被覆硅酮构件的制造方法与流程

文档序号:34122307发布日期:2023-05-11 05:31阅读:56来源:国知局
被覆硅酮构件的制造方法与流程

本发明涉及一种被覆硅酮构件的制造方法。


背景技术:

1、硅酮构件价格低廉,耐热性、耐寒性、耐绝缘性优异,在广泛的温度区域具有橡胶弹性或柔性。另外,由于是耐紫外线或耐热、可进行加热杀菌处理、光灭菌处理、伽马射线杀菌、环氧乙烷气体(ethylene oxide gas,eog)灭菌的原材料,因此也可用作医疗用软管、导管零件、医疗器械的阀门、止回阀、止血阀、隐形眼镜、细胞培养片、组织再生用支撑架材料及皮肤用医疗用电极那样的医疗器械的构件。

2、另一方面,硅酮构件具有高拨水性。在主要用作医疗器械的构件的情况下,由于伴随着与水、血液、生理盐水、汗、泪液等的接触,因此硅酮构件的高拨水性有时会成为问题。在与生物体内的粘膜接触的情况下或者佩戴于眼睛的情况下,为了提高生物适合性,重要的是提高表面对水、血液、生理盐水、汗、泪液的亲和性、即在硅酮构件的表面形成被膜。

3、作为在各种硅酮构件的表面形成亲水性的被膜的方法,已知:使具有羧基的聚合物与具有环氧化物基的材料交联的方法(专利文献1)、通过使用具有酰胺基的聚合物的热处理进行的方法(专利文献2)、使用n-乙烯基吡咯烷酮/丙烯酸酯盐的共聚物与交联剂而形成被膜的方法(专利文献3)等。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1:日本专利特表2014-533381号公报

7、专利文献2:国际公开第2019/031477号

8、专利文献3:日本专利特表2019-501270号公报


技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、然而,现有的方法中,于在80℃以下那样的较低的温度下对相对于水的表面接触角超过110°那样的拨水性非常高的硅酮构件尝试进行处理的情况下,有时无法形成相对于血液或泪液中所含那样的包含盐及蛋白质的水溶液显示出充分低的表面接触角的被膜。

3、因此,本发明的目的在于提供一种被覆硅酮构件的制造方法,即使在更低的温度下对相对于水的表面接触角超过110°那样的高拨水性的硅酮构件进行处理的情况下,在硅酮构件表面也形成有相对于包含盐及蛋白质的水溶液显示出充分低的表面接触角的被膜。

4、解决问题的技术手段

5、为了解决所述课题,本发明的被覆硅酮构件的制造方法的特征在于包括:(a)分解反应工序,对硅酮构件的表面进行分解;(b)接触工序b,使表面被分解的硅酮构件与含有聚碳二酰亚胺的溶液b接触;以及(c)接触工序c,使表面被分解的硅酮构件与含有聚合物c的溶液c接触,所述聚合物c具有烷基酰胺基及羟基。

6、发明的效果

7、根据本发明的被覆硅酮构件的制造方法,即使在例如80℃以下那样的较低的温度下对相对于水的表面接触角超过110°那样的高拨水性硅酮构件进行处理的情况下,也可在被覆硅酮构件的表面形成相对于包含盐及蛋白质的水溶液显示出充分低的表面接触角的被膜。



技术特征:

1.一种被覆硅酮构件的制造方法,包括:

2.根据权利要求1所述的被覆硅酮构件的制造方法,其中所述溶液b和/或所述溶液c的温度为50℃~80℃。

3.根据权利要求1或2所述的被覆硅酮构件的制造方法,其中所述溶液b为乳液溶液。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的被覆硅酮构件的制造方法,其中所述溶液c进而含有具有羧酸基的聚合物。

5.一种被覆硅酮构件的制造方法,包括:

6.根据权利要求5所述的被覆硅酮构件的制造方法,其中所述溶液d的温度为50℃~80℃。

7.根据权利要求5或6所述的被覆硅酮构件的制造方法,其中所述溶液d为乳液溶液。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的被覆硅酮构件的制造方法,其中所述溶液d进而含有具有羧酸基的聚合物。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的被覆硅酮构件的制造方法,其中所述聚碳二酰亚胺的重量平均分子量为45,000~200,000。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的被覆硅酮构件的制造方法,其中所述聚合物c进而具有2-烷氧基乙基。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的被覆硅酮构件的制造方法,其中所述(a)分解反应工序中的所述分解的方法为水解。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的被覆硅酮构件的制造方法,进而包括:(x)固定化工序,将所述硅酮构件固定于基材的表面。


技术总结
本发明的目的是提供一种被覆硅酮构件的制造方法,即使在更低的温度下对相对于水的表面接触角超过110°那样的高拨水性的硅酮构件进行处理的情况下,在硅酮构件表面也形成有相对于包含盐及蛋白质的水溶液显示出充分低的表面接触角的被膜,本发明提供一种被覆硅酮构件的制造方法,包括:(A)分解反应工序,对硅酮构件的表面进行分解;(B)接触工序b,使表面被分解的硅酮构件与含有聚碳二酰亚胺的溶液b接触;以及(C)接触工序c,使表面被分解的硅酮构件与含有聚合物C的溶液c接触,所述聚合物C具有烷基酰胺基及羟基。

技术研发人员:饭森弘和,中村正孝
受保护的技术使用者:东丽株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/1/12
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