一种表层附着力改善型高透过低反射AR膜的制作方法

一种表层附着力改善型高透过低反射ar膜
【技术领域】
1.本发明涉及ar膜的技术领域，特别是一种表层附着力改善型高透过低反射ar膜的技术领域。


背景技术：

2.ar膜(anti-reflection glass)，即抗反射增透膜，能够提高玻璃或屏幕的透光率，同时降低玻璃或屏幕的反射率，广泛应用在lcd电视、pdp电视、手提电脑、台式电脑、高档仪表面板、触摸屏和相框玻璃等电子产品之中，从而实现增透的效果，并且减少电子视屏或影像屏幕在环境光源下产生反光或眩光的问题，使对比更强烈，图像更清晰。但是，现有的ar膜通常制程线路较宽，且膜层附着力较差，亟待解决。


技术实现要素：

3.本发明的目的就是解决现有技术中的问题，提出一种表层附着力改善型高透过低反射ar膜，能够有效提升vr膜的视觉效果，改善vr膜的表层附着力，且制程线路较窄，生产效率较高，应用更广。
4.为实现上述目的，本发明提出了一种表层附着力改善型高透过低反射ar膜，包括基材层、im层和改性复合层，所述基材层的顶面从上至下依次设有若干层im层，位于最上层的im层的顶面从上至下依次设有若干层改性复合层，每一层所述改性复合层均包括一上一下设置的二氧化硅层和氧化铌层。
5.作为优选，所述基材层为pet层、cop层、透明pi层、tac层或pc层。
6.作为优选，所述基材层的厚度为5.7～188μm。
7.作为优选，所述im层为低折射丙烯酸树脂层。
8.作为优选，所述im层的层数为两层，位于下层的所述im层的厚度为0.8～1.9μm，位于上层的所述im层的厚度为50～150nm。
9.作为优选，所述改性复合层的层数为两层，位于下层的所述改性复合层的氧化铌层的厚度为5～25nm，位于下层的所述改性复合层的二氧化硅层的厚度为20～60nm，位于上层的所述改性复合层的氧化铌层的厚度为80～180nm，位于上层的所述改性复合层的二氧化硅层的厚度为50～130nm。
10.作为优选，位于最上层的所述改性复合层的二氧化硅层的顶面还设有保护层。
11.作为优选，所述保护层为氧化铌层。
12.作为优选，所述保护层的厚度为0.5～5nm。
13.作为优选，所述im层由涂布工艺涂布形成，所述改性复合层和保护层均通过磁控溅射工艺形成。
14.本发明的有益效果：
15.本发明通过将可增加透过性的氧化铌层以及可降低反射性的二氧化硅层交替设置形成改性复合层，并使若干层改性复合层依次堆叠设置，有效提升vr膜的视觉效果，改善
vr膜的表层附着力，且制程线路较窄，生产效率较高，应用更广；通过在改性复合层的顶面增设氧化铌层作为保护层，极大地加长ar膜的水煮脱落时间，在水煮2h后膜面也没有发彩现象，且镀膜后并未影响整体光学曲线，使全光透过达到96％以上，分光透过400～700nm达到94％以上，反射400～700nm均值达到0.5％以下。
16.本发明的特征及优点将通过实施例结合附图进行详细说明。
【附图说明】
17.图1是实施例二的结构示意图；
18.图2是实施例三的结构示意图；
19.图中：1-基材层、2-im层、3-改性复合层、4-保护层。
【具体实施方式】
20.实施例一、nb2o5+sio2+nb2o5+sio2型ar膜的制备：
21.参阅图1，本发明一种表层附着力改善型高透过低反射ar膜，包括基材层1、im层2和改性复合层3，所述基材层1的顶面从上至下依次设有若干层im层2，位于最上层的im层2的顶面从上至下依次设有若干层改性复合层3，每一层所述改性复合层3均包括一上一下设置的二氧化硅层和氧化铌层。
22.所述基材层1为pet层、cop层、透明pi层、tac层或pc层。
23.所述基材层1的厚度为5.7～188μm。
24.所述im层2为低折射丙烯酸树脂层。
25.所述im层2的层数为两层，位于下层的所述im层2的厚度为0.8～1.9μm，位于上层的所述im层2的厚度为50～150nm。
26.所述改性复合层3的层数为两层，位于下层的所述改性复合层3的氧化铌层的厚度为5～25nm，位于下层的所述改性复合层3的二氧化硅层的厚度为20～60nm，位于上层的所述改性复合层3的氧化铌层的厚度为80～180nm，位于上层的所述改性复合层3的二氧化硅层的厚度为50～130nm。
27.所述im层2由涂布工艺涂布形成，所述改性复合层3通过磁控溅射工艺形成。
28.本实施例通过在im层2之上交替镀设可增加透过性的氧化铌层以及可降低反射性的二氧化硅层，整体结构简单，生产效率高，表层附着力强。
29.实施例二、nb2o5+sio2+nb2o5+sio2+nb2o5型ar膜的制备：
30.虽然实施例一所制备的nb2o5+sio2+nb2o5+sio2型ar膜的表面附着力较强(接近1000格)，结构简单，可有效提高生产效率，但是在水煮百格附着力100℃时10min后，就会造成镀层脱落，且膜面严重发彩。
31.为此，在实施例一的基础上，再在位于最上层的所述改性复合层3的二氧化硅层的顶面增设保护层4。
32.所述保护层4为氧化铌层。
33.所述保护层4的厚度为0.5～5nm。
34.所述保护层4通过磁控溅射工艺形成。
35.通过多次验证，增设保护层4可使所制备的nb2o5+sio2+nb2o5+sio2+nb2o5型ar膜极
大地加长水煮脱落时间，在水煮2h后膜面也没有发彩现象，且镀膜后并未影响整体光学曲线，全光透过达到96％以上，分光透过400～700nm达到94％以上，反射400～700nm均值达到0.5％以下。
36.实施例三、不同厚度膜层对反射率的影响：
37.调整实施例二所制备的nb2o5+sio2+nb2o5+sio2+nb2o5型ar膜的各层氧化铌的厚度，并检测其在400～700nm波段反射率的变化，结果如下表1所示：
[0038][0039][0040]
表1不同膜层厚度的ar膜的400～70波段反射率
[0041]
由上表1可知，在第五组中所展示的在增加第
①
层并降低第
⑤
层的氧化铌厚度时，400～700nm波段反射率达到0.33％，表现最佳。
[0042]
实施例四、不同打底水煮附着力验证：
[0043]
分别调节打底层的结构，检测百格附着力的变化，结果如下表2所示：
[0044] 打底层验证打底层厚度百格附着力第一组al2o3+nb2o5+sio2+nb2o5+sio21.5nm1b第二组si+nb2o5+sio2+nb2o5+sio2+nb2o50.9nm2b第三组tio2+nb2o5+sio2+nb2o5+sio22.2nm1b第四组ti+nb2o5+sio2+nb2o5+sio20.9nm0b第五组nb2o5+sio2+nb2o5+sio2/0b第六组nb2o5+sio2+nb2o5+sio2+nb2o5/5b
[0045]
表2不同打底的百格附着力
[0046]
其中，nb2o5+sio2+nb2o5+sio2的厚度为14nm+29nm+110nm+90nm，而nb2o5+sio2+nb2o5+sio2+nb2o5的厚度为14nm+29nm+110nm+90nm+1nm。
[0047]
由上表2可知，nb2o5+sio2+nb2o5+sio2+nb2o5的水煮百格附着力达到5b，效果最佳。
[0048]
上述实施例是对本发明的说明，不是对本发明的限定，任何对本发明简单变换后的方案均属于本发明的保护范围。