用于投影光学器件加热的多通道光源的制作方法

本公开涉及用于在光刻设备中加热诸如反射镜之类的光学部件的系统和方法。

背景技术：

1、光刻设备是将期望的图案涂覆至衬底上，通常涂覆至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)制造中。在那种情况下，图案形成装置(该图案形成装置可互换地称为掩模或掩模版)可以用于产生待形成在所形成的ic的单独的层上的电路图案。可以将这种图案转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至设置在衬底上的辐射敏感材料(例如，抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包括被连续地图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括：所谓的步进器，在所述步进器中，通过一次性将整个图案曝光至目标部分上来辐照每个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过在给定方向(“扫描”方向)上经由辐射束扫描图案的同时，平行或反向(即，相反的)平行于该扫描方向而同步地扫描目标部分来辐照每个目标部分。也可以通过将图案压印至衬底上来将图案从图案形成装置转印至衬底。

2、随着半导体制造过程持续进步，几十年来，电路元件的尺寸已经不断地减小，而每器件的诸如晶体管之类的功能元件的量已经在几十年内稳定地增加，这遵循通常称为“摩尔定律”的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体行业正追逐能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投影至衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定被图案化在衬底上的特征的最小尺寸。当前在使用中的典型波长是365nm(i-线)、248nm、193nm和13.5nm。

3、极紫外(euv)辐射，例如具有约50纳米(nm)或更小的波长且包括处于约13.5nm的波长的光的电磁辐射(有时也称为软x射线)，可以用于光刻设备中或与光刻设备一起使用以在例如硅晶片的衬底中或衬底上产生非常小的特征。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有处于4nm至20nm的范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的波长的euv辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小的特征。

4、产生euv光的方法包括但不必限于将具有在euv范围内的发射谱线的元素(例如，氙(xe)、锂(li)或锡(sn))的材料转换成等离子体状态。例如，在称为激光产生等离子体(lpp)的一种这样的方法中，可以通过利用可以被称为驱动激光的放大光束辐照目标材料来产生等离子体，所述目标材料在lpp源(例如，呈液滴、板、带、液流或材料集群的形式)的情况下可以被互换地称为燃料。对于这种过程，通常在例如真空腔室的密封容器中产生等离子体，并且使用各种类型的量测设备来监测等离子体。

技术实现思路

1、本公开描述用于加热设置在euv辐射系统的投影光学器件箱(pob)中或与所述投影光学器件箱相关联的多个光学部件(诸如，反射镜和扇区)的系统、设备和方法的各种方面。在一些方面中，实施例包括用于pob预加热和扇区加热的多通道红外(ir)光源。

2、在一些方面中，本公开描述一种系统。所述系统可以包括被配置成提供用于加热多个光学部件的辐射的辐射再分布系统。所述辐射再分布系统可以包括被配置成接收来自辐射源的输入辐射束的光学输入通道。所述辐射再分布系统还可以包括被配置成基于所述输入辐射束产生多个输出辐射束的辐射拆分系统。所述辐射再分布系统还可以包括多个光学输出通道，所述多个光学输出通道被配置成朝向被配置成加热所述多个光学部件的多个加热器头部光学器件传送所述多个输出辐射束。

3、在一些方面中，所述光学输入通道可以由单根输入光纤组成或基本上由单根输入光纤组成。在一些方面中，所述辐射拆分系统可以包括一组辐射拆分装置。所述一组辐射拆分装置可以包括例如一个或更多个多模光纤耦合器、一个或更多个固定比率耦合器、一个或更多个可变比率耦合器、一个或更多个分束器、任何其它合适的光学部件中的一个或更多个，或其任何组合。

4、在一些方面中，所述辐射再分布系统还可以包括被配置成控制所述多个输出辐射束中的每个输出辐射束的对应的功率值的多个功率控制装置。在一些方面中，所述多个功率控制装置可以包括多个可变光学衰减器(voa)。在一些方面中，所述辐射再分布系统进一步可以包括去斑器装置。

5、在一些方面中，本公开描述一种设备。所述设备可以包括被配置成接收来自辐射源的输入辐射束的光学输入通道。所述设备还可以包括被配置成基于所述输入辐射束产生多个输出辐射束的一组辐射拆分装置。所述设备还可以包括多个光学输出通道，所述多个光学输出通道被配置成朝向被配置成加热所述多个光学部件的多个加热器头部光学器件传送所述多个输出辐射束。

6、在一些方面中，所述光学输入通道可以由单根输入光纤组成或基本上由单根输入光纤组成。在一些方面中，所述一组辐射拆分装置可以包括一个或更多个多模光纤耦合器、一个或更多个固定比率耦合器、一个或更多个可变比率耦合器、一个或更多个分束器、任何其它合适的光学部件中的一个或更多个，或其任何组合。

7、在一些方面中，所述设备还可以包括被配置成控制所述多个输出辐射束中的每个输出辐射束的对应的功率值的多个功率控制装置。在一些方面中，所述多个功率控制装置可以包括多个可变光学衰减器。在一些方面中，所述设备可以包括去斑器装置。

8、在一些方面中，本公开描述一种用于经由多个加热器头部光学器件加热多个光学部件的方法。所述方法可以包括通过光学输入通道接收来自辐射源的输入辐射束。所述方法还可以包括通过一组辐射拆分装置基于所述输入辐射束产生多个输出辐射束。所述方法还可以包括通过多个光学输出通道朝向被配置成加热多个光学部件的多个加热器头部光学器件传送所述多个输出辐射束。在一些方面中，所述方法还可以包括通过多个功率控制装置控制所述多个输出辐射束中的每个输出辐射束的对应的功率值。

9、下文中参考随附附图详细地描述其它特征以及各种方面的结构和操作。应注意，本公开不限于本文中所描述的特定方面。本文中仅出于说明性目的而呈现这样的方面。基于本文中所包括的教导，相关领域技术人员将明白额外的方面。

技术特征：

1.一种系统，包括：

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述光学输入通道基本上由单根输入光纤组成。

3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述辐射拆分系统包括多模光纤耦合器。

4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述辐射拆分系统包括固定比率耦合器。

5.根据权利要求3所述的系统，其中，所述辐射拆分系统包括可变比率耦合器。

6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述辐射拆分系统包括分束器。

7.根据权利要求1所述的系统，其中，所述辐射再分布系统还包括被配置成控制所述多个输出辐射束中的每个输出辐射束的对应的功率值的多个功率控制装置。

8.根据权利要求7所述的系统，其中，所述多个功率控制装置包括多个可变光学衰减器。

9.根据权利要求1所述的系统，其中，所述辐射再分布系统还包括去斑器装置。

10.一种设备，包括：

11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述光学输入通道基本上由单根输入光纤组成。

12.根据权利要求10所述的设备，其中，所述一组辐射拆分装置包括多模光纤耦合器。

13.根据权利要求12所述的设备，其中，所述一组辐射拆分装置包括固定比率耦合器。

14.根据权利要求12所述的设备，其中，所述一组辐射拆分装置包括可变比率耦合器。

15.根据权利要求10所述的设备，其中，所述一组辐射拆分装置包括分束器。

16.根据权利要求10所述的设备，其中，所述设备还包括被配置成控制所述多个输出辐射束中的每个输出辐射束的对应的功率值的多个功率控制装置。

17.根据权利要求16所述的设备，其中，所述多个功率控制装置包括多个可变光学衰减器。

18.根据权利要求10所述的设备，其中，所述设备还包括去斑器装置。

19.一种方法，包括：

20.根据权利要求19所述的方法，还包括通过多个功率控制装置控制所述多个输出辐射束中的每个输出辐射束的对应的功率值。

技术总结
提供用于加热多个光学部件的系统、设备和方法。示例性方法可以包括接收来自辐射源的输入辐射束。所述示例性方法还可以包括基于所述输入辐射束产生多个输出辐射束。所述示例性方法还可以包括朝向被配置成加热所述多个光学部件的多个加热器头部光学器件传送所述多个输出辐射束。可选地，所述示例性方法还可以包括控制所述多个输出辐射束中的每个输出辐射束的对应的功率值且实现平顶的远场轮廓。

技术研发人员：L·J·A·凡鲍克霍文,M·U·阿高恩卡
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15