制造用于极紫外线光刻的隔膜组件的方法、隔膜组件、光刻设备及器件制造方法与流程

制造用于极紫外线光刻的隔膜组件的方法、隔膜组件、光刻设备及器件制造方法
1.本技术是国际申请pct/ep2016/079606于2018年8月17日进入中国国 家阶段、申请号为201680082147.7的发明申请的分案申请。
2.相关申请的交叉引用
3.本技术要求于2015年12月18日递交的欧洲申请15201073.2和于 2016年5月25日递交的欧洲申请16171233.6的优先权，并且它们通过引 用全文并入本发明。
技术领域
4.本发明涉及一种制造用于euv光刻的隔膜组件的方法、一种隔膜组 件、一种光刻设备，及一种器件制造方法。


背景技术：

5.光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分 上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ic)的制造中。在所述 情况下，可以将替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成 于ic的单层上的电路图案。可将此图案转印至衬底(例如，硅晶片)上 的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经 由成像至提供于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而进行图案的转印。 一般而言，单一衬底将包含经顺次地图案化的邻近目标部分的网络。
6.光刻被广泛地认为是在ic以及其他器件和/或结构的制造中的关键 步骤之一。然而，随着使用光刻所制造的特征的尺寸变得愈来愈小，光刻 正变成用于使得能够制造小型ic或其他器件和/或结构的更具决定性的 因素。
7.图案印刷极限的理论估计可通过瑞利(rayleigh)分辨率准则给出， 如方程式(1)所示出：
8.cd＝k1*λ/na
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(1)
9.其中λ是所使用辐射的波长，na是用以印刷图案的投影系统的数值 孔径，k1是工艺相依调整因子(也被称为瑞利常数)，cd是经印刷特征 的特征尺寸(或临界尺寸)。从方程式(1)可见，可以以三种方式来获得 特征的最小可印刷尺寸的减少：通过缩短曝光波长x、通过增加数值孔径 na，或通过减低k1的值。
10.为了缩短曝光波长且因此减少最小可印刷尺寸，已提议使用极紫外 线(euv)辐射源。euv辐射是具有在10纳米至20纳米的范围内(例 如在13纳米至14纳米的范围内)的波长的电磁辐射。已进一步提议可使 用具有小于10纳米(例如在5纳米至10纳米的范围内，诸如6.7纳米或 6.8纳米)的波长的euv辐射。这种辐射被称为极紫外线辐射或软x射 线辐射。例如，可能的源包括激光产生等离子体源、放电等离子体源，或 基于由电子储存环提供的同步加速器辐射的源。
11.光刻设备包括图案形成装置(例如，掩模或掩模版)。辐射被提供通 过图案形成装置或从图案形成装置反射以在衬底上形成图像。可提供隔膜 组件以保护图案形成装置免
受空浮粒子及其他形式的污染影响。用于保护 图案形成装置的隔膜组件可被称为保护膜。图案形成装置的表面上的污染 可造成衬底上的制造缺陷。隔膜组件可包括边界及跨越所述边界拉伸的隔 膜。例如由于隔膜薄化，难以在过程中隔膜组件不变形的情况下制造隔膜 组件。
12.也难以在过程中隔膜组件不受损或不受污染的情况下制造隔膜组件。 例如，在制造隔膜组件的工艺期间，隔膜可能不期望地被氧化或淀积在隔 膜上沉积不想要的污染物粒子。
13.需要减少诸如保护膜的隔膜组件在其制造期间变形、受损或受污染 的可能性。


技术实现要素：

14.根据本发明一方面，提供一种制造用于euv光刻的隔膜组件的方法， 包括：提供包括平面衬底及至少一个隔膜层的堆叠结构，其中所述平面衬 底包括内部区、围绕所述内部区的边界区、围绕所述边界区的桥接区及围 绕所述桥接区的边缘区；选择性地去除所述内部区及所述桥接区的第一部 分以提供隔膜组件，所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔 膜；保持所述隔膜的边界，所述边界由所述平面衬底的所述边界区形成； 围绕所述边界的边缘区段，所述边缘区段由所述平面衬底的所述边缘区形 成；及所述边界与所述边缘区段之间的桥接件，所述桥接件由所述至少一 个隔膜层及所述平面衬底的所述桥接区的第二部分形成；及通过切割或断 裂所述桥接件而将所述边缘区段与所述边界分离。
15.根据本发明一方面，提供一种制造用于euv光刻的隔膜组件的方法， 包括：提供包括平面衬底及至少一个隔膜层的堆叠结构，其中所述平面衬 底包括内部区、围绕所述内部区的边界区、围绕所述边界区的桥接区及围 绕所述边界区的边缘区；将第一保护层施加于所述堆叠结构的至少一顶部 表面上，使得所述至少一个隔膜层介于所述第一保护层与所述平面衬底之 间，及施加在所述堆叠结构的侧表面上；对所述堆叠结构及所述第一保护 层应用第一去除过程以选择性地去除所述平面衬底的所述桥接区的至少 一部分，由此薄化或去除所述平面衬底的所述边界区与所述边缘区之间的 一体连接，所述第一保护层抵抗所述第一去除过程；去除所述边缘区及形 成于所述边缘区上的层；在所述边缘区的去除之后将第二保护层施加于衬 底组件的至少侧表面上；应用第二去除过程以选择性地去除所述内部区， 所述第二保护层抵抗所述第二去除过程，以提供隔膜组件，所述隔膜组件 包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；及保持所述隔膜的边界，所述 边界由所述平面衬底的所述边界区形成。
16.根据本发明一方面，提供一种制造用于euv光刻的隔膜组件的方法， 包括：提供包括平面衬底、至少一个隔膜层及保护层的堆叠，所述至少一 个隔膜层介于所述保护层与所述平面衬底之间，其中所述平面衬底包括内 部区、围绕所述内部区的边界区、围绕所述边界区的桥接区及围绕所述桥 接区的边缘区；使用去除过程以选择性地去除所述内部区以及所述桥接区 的至少一部分，由此薄化或去除所述平面衬底的所述边界区与所述边缘区 之间的一体连接，所述保护层抵抗所述去除过程；及使所述边缘区与形成 于所述边缘区上的层与衬底组件分离，且随后去除所述保护层，以提供隔 膜组件，所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；及保持 所述隔膜的边界，所述边界由所述平面衬底的所述边界区形成。
17.根据本发明一方面，提供一种制造用于euv光刻的隔膜组件的方法， 包括：提供包括平面衬底及至少一个隔膜层的堆叠结构，其中所述平面衬 底包括内部区、围绕所述内部区的边界区、围绕所述边界区的桥接区及围 绕所述桥接区的边缘区；运用抗蚀刻涂层来包封所述堆叠结构且图案化所 述堆叠结构的底面上的所述抗蚀刻涂层，以界定受到所述抗蚀刻涂层保护 的所述堆叠结构的区域及不受所述抗蚀刻涂层保护的所述堆叠结构的区 域；将机械抛光工艺应用于所述平面衬底的所述内部区、所述边界区及所 述桥接区上方的所述堆叠结构的顶面上的区域以去除所述抗蚀刻涂层的 第一部分；将有效地用以蚀刻所述抗蚀刻涂层的蚀刻工艺应用于所述平面 衬底的所述内部区、所述边界区及所述桥接区上方的所述堆叠结构的所述 顶面上的所述区域以去除所述抗蚀刻涂层的第二部分；施加覆盖所述堆叠 结构的至少所述顶面的保护层；及使用去除过程以选择性地去除所述内部 区以及所述桥接区的至少一部分，由此薄化或去除所述平面衬底的所述边 界区与所述边缘区之间的一体连接，以提供隔膜组件，所述隔膜组件包括： 由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；保持所述隔膜的边界，所述边界由所 述平面衬底的所述边界区形成；围绕所述边界的边缘区段，所述边缘区段 由所述平面衬底的所述边缘区形成；及所述边界与所述边缘区段之间的桥 接件，所述桥接件由所述至少一个隔膜层及所述平面衬底的所述桥接区的 任何剩余部分形成；及通过切割或断裂所述桥接件而将所述边缘区段与所 述边界分离。
18.根据本发明一方面，提供一种制造用于euv光刻的隔膜组件的方法， 包括：提供包括平面衬底及至少一个隔膜层的堆叠结构，其中所述平面衬 底包括内部区、围绕所述内部区的边界区，及围绕所述边界区的边缘区； 去除所述边缘区及形成于所述边缘区上的层；将保护层施加于所述堆叠的 至少一顶部表面上，使得所述至少一个隔膜层介于所述保护层与所述平面 衬底之间，以及将保护层施加在所述堆叠结构的侧表面上；使用第一去除 过程以选择性地去除所述内部区，所述保护层抵抗所述第一去除过程；及 使用第二去除过程以去除所述保护层，以提供隔膜组件，所述隔膜组件包 括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；及保持所述隔膜的边界，所述边 界由所述平面衬底的所述边界区形成。
附图说明
19.现在参照随附的示意性附图、仅以举例的方式描述本发明的实施例。 在附图中，相应的附图标记表示相应的部件，其中：
20.图1图示出根据本发明的实施例的光刻设备；
21.图2是光刻设备的更详细视图；
22.图3至图10示意性地图示出在制造隔膜组件的方法中的多个阶段， 其中在平面衬底的边缘区分离之前仅部分地蚀刻穿衬底的桥接区；
23.图11至图14示意性地图示出根据实施例的在图3至图10中所示出 的阶段之后的多个阶段；
24.图15至图17示意性地图示出根据替代实施例的在图3至图10中所 示出的阶段之后的多个阶段；
25.图18示意性地图示出根据替代实施例的由所形成的盖层覆盖的隔膜 组件；
26.图19至图23示意性地图示出在制造隔膜组件的方法中的阶段，其中 在单个隔膜组件的分离之前由单一平面衬底形成多个隔膜组件；
27.图24是图23中所示出的配置的示意性仰视图；
28.图25及图26图示出在图19至图24中所图示出的所述阶段之后的隔 膜组件的分离；
29.图27示意性地图示出制造过程中的阶段，其中在比平面衬底的内部 区被蚀刻掉更早的阶段蚀刻掉平面衬底的桥接区；
30.图28是图27中所示出的配置的示意性仰视图；
31.图29至图33进一步示出在平面衬底的边缘区分离之后图27及图28 的制造方法中的多个阶段；
32.图34至图39示出制造隔膜组件的方法中的多个阶段，其中将抛光工 艺应用至顶部表面以去除碎屑或薄片；
33.图40至图42示意性地图示出用于制造隔膜组件80的示例处理，其 中在分离之前去除保护层72；
34.图43至图46示意性地图示出用于制造隔膜组件80的实例处理，其 中去除所有桥接区63；
35.图47至图50示意性地图示出用于制造隔膜组件的替代实例处理，其 中去除所有桥接区；
36.图51至图53示意性地图示出用于制造隔膜组件的替代实例处理，其 中在分离之前去除保护层；
37.图54至图60示意性地图示出用于制造隔膜组件的另外替代实例处理， 其中在分离之前去除保护层72；
38.图61至图63示意性地图示出用于制造隔膜组件的实例处理，其中在 去除平面衬底的内部区之前将堆层切块；
39.图64至图67示意性地图示出用于制造隔膜组件的替代实例处理，其 中在去除平面衬底的内部区之前将堆层切块；
40.图68至图70示意性地图示出用于制造隔膜组件的实例处理，其中在 隔膜组件的桥接件断裂之后去除保护层；
41.图71至图73示意性地图示出用于制造隔膜组件的实例处理，其中并 不使用保护层。
42.根据下文结合附图所阐述的详细描述，本发明的特征及优点将变得更 显而易见，在附图中，类似参考特征始终识别对应组件。在所述附图中， 类似参考数字通常指示相同、功能上相似和/或结构上相似的元件。
具体实施方式
43.图1示意性地图示出根据本发明一实施例的包括源收集器模块so的 光刻设备100。所述设备100包括：
[0044]-照射系统(或照射器)il，被配置成调节辐射束b(例如，euv辐 射)；
[0045]-支撑结构(例如，掩模台)mt，被构造成支撑图案形成装置(例如， 掩模或掩模版)ma，且连接至被配置成准确地定位所述图案形成装置的 第一定位器pm；
[0046]-衬底台(例如，晶片台)wt，被构造成保持衬底(例如，抗蚀剂涂 覆晶片)w，且连接
至被配置成准确地定位所述衬底的第二定位器pw； 及
[0047]-投影系统(例如，反射投影系统)ps，被配置成将由图案形成装置 ma赋予至辐射束b的图案投影至衬底w的目标部分c(例如，包括一 个或更多个管芯)上。
[0048]
照射系统il可包括用于导向、成形或控制辐射的各种类型的光学组 件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学组件，或其任 何组合。
[0049]
支撑结构mt以依赖于图案形成装置ma的定向、光刻设备的设计 及其他条件(诸如，所述图案形成装置是否被保持于真空环境中)的方式 来保持所述图案形成装置。支撑结构mt可使用机械、真空、静电或其他 夹持技术以保持图案形成装置ma。支撑结构mt可以是例如框架或台， 其可根据需要而固定或可移动。支撑结构mt可确保图案形成装置ma 例如相对于投影系统ps处于所需位置。
[0050]
术语“图案形成装置”应被广泛地解释为是指可用以在辐射束b的 横截面中向辐射束b赋予图案以便在衬底w的目标部分c中产生图案的 任何器件。被赋予至辐射束b的图案可对应于目标部分c中所产生的器 件(诸如，集成电路)中的特定功能层。
[0051]
图案形成装置ma可以是透射的或反射的。图案形成装置的实例包 括掩模、可编程反射镜阵列，及可编程液晶显示(lcd)面板。掩模在光 刻中是众所周知的，且包括诸如二元、交变相移及衰减相移的掩模类型， 以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的实例使用小反射镜的矩阵配 置，所述小反射镜中的每一个可个别地倾斜，以便使入射辐射束在不同方 向上反射。倾斜反射镜在由反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。
[0052]
类似于照射系统il，投影系统ps可包括适于所使用的曝光辐射或适 于诸如真空的使用的其他因素的各种类型的光学组件，诸如，折射、反射、 磁性、电磁、静电或其他类型的光学组件，或其任何组合。可能需要将真 空用于euv辐射，这是因为其他气体可吸收过多辐射。因此，可凭借真 空壁及真空泵而为整个束路径提供真空环境。
[0053]
如此处所图示出，光刻设备100属于反射类型(例如，使用反射掩模)。
[0054]
光刻设备100可属于具有两个(双平台)或多于两个衬底台wt(和 /或两个或多于两个支撑结构mt)的类型。在此“多平台”光刻设备中， 可并行地使用额外衬底台wt(和/或额外支撑结构mt)，或可在一个或 更多个衬底台wt(和/或一个或更多个支撑结构mt)上进行预备步骤， 同时将一个或更多个其他衬底台wt(和/或一个或更多个其他支撑结构 mt)用于曝光。
[0055]
参看图1，照射系统il从源收集器模块so接收极紫外线辐射束。用 以产生euv光的方法包括但未必限于通过在euv范围内的一种或多种 发射谱线而将具有至少一个元素(例如，氙、锂或锡)的材料转换成等离 子体状态。在一种此类方法(常常被称为激光产生等离子体“lpp”)中， 可通过运用激光束来辐照燃料(诸如，具有所需谱线发射元素的材料小滴、 串流或簇)而产生所需等离子体。源收集器模块so可以是包括激光器(图 1中未图示)的euv辐射系统的部件，所述激光器用于提供激发燃料的 激光束。所得等离子体发射输出辐射(例如euv辐射)，所述输出辐射 是使用设置于源收集器模块中的辐射收集器而收集。例如，当使用co2激光器以提供用于燃料激发的激光束时，激光器及源收集器模块so可以 是分离实体。
[0056]
在这些状况下，激光器不被看作为形成光刻设备100的部件，且辐射 束b凭借包括例如合适导向反射镜和/或束扩展器的束传递系统而从激光 器传递至源收集器模块so。在
其他状况下，例如当源是放电产生等离子 体euv产生器(通常被称为dpp源)时，所述源可以是源收集器模块 so的整体部件。
[0057]
照射系统il可包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器。通常， 可调整照射系统il的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内 部径向范围(通常分别被称作σ-外部及σ-内部)。另外，照射系统il可 包括各种其他组件，诸如，琢面化场反射镜器件及琢面化光瞳反射镜器件。 照射系统il可用以调节辐射束b，以在其横截面中具有所需均一性及强 度分布。
[0058]
辐射束b入射于被保持于支撑结构(例如，掩模台)mt上的图案形 成装置(例如，掩模)ma上，且通过所述图案形成装置ma而图案化。 在从图案形成装置(例如，掩模)ma反射之后，辐射束b传递通过投 影系统ps，投影系统将所述辐射束b聚焦至衬底w的目标部分c上。 凭借第二定位器pw及位置传感器ps2(例如，干涉量测器件、线性编码 器或电容性传感器)，可准确地移动衬底台wt，例如，以便使不同目标 部分c定位于辐射束b的路径中。相似地，第一定位器pm及另一位置 传感器ps1可用以相对于辐射束b的路径来准确地定位图案形成装置(例 如，掩模)ma。可使用掩模对准标记ml、m2及衬底对准标记p1、p2 来对准图案形成装置(例如，掩模)ma及衬底w。
[0059]
控制器500控制光刻设备100的总操作，且特别执行下文进一步所描 述的操作程序。控制器500可被体现为经合适程序设计的通用计算机，其 包括中央处理单元、挥发性及非挥发性储存构件、一个或更多个输入及输 出器件(诸如，键盘及屏幕)、一个或更多个网络连接件，及至光刻设备 100的各种部分的一个或更多个界面。应理解，控制计算机与光刻设备100 之间的一对一关系是不必要的。在本发明的实施例中，一个计算机可控制 多个光刻设备100。在本发明的实施例中，多个网络化计算机可用以控制 一个光刻设备100。控制器500也可被配置成控制光刻制造单元(lithocell) 或簇(cluster)中一个或更多个关联工艺器件及衬底处置器件，光刻设备 100形成所述光刻制造单元或簇的一部分。控制器500也可配置成从属于 光刻制造单元或簇的监督控制系统和/或工厂(fab)的总控制系统。
[0060]
图2更详细地示出光刻设备100，其包括源收集器模块so、照射系 统il及投影系统ps。euv辐射发射等离子体210可由等离子体源形成。 可通过气体或蒸汽(例如，xe气体、li蒸汽或sn蒸汽)而产生euv辐 射，其中产生辐射发射等离子体210以发射在电磁光谱的euv范围内的 辐射。在一实施例中，提供经激发的锡(sn)的等离子体以产生euv辐 射。
[0061]
由辐射发射等离子体210发射的辐射从源腔室211传递至收集器腔室 212中。
[0062]
收集器腔室212可包括辐射收集器co。横穿辐射收集器co的辐射 可聚焦于虚拟源点if中。虚拟源点if通常被称作中间焦点，且源收集器 模块so被配置成使得虚拟源点if位于围封结构220中的开口221处或 附近。虚拟源点if是辐射发射等离子体210的图像。
[0063]
随后，辐射横穿照射系统il，照射系统il可包括琢面化场反射镜器 件22及琢面化光瞳反射镜器件24，琢面化场反射镜器件22及琢面化光 瞳反射镜器件24被配置成提供在图案形成装置ma处未经图案化束21 的所需角分布，以及在图案形成装置ma处辐射强度的所需均一性。在 由支撑结构mt保持的图案形成装置ma处的未经图案化束21的反射后， 就形成图案化束26，且由投影系统ps将图案化束26经由反射组件28、 30而成像至由衬底台wt保持的衬底w上。
[0064]
通常比所示出组件多的组件可存在于照射系统il及投影系统ps中。 此外，可存在
比诸图所示出的反射镜多的反射镜，例如，在投影系统ps 中可存在比图2所示出的反射组件多1至6个的额外反射组件。
[0065]
替代地，源收集器模块so可以是lpp辐射系统的部分。
[0066]
如图1中所图示出，在一实施例中，光刻设备100包括照射系统il 及投影系统ps。照射系统il被配置成发射辐射束b。投影系统ps通过 介入空间而与衬底台wt分离。投影系统ps被配置成将赋予至辐射束b 的图案投影至衬底w上。所述图案是用于辐射束b的euv辐射。
[0067]
可至少部分地抽空介入于投影系统ps与衬底台wt之间的空间。可 在投影系统ps的部位处由固体表面定界介入空间，所使用辐射从所述固 体表面经导向朝向衬底台wt。
[0068]
在一实施例中，光刻设备100包括动态气锁。动态气锁包括隔膜组件 80。在一实施例中，动态气锁包括由位于介入空间中的隔膜组件80覆盖 的中空部分。中空部分位于辐射的路径周围。在一实施例中，光刻设备 100包括鼓风机，所述鼓风机被配置成运用气流冲洗中空部分的内部。辐 射行进通过隔膜组件80，之后照射于衬底w上。
[0069]
在一实施例中，光刻设备100包括隔膜组件80。如上文所解释，在 一实施例中，隔膜组件80是用于动态气锁。在此状况下，隔膜组件80 充当用于对duv辐射进行滤光的滤光器。另外或替代地，在一实施例中， 隔膜组件80是用于euv光刻的图案形成装置ma的保护膜。本发明的 隔膜组件80可用于动态气锁或用于保护膜或用于另一目的。在一实施例 中，隔膜组件80包括被配置成透射入射euv辐射的至少80％的隔膜层 42。
[0070]
在一实施例中，保护膜被配置成密封图案形成装置ma以保护图案 形成装置ma免受空浮粒子及其他形式的污染的影响。图案形成装置ma 的表面上的污染可造成衬底w上的制造缺陷。例如，在一实施例中，保 护膜被配置成减少粒子可能迁移至光刻设备100中的图案形成装置ma 的步进场中的可能性。
[0071]
如果图案形成装置ma未受保护，则污染可要求清洁或报废图案形 成装置ma。清洁图案形成装置ma会中断宝贵的制造时间，而报废图案 形成装置ma导致成本高。替换图案形成装置ma也会中断宝贵的制造 时间。
[0072]
在一实施例中，提供制造用于euv的隔膜组件80的方法。下文中 参考图1至图26、图40至图42、图51至图60及图71至图73来描述此 实施例的方法的特定实例。所述方法包括提供堆叠结构60。堆叠结构60 包括平面衬底40及至少一个隔膜层42。可从裸硅晶片作为平面衬底40 (如图3中所示出)开始形成堆叠结构60。在后续步骤中在平面衬底40 上形成或淀积堆叠结构60的层。图4示出以此方式而形成的堆叠结构60 的实例。
[0073]
例如，平面衬底40具有诸如正方形、圆形或矩形的形状。平面衬底 40的形状不受特别限制。平面衬底40的大小不受特别限制。例如，在一 实施例中，平面衬底40的直径在约100毫米至约500毫米的范围内，例 如约200毫米。平面衬底40的厚度不受特别限制。例如，在一实施例中， 平面衬底40的厚度是至少300微米、视情况至少400微米。在一实施例 中，平面衬底40的厚度是至多1,000微米、视情况至多800微米。在一 实施例中，平面衬底40的厚度是约725微米。在一实施例中，平面衬底 40的厚度至多600微米、视情况至多400微米。通过提供较薄平面衬底 40，减少了需要选择性地去除的平面衬底40的量。
[0074]
硅可在金刚石立方晶体结构中结晶。在一实施例中，平面衬底40包 括硅的立方晶体。在一实施例中，平面衬底40具有《100》结晶方向。
[0075]
在一实施例中，抛光平面衬底40。堆叠结构60具有顶面及底面。在 诸图中，所述顶面被图示位于堆叠结构60的顶部。底面被图示在诸图中 的堆叠结构60的底部。
[0076]
在一实施例中，平面衬底40包括氧化层。氧化层是平面衬底40的部 件。平面衬底40的其余部分形成平面衬底40的非氧化层。氧化层是牺牲 层。氧化层在平面衬底40的非氧化层被蚀刻时形成蚀刻阻挡层阻挡物。
[0077]
在一实施例中，氧化层的厚度大于100纳米、视情况大于200纳米， 且视情况大于300纳米。例如，在一实施例中，氧化层的厚度是约300 纳米、350纳米或约400纳米。
[0078]
在一实施例中，在平面衬底40的外部表面上形成氧化层作为薄氧化 物层。在一实施例中，氧化层是通过热氧化工艺而形成为例如热湿式氧化 物。在一实施例中，氧化层及用于蚀刻平面衬底40的蚀刻剂被配置成使 得在蚀刻剂中氧化层的蚀刻速率小于约5纳米/分钟，例如约3纳米/分钟。 在一实施例中，氧化层包括非晶二氧化硅。
[0079]
堆叠结构60包括至少一个隔膜层42。隔膜组件80包括由至少一个 隔膜层42形成的隔膜。在一实施例中，至少一个隔膜层42包括呈同素异 形体的形式中的一种形式的硅，诸如非晶硅、单晶硅、多晶硅或纳米晶硅。 纳米晶硅意谓包含某非晶硅含量的多晶硅基质。在一实施例中，多晶硅或 纳米晶硅是通过使至少一个隔膜层42中的非晶硅结晶而形成。例如，将 隔膜层42作为非晶硅层添加至堆叠结构60。当超出某一温度时，非晶硅 层结晶成多晶硅层或纳米晶硅层。例如，作为非晶硅层的隔膜层42变换 成作为多晶硅层或纳米晶硅层的隔膜层42。
[0080]
在一实施例中，多晶硅层在其生长期间在原位被掺杂。通过添加p 型或n型掺杂剂，硅传导率增加，此对处置euv源的功率有积极效应。
[0081]
在一实施例中，将至少一个隔膜层42施加至堆叠结构60的顶部表面 及底部表面两者。可在稍后的工艺步骤中从堆叠结构60的底面去除至少 一个隔膜层42。然而，不必是此状况。在一替代实施例中，将至少一个 隔膜层42仅施加至堆叠结构60的顶面。堆叠结构40的顶面处的至少一 个隔膜层42变成通过制造方法而生产的隔膜组件80的隔膜70中的至少 一个隔膜层42。
[0082]
在一实施例中，通过化学气相淀积法(例如，低压化学气相淀积 (lpcvd)或等离子体增强化学气相淀积(pecvd))将至少一个隔膜 层42施加至堆叠结构60。lpcvd产生具有相对高质量的层，而pecvd 可理想地在低温下实现。例如，在一实施例中，在约500℃至620℃ 的范围内的温度下，例如，在约560℃下通过低压化学气相淀积(lpcvd) 而施加至少一个隔膜层42。然而，可使用其他方法，诸如pecvd、溅射 法及薄成膜法。
[0083]
在一实施例中，至少一个隔膜层42足够薄使得其对euv辐射的透 射率足够高，例如大于50％。在一实施例中，至少一个隔膜层42的厚度 是至多约200纳米，且视情况至多约150纳米。厚度是150纳米的纯si 隔膜将透射约77％的入射euv辐射。在一实施例中，至少一个隔膜层42 的厚度是至多约100纳米。厚度是100纳米的纯si隔膜将透射约84％的 入射euv辐射。
[0084]
在一实施例中，至少一个隔膜层42足够厚使得其在隔膜组件80固定 至光刻设备100的图案形成装置ma时以及在光刻设备100的使用期间 机械上稳定。在一实施例中，至少一个隔膜层42的厚度是至少约10纳米、 视情况至少约20纳米，且视情况至少约35纳米。在一实施例中，至少一 个隔膜层42的厚度是约40纳米。
[0085]
如例如图4至图17、图40至图42、图51至图60及图71至图73 中所示，在一实施例中，堆叠结构60包括下部盖膜47。下部盖膜47设 置于平面衬底40与至少一个隔膜层42之间。视情况，下部盖膜47与至 少一个隔膜层42接触。在一实施例中，下部盖膜47形成通过方法而生产 的隔膜组件80的隔膜70的部分。
[0086]
如例如图4至图17、图40至图42、图51至图60及图71至图73 中所示，在一实施例中，堆叠结构60包括上部盖膜48。上部盖膜48设 置于至少一个隔膜层42上方。视情况，上部盖膜48与至少一个隔膜层 42接触。在一实施例中，上部盖膜48形成通过所述方法生产的隔膜组件 80的隔膜70的部分。
[0087]
在光刻设备100的使用期间，隔膜组件80有可能断裂。当隔膜组件 80断裂时，隔膜70可分解成许多粒子。特别地，如果至少一个隔膜层42 由具有脆性性质的材料形成，则隔膜层42可在隔膜组件80断裂时碎裂成 许多粒子。来自已断裂隔膜组件80的碎屑可污染光刻设备100的其他部 分。例如，来自已断裂隔膜组件80的碎屑可污染光刻设备100的光学组 件。来自已断裂隔膜组件80的碎屑的污染可降低通过光刻设备100的光 学组件执行的光学功能的质量。
[0088]
例如，在一实施例中，至少一个隔膜层42由多晶硅或纳米晶硅形成。 多晶硅或纳米晶硅具有脆性性质。因此，包括一具有由多晶硅或纳米晶硅 形成的隔膜层42的隔膜70的隔膜组件80可在所述隔膜组件80断裂时碎 裂成许多粒子。
[0089]
下部盖膜47及上部盖膜48可至少部分地包含或容纳隔膜层42断裂 时所产生的碎屑，且减少光刻设备100的其他部分的污染。
[0090]
在一实施例中，用于下部盖膜47及上部盖膜48中的任一者或两者中 的每一个的材料是氮化硅。例如，在一实施例中，用于下部盖膜47及上 部盖膜48中的任一者或两者中的每一个的材料是非晶氮化硅。然而，其 他氮化硅可合适。在一实施例中，下部盖膜47及上部盖膜48中的任一者 或两者中的每一个足够厚以允许所述下部盖膜47及所述上部盖膜48中的 任一者或两者中的每一个执行其在隔膜层断裂42断裂时包含所述隔膜层 42的功能。在一实施例中，下部盖膜47及上部盖膜48中的任一者或两 者中的每一个的厚度是至少约1纳米，且视情况至少约2纳米。在一实施 例中，下部盖膜47及上部盖膜48中的任一者或两者中的每一个足够薄使 得包括所述下部盖膜47及所述上部盖膜48中的任一者或两者的隔膜组件 80的隔膜70具有充分良好光学属性，以特别用于透射euv辐射。在一 实施例中，下部盖膜47及上部盖膜48中的任一者或两者中的每一个的厚 度是至多约10纳米，且视情况至多约5纳米。在一实施例中，下部盖膜 47及上部盖膜48中的任一者或两者中的每一个的厚度是约2.5纳米。
[0091]
将下部盖膜47或上部盖膜48施加至堆叠结构60的方法不受特别限 制。在一实施例中，通过化学气相淀积(例如lpcvd)在约750℃至 900℃的范围内的温度下(例如，在约850℃的温度下)或通过pecvd 而将下部盖膜47或上部盖膜48施加至堆叠结构。然而，在一替代实施例 中，例如通过溅射法或通过薄成膜法而将下部盖膜47或上部盖膜48施加 至堆叠结构60。
[0092]
并不是必须提供下部盖膜47及上部盖膜48中的任一者或两者中的每 一个。在一实施例中，堆叠结构60不包括任何下部盖膜47、不包括任何 上部盖膜48，或不包括任何下部盖膜47且不包括任何上部盖膜48。在一 实施例中，通过制造方法而生产的隔膜组件80不
包括任何下部盖膜47、 不包括任何上部盖膜48，或不包括任何下部盖膜47且不包括任何上部盖 膜48。
[0093]
在一实施例中，堆叠结构60包括至少一个隔膜层42之上的上部蚀刻 阻挡层46。视情况，上部蚀刻阻挡层46处于至少一个隔膜层42或上部 盖膜48(在提供的情况下)之上且与所述至少一个隔膜层42或所述上部 盖膜48(在提供的情况下)接触。在一实施例中，堆叠结构60包括在至 少一个隔膜层42下方的下部蚀刻阻挡层44。视情况，下部蚀刻阻挡层44 处于至少一个隔膜层42或下部盖膜47(在提供的情况下)下方且与所述 至少一个隔膜层42或所述下部盖膜47(在提供的情况下)接触。在提供 上部蚀刻阻挡层46及下部蚀刻阻挡层44两者的情况下，在用以形成隔膜 组件80的处理期间去除一起包夹至少一个隔膜层42的一部分的上部蚀刻 阻挡层46的至少一部分及下部蚀刻阻挡层44的一部分，以释放所述至少 一个隔膜层42且形成隔膜。在仅提供上部蚀刻阻挡层46及下部蚀刻阻挡 层46中之一的情况下，将在用以形成隔膜组件80的处理期间去除所提供 的所述上部蚀刻阻挡层46或所述下部蚀刻阻挡层44的至少一部分，以释 放所述至少一个隔膜层42且形成隔膜。
[0094]
在一实施例中，上部蚀刻阻挡层46及下部蚀刻阻挡层44各自直接邻 近于至少一个隔膜层42且各自被配置成将实质上相等张力或压缩力施加 至所述至少一个隔膜层42。
[0095]
在一实施例中，上部蚀刻阻挡层46的厚度的至少50％(视情况至少 80％、视情况至少90％、视情况至少95％、视情况至少98％、视情况至 少99％)具有分别与下部蚀刻阻挡层44的厚度的至少50％(视情况至少 80％、视情况至少90％、视情况至少95％、视情况至少98％、视情况至 少99％)相同的化学成分。在一实施例中，上部蚀刻阻挡层46的厚度与 下部蚀刻阻挡层44的厚度差小于50％(视情况小于20％、视情况小于10％、 视情况小于5％、视情况小于2％、视情况小于1％)。因此，至少一个隔 膜层42由上部蚀刻阻挡层46及下部蚀刻阻挡层44对称地支撑。
[0096]
对称地支撑至少一个隔膜层42会确保将相同或相似的张力或压缩力 施加至所述至少一个隔膜层42的每一侧。所述至少一个隔膜层42的由于 不平衡力的失真被减少了。此外，在80％或更多的下部蚀刻阻挡层44及 上部蚀刻阻挡层46包括正硅酸乙酯(teos)的情况下，如以下特定实例 的内容背景中所描述，相比于替代材料(诸如热氧化物)，所施加的力将 包括低得多的压缩力，或可甚至包括张力。较低压缩力或张力会减少可能 在去除平面衬底40以及下部蚀刻阻挡层44及上部蚀刻阻挡层46之后另 外出现的至少一个隔膜层42中的皱折或蓬松结构。因此可增加产量。
[0097]
在一实施例中，上部蚀刻阻挡层46包括具有不同构成的多个层。在 一实施例中，多个层中的最厚层包括使用lpcvd或pecvd而形成的正 硅酸乙酯(teos)。在一实施例中，下部蚀刻阻挡层44包括具有不同构 成的多个层。在一实施例中，多个层中的最厚层包括使用lpcvd或 pecvd而形成的正硅酸乙酯(teos)。
[0098]
在一实施例中，下部蚀刻阻挡层44按次序包括第一下部蚀刻阻挡层、 第二下部蚀刻阻挡层及第三下部蚀刻阻挡层。第一下部蚀刻阻挡层最接近 平面衬底40。在一实施例中，第一下部蚀刻阻挡层薄于第二下部蚀刻阻 挡层及第三下部蚀刻阻挡层，且被配置成用作抵抗用于去除平面衬底40 的区的去除过程(例如koh或tmah、四甲基铵氢氧化物、蚀刻)的蚀 刻终止层。在一实施例中，第一下部蚀刻阻挡层包括氮化硅。可例如使用 lpcvd在750℃至900℃的范围内的温度下(例如，在850℃下) 或使用pecvd来形成氮化硅层。在一实施
例中，氮化硅层的厚度是近似 2纳米至10纳米。在一实施例中，第二下部蚀刻阻挡层包括正硅酸乙酯 (teos)层。可例如使用lpcvd在725℃下或使用pecvd来形成 teos层。在一实施例中，teos层的厚度是近似500纳米。在一实施例 中，第三下部蚀刻阻挡层是牺牲层。在一实施例中，第三下部蚀刻阻挡层 的构成被选择为使得选择性蚀刻可去除所述第三下部蚀刻阻挡层而不去 除至少一个隔膜层42的下部盖膜47。在一实施例中，第三下部蚀刻阻挡 层包括非晶硅层。在一实施例中，使用lpcvd在约500℃至620℃ 的范围内的温度下(例如在约560℃下)或使用pecvd来形成非晶硅 层。在一实施例中，第三下部蚀刻阻挡层的厚度是近似30纳米。
[0099]
在一实施例中，上部蚀刻阻挡层46包括第一上部蚀刻阻挡层及第二 上部蚀刻阻挡层。第一上部蚀刻阻挡层最接近至少一个隔膜层42。在一 实施例中，第一上部蚀刻阻挡层是牺牲层。在一实施例中，第一上部蚀刻 阻挡层的构成被选择为使得选择性蚀刻可去除所述第一上部蚀刻阻挡层 而不去除至少一个隔膜层42的上部盖层48。在一实施例中，第一上部蚀 刻阻挡层包括非晶硅层。在一实施例中，使用lpcvd在约500℃至620 ℃的范围内的温度下(例如，在约560℃下)或使用pecvd来形成非 晶硅层。在一实施例中，第一上部蚀刻阻挡层的厚度是近似30纳米。在 一实施例中，定位于第一上部蚀刻阻挡层的顶部的第二上部蚀刻阻挡层包 括teos。可例如使用lpcvd在725℃下或使用pecvd来形成teos。 在一实施例中，第二上部蚀刻阻挡层的厚度是近似500纳米。视情况，可 提供第三上部蚀刻阻挡层，其具有与下部蚀刻阻挡层44的第一下部蚀刻 阻挡层相同的构成，以使上部蚀刻阻挡层46与下部蚀刻阻挡层44完全对 称。
[0100]
如例如图4中所示出，平面衬底40包括内部区61、围绕内部区61 (例如，当在垂直于平面衬底40的平面的方向上观看时环绕内部区61) 的边界区62、围绕边界区62(例如，当在垂直于平面衬底40的平面的方 向上观看时环绕边界区62)的桥接区63，及围绕桥接区63(例如，当在 垂直于平面衬底40的平面的方向上观看时环绕桥接区63)的边缘区64。 桥接区63包括第一部分63a及第二部分63b。在一实施例中，第一部分 63a处于第二部分64a下方。
[0101]
所述方法包括选择性地去除内部区61及桥接区63的第一部分63a 以形成隔膜组件80。在一实施例中，根据下文参考图4至图26所描述的 方法来去除这些区域，从而提供图10至图18、图22、图23、图25、图 26、图41、图42、图44至图46、图48至图53、图57至图60、图62、 图63、图65至图73中所示出的实例隔膜组件80。隔膜组件80可经进一 步处理以使隔膜组件80适合于实际用途。
[0102]
隔膜组件80包括隔膜70。隔膜70由至少一个隔膜层42形成。隔膜 70包括至少一个隔膜层42。隔膜70可包括一个或更多个另外层，诸如下 部盖膜47及上部盖膜48。
[0103]
如例如图10中所示出，在选择性去除内部区61及桥接区63的第一 部分63a之后，隔膜组件80包括保持隔膜70的边界。所述边界由平面 衬底40的边界区62形成。在此阶段的隔膜组件80还包括围绕边界的边 缘区段。边缘区段由平面衬底40的边缘区64形成。在此阶段的隔膜组件 80还包括边界与边缘区段之间的桥接件。桥接件由至少一个隔膜层42以 及平面衬底40的桥接区63的第二部分63b形成。在图10的实施例中， 桥接件还包括桥接区63的第二部分63b上方的额外层，如下文将进一步 详细地描述。桥接区63的第一部分63a的去除会维持边界区62与边缘 区64之间的一体连接，但使边界区62与边缘区64之间的一体连
接变薄。 在下文所论述的其他实施例中，可完全去除桥接区63，由此去除边界区 62与边缘区64之间的一体连接。
[0104]
现在将进一步详细地描述用于制造隔膜组件达图10中所示出的阶段 的实例处理。
[0105]
首先，提供平面衬底40，如图3中所示出。
[0106]
处理平面衬底40以形成包括平面衬底40上的一序列层的堆叠结构 60，如图4中所示出。所述序列的层按从平面衬底40向外的次序包括： 下部蚀刻阻挡层44、下部盖膜47、至少一个隔膜层42、上部盖膜48，及 上部蚀刻阻挡层46。上文已披露用于下部蚀刻阻挡层44、下部盖膜47、 至少一个隔膜层42、上部盖膜48及上部蚀刻阻挡层46的实例构成。
[0107]
进一步处理堆叠结构60以形成图5中所示出的堆叠结构60。在一实 施例中，处理包括多个连续湿式蚀刻及干式蚀刻步骤(包括顶面保护)， 以蚀刻掉堆叠结构60的底部上的层直至所述平面衬底40。
[0108]
进一步处理堆叠结构60以将koh或tmah蚀刻阻挡层56施加于 堆叠结构60的底部上。随后围绕整个堆叠结构60形成光阻层52以形成 图6中所示出的布置。
[0109]
光阻层52选择性地通过掩模54(图7)曝光以界定内部区61的形状 及桥接区63的第一部分63a的形状，所述内部区61及所述桥接区63的 第一部分63a待在后续蚀刻步骤中被去除。接着使用包括显影、剥离以 及干式蚀刻及湿式蚀刻的多个连续步骤来处理堆叠结构60以形成如图8 中所示出的堆叠结构60。
[0110]
koh或tmah蚀刻阻挡层56中的开口被形成为足够窄(例如小于 1毫米)使得在稍后步骤中蚀刻通过平面衬底40的速率在桥接区63的第 一部分63a中将比在内部区61中慢。以此方式，其可被配置成使得可完 全去除内部区61至少直至形成于平面衬底40上的所述层中的第一层，而 仅去除桥接区63的第一部分63a(且不去除桥接区63的第二部分63b (其在桥接区63的第一部分63a上方))。
[0111]
图8的堆叠结构60提供有保护层72以形成图9中所示出的堆叠结构。 在此类型的实施例中，保护层72设置于堆叠结构60的至少顶部表面上。 因此，至少一个隔膜层42介于保护层72与平面衬底40之间。堆叠结构 60的侧表面上也提供保护层。保护层72抵抗用于选择性地去除平面衬底 40的内部区61以及桥接区63的第一部分63a的去除过程。
[0112]
用于选择性地去除平面衬底40的内部区61以及桥接区63的第一部 分63a的去除过程被应用以形成图10中所示出的隔膜组件80。在一实施 例中，去除过程包括湿式蚀刻工艺。湿式蚀刻剂可以是koh或tmah。 例如，在一实施例中，将图9的堆叠结构60置放至koh或tmah浴中， 且随后从所述koh或tmah浴使用处置工具来去除所述堆叠结构。可 使用其他湿式蚀刻剂，诸如，乙二胺及邻苯二酚水溶液(edp)。存在的 保护层72、下部蚀刻阻挡层44及上部蚀刻阻挡层46机械地支撑至少一 个隔膜层42，使得隔膜在蚀刻平面衬底40的过程期间较不容易受损。
[0113]
在一实施例中，保护层72足够厚以提供对堆叠结构60的足够机械保 护。在一实施例中，保护层72的厚度是至少约1微米，且视情况至少约 2微米。在一实施例中，保护层72足够薄以便充分减少施加保护层72所 需的工艺时间。在一实施例中，保护层72的厚度是至多约10微米，且视 情况至多约5微米。在一实施例中，保护层72的厚度是约4微米。
[0114]
保护层72机械上充分鲁棒或稳固以便在选择性地去除平面衬底40 的内部区61的
步骤期间提供对边界区62的机械保护。保护层72可以是 用于保护经涂覆的表面的保形(conformal)涂层，其具有良好的诸如抵 抗溶剂(例如在室温下不可溶)、湿气、腐蚀、化学侵蚀的阻挡性质。通 常需要保护层72提供均一层厚度，而不具有针孔。在一实施例中，选择 性地去除平面衬底40的内部区61的步骤包括使用化学蚀刻剂(例如koh 或tmah)。在这些实施例中，保护层72化学上抵抗化学蚀刻剂。例如， 在一实施例中，保护层72化学上抵抗koh或tmah。此意谓当使用化 学蚀刻剂时，保护层72根本不被蚀刻掉，或相比于平面衬底40的内部区 61以低得多的蚀刻速率被蚀刻掉。
[0115]
在一实施例中，保护层72包括有机聚合物，例如聚对苯聚合物，诸 如聚对二甲苯或型材料。
[0116]
在一实施例中，保护层72包括氮化硅。可使用lpcvd或pecvd 来淀积氮化硅。
[0117]
在方法中的边缘区64仍连接至边界区62的多个阶段，隔膜组件80 的形状和尺寸将与原始平面衬底40的形状和尺寸近似相同。为了提供形 状适合在光刻设备100中使用的隔膜组件80，通过切割或断裂桥接件而 使边缘区段与边界分离。
[0118]
在一实施例中，通过将机械应力施加至隔膜组件80而使桥接件断裂。 在一替代实施例中，通过使用激光割穿桥接件来使桥接件断裂。碎屑去除 工具(有时被称作薄片去除工具)可用以去除在桥接件的断裂期间产生的 任何碎屑或薄片。碎屑去除工具可在例如桥接件的断裂期间施加吸力。
[0119]
图11图示出使图10中所示出的隔膜组件80的桥接件断裂以产生图 11中所示出的隔膜组件80的结果。在此实施例中，桥接件包括平面衬底 40的桥接区63的第二部分63b，及形成于桥接区63的第二部分63b上 的层(下部蚀刻阻挡层44、下部盖膜47、至少一个隔膜层42、上部盖膜 48、上部蚀刻阻挡层46及保护层72)。
[0120]
在此实施例中，在使边缘区段与边界分离之后去除保护层72，以形 成图12中所示出的隔膜组件80。可使用增强氧气等离子体处理(例如 o2桶形蚀刻或rie蚀刻)或通过使用其他去除技术来去除保护层72。可 直接提供于保护层72下方的至少上部蚀刻阻挡层46抵抗用以去除保护层 72的去除过程。视情况，下部蚀刻阻挡层44也抵抗用以去除保护层72 的去除过程。例如，下部蚀刻阻挡层44及上部蚀刻阻挡层46中的任一者 或两者中的每一个抵抗o2桶形蚀刻、rie蚀刻或适合于去除保护层72的 其他去除技术。因此，下部蚀刻阻挡层44及上部蚀刻阻挡层46在用于去 除保护层72的所有去除过程期间保护至少一个隔膜层42及任何盖膜47、 48。因此，减少或防止至少隔膜层42及任何盖膜47、48的由于用于去除 保护层72的去除过程的损害(例如，氧化)。
[0121]
湿式蚀刻可用以去除下部蚀刻阻挡层44及上部蚀刻阻挡层46以形成 图13中所示出的隔膜组件80。在去除保护层72之后继续存在的任何薄 片或碎屑将与下部蚀刻阻挡层44及上部蚀刻阻挡层46被同时去除，且将 不保持在隔膜70上。由下部蚀刻阻挡层44及上部蚀刻阻挡层46提供的 机械强度可甚至允许将机械抛光步骤应用于隔膜组件80。相比于单独蚀 刻，机械抛光步骤可更有效地用于去除相对大碎屑或薄片。例如，机械抛 光过程可用以去除上部蚀刻阻挡层46的第一部分，其中上部蚀刻阻挡层 46的剩余部分通过湿式蚀刻去除。
[0122]
可期望围绕平面衬底40的剩余被暴露部分(在图13的实施例中是边 界区62)提供另一盖膜74。此另一盖膜74可减少或防止光刻设备100 的例如由于从平面衬底40的除气的
污染。在一实施例中，将另一盖膜74 施加至图13中所示出的隔膜组件80的整个外部表面，以提供图14中所 示出的隔膜组件80。
[0123]
在一替代实施例中，使另一盖膜74形成为不覆盖膜组件80的上部表 面。这可例如通过在图9至图11的布置中形成保护层72及下部蚀刻阻挡 层44使得可在不去除保护层72的情况下去除至少一个隔膜层42下方的 下部蚀刻阻挡层44的一部分来实现。图15示出通过在不去除保护层72 的情况下选择性地去除下部蚀刻阻挡层44的部分而形成的实例隔膜组件 80。
[0124]
在后续步骤中，提供另一盖膜74以覆盖侧表面直至并包括至少一个 隔膜层42及上部盖膜48。所述另一盖膜74也覆盖膜组件80的底面上的 所有表面。由此产生图16中所示出的布置。
[0125]
随后去除保护层72及上部蚀刻阻挡层46以形成图17中所示出的隔 膜组件80。
[0126]
在用于围绕平面衬底40的表面形成另一盖膜74的另一替代实施例中， 可省略下部盖膜47及上部盖膜48中的任一者或两者。可使用上文参考图 3至图13所描述的工艺流程，除了形成图4中所示出的堆叠结构60的方 法经修改以省略下部盖膜47及上部盖膜48中的任一者或两者。形成与图 13中所示出的隔膜组件80相同的隔膜组件80，除了下部盖膜47及上部 盖膜48中的任一者或两者不存在。接着围绕全部隔膜组件80施加另一盖 膜74(其在此状况下可以是唯一盖膜)以形成图18中所图示出的隔膜组 件80。
[0127]
在上文所描述的实施例中，另一盖膜74被示出为覆盖上部盖膜48 下方的隔膜组件80的所有表面。这并非必须的。在其他实施例中，另一 盖膜覆盖平面衬底的所有表面但不覆盖膜70的底部表面。以此方式，可 减少或避免从平面衬底40的污染或除气，而不减低通过隔膜70的透射。
[0128]
上文参考图3至图18描述实施例：在去除保护层72之前执行边缘区 段与边界的分离。在去除保护层72之前执行分离的优点在于：通过分离 工艺而产生的任何碎屑或薄片将淀积于保护层72上而非淀积于至少一个 隔膜层42上。因此，可较容易去除碎屑或薄片。然而，这并非必需的。
[0129]
图40至图42图示出用于制造隔膜组件80的实例处理，其中在分离 之前去除保护层72。
[0130]
从图5中所示出的配置开始，执行用以形成图40中所示出的配置的 过程或工艺。将蚀刻阻挡层56施加于堆叠结构60的底部上(例如koh 或tmah蚀刻阻挡层)。随后例如以类似于上文参考图7及图8所描述的 工艺或过程的方式图案化及处理蚀刻阻挡层56以执行开口，除了该实施 例中的处理也去除上部蚀刻阻挡层46。接着提供保护层72以形成图40 中所示出的堆叠结构60。将保护层72提供于堆叠60的顶部表面上、侧 表面上及底部表面的周边部分上，如图40中所示出。蚀刻阻挡层56中通 过图案化而形成的开口并未由保护层72覆盖。保护层72抵抗用于选择性 地去除平面衬底40的内部区61以及桥接区63的第一部分63a的去除过 程，且可具有上文所描述的用于保护层72的构成中的任一者(例如聚对 二甲苯)。
[0131]
接着应用用于选择性地去除平面衬底40的内部区61以及桥接区63 的第一部分63a的去除过程。隔膜层42的底面上的下部蚀刻阻挡层44 (例如使用湿式蚀刻)也被去除。随后，去除保护层72。可使用上文所 描述的用于去除保护层72的方法中的任一者(例如强
氧等离子体处理) 来去除保护层72。由此产生图41中所示出的隔膜组件80。
[0132]
随后，使图41中所示出的隔膜组件80的桥接件断裂以产生图42中 所示出的隔膜组件80。
[0133]
在关于上文参考图40至图42所描述的处理的变化中，可在隔膜组件 80的桥接件断裂之后执行保护层72的去除。保护层72可在桥接件断裂 期间提供对隔膜层42的有用机械支撑。
[0134]
图51至图53图示出用于制造隔膜组件80的替代实例处理，其中在 分离之前去除保护层72。
[0135]
从图9的配置开始，执行用以执行图51中所示出的配置的处理。执 行用于选择性地去除平面衬底40的内部区61以及桥接区63的第一部分 63a的去除过程。隔膜层42的底面上的下部蚀刻阻挡层44(例如使用湿 式蚀刻)也被去除。随后，去除保护层72。可使用上文所描述的用于去 除保护层72的方法中的任一者(例如强氧等离子体处理)来去除保护层 72。由此产生图51中所示出的隔膜组件80。上部蚀刻阻挡层46在保护 层72的去除期间保护至少一个隔膜层42。
[0136]
随后，去除(例如使用湿式蚀刻)上部蚀刻阻挡层46以产生图52 中所示出的隔膜组件80。
[0137]
随后，使图52中所示出的隔膜组件80的桥接件断裂以产生图53中 所示出的隔膜组件80。
[0138]
图54至图60图示出用于制造隔膜组件80的替代实例处理，其中在 分离之前去除保护层72。
[0139]
从如图54中所示出的平面衬底40开始，形成在平面衬底40上包括 一序列层的堆叠结构60，如图55中所示出。该序列层按从平面衬底40 向外的次序包括：下部牺牲层76、下部蚀刻阻挡层44、下部盖膜47、至 少一个隔膜层42、上部盖膜48，及上部蚀刻阻挡层46。上文已披露用于 下部蚀刻阻挡层44、下部盖膜47、至少一个隔膜层42、上部盖膜48及 上部蚀刻阻挡层46的实例构成。
[0140]
在一实施例中，下部牺牲层76包括氮化硅。淀积下部牺牲层76的方 法不受特别限制。在一实施例中，通过化学气相淀积将下部牺牲层76施 加至平面衬底40。例如，在一实施例中，通过lpcdv或pecvd施加下 部牺牲层76。替代地，可使用溅射法或通过薄成膜法来应用下部牺牲层。 下部牺牲层76的厚度不受特别限制。在一实施例中，下部牺牲层76的厚 度在10纳米至150纳米的范围内，视情况大约100纳米。
[0141]
进一步处理堆叠结构60以形成图56中所示出的堆叠结构60。在一 实施例中，处理包括多个连续湿式蚀刻及干式蚀刻步骤(包括顶面保护)， 以蚀刻掉堆叠60的底部上的层直至平面衬底40。随后，围绕堆叠结构60 施加蚀刻阻挡层56(例如koh或tmah蚀刻阻挡层)。随后例如以类似 于上文参考图7及图8所描述的工艺的方式图案化及处理堆叠结构56的 底部上的蚀刻阻挡层56以执行开口，以产生图56中所示出的堆叠结构 60。
[0142]
接着于堆叠60的顶部表面上、侧表面上，及底部表面的周边部分上 提供保护层72。蚀刻阻挡层56中通过图案化而形成的开口并未由保护层 72覆盖。保护层72抵抗用于选择性地去除平面衬底40的内部区61以及 桥接区63的第一部分63a的去除过程，且可具有上文所描述的用于保护 层72的构成中的任一者(例如聚对二甲苯)。随后，执行用于选择性地
去 除平面衬底40的内部区61以及桥接区63的第一部分63a的去除过程以 产生图57中所示出的隔膜组件。
[0143]
随后，去除保护层72。可使用上文所描述的用于去除保护层72的方 法中的任一者(例如增强氧等离子体处理)来去除保护层72。由此产生 图58中所示出的隔膜组件80。此实施例中的至少一个隔膜层42被对称 地支撑。蚀刻阻挡层56及上部蚀刻阻挡层46存在于至少一个隔膜层42 的一侧上。下部牺牲层76及下部蚀刻阻挡层44存在于至少一个隔膜层 42的另一侧上。蚀刻阻挡层56的构成和/或厚度可与下部牺牲层76相同。 另外或替代地，上部蚀刻阻挡层46的构成和/或厚度可与下部蚀刻阻挡层 44相同。如上文所描述，对称地支撑至少一个隔膜层42理想地确保将相 同或相似张力或压缩力应用于至少一个隔膜层42的每一侧。
[0144]
随后，去除(例如通过湿式蚀刻)下部牺牲层76、下部蚀刻阻挡层 44、上部蚀刻阻挡层46及蚀刻阻挡层56以形成图59中所示出的隔膜组 件80。
[0145]
随后，使图59中所示出的隔膜组件80的桥接件断裂以产生图60中 所示出的隔膜组件80。
[0146]
在关于上文参考图54至图60所描述的处理的变体中，可在隔膜组件 80的桥接件断裂之后执行保护层72的去除。保护层72可在桥接件断裂 期间提供对隔膜层42的有益的机械支撑。在此类型的实施例中，从图57 的配置开始使桥接件断裂将提供图68的隔膜组件。去除保护层72(例如 使用强氧等离子体处理)会提供图69的隔膜组件。随后，去除(例如通 过湿式蚀刻)下部牺牲层76、下部蚀刻阻挡层44、上部蚀刻阻挡层46 及蚀刻阻挡层56以形成图70中所示出的隔膜组件80。
[0147]
在关于上文参考图54至图60所描述的处理的另一变体中，不使用保 护层72。在此类型的实施例中，直接处理图56中所示出的堆叠结构60 以选择性地去除平面衬底40的内部区61以及桥接区63的第一部分63a， 由此产生图71中所示出的隔膜80。随后，使图71中所示出的隔膜组件 80的桥接件断裂以产生图72中所示出的隔膜组件80。随后，去除(例如 通过湿式蚀刻)下部牺牲层76、下部蚀刻阻挡层44、上部蚀刻阻挡层46 及蚀刻阻挡层56以形成图73中所示出的隔膜组件80。
[0148]
在上文参考图3至图18所描述的实施例中，通过蚀刻仅不完全去除 桥接区63。这并非必须的。实施例可经调整使得用于选择性地去除平面 衬底40的部分的去除过程选择性地去除内部区61及所有桥接区63，由 此去除平面衬底40的边界区62与边缘区64之间的一体连接。此途径并 不受益于与桥接区63的不完全去除相关联的优点(下文所论述)。然而， 保留了与在去除保护层72之前将边缘区段与边界分离相关联的优点(在 执行此操作的情况下)。
[0149]
参考图43至图46描述用于制造隔膜组件80的实例处理，其中去除 所有桥接区63。
[0150]
从图5中所示出的配置开始，执行用以形成图43中所示出的配置的 处理。将蚀刻阻挡层56施加于堆叠结构60的底部上(例如koh或tmah 蚀刻阻挡层)。随后例如以类似于上文参考图7及图8所描述的工艺的方 式图案化及处理蚀刻阻挡层56以执行开口，除了在此实施例中所述处理 也去除上部蚀刻阻挡层46。接着提供保护层72以形成图43中所示出的 堆叠结构60。将保护层72提供于堆叠60的顶部表面上、侧表面上，及 底部表面的周边部分上，如图43中所示出。蚀刻阻挡层56中通过图案化 而形成的开口并未由保护层72覆盖。保
护层72抵抗用于选择性地去除平 面衬底40的内部区61及所有桥接区63的去除过程，且可具有上文所描 述的用于保护层72的构成中的任一者(例如聚对二甲苯)。
[0151]
接着应用用于选择性地去除平面衬底40的内部区61及所有桥接区 63的去除过程。(例如使用湿式蚀刻)隔膜层42的底面上的下部蚀刻阻 挡层44也被去除以形成图44中所示出的隔膜组件80。
[0152]
随后，使边缘区64与边界区62分离以产生图45中所示出的隔膜组 件80。保护层72在此工艺期间提供机械支撑。
[0153]
随后，去除保护层72。可使用上文所描述的用于去除保护层72的方 法中的任一者(例如强氧等离子体处理)来去除保护层72。由此产生图 46中所示出的隔膜组件80。
[0154]
参考图47至图50描述用于制造隔膜组件80的替代实例处理，其中 所有桥接区63都被去除。
[0155]
从图5中所示出的配置开始，执行用以形成图47中所示出的配置的 处理。将蚀刻阻挡层56施加于堆叠结构60的底部上(例如koh或tmah 蚀刻阻挡层)。随后以类似于上文参考图7及图8所描述的过程的方式来 图案化及处理蚀刻阻挡层56以执行开口。接着提供保护层72以形成图 47中所示出的堆叠结构60。于堆叠60的顶部表面上、侧表面上及底部表 面的周边部分上提供保护层72，如图47中所示出。蚀刻阻挡层56中通 过图案化而形成的开口并未由保护层72覆盖。保护层72抵抗用于选择性 地去除平面衬底40的内部区61及所有桥接区63的去除过程，且可具有 上文所描述的用于保护层72的构成中的任一者(例如聚对二甲苯)。
[0156]
接着执行用于选择性地去除平面衬底40的内部区61及所有桥接区 63的去除过程。也去除隔膜层42的底面上的下部蚀刻阻挡层44(例如使 用湿式蚀刻)。
[0157]
随后，去除保护层72以提供图48中所示出的隔膜组件80。可使用 上文所描述的用于去除保护层72的方法中的任一者(例如增强氧等离子 体处理)来去除保护层72。
[0158]
随后，使边缘区64与边界区62分离以形成图49中所示出的隔膜组 件80。边缘区64的分离也可被称作边缘区的去除。
[0159]
随后，去除(例如通过湿式蚀刻)上部蚀刻阻挡层46以产生图50 中所示出的隔膜组件80。图19至图26图示出根据一替代实施例的方法 中的阶段。所述实施例与上文参考图3至图18所描述的实施例的相似处 在于：平面衬底40的边缘区64的分离是通过选择性地去除桥接区63的 第一部分63a而不去除所述第一部分63a上方的第二部分63b来实现。 由第二部分63b形成的桥接件随后通过施加机械应力或通过使用激光而 断裂。
[0160]
所述方法可使用如上文参考图3所描述的平面衬底40而开始。随后 可处理平面衬底40以形成在平面衬底40上包括层序列的堆叠结构60， 如图19中所示。层序列按从平面衬底40向外的次序包括：下部牺牲层 76、下部蚀刻阻挡层44、至少一个隔膜层42，及上部蚀刻阻挡层46。可 例如如上文参考图3至图18所描述而形成下部蚀刻阻挡层44、至少一个 隔膜层42及上部蚀刻阻挡层46。堆叠结构60可视情况还包括围绕至少 一个隔膜层42的下部盖膜47及上部盖膜48中的任一者或两者，其视情 况如上文参考图3至图18所描述而形成。
[0161]
上文已描述下部牺牲层76的实例特性。
[0162]
进一步处理堆叠结构60以形成图20中所示出的堆叠结构60。所述 处理可包括多个连续湿式蚀刻及干式蚀刻步骤(包括顶面保护)，以蚀刻 掉堆叠结构60的底部上的层。
[0163]
进一步处理堆叠结构60以形成围绕堆叠结构60的保护层72。所述 保护层72可例如如上文参考图9所描述而形成。接着在堆叠结构60的底 部上形成图案化koh或tmah蚀刻阻挡层56以形成图21中所图示出 的堆叠结构60。例如，处理可包括使用掩模及光阻层、接着进行显影、 剥离以及干式蚀刻及湿式蚀刻，如上文参考图7及图8所描述。
[0164]
图21图示出平面衬底40的内部区61、边界区62、桥接区63及边缘 区64。
[0165]
应用用于选择性地去除平面衬底40的内部区61以及桥接区63的第 一部分63a的去除过程以形成图22中所示出的隔膜组件80。可例如如上 文参考图10所描述而进行去除过程。
[0166]
去除保护层72以形成图23中所示出的隔膜组件80。可例如如上文 参考图12所描述而去除保护层72。图24是图23的隔膜组件80的仰视 图。
[0167]
在此实施例中，平面衬底40被配置成提供多个隔膜组件80。可在图 24中看到用于多个隔膜组件80的实例布局。在此示意性实例中，示出十 个区，其中由于十个相对应内部区61的去除而可看到下部蚀刻阻挡层44。 所述十个区中的每一个被由边界区62形成的边界环绕。每一边界被由平 面衬底40的桥接区63的剩余第二部分63b形成的封闭回路环绕(在图 24的视图中)。所有第二部分63a又被由平面衬底40的边缘区64形成的 边缘区段环绕。
[0168]
使多个隔膜组件80由根据此实施例的平面衬底40形成并非必需的。 所述方法可适应于仅形成单一隔膜组件80。使上文参考图3至图18所描 述的方法由平面衬底40仅形成单一隔膜组件80也并非必需的。那些方法 可适应于形成多个隔膜组件80。
[0169]
图23及图24中所示出的隔膜组件80经处理以通过去除下部蚀刻阻 挡层44及上部蚀刻阻挡层46且使桥接件断裂而使个别隔膜组件80沿着 线78(参见图25)分离来形成多个隔膜组件80。由此使边缘区段与边界 中的每一个分离。图26示出在沿着图25中所示出的线78断裂之后而形 成的两个隔膜组件80来作为一实例。桥接件可例如如上文参考图11所描 述而断裂。
[0170]
根据以上实施例，在去除隔膜70中的所有层(除了至少一个隔膜层 42及(在提供的情况下)下部盖膜47及上部盖膜48)之后，相对迟地使 隔膜组件80分离。此途径使得能够使用适合于处置与原始平面衬底40 大小相同的对象的处置装置来执行制造工艺大部分。这减少使原始平面衬 底40具有标准硅晶片大小的成本。
[0171]
与参考图3至图18所描述的方法形成对比，在本实施例中，在去除 保护层72之后执行边缘区段与边界的分离。这并非必须的。所述方法可 适应于在去除保护层72之前执行分离。在去除保护层72之前执行分离的 优点在于：通过分离工艺而产生的任何碎屑或薄片将淀积于保护层72上 而非淀积于至少一个隔膜层42上。因此，可较容易去除碎屑或薄片。在 去除保护层72之后执行分离的优点在于：可较容易地执行分离，这是因 为没有必要切断或断裂保护层72。在此阶段不存在保护层72可减少所产 生的碎屑或薄片的量。
[0172]
本发明人已发现，使用其中平面衬底40并未被完全蚀刻穿(例如使 得桥接区63的第二部分63b继续存在)的桥接件而形成隔膜组件80会 减少所述隔膜组件80的边缘处的易碎性，且减少或避免碎屑或薄片的产 生。据信，易碎性的减少是与减少平面衬底40的材料的薄化有关，其中 平面衬底40的侧表面与平面衬底40的顶部表面会合。蚀刻倾向于以相对 于垂直方向成倾斜角(例如，约54度)前进。当允许蚀刻以完全前进通 过平面衬底40时，倾
斜角提供薄的类楔形状，其中侧表面与顶部表面会 合。在桥接件未被完全蚀刻穿的情况下，减少或避免此薄化。例如，在桥 接件的断裂涉及沿着近垂直线分裂的情况下，侧表面以近似90度与顶部 表面会合且不发生薄化(除了与桥接区63的第一部分63a的去除相关联 的薄化)。
[0173]
图27至图33图示出根据一替代实施例的制造隔膜组件80的方法中 的阶段。在此实施例中，提供堆叠结构60。堆叠结构60包括平面衬底40 及至少一个隔膜层42。可按从平面衬底40向外的次序提供层序列：下部 牺牲层76、下部蚀刻阻挡层44、至少一个隔膜层42及上部蚀刻阻挡层 46。可例如如上文参考图3至图18所描述而形成下部蚀刻阻挡层44、至 少一个隔膜层42及上部蚀刻阻挡层46。堆叠结构60可视情况还包括围 绕至少一个隔膜层42的下部盖膜47及上部盖膜48中的任一者或两者， 其视情况如上文参考图3至图18所描述而形成。
[0174]
平面衬底40包括内部区61、围绕内部区61的边界区62、围绕边界 区62的桥接区63，及围绕边界区63的边缘区64。
[0175]
于堆叠结构60的至少顶部表面上提供第一保护层72a。至少一个隔 膜层42介于第一保护层72a与平面衬底40之间。第一保护层72a也提 供于堆叠60的侧表面上。图27中示出此配置的实例。第一保护层72a 可具有与例如如上文参考图3至图26所描述的保护层72相同的构成。在 一实施例中，第一保护层72a包括氮化硅。可使用lpcvd或pecvd来 淀积氮化硅。氮化硅的厚度可在10纳米至150纳米的范围内，视情况是 大约100纳米。
[0176]
对堆叠结构60及第一保护层72a应用第一去除过程以选择性地去除 平面衬底40的桥接区63的至少一部分。边界区62与边缘区64之间的一 体连接由此变薄或被去除。第一保护层72a抵抗第一去除过程。第一去 除过程可相同于或不同于用于去除上文参考图3至图26所描述的保护层 72的去除过程。
[0177]
在一实施例中，第一去除过程包括在堆叠结构60的底部上形成经图 案化koh或tmah蚀刻阻挡层56以形成图27中所图示出的堆叠结构 60。例如，处理可包括使用掩模及光阻层、接着进行显影、剥离以及干式 蚀刻及湿式蚀刻，如上文参考图7及图8所描述。
[0178]
图28是图27中所示出的堆叠结构60的示意性仰视图。各自保护上 面的内部区61及边界区62的多个区56各自被窄间隙57环绕，所述间隙 57界定蚀刻剂可接近及至少部分地去除桥接区63的部位。在至少部分地 去除桥接区63之后，可去除边缘区64及形成于边缘区64上的层，由此 形成多个分离的堆叠结构61。这对于产生多个分离堆叠结构61并非必需 的。在其他实施例中，初始平面衬底40可在去除边缘区64(例如，通过 割穿或断裂桥接区63的任何剩余部分及形成于桥接区63上的层)及形成 于边缘区46上的层之后仅得到单一堆叠结构60(例如，其中待形成的隔 膜组件80的大小相对大，例如具有与初始平面衬底40的大小相似的阶)。
[0179]
图29示出在去除边缘区64之后将第二保护层72b施加于衬底组件 的至少侧表面上之后分离堆叠结构61中的一个。第一保护层72a连同第 二保护层72b的任何剩余部分的组合在此阶段完全包封分离堆叠结构61。 图29包括点划线以示出平面衬底40内的内部区61及边界区62的部位。 第二保护层72b可具有与第一保护层72a相同的构成或与第一保护层 72a不同的构成。在一实施例中，第二保护层72b包括氮化硅。可使用 lpcvd或pecvd来淀积氮化硅。氮化硅的厚度可在10纳米至150纳米 的范围内，视情况是大约100纳米。
[0180]
应用第二去除过程以选择性地去除内部区61。第二保护层72b抵抗 第二去除过程。选择性去除可通过选择性地去除第一保护层72a或第二 保护层72b以便在所述第一保护层72a或所述第二保护层72b中形成开 口73(如图30中所示出)来实现。在一实施例中，使用光刻及干式蚀刻 来形成开口73。第二去除过程可相同于或不同于第一去除过程。在一实 施例中，第二去除过程包括koh或tmah蚀刻。
[0181]
去除内部区61会形成隔膜组件80。图31示出此隔膜组件80的实例。 隔膜组件80包括由至少一个隔膜层42形成的隔膜70。隔膜组件80还包 括保持隔膜70的边界。所述边界由平面衬底40的边界区62形成。
[0182]
隔膜组件80可经进一步处理以去除第一保护层72a及第二保护层 72b(参见图32)。例如，可使用湿式蚀刻来去除第一保护层72a及第二 保护层72b。
[0183]
隔膜组件80可经进一步处理以去除下部蚀刻阻挡层44及上部蚀刻阻 挡层46(参见图33)。例如，可使用湿式蚀刻来去除下部蚀刻阻挡层44 及上部蚀刻阻挡层46。
[0184]
隔膜组件80可经进一步处理以去除任何剩余牺牲层(例如非晶硅层)。 例如，可使用湿式蚀刻来去除剩余牺牲层。
[0185]
在图27至图33中所示出的类型的实施例中，可使用蚀刻将个别隔膜 组件80与平面衬底40分离出(例如切掉)。相比于使用诸如激光切割的 替代分离工艺，更容易的是使用蚀刻来提供平滑侧壁。提供较平滑侧壁会 促进保护层(诸如第二保护层72b)的有效及可靠施加。
[0186]
图34至图39图示出根据一替代实施例的制造隔膜组件80的方法中 的阶段。在此实施例中，提供堆叠结构60。堆叠结构60包括平面衬底40 及至少一个隔膜层42。可按从平面衬底40向外的次序提供一序列层：下 部牺牲层、下部蚀刻阻挡层44、至少一个隔膜层42及上部蚀刻阻挡层46。 可例如如上文参考图3至图18所描述而形成下部蚀刻阻挡层44、至少一 个隔膜层42及上部蚀刻阻挡层46。堆叠结构60可视情况还包括围绕至 少一个隔膜层42的下部盖膜47及上部盖膜48中的任一者或两者，其视 情况如上文参考图3至图18所描述而形成。堆叠结构60的底面被蚀刻掉 直至平面衬底40的底面。所述处理可包括多个连续湿式蚀刻及干式蚀刻 步骤(包括顶面保护)，以蚀刻掉堆叠60的底部上的层。堆叠结构60可 例如如上文参考图5或图20所描述而形成。
[0187]
在一实施例中，运用抗蚀刻涂层82包封堆叠结构60。在堆叠结构60 的底面上图案化抗蚀刻涂层82以界定堆叠60的受到蚀刻去除过程保护的 区及堆叠60的未受蚀刻去除过程保护的区。例如，处理可包括使用掩模 及光阻层、接着进行显影、剥离以及干式蚀刻及湿式蚀刻，如上文参考图7及图8所描述。在一实施例中，蚀刻去除过程是koh或tmah蚀刻， 且抗蚀刻涂层82具有与上文所描述的koh或tmah蚀刻阻挡层56相 同的构成。在一实施例中，抗蚀刻涂层82包括氮化硅。在一实施例中， 应用氮化物干式蚀刻以在堆叠结构60的底面上形成图案化。
[0188]
对平面衬底40的内部区61、边界区62及桥接区63上方的堆叠结构 60的顶面上的区应用机械抛光步骤，以去除抗蚀刻涂层82的第一部分。 相比于单独蚀刻，机械抛光步骤可更有效地用于去除相对大碎屑或薄片。 随后对平面衬底40的内部区61、边界区62及桥接区63上方的堆叠结构 60的顶面上的区应用有效地用于蚀刻抗蚀刻层82的蚀刻工艺，以去除抗 蚀刻涂层82的第二部分。第二部分是在第一部分下方。图34示出所得的 布置。抗蚀刻
涂层82中的开口84是抗蚀刻涂层82的第一部分及第二部 分在被去除之前所位于的位置。
[0189]
随后将保护层72施加至在堆叠结构60的至少顶部上所述堆叠结构 60，且视情况施加至堆叠结构60的侧表面(参见图35)。所述保护层72 可具有例如如上文参考图3至图26所描述构成。
[0190]
去除过程被应用以选择性地去除内部区61以及桥接区63的至少一部 分，由此薄化或去除平面衬底40的边界区62与边缘区64之间的一体连 接，以形成图36中所示出的隔膜组件80。去除过程可包括例如koh或 tmah蚀刻。保护层72提供足以允许较容易地和/或以堆叠结构断裂或产 生碎屑或薄片的较小风险来应用清洁工艺的机械强度。
[0191]
在后续步骤中，去除保护层72以提供图37中所示出的布置。下部蚀 刻阻挡层44及上部蚀刻阻挡层46抵抗用以去除保护层72的去除过程且 保护至少一个隔膜层42免于由于去除过程造成的损害。
[0192]
在后续步骤中，通过切割或断裂桥接件而将边缘区段与边界分离，以 提供图38中所示出的布置。内部区61、边界区62及桥接区63上方的抗 蚀刻涂层82的第一部分及第二部分的去除会促进切割或断裂桥接件且减 少在此阶段碎屑或薄片的产生。
[0193]
在后续步骤中，去除下部蚀刻阻挡层44及上部蚀刻阻挡层46以提供 图39中所示出的隔膜组件80。
[0194]
图61至图67图示出用于制造隔膜组件80的另一替代处理流程。如 例如图61及图64中所示出，在此类型的实施例中，提供包括平面衬底 40及至少一个隔膜层42的堆叠结构60。平面衬底40包括内部区61、围 绕内部区61的边界区62及围绕边界区62的边缘区64。
[0195]
随后，可去除边缘区64(及形成于边缘区64上或下方的任何层)。 此工艺可被称为切块。
[0196]
在边缘区64的去除之后，将保护层72施加于堆叠结构的至少顶部表 面上，使得至少一个隔膜层42介于保护层72与平面衬底40之间，及施 加在堆叠结构60的侧表面上。上文参考图47至图50描述了关于此方法 的变化，其中在边缘区的去除之前施加保护层72。
[0197]
随后，去除过程用以选择性地去除内部区61。保护层72抵抗去除过 程。图62及图65示出对此阶段的处理结果的实例。
[0198]
随后，去除保护层72以提供包括由至少一个隔膜层42形成的隔膜 70的隔膜组件80。隔膜组件80包括保持隔膜70的边界。所述边界由平 面衬底40的边界区62形成。图63及图67示出对此阶段的处理结果的实 例。
[0199]
现在参考图61至图63及图64至图67提供关于实例处理流程的另外 细节。在两种实例中，在至少一个隔膜层42在上方及在下方由至少上部 蚀刻阻挡层46及下部蚀刻阻挡层44环绕时执行平面衬底40的内部区61 及边界区62与边缘区64的分离。所述至少一个隔膜层42受到上部蚀刻 阻挡层46及下部蚀刻阻挡层44保护。
[0200]
从图5中所示出的布置开始，执行用以形成图61中所示出的堆叠结 构60的处理。将蚀刻阻挡层56施加于堆叠结构60的底部上(例如koh 或tmah蚀刻阻挡层)。随后例如以类似于上文参考图7及图8所描述的 过程的方式来图案化及处理蚀刻阻挡层56以执行开口。
[0201]
随后，将堆叠结构60切块(由图61中的点划线114所示)以将平面 衬底40的内部区61及边界区62与边缘区64分离。接着将保护层72提 供于堆叠60的顶部表面上、侧表面上，及底部表面的周边部分上。蚀刻 阻挡层56中通过图案化而形成的开口并未由保护层72覆
盖。保护层72 抵抗用于选择性地去除平面衬底40的内部区61的去除过程，且可具有上 文所描述的用于保护层72的构成中的任一者(例如聚对二甲苯)。接着应 用用于选择性地去除平面衬底40的内部区61的去除过程。也去除隔膜层 42的底面上的下部蚀刻阻挡层44(例如使用湿式蚀刻)。由此提供图62 中所示出的隔膜组件80。
[0202]
随后，去除保护层72。可使用上文所描述的用于去除保护层72的方 法中的任一者(例如强氧等离子体处理)来去除保护层72。
[0203]
随后，去除(例如通过湿式蚀刻)上部蚀刻阻挡层46以产生图63 中所示出的隔膜组件80。
[0204]
下文参考图64至图67描述关于参考图61至图63所描述的方法的变 化。在此变化中，变化上文所描述的用于形成图56中所示出的堆叠结构 60的处理，使得蚀刻阻挡层56的图案化的形式与图61中所示出的蚀刻 阻挡层56的图案化的形式相同。图案化由此界定用于允许去除平面衬底 40的内部区61的单一开口，而非用以也允许去除桥接区63的全部或部 分的多个开口。由此提供图64中所示出的堆叠结构60。
[0205]
随后，将堆叠结构60切块(由图64中的点划线114所示出)以将平 面衬底40的内部区61及边界区62与边缘区64分离。接着将保护层72 提供于堆叠60的顶部表面上、侧表面上，及底部表面的周边部分上。蚀 刻阻挡层56中通过图案化而形成的开口并未由保护层72覆盖。保护层 72抵抗用于选择性地去除平面衬底40的内部区61的去除过程，且可具 有上文所描述的用于保护层72的构成中的任一者(例如聚对二甲苯)。接 着执行用于选择性地去除平面衬底40的内部区61的去除过程。由此提供 图65中所示出的隔膜组件80。
[0206]
随后，去除保护层72以提供图66中所示出的隔膜组件80。可使用 上文所描述的用于去除保护层72的方法中的任一者(例如强氧等离子体 处理)来去除保护层72。
[0207]
随后，去除(例如通过湿式蚀刻)下部牺牲层76、下部蚀刻阻挡层 44、上部蚀刻阻挡层46及蚀刻阻挡层56以形成图67中所示出的隔膜组 件80。
[0208]
在一实施例中，隔膜组件80可用作置放于图案形成装置ma之前方 且因此保护图案形成装置ma的保护膜。预期本发明的实施例实现保护 膜的易碎性减少。预期本发明的实施例使得较容易以高容量生产隔膜组件。 预期本发明的实施例使能够处理整合于框架中的独立式隔膜。
[0209]
在一实施例中，隔膜组件80被配置成透射波长是13.5纳米的至少 80％、视情况至少90％的辐射。在一实施例中，隔膜组件80被配置成透 射不到5％的duv辐射(近似100纳米至400纳米)。
[0210]
尽管在本发明中可特定地参考光刻设备在ic制造中的使用，但应理 解，本发明中所描述的光刻设备可具有其他应用，诸如制造整合式光学系 统、用于磁畴内存的导引及侦测图案、平板显示器、lcd、薄膜磁头等等。 可在曝光之前或之后在例如涂覆显影系统(通常将抗蚀剂层施加至衬底且 显影经曝光抗蚀剂的工具)、量测工具和/或检测工具中处理本发明所提及 的衬底。适用时，可将本发明中的披露内容应用于这些及其他衬底处理工 具。另外，可将衬底处理多于一次，例如以便产生多层ic，使得本发明 中所使用的术语“衬底”也可指已经包含多个经处理层的衬底。
[0211]
尽管上文已描述本发明的特定实施例，但应领会，可以以与所描述的 方式不同的其他方式来实践本发明。例如，可用执行相同功能的非漆层替 换各种漆层。
[0212]
以上的描述意欲是说明性而非限制性的。因此，对于本领域技术人员 将显而易见，在不脱离所附权利要求的范围的情况下，可对所描述的本发 明进行修改。