OPC修正方法与流程

opc修正方法
技术领域
1.本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种光学邻近效应修正(optical proximity correction，opc)方法。


背景技术：

2.掩模板误差增强因子(mask error enhancement factor，meef)也可被称为掩模板误差因子(mask error factor)，其定义为硅片上曝出的线宽对掩模版线宽的偏导数。在经过基于模型的opc(model-based opc，mbopc)后，即使是相同的目标(target)图形，也会有不同的掩模版层(mask layer)仿真出来的光刻胶轮廓(contour)符合目标值(ontarget)，但是掩模版层中的一些切分线段(fragment)由于移动的比较激进，导致了该切分线段与对面多边形上的切分线段距离比较接近，根据瑞利判断原理，两个多边形的光强在该处叠加使距离较小处的光强对比度变差，即在该处由于激进mbopc导致了大meef的热点。如果将存在大meef的版图做成掩模版的话，掩模版工厂(maskshop)不可能做成理想没有任何掩模版宽度偏差的掩模版，在使用该掩模版经过光刻工艺后，硅片上的光刻胶宽度会与target宽度有一定偏差，造成光刻工艺窗口(process window)变小，甚至产生一些缺陷(defect)以及填铜后的短线或断线，最终影响产品的良率。
3.一般的解决meef较大的opc流程为opc验证(verify)检查之后，发现超过设定meef阈值的热点，然后在重设目标(retarget)阶段增加两个多边形的距离，在更改retarget规则之后，还要全芯片(full chip)重跑整个opc流程，这样不仅浪费了工程师大量的精力，而且浪费了大量的cpu计算资源，也拖延了出版(tape out)的进度。
4.如图1所示，是现有解决meef较大的opc修正方法的流程图；包括如下步骤：
5.步骤s101，opc verify检查发现meef热点。
6.步骤s102，retarget拉大热点空间。通过拉大热点空间来消除meef热点。
7.步骤s103，full chip重跑rule-based&model-based opc，rule-based opc表示基于规则的opc，步骤s103即为进行全芯片的基于规则的opc和基于模型的opc。
8.步骤s104，opc verify检查。
9.如果检查结果正常，即结果ok，则进行后续步骤s105。如果检查结果不符合要求即否，则从步骤s101开始重新循环步骤。
10.步骤s105，出版。
11.上述现有方法是遇见问题，解决问题，非常被动，只能解决已知问题且会浪费工程师时间；另外，现有方法对meef过大进行修改时，需要重跑整个流程(flow)，会浪费cpu资源。


技术实现要素：

12.本发明所要解决的技术问题是提供一种opc修正方法，能降低掩模版整体的meef，提高光刻工艺窗口和产品良率，还能减小人力以及计算机资源，从而提高出版进度。
13.为解决上述技术问题，本发明提供的opc修正方法包括如下步骤：
14.步骤一、提供版图的目标层。
15.步骤二、形成meef热点标记，所述meef热点标记(meef marker)所覆盖的区域包括meef热点区域。
16.步骤三、将所述meef热点标记导入mbopc系统中。
17.步骤四、在所述mbopc系统中设置所述meef热点标记下的切分线段的第一移动规则，所述第一移动规则用于保证所述meef热点标记所覆盖区域的图形的meef符合要求值。
18.步骤五、运行mbopc得到掩模版层，在运行所述mbopc的过程中，所述meef热点标记所覆盖区域的图形的切分线段按照所述第一移动规则移动。
19.进一步的改进是，还包括步骤：
20.步骤六、对掩模版层进行opc验证。
21.如果所述opc验证结果符合要求，则按照所述掩模版层出版。
22.如果所述opc验证结果不符合要求，则重复一次步骤一至步骤五。
23.进一步的改进是，所述目标层直接由输入的原始版图组成。
24.进一步的改进是，所述目标层由对输入的原始版图做基于规则的opc得到。
25.进一步的改进是，所述mbopc系统中设置有第二移动规则，在运行所述mbopc的过程中，所述meef热点标记所覆盖区域外的图形的切分线段按照所述第二移动规则移动。
26.进一步的改进是，步骤二中，所述meef热点区域为在运行所述mbopc的过程中按照所述第二移动规则移动图形的切分线段时会出现meef大于要求值的区域。
27.进一步的改进是，所述第一移动规则包括设置切分线段的移动量以及相邻切分线段的移动量的差值。
28.进一步的改进是，所述移动量为所述切分线段和所述目标层中设置的目标线段之间的距离。
29.进一步的改进是，在保证mbopc后的图形的光刻胶轮廓符合目标值的条件下，相邻切分线段的移动量的差值越小越好。
30.进一步的改进是，步骤二中，所述meef热点标记所覆盖的区域是根据所述meef热点标记所覆盖的区域的图形结构在所述目标层中的特征进行选择得到。
31.进一步的改进是，所述meef热点标记所覆盖的区域还包括光学对比度不符合要求的建模用的图形结构区域。
32.进一步的改进是，步骤二中，根据所述mefe热点区域的图形结构或者光学对比度不符合要求的建模用的图形结构在所述目标层中的特征选出目标边，将所述目标边进行扩展形成盒结构并由所述盒结构作为所述meef热点标记。
33.进一步的改进是，所述mefe热点区域的图形结构或者光学对比度不符合要求的建模用的图形结构在所述目标层中的特征包括：线宽、间距、长度和角，通过设置所述线宽、所述间距、所述长度和所述角的限制选出所述目标边。
34.本发明在提供目标层后，并不是直接做mbopc，而是预先在选定的区域中形成meef热点标记，选定的区域包括meef热点区域，之后专门为meef热点标记所覆盖的区域设置第一移动规则，在mbopc过程中，meef热点标记所覆盖的区域的图形的切分线段单独按照第一移动规则移动，由于第一移动规则是专门为了避免meef热点区域的meef过大而设置的，故
能降低meef热点标记所覆盖区域的meef，最后，本发明能降低掩模版整体的meef，提高光刻工艺窗口和产品良率。
35.由于本发明仅需对meef热点标记所覆盖区域单独设置第一移动规则即可实现降低掩模版整体的meef，meef热点标记所覆盖区域外的图形的切分线段的移动不会受到影响，所以能在调整meef热点标记所覆盖区域的图形的同时避免meef热点标记所覆盖区域外的图形修正后的仿真结果不符合目标值。
36.本发明通过设置meef热点标记和设置第一移动规则，能在mbopc之前对可能会出现meef热点的区域进行预处理，mbopc之后meef热点会减少，这样，不仅能降低工程师检查热点所需的时间，也会省掉由于修改脚本重新跑opc所需的时间，从而能减小人力以及计算机资源，从而提高出版效率。
附图说明
37.下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
38.图1是现有opc修正方法的流程图；
39.图2是本发明实施例opc修正方法的流程图；
40.图3是本发明实施例opc修正方法中meef热点标记的示意图；
41.图4是现有opc修正方法得到的掩模版的meef；
42.图5是本发明实施例opc修正方法得到的掩模版的meef。
具体实施方式
43.如图2所示，是本发明实施例opc修正方法的流程图；如图3所示，是本发明实施例opc修正方法中meef热点标记103的示意图；本发明实施例opc修正方法包括如下步骤：
44.步骤一、提供版图的目标层101。
45.在一些实施例中，所述目标层101由对输入的原始版图做基于规则的opc得到。该步骤一对应于图2中的步骤s201，即：导入版图，做rule-based opc。
46.在其他实施例中也能为：所述目标层101直接由输入的原始版图组成。
47.图3中仅显示了所述目标层101的3个图形。
48.步骤二、形成meef热点标记103，所述meef热点标记103所覆盖的区域包括meef热点区域。
49.本发明实施例中，所述meef热点区域为在运行所述mbopc的过程中按照后续第二移动规则移动图形的切分线段时会出现meef大于要求值的区域。第二移动规则即为现有方法对应的移动规则。
50.所述meef热点标记103所覆盖的区域是根据所述meef热点标记103所覆盖的区域的图形结构在所述目标层101中的特征进行选择得到。
51.在一些实施例中，所述meef热点标记103所覆盖的区域还包括光学对比度不符合要求的建模用的图形结构。
52.根据所述mefe热点区域的图形结构或者光学对比度不符合要求的建模用的图形结构在所述目标层101中的特征选出目标边，将所述目标边进行扩展形成盒结构并由所述盒结构作为所述meef热点标记103。
53.所述mefe热点区域的图形结构或者光学对比度不符合要求的建模用的图形结构在所述目标层101中的特征包括：线宽、间距、长度和角，通过设置所述线宽、所述间距、所述长度和所述角的限制选出所述目标边。也即通过对所述线宽、所述间距、所述长度和所述角的特征进行限制型选择能自动得到所述meef热点标记103所覆盖的区域，并从而在选择的区域中设置所述meef热点标记103。
54.步骤三、将所述meef热点标记103导入mbopc系统中。
55.步骤四、在所述mbopc系统中设置所述meef热点标记103下的切分线段的第一移动规则，所述第一移动规则用于保证所述meef热点标记103所覆盖区域的图形的meef符合要求值。
56.步骤二、三和四对应于图2中的步骤s202，即：加入meef marker，并设定移动规则。
57.本发明实施例中，所述mbopc系统中设置有第二移动规则，在后续运行mbopc的过程中，所述meef热点标记103所覆盖区域外的图形的切分线段按照所述第二移动规则移动。所述第二移动规则是所述mbopc系统中本来就具有的规则，如果不设置，所述第一移动规则，则所述版图上的所有图形的切分线段在mbopc中都会按照所述第二移动规则移动。
58.本发明实施例中，所述第一移动规则包括设置切分线段的移动量以及相邻切分线段的移动量的差值。
59.所述移动量为所述切分线段和所述目标层101中设置的目标线段之间的距离。
60.在保证mbopc后的图形的光刻胶轮廓符合目标值的条件下，相邻切分线段的移动量的差值越小越好。图3中的掩模版层102用虚线显示了相邻两个切分线段，d1表示相邻切分线段的移动量的差值。本发明实施例中，所述第一移动规则会对d1进行限制，以避免出现激进移动，从而防止出现meef过大情形。
61.所述切分线段的移动量具有正负性，所述切分线段在所述目标层时移动量为负，反之为正。
62.步骤五、运行mbopc得到掩模版层102，在运行所述mbopc的过程中，所述meef热点标记103所覆盖区域的图形的切分线段按照所述第一移动规则移动。所述meef热点标记103所覆盖区域外的图形的切分线段按照所述第二移动规则移动。
63.步骤五对应于图2中的步骤s203，即：运行model-based opc。
64.还包括步骤：
65.步骤六、对掩模版层102进行opc验证。步骤六对应于图2中的步骤s204，即：opc verify检查。
66.如果所述opc验证结果符合要求，则按照所述掩模版层102出版。即进行图2中的步骤s205。
67.如果所述opc验证结果不符合要求，则重复一次步骤一至步骤五。
68.本发明实施例在提供目标层101后，并不是直接做mbopc，而是预先在选定的区域中形成meef热点标记103，选定的区域包括meef热点区域，之后专门为meef热点标记103所覆盖的区域设置第一移动规则，在mbopc过程中，meef热点标记103所覆盖的区域的图形的切分线段单独按照第一移动规则移动，由于第一移动规则是专门为了避免meef热点区域的meef过大而设置的，故能降低meef热点标记103所覆盖区域的meef，最后，本发明实施例能降低掩模版整体的meef，提高光刻工艺窗口和产品良率。
69.由于本发明实施例仅需对meef热点标记103所覆盖区域单独设置第一移动规则即可实现降低掩模版整体的meef，meef热点标记103所覆盖区域外的图形的切分线段的移动不会受到影响，所以能在调整meef热点标记所覆盖区域的图形的同时避免meef热点标记103所覆盖区域外的图形修正后的仿真结果不符合目标值。
70.本发明实施例通过设置meef热点标记103和设置第一移动规则，能在mbopc之前对可能会出现meef热点的区域进行预处理，mbopc之后meef热点会减少，这样，不仅能降低工程师检查热点所需的时间，也会省掉由于修改脚本重新跑opc所需的时间，从而能减小人力以及计算机资源，从而提高出版效率。
71.如图4所示，是现有opc修正方法得到的掩模版的meef；目标层单独用标记101a表示，掩模版层单独用标记102a表示，meef用标记201a表示，meef能通过对仿真轮廓图的测量得到。
72.如图5所示，是本发明实施例opc修正方法得到的掩模版的meef。目标层单独用标记101b表示，掩模版层单独用标记102b表示，meef用标记201b表示。
73.比较图4和图5可知，本发明实施例通过在meef热点标记内设置相邻边(edge)即切分线段的移动限制，能将meef从图4的7.0降低到图5的6.2，降幅约为10％。
74.以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。