一有源层上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的第一栅极、设于所述第一衬底、所述第一有源层和所述第一栅极上的第二绝缘层、设于所述第二绝缘层上并间隔设置的第一源极、第一漏极和接触电极；
29.所述第一源极和所述第一漏极连接所述第一有源层；
30.所述微发光二极管芯片分别连接所述第一漏极和所述接触电极。
31.在一些可能的实现方式中，所述第一tft背板还包括设于所述第一衬底上的遮光层，及设于所述遮光层上的第三绝缘层；
32.所述遮光层位于所述第一有源层的下方，并遮挡所述第一有源层；
33.所述第一有源层和所述第二绝缘层位于所述第三绝缘层上。
34.在一些可能的实现方式中，所述第一源极与所述遮光层连接。
35.在一些可能的实现方式中，所述第二tft背板包括第二衬底、设于所述第二衬底上的第二栅极、设于所述第二衬底和所述第二栅极上的第四绝缘层、设于所述第四绝缘层上的第二有源层、第二源极和第二漏极，及设于所述第二有源层、所述第二源极和所述第二漏极上的第五绝缘层；
36.所述第二源极和所述第二漏极与所述第二有源层连接；
37.所述像素电极层位于所述第五绝缘层上并与所述第二漏极连接。
38.本技术提供的半透半反显示装置包括：相对设置的第一阵列基板和第二阵列基板，及设于第一阵列基板和第二阵列基板的液晶层。第一阵列基板包括第一tft背板、设于
第一tft背板上的微发光二极管芯片、设于第一tft背板和微发光二极管芯片上的平坦层、设于平坦层上的反射层、设于平坦层和反射层上的色阻层，及设于色阻层上的公共电极层。第二阵列基板包括第二tft背板，及与设于第二tft背板靠近液晶层一侧上的像素电极层。反射层上具有暴露出微发光二极管芯片的开口，当半透半反显示装置的工作状态为反射模式时，微发光二极管芯片不工作，通过反射层反射外部环境光，使外部环境光再经过色阻层、液晶层和第二阵列基板出射，以使半透半反显示装置正常显示，并且微发光二极管芯片的体积很小，使反射层上的开口的面积也很小，从而可以增加反射层反射外部环境光的面积，以提高半透半反显示装置的反射率。当半透半反显示装置的工作状态为透射模式时，微发光二极管芯片开始工作，从开口射出光线，同时反射层反射外部环境光，使光线和外部环境光再经过色阻层、液晶层和第二阵列基板出射，以使半透半反显示装置正常显示，并且微发光二极管芯片发出的光线无需经过现有技术的半透半反层，可以提高半透半反显示装置的穿透率。
附图说明
39.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
40.图1是本技术一实施例提供的半透半反显示装置的示意图；
41.图2是本技术一实施例提供的半透半反显示装置的光线的示意图；
42.图3是本技术一实施例提供的半透半反显示装置的反射层的示意图；
43.图4是本技术一实施例提供的半透半反显示装置的色阻层的示意图；
44.图5是本技术一实施例提供的半透半反显示装置的制作方法的流程图；
45.图6是本技术一实施例提供的半透半反显示装置的制作方法的示意图。
具体实施方式
46.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
47.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
48.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相
连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
49.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
50.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
51.请参考图1至图4，本技术实施例提供一种半透半反显示装置，包括：相对设置的第一阵列基板1和第二阵列基板2，及设于第一阵列基板1和第二阵列基板2的液晶层3；
52.第一阵列基板1包括第一tft背板11、设于第一tft背板11上的微发光二极管芯片12、设于第一tft背板11和微发光二极管芯片12上的平坦层13、设于平坦层13上的反射层14、设于平坦层13和反射层14上的色阻层15，及设于色阻层15上的公共电极层16；
53.反射层14上具有暴露出微发光二极管芯片12的开口141；
54.第二阵列基板2包括第二tft背板21，及与设于第二tft背板21靠近液晶层3一侧上的像素电极层22。
55.需要说明的是，像素电极层22和公共电极层16为液晶层3提供偏转电场。第一tft背板11与微发光二极管芯片12连接，以控制微发光二极管芯片12的发光。反射层14上具有暴露出微发光二极管芯片12的开口141指的是，反射层14的开口141位于微发光二极管芯片12的正上方，也就是使微发光二极管芯片12在平坦层13上的正投影位于反射层14的开口141在平坦层13上的正投影内部，从而使反射层14不会遮挡微发光二极管芯片12发出的光线。当半透半反显示装置的工作状态为反射模式时，微发光二极管芯片12不工作，通过反射层14反射外部环境光(即反射光)，使外部环境光再经过色阻层15、液晶层3和第二阵列基板2出射，以使半透半反显示装置正常显示，并且微发光二极管芯片12的体积很小(微发光二极管芯片12为微米级别的发光二极管)，使反射层14上的开口141的面积也很小，从而可以增加反射层14反射外部环境光的面积，以提高半透半反显示装置的反射率。当半透半反显示装置的工作状态为透射模式时，微发光二极管芯片12开始工作，从开口141射出光线(即透射光)，该微发光二极管芯片12相当于现有技术的背光模组，以提供光源，同时反射层14反射外部环境光，使透射光和外部环境光再经过色阻层15、液晶层3和第二阵列基板2出射，以使半透半反显示装置正常显示，并且微发光二极管芯片12发出的光线无需经过现有技术的半透半反层，可以提高半透半反显示装置的穿透率。综上所述，本技术通过将微发光二极
管芯片12和液晶显示器相结合，不仅可以实现半透半反显示，可以在透射模式和反射模式中切换，降低半透半反显示装置的功耗，还具有更高的反射率和透射率。
56.此外，相比于现有技术的全反射显示器以及电子纸显示器无法在黑暗或弱光条件下使用，本技术半透半反显示装置可以在黑暗或弱光条件下使用。并且相比于现有技术的oled显示器无法实现反射显示，本技术的半透半反显示装置不仅可以实现反射显示且功耗更低。
57.本技术实施例对于半透半反显示装置的适用不做具体限制，其可以是电视机、笔记本电脑、平板电脑、可穿戴显示设备(如智能手环、智能手表等)、手机、虚拟现实设备、增强现实设备、车载显示、广告灯箱等任何具有显示功能的产品或部件。
58.在一些实施例中，请参考图3和图4，一个微发光二极管芯片12对应一个子像素100，则位于一个微发光二极管芯片12上方的色阻层15为红色、绿色和蓝色中的一种。第一阵列基板1上可以具有阵列排布的多个微发光二极管芯片12和多个色阻层15，以形成多个阵列排布的多个子像素100。则反射层14上具有多个开口141，每个开口141暴露一个微发光二极管芯片12。
59.在一些实施例中，反射层14可以为能够反光的银、钼、铝、铜、铬、钨、钛及钽等金属或合金。
60.在一些实施例中，请参考图1和图2，第一tft背板11包括第一衬底111、设于第一衬底111上的第一有源层112、设于第一有源层112上的第一绝缘层113、设于第一绝缘层113上的第一栅极114、设于第一衬底111、第一有源层112和第一栅极114上的第二绝缘层115、设于第二绝缘层115上并间隔设置的第一源极116、第一漏极117和接触电极118。第一源极116和第一漏极117连接第一有源层112。即第一tft背板11为顶栅结构，第一有源层112、第一栅极114、第一源极116和第一漏极117构成第一tft。微发光二极管芯片12分别连接第一漏极117和接触电极118，即微发光二极管芯片12的正电极可以连接第一漏极117，第一漏极117给正电极提供高电位，微发光二极管芯片12的负电极可以连接接触电极118，接触电极118给负电极提供低电位，从而控制微发光二极管芯片12发光，以使半透半反显示装置的工作状态为透射模式。
61.此外，第一tft背板11还可以根据实际情况设置为底栅结构或双栅结构，本技术在此不做限制。
62.在该实施例中，请参考图1和图2，第一tft背板11还包括设于第二绝缘层115、第一源极116、第一漏极117和接触电极118上的钝化层119，钝化层119上具有暴露出第一漏极117和接触电极118的两个过孔，微发光二极管芯片12通过两个过孔分别连接第一漏极117和接触电极118。平坦层13覆盖钝化层119和微发光二极管芯片12。
63.在该实施例中，请参考图1和图2，第一tft背板11还包括设于第一衬底111上的遮光层1110，及设于遮光层1110上的第三绝缘层1111。遮光层1110位于第一有源层112的下方，并遮挡第一有源层112。第一有源层112和第二绝缘层115位于第三绝缘层1111上。即第一有源层112在第三绝缘层1111上的正投影位于遮光层1110在第三绝缘层1111上的正投影中，使遮光层1110完全遮挡第一有源层112，防止外部环境光照射第一有源层112，避免第一tft的阈值电压产生漂移现象，可以显著改善第一tft的光照稳定性。
64.此外，遮光层1110的面积可以大于第一有源层112的面积，以进一步提高遮光效
果。
65.在该实施例中，遮光层1110可以为能够反光的银、钼、铝、铜、铬、钨、钛及钽等金属或合金。
66.在该实施例中，请参考图1和图2，第一源极116与遮光层1110连接。即第二绝缘层115和第三绝缘层1111上具有暴露出遮光层1110的过孔，第一源极116通过该过孔连接遮光层1110。若遮光层1110不与第一源极116连接，则遮光层1110设置在有源层下方会产生浮栅效应，即遮光层1110相当于一个底栅极存在，遮光层1110容易受到其它带电结构层上的电压影响，从而携带上各种电压，使遮光层1110具有变化不定的电压，导致第一tft在工作时其阈值电压会不断变化，导致第一tft工作不稳定。因此，本技术将第一源极116连接遮光层1110，可以使遮光层1110上产生稳定的电压，避免产生浮栅效应，从而有效提升第一tft的工作稳定性，进而提高微发光二极管芯片12的工作稳定性。
67.在一些实施例中，请参考图1和图2，第一阵列基板1还包括设于公共电极层16上的隔离柱17，通过隔离柱17来保持第一阵列基板1和第二阵列基板2之间的盒厚。此外，第一阵列基板1和第二阵列基板2之间还设有封装胶4，以封装第一阵列基板1和第二阵列基板2。
68.在一些实施例中，请参考图1和图2，第二tft背板21包括第二衬底211、设于第二衬底211上的第二栅极212、设于第二衬底211和第二栅极212上的第四绝缘层213、设于第四绝缘层213上的第二有源层214、第二源极215和第二漏极216，及设于第二有源层214、第二源极215和第二漏极216上的第五绝缘层217。第二源极215和第二漏极216与第二有源层214连接。像素电极层22位于第五绝缘层217上并与第二漏极216连接。
69.即第二tft背板21为底栅结构，第二栅极212、第二有源层214、第二源极215和第二漏极216构成第二tft，第二栅极212可以位于第二有源层214的下方，并遮挡第二有源层214，防止外部环境光照射第二有源层214，避免第二tft的阈值电压产生漂移现象，可以显著改善第二tft的光照稳定性。并且第二tft与像素电极层22连接，第二tft用于控制液晶层3的偏转，也就是说，第一tft背板11控制微发光二极管芯片12，第二tft控制液晶层3的偏转，以实现半透半反显示装置的半透半反显示。
70.请参阅图5和图6，基于上述的半透半反显示装置，本技术实施例还提供一种半透半反显示装置的制作方法，包括：
71.步骤s1、提供第一tft背板11，在第一tft背板11上制作微发光二极管芯片12；
72.步骤s2、在第一tft背板11和微发光二极管芯片12上制作平坦层13；
73.步骤s3、在平坦层13上制作反射层14，并对反射层14图案化处理，使反射层14上具有暴露出微发光二极管芯片12的开口141；
74.步骤s4、在平坦层13和反射层14上制作色阻层15；
75.步骤s5、在色阻层15上制作公共电极层16，以形成第一阵列基板1；
76.步骤s6、提供第二tft背板21，在第二tft背板21上制作像素电极层22，以形成第二阵列基板2；
77.步骤s7、将第一阵列基板1和第二阵列基板2对组成盒，向第一阵列基板1和第二阵列基板2之间注入液晶。
78.需要说明的是，像素电极层22和公共电极层16为液晶层3提供偏转电场。第一tft背板11与微发光二极管芯片12连接，以控制微发光二极管芯片12的发光。反射层14上具有
暴露出微发光二极管芯片12的开口141指的是，反射层14的开口141位于微发光二极管芯片12的正上方，也就是使微发光二极管芯片12在平坦层13上的正投影位于反射层14的开口141在平坦层13上的正投影内部，从而使反射层14不会遮挡微发光二极管芯片12发出的光线。当半透半反显示装置的工作状态为反射模式时，微发光二极管芯片12不工作，通过反射层14反射外部环境光，使外部环境光再经过色阻层15、液晶层3和第二阵列基板2出射，以使半透半反显示装置正常显示，并且微发光二极管芯片12的体积很小(微发光二极管芯片12为微米级别的发光二极管)，使反射层14上的开口141的面积也很小，从而可以增加反射层14反射外部环境光的面积，以提高半透半反显示装置的反射率。当半透半反显示装置的工作状态为透射模式时，微发光二极管芯片12开始工作，从开口141射出光线(即微发光二极管芯片12相当于现有技术的背光模组，以提供光源)，同时反射层14反射外部环境光，使透射光和外部环境光再经过色阻层15、液晶层3和第二阵列基板2出射，以使半透半反显示装置正常显示，并且微发光二极管芯片12发出的光线无需经过现有技术的半透半反层，可以提高半透半反显示装置的穿透率。综上所述，本技术通过将微发光二极管芯片12和液晶显示器相结合，不仅可以实现半透半反显示，可以在透射模式和反射模式中切换，降低半透半反显示装置的功耗，还具有更高的反射率和透射率。
79.此外，相比于现有技术的全反射显示器以及电子纸显示器无法在黑暗或弱光条件下使用，本技术半透半反显示装置可以在黑暗或弱光条件下使用。并且相比于现有技术的oled显示器无法实现反射显示，本技术的半透半反显示装置不仅可以实现反射显示且功耗更低。
80.在一些实施例中，步骤s1中，可以采用巨量转移工艺在第一tft背板11上制作微发光二极管芯片12。巨量转移工艺指的是按照既定图案，将多个微发光二极管芯片12转移到第一tft背板11上，以形成特定形状的阵列。
81.在一些实施例中，步骤s3中，对反射层14图案化处理，包括：在反射层14上制作一层光阻层，对光阻层进行黄光工艺，使光阻层暴露出位于微发光二极管芯片12正上方的部分反射层14，再对部分反射层14进行刻蚀，以形成暴露出微发光二极管芯片12的开口141。
82.在一些实施例中，请参考图6，第一tft背板11包括第一衬底111、设于第一衬底111上的第一有源层112、设于第一有源层112上的第一绝缘层113、设于第一绝缘层113上的第一栅极114、设于第一衬底111、第一有源层112和第一栅极114上的第二绝缘层115、设于第二绝缘层115上并间隔设置的第一源极116、第一漏极117和接触电极118。第一源极116和第一漏极117连接第一有源层112。即第一tft背板11为顶栅结构，第一有源层112、第一栅极114、第一源极116和第一漏极117构成第一tft。微发光二极管芯片12分别连接第一漏极117和接触电极118，即微发光二极管芯片12的正电极可以连接第一漏极117，第一漏极117给正电极提供高电位，微发光二极管芯片12的负电极可以连接接触电极118，接触电极118给负电极提供低电位，从而控制微发光二极管芯片12发光，以使半透半反显示装置的工作状态为透射模式。
83.此外，第一tft背板11还可以根据实际情况设置为底栅结构或双栅结构，本技术在此不做限制。
84.在该实施例中，请参考图6，第一tft背板11还包括设于第二绝缘层115、第一源极116、第一漏极117和接触电极118上的钝化层119，钝化层119上具有暴露出第一漏极117和
接触电极118的两个过孔，微发光二极管芯片12通过两个过孔分别连接第一漏极117和接触电极118。平坦层13覆盖钝化层119和微发光二极管芯片12。
85.在该实施例中，请参考图6，第一tft背板11还包括设于第一衬底111上的遮光层1110，及设于遮光层1110上的第三绝缘层1111。遮光层1110位于第一有源层112的下方，并遮挡第一有源层112。第一有源层112和第二绝缘层115位于第三绝缘层1111上。即第一有源层112在第三绝缘层1111上的正投影位于遮光层1110在第三绝缘层1111上的正投影中，使遮光层1110完全遮挡第一有源层112，防止外部环境光照射第一有源层112，避免第一tft的阈值电压产生漂移现象，可以显著改善第一tft的光照稳定性。
86.此外，遮光层1110的面积可以大于第一有源层112的面积，以进一步提高遮光效果。
87.在该实施例中，遮光层1110可以为能够反光的银、钼、铝、铜、铬、钨、钛及钽等金属或合金。
88.在该实施例中，请参考图6，第一源极116与遮光层1110连接。即第二绝缘层115和第三绝缘层1111上具有暴露出遮光层1110的过孔，第一源极116通过该过孔连接遮光层1110。若遮光层1110不与第一源极116连接，则遮光层1110设置在有源层下方会产生浮栅效应，即遮光层1110相当于一个底栅极存在，遮光层1110容易受到其它带电结构层上的电压影响，从而携带上各种电压，使遮光层1110具有变化不定的电压，导致第一tft在工作时其阈值电压会不断变化，导致第一tft工作不稳定。因此，本技术将第一源极116连接遮光层1110，可以使遮光层1110上产生稳定的电压，避免产生浮栅效应，从而有效提升第一tft的工作稳定性，进而提高微发光二极管芯片12的工作稳定性。
89.在一些实施例中，请参考图6，步骤s5中，在色阻层15上制作公共电极层16之后，还在公共电极层16上制作隔离柱17，通过隔离柱17来保持第一阵列基板1和第二阵列基板2之间的盒厚。此外，步骤s7中，还将封装胶4设于第一阵列基板1和第二阵列基板2之间，以封装第一阵列基板1和第二阵列基板2。
90.在一些实施例中，请参考图6，第二tft背板21包括第二衬底211、设于第二衬底211上的第二栅极212、设于第二衬底211和第二栅极212上的第四绝缘层213、设于第四绝缘层213上的第二有源层214、第二源极215和第二漏极216，及设于第二有源层214、第二源极215和第二漏极216上的第五绝缘层217。第二源极215和第二漏极216与第二有源层214连接。像素电极层22位于第五绝缘层217上并与第二漏极216连接。
91.即第二tft背板21为底栅结构，第二栅极212、第二有源层214、第二源极215和第二漏极216构成第二tft，第二栅极212可以位于第二有源层214的下方，并遮挡第二有源层214，防止外部环境光照射第二有源层214，避免第二tft的阈值电压产生漂移现象，可以显著改善第二tft的光照稳定性。并且第二tft与像素电极层22连接，第二tft用于控制液晶层3的偏转，也就是说，第一tft背板11控制微发光二极管芯片12，第二tft控制液晶层3的偏转，以实现半透半反显示装置的半透半反显示。
92.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
93.以上对本技术实施例所提供的一种半透半反显示装置及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术实施例的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术实施例的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。