技术特征：
1.一种emi性能优化的osa光器件，其特征在于，包括to底座(1)、光电转换芯片(2)、to帽(3)和金属适配器(4)；所述光电转换芯片(2)固定在所述to底座(1)上，封装在所述to帽(3)和所述to底座(1)形成的密闭空间内；所述金属适配器(4)上设有出光口(41)，所述光电转换芯片(2)的中心、所述to帽(3)的中心和所述出光口(41)的中心均位于同一轴线上。2.根据权利要求1所述的emi性能优化的osa光器件，其特征在于，所述to帽(3)包括透镜(31)和金属管体(32)，所述透镜(31)的中心与所述光电转换芯片(2)的中心和所述出光口(41)的中心均位于同一轴线上。3.根据权利要求2所述的emi性能优化的osa光器件，其特征在于，所述金属适配器(4)与所述金属管体(32)通过胶水或焊接的方式相连。4.根据权利要求3所述的emi性能优化的osa光器件，其特征在于，在所述金属适配器(4)与所述金属管体(32)的连接处与外界相连的位置设有金属环(5)。5.根据权利要求1所述的emi性能优化的osa光器件，其特征在于，还包括过渡块(6)，所述过渡块(6)贴装于所述to底座(1)和所述光电转换芯片(2)之间。6.根据权利要求5所述的emi性能优化的osa光器件，其特征在于，所述过渡块(6)与所述光电转换芯片(2)相连的一侧镀有金层或薄膜电路。7.根据权利要求1所述的emi性能优化的osa光器件，其特征在于，所述光电转换芯片(2)为激光器(21)和/或探测器(22)。8.根据权利要求7所述的emi性能优化的osa光器件，其特征在于，当所述光电转换芯片(2)为激光器(21)时，所述透镜(31)上镀有半透半反膜。9.根据权利要求7所述的emi性能优化的osa光器件，其特征在于，当所述光电转换芯片(2)为探测器(22)时，所述透镜(31)上镀有增透膜。10.根据权利要求9所述的emi性能优化的osa光器件，其特征在于，还包括tia(7)，所述tia(7)固定在所述to底座(1)上，位于所述to帽(3)和所述to底座(1)形成的密闭空间内。
技术总结
本实用新型涉及光通信技术领域，更具体地涉及一种EMI性能优化的OSA光器件，包括TO底座、光电转换芯片、TO帽和金属适配器；所述光电转换芯片固定在所述TO底座上，封装在所述TO帽和所述TO底座形成的密闭空间内；所述金属适配器上设有出光口，所述光电转换芯片的中心、所述TO帽的中心和所述出光口的中心均位于同一轴线上。本实用新型提供了一种EMI性能优化的OSA光器件，通过将常用的塑料适配器更换为金属适配器，提高了光器件对电磁辐射的屏蔽作用，使得在光器件内不的光不容易向外辐射，提高了OSA光器件的EMI性能。高了OSA光器件的EMI性能。高了OSA光器件的EMI性能。
技术研发人员：肖逸韬 魏巍
受保护的技术使用者：武汉电信器件有限公司
技术研发日：2021.05.24
技术公布日：2022/1/18