阵列基板及显示面板的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板及显示面板。


背景技术：

2.伴随着液晶显示技术的不断发展，液晶显示面板已经涉及到用户生活的方方面面，如pc机、智能手机以及平板电脑等。液晶显示器工作原理在于背光源发出白光后，依次通过通过阵列基板、液晶分子和彩膜基板，实现彩色显示。而本领域技术人员在使用液晶显示面板时发现液晶显示面板的边缘区的显示效果并不理想。
3.需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

4.本公开的目的在于提供一种阵列基板及显示面板，能够提高显示区的边缘区的显示效果。
5.根据本公开的第一方面，提供了一种阵列基板，包括：
6.衬底基板，具有显示区和位于所述显示区外围的非显示区；
7.驱动层，位于所述衬底基板的一侧，所述驱动层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述显示区，且与所述非显示区存在部分重叠区域；
8.彩膜层，位于所述驱动层背向所述衬底基板的一侧，所述彩膜层在所述衬底基板上的正投影位于所述显示区；
9.支撑层，与所述彩膜层位于所述驱动层的同侧，所述支撑层在所述衬底基板上的正投影位于所述非显示区；
10.电极层，位于所述彩膜层背向所述衬底基板的一侧，且延伸至所述支撑层背向所述衬底基板一侧的区域，所述支撑层具有第一过孔，所述电极层通过所述第一过孔与所述驱动层连接；
11.取向层，位于所述电极层背向所述衬底基板的一侧，且延伸至所述支撑层背向所述衬底基板一侧的区域，所述取向层背离所述衬底基板的表面具有取向槽，且未设置所述取向槽的区域位于同一平面。
12.如本公开一实时方式所述的阵列基板，所述阵列基板还包括第一钝化层；
13.所述第一钝化层位于所述彩膜层和所述电极层之间，且延伸至所述支撑层和所述电极层之间的区域；
14.所述第一钝化层具有与所述第一过孔连通的第二过孔，所述电极层穿过所述第一过孔和所述第二过孔与所述驱动层连接。
15.如本公开一实时方式所述的阵列基板，所述第二过孔背向所述驱动层的一端的开口边缘为弧形结构。
16.如本公开一实时方式所述的阵列基板，所述阵列基板还包括填充层，所述填充层
位于所述电极层和所述取向层之间，且填充所述第一过孔和所述第二过孔。
17.如本公开一实时方式所述的阵列基板，所述支撑层呈环形结构。
18.如本公开一实时方式所述的阵列基板，所述支撑层的外周面与内周面之间的距离大于或等于1.5毫米，且小于或等于2毫米。
19.如本公开一实时方式所述的阵列基板，所述支撑层和所述彩膜层为一体式结构。
20.如本公开一实时方式所述的阵列基板，所述阵列基板还包括隔垫物，所述隔垫物位于所述取向层背向所述衬底基板的一侧。
21.如本公开一实时方式所述的阵列基板，所述电极层包括像素电极层和公共电极层。
22.根据本公开的第二方面，提供了一种显示面板，包括上述第一方面所述的阵列基板。
23.本公开实施方式中，由于彩膜层外围的非显示区域设置有支撑层，如此即可通过支撑层实现对取向层的支撑，以避免取向层在衬底基板的显示区的边缘区出现断差的情况，从而保证取向层的表面上未设置取向槽的区域位于同一平面。如此，在形成液晶分子层时，即可保证取向层对液晶分子层的取向效果。
24.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
25.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
26.图1为本公开实施方式提供的一种阵列基板的局部剖面结构示意图。
27.图2为本公开实施方式提供的另一种阵列基板的局部剖面结构示意图。
28.图3为本公开实施方式提供的一种彩膜层和支撑层的俯视结构示意图。
29.图4为本公开实施方式提供的另一种彩膜层和支撑层的俯视结构示意图。
30.附图标记：
31.10、显示区；20、非显示区；
32.11、衬底基板；12、驱动层；13、彩膜层；14、支撑层；15、电极层；16、取向层；17、第一钝化层；18、填充层；19、隔垫物；
33.121、栅极层；122、氧化物薄膜层；123、栅极绝缘层；124、源漏层；125、第二钝化层；
34.131、第一子像素；132、第二子像素；133、第三子像素；
35.141、第一过孔；142、第一子支撑层；143、第二子支撑层；
36.151、像素电极层；152、公共电极层。
具体实施方式
37.现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将
全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。
38.虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
39.用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
40.相关技术中，显示面板包括背光源、阵列基板、彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层。其中，阵列基板包括靠近液晶分子层的取向层，且为了实现显示面板的彩色显示，阵列基板包括彩膜层。
41.发明人经过认真研究后发现，由于彩膜层的厚度(25000a)较大，在设置彩膜层后，位于彩膜层靠近液晶分子层一侧的取向层在显示面板的显示区和非显示区的交界处形成断差，也即是取向层在显示区和非显示区的交界处形成陡坡，造成对液晶分子层的取向效果较差，进而造成显示区的边缘区的显示效果不良的情况。
42.图1示例了本公开实施方式的一种阵列基板的结构示意图。如图1所示，该阵列基板包括：衬底基板11、驱动层12、彩膜层13、支撑层14、电极层15和取向层16。
43.其中，衬底基板11具有显示区10和位于显示区10外围的非显示区20；驱动层12位于衬底基板11的一侧，驱动层12在衬底基板11上的正投影覆盖显示区10，且与非显示区20存在部分重叠区域；彩膜层13位于驱动层12背向衬底基板11的一侧，彩膜层13在衬底基板11上的正投影位于显示区10；支撑层14与彩膜层13位于驱动层12的同侧，支撑层14在衬底基板11上的正投影位于非显示区20；电极层15位于彩膜层13背向衬底基板11的一侧，且延伸至支撑层14背向衬底基板11一侧的区域，支撑层14具有第一过孔141，电极层15通过第一过孔141与驱动层12连接；取向层16位于电极层15背向衬底基板11的一侧，且延伸至支撑层14背向衬底基板11一侧的区域，取向层16背离衬底基板11的表面具有取向槽，且未设置取向槽的区域位于同一平面。
44.本公开实施方式中，由于彩膜层13外围的非显示区20域设置有支撑层14，如此即可通过支撑层14实现对取向层16的支撑，以避免取向层16在衬底基板11的显示区10的边缘区出现断差的情况，从而保证取向层16的表面上未设置取向槽的区域位于同一平面。如此，在形成液晶分子层时，即可保证取向层16对液晶分子层的取向效果。
45.其中，取向层16未设置取向槽的区域位于同一平面，此处的平面并非严格意义上的平面，只是接近于平面，且在阵列基板的制作过程中，也无法保证此处的平面为严格意义上的平面。
46.其中，支撑层14均匀铺设在驱动层12上对应非显示区20的区域，如此可实现支撑
层14两侧的导电结构形成的层间电容的均匀性，避免形成的层间电容突变的情况，从而减小对驱动层12的影响。
47.其中，第一过孔141背向驱动层12的一端的开口边缘为弧形结构，如此在形成取向层16，便于取向层16的流动，避免取向层16在第一过孔141的开口边缘处堆积。另外，通过第一过孔141的设计，在形成电极层15之前能够增大支撑层14与外部环境的接触面积，从而便于支撑层14内气泡的释放，降低因气泡无法逸散而发生的风险。第一过孔141的孔径和横截面的形状可根据要求做不同设计，以保证电极层15和驱动层12连接的可靠性。
48.其中，衬底基板11、驱动层12、彩膜层13、电极层15和取向层16的材料和结构等可参考相关技术，本公开实施方式对此不做限定。
49.示例地，彩膜层13包括多个像素单元，每个像素单元至少包括第一子像素131、第二子像素132和第三子像素133。示例地，第一子像素131、第二子像素132和第三子像素133分别为红色子像素、蓝色子像素、绿色子像素。
50.示例地，电极层15包括像素电极层151，或者如图2所示包括像素电极层151和公共电极层152。当电极层15包括像素电极层151和公共电极层152，像素电极层151和公共电极层152可同层设置，也可异层设置。示例地，电极层15的厚度为900a。
51.示例地，驱动层12包括位于衬底基板11和支撑层14之间，且依次远离衬底基板11的栅极层121、氧化物薄膜层122、栅极绝缘层123、源漏层124和第二钝化层125。其中，源漏层124包括源极和漏极，氧化物薄膜层122连接源极和漏极，源极或漏极与电极层15包括的像素电极层151连接。可选地，第二钝化层125的材料为氧化硅或氮化硅，且第二钝化层125的厚度为3500a。
52.在一些实施方式中，如图2所示，阵列基板还包括隔垫物19，隔垫物19位于取向层16背离衬底基板11的一侧。如此，在阵列基板与彩膜基板盖盒时，可通过隔垫物19的支撑保证液晶分子层的填充空间。
53.其中，隔垫物19的材料和结构等均可参考相关技术，本公开实施方式对此不做限定。
54.在一些实施方式中，如图2所示，阵列基板还包括第一钝化层17，第一钝化层17位于彩膜层13和电极层15之间，且延伸至支撑层14和电极层15之间的区域，如此，通过第一钝化层17即可实现对支撑层14的保护，同时实现平坦化，保证后续在设置取向层16，取向层16出现断差的情况。
55.可选地，第一钝化层17的材料为有机数值材料，第一钝化层17的厚度后20000a。由于第一钝化层17的厚度较大，如此在未设置支撑层14的情况下，在形成第一钝化层17时容易在显示区10的边沿区形成断差。而在支撑层14对位于非显示区20的第一钝化层17的支撑，实现了第一钝化层17的平坦化。
56.其中，第一钝化层17具有与第一过孔141连通的第二过孔，以便电极层15穿过第一过孔141和第二过孔与驱动层12连接。第二过孔背向驱动层12的一端的开口边缘易为弧形结构，如此在形成取向层16，便于取向层16的流动，避免取向层16在第二过孔的开口边缘处堆积。另外，如图2所示，电极层15覆盖第二过孔的孔壁，能够避免第一钝化层17因第二过孔孔壁的裸露而发生腐蚀的问题。
57.其中，如图3或图4所示，支撑层14具有多个第一过孔141，且均匀分布，如此能够保
证多个第一过孔141的孔径大小相同，进而在第一钝化层17设置于每个第一过孔141连通的第二过孔时，能够保证多个第二过孔的孔径相同。
58.在一些实施方式中，如图2所示，阵列基板还包括填充层18，填充层18位于电极层15和取向层16之间，且填充第一过孔141和第二过孔。通过填充层18的设置，即可在电极层15的基础上实现对第二过孔的孔壁的覆盖，从而进一步避免第一钝化层17因第二过孔孔壁的裸露而发生腐蚀的问题。
59.本公开实施方式中，在衬底基板11所在的平面内支撑层14与彩膜层13之间的距离小于或等于距离阈值，且支撑层14的厚度与彩膜层13的厚度之间的差值小于或等于差值阈值。如此，通过限定支撑层14与彩膜层13之间的距离，且限定支撑层14与彩膜层13的厚度差，以保证取向层16在显示区10的边缘区不会出现断差的情况。
60.其中，距离阈值和差值阈值均可根据取向层16的材料的性能确定，具体可参考相关技术，本公开实施方式对此不做限定，只要通过该距离阈值和该差值阈值设置彩膜层13和支撑层14后，设置取向层16时不会在彩膜层13的边缘区出现断差即可。
61.在一些实施方式中，如图1或图2所示，支撑层14的边缘与彩膜层13的边缘紧贴，也即是在衬底基板11所在的平面内支撑层14与彩膜层13之间的距离为零。如此，在彩膜层13和支撑层14上设置取向层16时，取向层16不会在支撑层14与彩膜层13之间形成凹陷，从而避免取向层16出现断差的情况。
62.在一些实施方式中，如图1或图2所示，支撑层14的厚度等于彩膜层13的厚度，此时由于支撑层14和衬底基板11之间，以及彩膜层13和衬底基板11之间均包括驱动层12，从而保证支撑层14背离衬底基板11的表面与彩膜层13背离衬底基板11的表面位于同于平面。如此，在设置取向层16时，取向层16会平铺且覆盖彩膜层13和支撑层14，从而避免取向层16出现断差的情况。
63.本公开实施方式中，支撑层14与彩膜层13可以为分体式结构，也即是支撑层14和彩膜层13分次形成。比如先形成彩膜层13，再在彩膜层13的外围形成支撑层14；或者先形成支撑层14，再在支撑层14的内侧形成彩膜层13。此时支撑层14和彩膜层13之间的距离及厚度差可根据上述的距离阈值和差值阈值确定。
64.当然，支撑层14和彩膜层13也可以为一体式结构，也即是支撑层14和彩膜层13为同时形成的连续结构。此时在衬底基板11所在的平面内支撑层14与彩膜层13之间的距离为零，且支撑层14的厚度等于彩膜层13的厚度。
65.其中，为了实现支撑层14与彩膜层13的一体式结构，示例地，彩膜层13包括在行方向和列方向上呈矩阵排布的多个子像素，任一行方向上的多个子像素的材料不全相同，任一列方向上的多个子像素的材料相同。此时，支撑层14的材料与行方向上至少一端的子像素的材料相同，如此在形成行方向上一端的子像素的同时形成与该子像素连续的支撑层14。示例地，如图3或图4所示，彩膜层13在行方向上的两端的子像素均为第一子像素131，此时支撑层14的材料与第一子像素131的材料相同，从而实现第一子像素131和支撑层12的一体式结构。
66.需要说明的是，对于上述两种结构，在形成支撑层14时，支撑层14的材料也可根据材料的气泡溢出能力确定。示例地，红色子像素的材料的气泡溢出能力强于蓝色子像素的材料的气泡溢出能力，此时可选择红色子像素的材料为支撑层14的材料。
67.本公开实施方式中，支撑层14可为环绕彩膜层13的环形结构。以彩膜层13的形状为例，当彩膜层13为圆形结构时，支撑层14呈圆环结构；如图3所示，当彩膜层13为矩形结构时，支撑层14呈矩形环结构。
68.当然，对于呈矩形结构的彩膜层13，支撑层14还可以为具有一对缺口的矩形环结构。示例地，如图4所示，支撑层14包括位于彩膜层13相对两侧的第一子支撑层142和第二子支撑层143。
69.其中，支撑层14靠近彩膜层13的边沿与远离彩膜层13的边沿之间的距离大于或等于1.5毫米，且小于或等于2毫米。
70.以上述支撑层14呈环形结构为例，支撑层14的外周面(远离彩膜层13的边沿)与内周面(靠近彩膜层13的边沿)之间的距离大于或等于1.5毫米，且小于或等于2毫米。
71.本公开实施方式中所涉及的显示区10和非显示区20通过虚线进行分割。示例地，如图2和图3所示的虚线。另外，本公开实施方式中，各结构层的表面并非如图所示的严格意义上的平面，且当前工艺在制作各结构层时，也不可能保证各结构层的表面为严格意义上的平面。图中所示的各结构层的表面为平面，只是一种示意性的画法，并不对各结构层的表面结构进行限定。比如，图1或图2所示的取向层背向衬底基板的表面具有取向槽，而在图1和图2并未体现出取向槽的结构。
72.本公开实施方式提供了一种显示面板，该显示面板包括彩膜基板和上述实施方式所述的阵列基板。
73.其中，彩膜基板的导电层结构可结合阵列基板的电极层15的结构进行设置。示例地，当阵列基板包括的电极层15包括像素电极层151时，彩膜基板还包括公共电极层152；当阵列基板包括的电极层15包括像素电极层151和公共电极层152时，彩膜基板不包括公共电极层152。
74.彩膜基板的其他层结构具体可参考相关技术，本公开实施方式对此不做限定。示例地，彩膜基板包括衬底基板、黑矩阵层和取向层。
75.本公开实施方式中，对于阵列基板，由于彩膜层13外围的非显示区20域设置有支撑层14，如此即可通过支撑层14实现对取向层16的支撑，以避免取向层16在衬底基板11的显示区10的边缘区出现断差的情况，从而保证取向层16的表面上未设置取向槽的区域位于同一平面。如此，通过彩膜基板和阵列基板形成显示面板时，能够保证对液晶分子层的取向效果，从而提高显示面板的边沿区的显示效果。
76.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本技术旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。