套刻精度量测图形的制作方法及套刻精度量测图形与流程

1.本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种套刻精度量测图形的制作方法及套刻精度量测图形。


背景技术：

2.半导体技术的发展通常局限于光刻技术的发展，光刻技术是通过对准、曝光等一系列步骤将掩膜图案图形转移到晶圆上的工艺过程，特征尺寸的缩小对硅片套刻精度提出了更加严格的要求。如果光刻层间套刻精度没有达到设计准则的要求，会导致前端器件功能和后段连线功能的失效，直接造成产品良率的损失。
3.在集成电路的制造的流程中，通常利用专门的设备测量晶圆上图形之间的相对位置以确定套刻误差。晶圆上专门用来测量套刻误差的图形被称为套刻标识。
4.然而目前形成的套刻标识存在图形异常的问题。


技术实现要素：

5.本公开实施例提供一种套刻精度量测图形的制作方法及套刻精度量测图形，至少可以提高套刻精度量测图形的图形精度。
6.根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种套刻精度量测图形的制作方法，包括：提供晶圆；提供第一光刻胶层，所述第一光刻胶层具有多个平行排布的初始条状图形；以所述第一光刻胶层为掩膜图形化所述晶圆，以将所述初始条状图形转移到所述晶圆上，形成第一目标图形；提供第二光刻胶层，所述第二光刻胶层具有多个第一标记图形及第二标记图形，且所述第一标记图形沿第一方向延伸，所述第二标记图形沿第二方向延伸；在形成所述第一目标图形之后，以所述第二光刻胶层为掩膜图形化所述第一目标图形，形成第二目标图形。
7.在一些实施例中，在沿所述初始条状图形排布方向上，相邻的所述初始条状图形之间的间隙相等。
8.在一些实施例中，所述初始条状图形的数量大于等于6。
9.在一些实施例中，所述初始条状图形在所述晶圆表面的正投影图形为长方形，且所述初始条状图形的延伸方向与所述初始条状图形排布方向垂直。
10.在一些实施例中，所述初始条状图形的延伸方向与所述第一方向相同，多个所述初始条状图形的排布方向与所述第二方向相同。
11.在一些实施例中，所述初始条状图形的延伸方向相对于所述第一方向倾斜，多个所述初始条状图形的排布方向相对于所述第二方向倾斜。
12.在一些实施例中，所述晶圆包括顺时针依次排布的第一光栅区、第二光栅区、第三光栅区以及第四光栅区；形成所述第二目标图形的方法包括：以所述第二光刻胶层为掩膜，沿所述第一方向对所述第一光栅区以及所述第三光栅区的所述第一目标图形进行切断处理，沿所述第二方向对所述第二光栅区以及所述第四光栅区的所述第一目标图形进行切断
处理，以形成所述第二目标图形。
13.在一些实施例中，所述初始条状图形的延伸方向相对于所述第一方向倾斜的夹角在0-45
°
范围内，多个所述初始条状图形的排布方向与所述第二方向倾斜的夹角在0-45
°
范围内。
14.所述初始条状图形在所述晶圆表面的正投影图形为环状跑道型。
15.在一些实施例中，所述第二光刻胶层具有中心点，且所述第一标记图形和所述第二标记图形沿所述中心点中心对称。
16.在一些实施例中，所述第二光刻胶层具有绕所述中心点顺时针分布的第一光栅单元、第二光栅单元、第三光栅单元及第四光栅单元，所述第一光栅单元与所述第三光栅单元均由多个间隔排布的所述第一标记图形组成，所述第二光栅单元与所述第四光栅单元均由多个间隔排布的所述第二标记图形组成。
17.在一些实施例中，形成所述第二目标图形的方法包括：填充相邻所述第一目标图形，以形成平坦区；以所述第二光刻胶层为掩膜图形化所述平坦区，以将所述第一标记图形及所述第二标记图形转移到所述平坦区以形成第二目标图形。
18.在一些实施例中，所述晶圆包括功能区及切割道区，所述切割道区位于相邻所述功能区之间，在所述切割道区形成所述第一目标图形以及所述第二目标图形。
19.在一些实施例中，所述第一目标图形与所述第二目标图形均为条状图形。
20.根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种套刻精度量测图形，如上述套刻精度量测图形的制作方法制作而成。
21.本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：通过将具有多个平行排布的初始条状图形的第一光刻胶层转移到晶圆上，以形成第一目标图形，并通过以具有第一标记图形及第二标记图形的第二光刻胶层图形为掩膜刻蚀具有第一目标图形的晶圆以形成第二目标图形的方法有利于提高第二目标图形的图形精度，通过分次图形化可以降低单次刻蚀的总面积或者单次刻蚀的刻蚀图形密度，从而降低刻蚀过程中的负载效应，从而提高套刻精度量测图形的图形精度。
附图说明
22.一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本公开实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领缺普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
23.图1为本公开一实施例提供的一种套刻精度量测图形的制作方法的流程图；
24.图2至图5为本公开一实施例提供的一种套刻精度量测图形的制作方法各步骤对应的结构示意图；
25.图6至图9为本公开另一实施例提供的一种套刻精度量测图形的制作方法各步骤对应的结构示意图；
26.图10至图13为本公开又一实施例提供的一种套刻精度量测图形的制作方法各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
27.由背景技术可知，随着集成度的不断微缩，相应的套刻标识的尺寸也会越来越小，故套刻标识中相邻的条状图形的密度相对增加，条状图形的密度相对增加带来的刻蚀负载效应导致条状图形的两端出现形变，导致最终形成的套刻标识出现异常，从而影响套刻误差的测量。
28.本公开实施例提供一种套刻精度量测图形的制作方法，通过先将第一光刻胶层的初始条状图形转移到晶圆上以形成第一目标图形，再以第二光刻胶层的第一标记图形及第二标记图形为掩膜图形化第一目标图形以形成第二目标图形，通过依次将第一光刻胶层的初始条状图形及第二光刻胶层的第一标记图形及第二标记图形转移至晶圆上可以降低单次刻蚀的总面积或者单次刻蚀的刻蚀图形的密度，通过减小刻蚀过程中的负载效应提高套刻精度量测图形的图形精度，进而为后续的套刻误差提供良好的工艺基础。
29.下面将结合附图对本公开的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本公开各实施例中，为了使读者更好地理解本公开实施例而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本公开实施例所要求保护的技术方案。
30.参考图1，图1为本公开实施例提供的一种套刻精度量测图形的制作方法的流程图。
31.在一些实施例中，套刻精度量测图形的制作方法可以包括以下步骤：
32.步骤s11：提供晶圆。
33.晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状一般设置为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可以加工制作成各种电路元件结构，从而称为具有特定电性功能的集成电路产品。
34.在一些实施例中，晶圆还可以是锗晶圆、砷化镓晶圆、氮化镓晶圆，本公开实施例不对晶圆的材质进行限制，可以根据实际的需求选择合适材料的晶圆。
35.步骤s12：提供第一光刻胶层，第一光刻胶层具有多个平行排布的初始条状图形。
36.在一些实施例中，使用具有镂空区域的光罩，第一初始光刻胶层选择性地曝光于光辐射下，将曝光后的第一初始光刻胶层高温烘烤，以使曝光部分的第一初始光刻胶层的物质产生裂解；接着将裂解的第一初始光刻胶层移到显影槽，因曝光部分的第一初始光刻胶层可溶于显影液，所以可借此去除曝光的第一初始光刻胶层；如此，可得到图案化的第一光刻胶层，即，得到具有多个平行排布的初始条状图形的第一光刻胶层。
37.在一些实施例中，第一初始光刻胶层由正性光刻胶组成，正性光刻胶中曝光的区域被显影去除；在另一些实施例中，第一初始光刻胶层由负性光刻胶组成，负性光刻胶中未被曝光的区域被显影去除。
38.步骤s13：在一些实施例中，可以以第一光刻胶层为掩膜图形化晶圆，以将初始条状图形转移到晶圆上，形成第一目标图形。具体的，以晶圆为硅晶圆为例，可以通过将第一光刻胶层形成在晶圆的表面，通过干法刻蚀刻蚀部分未被第一光刻胶层覆盖的晶圆，以在晶圆上形成第一目标图形。
39.步骤s14：提供第二光刻胶层，第二光刻胶层具有多个第一标记图形及第二标记图形，且第一标记图形沿第一方向延伸，第二标记图形沿第二方向延伸。
40.在一些实施例中，形成第二光刻胶层的方法与形成第一光刻胶层采用的方法相同，通过在第二初始光刻胶层上形成一层保护层，通过将第二初始光刻胶层选择性曝光，将曝光后的第二初始光刻胶层高温烘烤，以使曝光部分的第二初始光刻胶层的物质产生裂解；接着将裂解的第二初始光刻胶层移到显影槽，因曝光部分的第二初始光刻胶层可溶于显影液，所以可借此去除曝光部分的第二初始光刻胶层；如此，可得到图案化的第二光刻胶层，即，得到具有多个第一标记图形及第二标记图形的第二光刻胶层。
41.步骤s15：在一些实施例中，在形成第一目标图形后，以第二光刻胶层为掩膜图形化第一目标图形，形成第二目标图形。在一些实施例中，是通过刻蚀部分第一目标图形以形成第二目标图形，故可以通过在第一目标图形的表面形成第二光刻胶层，通过以第二光刻胶层为掩膜刻蚀第一目标图形，以将多个第一标记图形及第二标记图形转移至第一目标图形上，进而形成第二目标图形。
42.在一些实施例中形成第二目标图形也可以采用干法刻蚀的方法，且干法刻蚀使用的等离子体与形成第一目标图形使用的等离子体可以相同。
43.通过将具有多个平行排布的初始条状图形的第一光刻胶层转移到晶圆上，以形成第一目标图形，并通过以具有第一标记图形及第二标记图形的第二光刻胶层为掩膜刻蚀具有第一目标图形的晶圆以形成第二目标图形的方法有利于提高第二目标图形的图形精度，通过分次图形化可以降低单次刻蚀的总面积或者单次刻蚀的刻蚀图形密度，从而降低刻蚀过程中的负载效应，从而提高套刻精度量测图形的图形精度。
44.以下将结合附图对本公开实施例提供的套刻精度量测图形的制作方法进行更为详细的说明。
45.参考图2至图5，为本公开一实施例提供的一种套刻精度量测图形的制作方法各步骤对应的结构示意图。
46.参考图2，图2为第一光刻胶层的俯视结构示意图，提供晶圆(未图示)以及第一光刻胶层100，第一光刻胶层100包括若干平行排布的初始条状图形110。
47.在一些实施例中，在沿初始条状图形110排布方向上，相邻的初始条状图形110之间的间隙可以相等，通过设置间隙相等的多个初始条状图形110有利于后续测量套刻误差，通过设置间隙相等的多个初始条状图形110可以减少因初始条状图形110间隙不同带来的测量误差。在另一些实施例中，相邻初始条状图形110的间隙也可以不同，可以根据实际的需求调整相邻初始条状图形之间的间距。
48.在一些实施例中，初始条状图形110之间的间隙可以是0.1～10μm，可以理解的是，若相邻的初始条状图形110之间的间隙小于0.1μm时，形成第一光刻胶层100的工艺不易实现，且间距太小的初始条状图形110也不利于后续进行套刻误差的测量；若相邻的初始条状图形110之间的间隙大于10μm时，最终形成的第二目标图形太大，会减小晶圆上功能区域的面积，不利于后续在晶圆上形成集成电路。初始条状图形110之间的间隙可以根据实际的需求进行调整，本公开实施例不对初始条状图形110之间的间隙进行限制。
49.在一些实施例中，初始条状图形110的数量可以大于等于6，例如6个、9个或者10个等。
50.可以理解的是，在初始条状图形110的长度及宽度一定的情况下，初始条状图形110的数量越多相应的后续形成的第一目标图形也就越大，通过控制初始条状图形110的数
量可以控制后续形成的第一目标图形的体积，当初始条状图形110的数量小于6时，形成的第一目标图形的体积可能较小，不利于后续的图形化第一目标图形以形成第二目标图形，且通过设置初始条状图形110的数量大于等于6个也可以减小后续套刻误差测量的偶然性，可以通过测试多个不同的以初始条状图形110为掩膜形成的第二目标图形，以提高后续套刻误差测量的偶然性。
51.在另一些实施例中，初始条状图形110的数量也可以小于6，可以根据实际的需求调整初始条状图形110的数量，本公开实施例不对初始条状图案110的数量进行限制。
52.在一些实施例中，初始条状图形110在晶圆表面的正投影为长方形，且初始条状图形110的延伸方向可以与初始条状图形110排布方向垂直。
53.通过将初始条状图形110设置为长方形可以便于后续测量套刻误差，在测量套刻误差时可以通过直接对比长方形某一边之间的误差，且不易产生误判断，且还可以从不同的方向测量套刻误差，从而提高后续测量套刻误差的数据的可靠性。
54.在一些实施例中，初始条状图形110的延伸方向可以与第一方向x相同，多个初始条状图形110的排布方向与第二方向y相同。
55.在一些实施例中，通过控制初始条状图形110的延伸方向与第一方向x相同，排布方向与第二方向y相同，即，初始条状图形110的延伸方向与第一标记图形的延伸方向相同，初始条状图形110的排布方向与第二标记图形的延伸方向相同，为后续形成第二目标图形提供工艺基础。
56.在一些实施例中，初始条状图形的延伸方向与第一方向也可以不同，初始条状图形的排布方向与第二方向也可以不同，初始条状图形的延伸方向及排布方向可以根据需要形成的第二目标图形的图形形状进行调整。
57.在另一些实施例中，初始条状图形110在晶圆表面的正投影也可以是环状跑道型，环状跑道型的两端相对平滑，在形成初始条状图形110时的制程稳定性较好。
58.在又一些实施例中，初始条状图形在晶圆表面的正投影还可以是其他图形，本公开实施例不对初始条状图形的形状进行限制，可以根据实际的需求调整初始条状图形的形状。
59.参考图3，在晶圆150上形成第一目标图形160。
60.以第一光刻胶层100(参考图1)为掩膜刻蚀晶圆150，在一些实施例中，被初始条状图形110覆盖的部分晶圆150被保护不被刻蚀，第一目标图形160包括初始条状图形110及初始条状图形110之间的凹槽部分。
61.在一些实施例中，在形成第一目标图形160之后还可以包括：去除第一光刻胶层100。参考图4及图5，图4为本公开实施例提供的一种第二光刻胶层的结构示意图，图5为本公开实施例提供的一种包括第二目标图形的晶圆结构示意图，提供第二光刻胶层120，第二光刻胶层120具有多个第一标记图形130及第二标记图形140，第一标记图形130沿第一方向x延伸，第二标记图形140沿第二方向y延伸。
62.在一些实施例中，第二光刻胶层120具有可以中心点，且第一标记图形130和第二标记图形140可以沿所述中心点中心对称。
63.通过将第一标记图形130和第二标记图形140设置为沿第二光刻胶层120中心对称可以在后续测量套刻误差设置对照组，通过分别测量中心对称的图案可以提高测量数据的
可靠性。
64.在一些实施例中，第二光刻胶层120具有绕中心点顺时针分布的第一光栅单元121、第二光栅单元122、第三光栅单元123及第四光栅单元124，第一光栅单元121与第三光栅单元123均由多个间隔排布的第一标记图形130组成，第二光栅单元122与第四光栅单元124均由多个间隔排布的第二标记图形140组成。
65.第一光栅单元121与第三光栅单元123包括的第一标记图形130的数量可以相同；第二光栅单元122与第四光栅单元124包括的第二标记图形140的数量可以相同，即，第一光栅单元121可以与第三光栅单元123的图形完全相同，从而在后续测量套刻误差的过程中，第一光栅单元121对应区域的测试参数可以与第三光栅单元123对应区域的测试数据进行对比，从而便于后续的误差分析及调整，同理设置第二光栅单元122与第四光栅单元124相同，同样可以对比第二光栅单元122及第四光栅单元124的测试数据，从而便于后续的误差分析及调整。
66.在一些实施例中，晶圆150可以包括顺时针依次排布的第一光栅区151、第二光栅区152、第三光栅区153以及第四光栅区154；形成第二目标图形170的方法包括：以第二光刻胶层120为掩膜，沿第一方向x对第一光栅区151以及第三光栅区153的第一目标图形160(参考图2)进行切断处理，沿第二方向y对第二光栅区152以及第四光栅区154的第一目标图形160进行切断处理，以形成第二目标图形170。
67.在一些实施例中，第一光栅单元121及第三光栅单元123中每两个第一标记图形130之间存在间断，以第二光刻胶层120为掩膜刻蚀晶圆150时，这部分间断空间会对第一目标图形160(参考图2)进行切断，第二光栅单元122及第四光栅单元124的第二标记图形140之间存在间断，故以第二光刻胶层120为掩膜刻蚀晶圆150时，这部分间断会对第一目标图形160(参考图2)进行切断，以形成第二目标图形170。
68.在一些实施例中，第一光栅单元121及第三光栅单元123中也可以是每三个第一标记图形130之间存在间断，可以根据实际的需求调整第一光栅单元121及第三光栅单元123之间的间断。
69.在一些实施例中，晶圆150包括功能区及切割道区，切割道区位于相邻功能区之间，可以在切割道区形成第一目标图形160(参考图2)以及第二目标图形170。
70.功能区即晶圆150用于形成集成电路的区域，切割道区即用于将晶圆150切割成若干芯片的区域，可以理解的是，第二目标图形170通常是用于量测套刻误差的图形，其本身并不具有其他功能，将第二目标图形170形成在切割道区可以避免第二目标图形170占用部分功能区的区域，从而提高晶圆150的利用率。
71.在一些实施例中，第一目标图形160(参考图3)与第二目标图形170可以均为条状图形，可以理解的是，第一光刻胶层100(参考图3)包括多个平行排布的初始条状图形110(参考图3)，故以第一光刻胶层100为掩膜图形化晶圆150形成的第一目标图形160为条状图形，第二光刻胶层120的第一标记图形130及第二标记图形140为条状图形，故以第二光刻胶层120为掩膜图形化第一目标图形160形成的第二目标图形170也为条状图形。通过形成条状图形的第一目标图形160及第二目标图形170利于后续对第二目标图形170进行测量。
72.本公开实施例通过依次将第一光刻胶层100的初始条状图形110及第二光刻胶层120的第一标记图形130及第二标记图形140转移至晶圆上以形成第二目标图形170，通过分
次形成的方法可以减小刻蚀过程中负载效应从而提高套刻精度量测图形的图形精度。
73.本公开另一实施例还提供一种套刻精度量测图形的制作方法，该套刻精度量测图形的制作方法与图2至图5相应的实施例大致相同，主要区别包括：第二光刻胶层的第一标记图形及第二标记图形不同，以下将结合附图对本公开另一实施例提供的套刻精度量测图形的制作方法进行说明，需要说明的是前述实施例相同或相应的部分，可参考前述实施例的相应说明，以下将不做赘述。
74.参考图6至图9，图6至图9为本公开另一实施例提供的一种套刻精度量测图形的制作方法各步骤对应的结构示意图。
75.具体的，参考图6，图6为本公开实施例提供的一种第一光刻胶层的结构示意图，参考图7，图7为本公开实施例提供的一种包括第一目标图形的晶圆结构示意图；参考图6及图7，提供晶圆250，以第一光刻胶层200的初始条状图形210转移至晶圆250上以形成第一目标图形260。
76.参考图8，提供第二光刻胶层220，第二光刻胶层220具有多个第一标记图形230及第二标记图形240，第一标记图形230沿第一方向延伸，第二标记图形240沿第二方向y延伸。
77.在一些实施例中，第二光刻胶层220可以绕中心点顺时针分布的第一光栅单元221、第二光栅单元222、第三光栅单元223及第四光栅单元224，且第二光栅单元222及第四光栅单元224的第二标记图形240为连续的条状图形，第一光栅单元221及第三光栅单元223的第一标记图形230之间的间隔相等，且第一标记图形230之间的间隔与第一光刻胶层200(参考图7)的初始条状图形210(参考图7)之间间隔相等。
78.参考图9，填充相邻第一目标图形260，以形成平坦区280；以第二光刻胶层220为掩膜图形化平坦区280，以将第一标记图形230及第二标记图形240转移到平坦区280以形成第二目标图形270。
79.通过先将部分第一目标图形260之间的间隙进行填充，以形成平坦区280，通过在平坦区280上形成第二光刻胶层220，并以第二光刻胶层220为掩膜刻蚀平坦区280以形成第二目标图形270，通过先形成平坦区280再形成第二目标图形270的方式可以减低形成的第二目标图形270过程中的刻蚀负载效应，从而提高形成第二目标图形270的图形精度。
80.可以理解的是，由于在形成第一目标图形的过程中，以第一光刻胶层为掩膜刻蚀晶圆，若不形成平坦区，直接图形化第一目标图形，部分晶圆会经过两次刻蚀，导致第二目标图形的顶面及底面之间的高度差过高，第二目标图形的高度差过高会导致第二目标图形的图形稳定性不高。
81.在一些实施例中，也可以不形成平坦区，直接以第二光刻胶层为掩膜刻蚀第一目标图形以形成第二目标图形。本公开实施例通过在形成第二目标图形270之前，先填充部分相邻的第一目标图形260以形成平坦区280，再图形化平坦区280以形成第二目标图形270，通过先形成平坦区280再形成第二目标图形270的方式可以降低第二目标图形270的高度差，从而提高目标图形270的稳定性，且通过分次形成第一目标图形260及第二目标图形270可以降低单次形成目标图形的刻蚀负载效应，从而提高形成的套刻精度量测图形的图形精度。
82.本公开又一实施例还提供一种套刻精度量测图形的制作方法，该套刻精度量测图形的制作方法与图2至图5提供的实施例大致相同，主要区别包括：第一光刻胶层的初始条
状图形的延伸方向不同，以下将结合附图对本公开又一实施例提供的套刻精度量测图形的制作方法进行说明，需要说明的是前述实施例相同或相应的部分，可参考前述实施例的相应说明，以下将不做赘述。
83.参考图10至图13为本公开又一实施例提供的一种套刻精度量测图形的制作方法各步骤对应的结构示意图。
84.参考图10，图10为本公开实施例提供的一种第一光刻胶层的结构示意图，参考图11，图11为本公开实施例提供的一种具有第一目标图形的晶圆结构示意图，参考图10及图11，提供晶圆350，以第一光刻胶层300的初始条状图形310转移至晶圆350上以形成第一目标图形360。具体的，在一些实施例中，初始条状图形310的延伸方向可以相对于第一方向x倾斜，多个初始条状图形310的排布方向可以相对于第二方向y倾斜。
85.通过设置初始条状图形310的延伸方向与第一方向x不同，初始条状图形310的排布方向与第二方向y不同可以提高第二目标图形的多样性，从而提高第二目标图形的通用性。
86.在一些实施例中，初始条状图形310的延伸方向相对于第一方向x倾斜的夹角在0-45
°
范围内，多个初始条状图形310的排布方向与第二方向y倾斜的夹角在0-45
°
范围内。
87.通过设置初始条状图形310的延伸方向相对于第一方向x倾斜的夹角在0-45
°
范围内，多个初始条状图形310的排布方向与第二方向y倾斜的夹角在0-45
°
范围内可以同时确认最终形成第二目标图形在第一方向x上和第二方向y上的偏移量，从而可以减少后续测量套刻误差的时间。
88.初始条状图形310的延伸方向相对于第一方向x倾斜的夹角及排布方向与第二方向y倾斜的夹角还可以是其他角度，可以通过实际生产的需求调整初始条状图形310的延伸方向及排布方向。
89.以第一光刻胶层300为掩膜图形化晶圆350，以将初始条状图形310转移到晶圆350上，形成第一目标图形360。
90.参考图12，图12为本公开实施例提供的一种第二光刻胶层的结构示意图；参考图13，图13为本公开实施例提供的一种包括第二目标图形的晶圆结构示意图；以第二光刻胶层320为掩膜图形化第一目标图形360(参考图11)，以形成第二目标图形370。
91.具体的，第二光刻胶层320可以绕中心点顺时针分布的第一光栅单元321、第二光栅单元322、第三光栅单元323及第四光栅单元324。
92.晶圆350可以包括：顺时针依次排布的第一光栅区351、第二光栅区352、第三光栅区353以及第四光栅区354；形成第二目标图形370的方法包括：以第二光刻胶层320为掩膜，沿第一方向x对第一光栅区351以及第三光栅区353的第一目标图形360(参考图11)进行切断处理，沿第二方向y对第二光栅区352以及第四光栅区354的第一目标图形360(参考图11)进行切断处理，以形成第二目标图形370。
93.本公开实施例提供的第一光刻胶层300具有延伸方向相对于第一方向x倾斜的且排布方向相对于第二方向y倾斜的多个初始条状图形310，通过以本公开实施例提供的第一光刻胶层为掩膜图形化晶圆350可以提高第二目标图形370的图形多样性，提高形成的套刻精度量测图形的通用性。
94.本公开实施例还提供一种套刻精度量测图形，可以采用上述实施例的全部步骤或
者部分步骤制作形成。
95.本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本公开的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本公开实施例的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本公开实施例的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本公开实施例的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。