裸眼3D显示装置的制作方法

文档序号:27201018发布日期:2021-11-03 13:38阅读:283来源:国知局
裸眼3D显示装置的制作方法
裸眼3d显示装置
技术领域
1.本技术涉及裸眼3d技术领域,具体涉及一种裸眼3d显示装置。


背景技术:

2.目前的裸眼3d技术主要采用透镜的技术实现的,液晶柱镜具备2d/3d切换的功能,从而被广泛的采纳,而裸眼3d技术的交互依旧发展迟缓。
3.因此,现有裸眼3d显示装置存在远程交互难的技术问题。


技术实现要素:

4.本技术实施例提供一种裸眼3d显示装置,可以缓解现有裸眼3d显示装置存在远程交互难的技术问题。
5.本技术实施例提供一种裸眼3d显示装置,包括:
6.显示面板;
7.液晶柱镜,所述液晶柱镜设置在所述显示面板的一侧,所述液晶柱镜包括液晶光栅;
8.其中,所述液晶柱镜还包括光控传感器,所述光控传感器集成设置在所述液晶光栅的一侧。
9.可选的,在本技术的一些实施例中,所述光控传感器为2t1c的结构,所述光控传感器包括储存电容、一光感晶体管、一开关晶体管。
10.可选的,在本技术的一些实施例中,所述光控传感器包括衬底、以及设置在所述衬底上的第一金属层,所述第一金属层包括所述光感晶体管和所述开关晶体管。
11.可选的,在本技术的一些实施例中,所述光控传感器还包括设置在所述第一金属层上的层间绝缘层,所述层间绝缘层上设置有半导体有源层,所述半导体有源层上设置有第二金属层。
12.可选的,在本技术的一些实施例中,所述第一金属层与所述第二金属层对位设置。
13.可选的,在本技术的一些实施例中,所述开关晶体管的开关时序与所述液晶光栅的开关时序并行且互不影响。
14.可选的,在本技术的一些实施例中,所述光控传感器为3t1c、4t1c、5t1c中的任一种结构。
15.可选的,在本技术的一些实施例中,所裸眼3d显示装置还包括放大器和驱动芯片,受到光照刺激时,所述光感晶体管产生载流子,通过所述储存电容收集,然后通过所述开光晶体管进行控制,经所述放大器处理后被所述驱动芯片检测到。
16.可选的,在本技术的一些实施例中,所述显示面板为液晶显示面板、oled、qled、mini

led、micro

led中的任一种。
17.可选的,在本技术的一些实施例中,所述光感晶体管和所述开关晶体管的制备材料均为氢化非晶硅。
18.本技术实施例提供的裸眼3d显示装置包括显示面板、液晶柱镜,所述液晶柱镜设置在所述显示面板的一侧,所述液晶柱镜包括液晶光栅,其中,所述液晶柱镜还包括光控传感器,所述光控传感器集成设置在所述液晶光栅的一侧;通过将所述光控传感器与所述液晶光栅集成设置在所述显示面板的一侧,实现通过激光笔对裸眼3d显示装置的控制,缓解现有裸眼3d显示装置存在远程交互难的技术问题。
附图说明
19.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
20.图1是本技术实施例提供的裸眼3d显示装置的示意图;
21.图2是本技术实施例提供的液晶柱镜的截面示意图。
22.附图标记说明:
23.具体实施方式
24.下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术,并不用于限制本技术。在本技术中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
25.本技术实施例提供一种裸眼3d显示装置。以下分别进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
26.如图1所示,裸眼3d显示装置1包括显示面板3、液晶柱镜2,所述液晶柱镜2设置在
所述显示面板3的一侧,所述液晶柱镜2包括液晶光栅,其中,所述液晶柱镜2还包括光控传感器,所述光控传感器集成设置在所述液晶光栅4的一侧。
27.在本实施例中,裸眼3d显示装置1包括显示面板3、液晶柱镜2,所述液晶柱镜2设置在所述显示面板3的一侧,所述液晶柱镜2包括液晶光栅,其中,所述液晶柱镜2还包括光控传感器,所述光控传感器集成设置在所述液晶光栅的一侧;通过将所述光控传感器与所述液晶光栅集成设置在所述显示面板3的一侧,实现通过激光笔对裸眼3d显示装置1的控制,缓解现有裸眼3d显示装置1存在远程交互难的技术问题。
28.其中,如图1、图2所示,其中光控是采用的2t1c结构就可以实现,液晶光栅结构是通过透明电极80的电压来控制实现3d显示的。
29.在一种实施例中,如图2所示,所述光控传感器5为2t1c的结构,所述光控传感器5包括储存电容、一光感晶体管202、一开关晶体管201。
30.其中,2t1c像素驱动电路包括光感晶体管202、开关晶体管201、存储电容、有机发光二极管、驱动芯片,所述光感晶体管202的一端与数据信号连接,光感晶体管202的控制端与扫描信号连接,光感晶体管202的另一端分别与存储电容的一端、开关晶体管201的控制端连接,开关晶体管201的一端经有机发光二极管连接至公共接地电压,开关晶体管201的另一端与存储电容的另一端相连接至第一开关管的一端、驱动芯片的电流检测端,第一开关管的另一端与电源连接,第一开关管由驱动芯片控制通断。
31.在一种实施例中,所述光控传感器5包括衬底10、以及设置在所述衬底10上的第一金属层20,所述第一金属层20包括所述光感晶体管202和所述开关晶体管201。
32.在一种实施例中,所述光控传感器5还包括设置在所述第一金属层20上的层间绝缘层30,所述层间绝缘层30上设置有半导体有源层40,所述半导体有源层40上设置有第二金属层50。
33.其中,所述第二金属层50直接设置在所述半导体有源层40上。
34.其中,所述第二金属层50包括多个金属图案,所述金属图案与所述开关晶体管201、光感晶体管202对位设置。
35.在一种实施例中,所述第一金属层20与所述第二金属层50对位设置。
36.在一种实施例中,所述开关晶体管201的开关时序与所述液晶光栅4的开关时序并行且互不影响。
37.在一种实施例中,所述光控传感器5为3t1c、4t1c、5t1c中的任一种结构。
38.在一种实施例中,所述光控传感器5还可以为7t1c结构。
39.在一种实施例中,所裸眼3d显示装置1还包括放大器和驱动芯片,受到光照刺激时,所述光感晶体管202产生载流子,通过所述储存电容收集,然后通过所述开光晶体管进行控制,经所述放大器处理后被所述驱动芯片检测到。
40.其中,当光感晶体管202的制备材料为非晶硅时,所述载流子由所述非晶硅产生。
41.在一种实施例中,所述显示面板3为液晶显示面板3、oled、qled、mini

led、micro

led中的任一种。
42.在一种实施例中,所述光感晶体管202和所述开关晶体管201的制备材料均为氢化非晶硅。
43.其中,开关晶体管201为半导体材料,光感晶体管202为光敏半导体材料,所述半导
体材料和所述光敏半导体材料均采用的氢化非晶硅。
44.在一种实施例中,所述光感晶体管202和所述开关晶体管201的制备材料还可以为锰、铬、铁、铜的氧化物。
45.如图2所示,本技术提供的液晶柱镜2包括液晶光栅4和光控传感器5,所述光控传感器5集成设置在所述液晶光栅4的一侧。
46.其中,所述光控传感器5包括衬底10、设置在所述衬底10上的第一金属层20、设置在所述第一金属层20上的层间绝缘层30、设置在所述层间绝缘层30上的半导体有源层40、设置在所述半导体有源层40上的第二金属层50、设置在所述第二金属层50上的钝化层60。
47.其中,所述第一金属层20包括开关晶体管201、光感晶体管202。
48.其中,所述第二金属层50包括多个金属图案,所述金属图案设置在半导体有源层40上,所述金属图案与所述开关晶体管201、所述光感晶体管202对位设置。
49.其中,所述液晶光栅4设置在所述钝化层60上,所述液晶光栅上方设置有盖板70。
50.本实施例提供的裸眼3d显示装置包括显示面板、液晶柱镜,所述液晶柱镜设置在所述显示面板的一侧,所述液晶柱镜包括液晶光栅,其中,所述液晶柱镜还包括光控传感器,所述光控传感器集成设置在所述液晶光栅的一侧;通过将所述光控传感器与所述液晶光栅集成设置在所述显示面板的一侧,实现通过激光笔对裸眼3d显示装置的控制,缓解现有裸眼3d显示装置存在远程交互难的技术问题。
51.以上对本技术实施例所提供的一种裸眼3d显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本技术的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本技术的限制。
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