技术特征：
1.一种大带宽、低损耗的集成硅基y波导，其特征在于：包括呈横向设置的主直波导段（1）；主直波导段（1）的右端延伸设置有左窄右宽的锥形波导段（2）；锥形波导段（2）的右端延伸设置有两个过渡直波导段（3），且两个过渡直波导段（3）呈前后对称分布；两个过渡直波导段（3）之间形成有耦合狭缝；两个过渡直波导段（3）的右端各延伸设置有一个圆弧波导段（4），且两个圆弧波导段（4）呈前后对称分布；耦合狭缝内填充有亚波长光栅，且亚波长光栅的各个栅条（5）均呈纵向设置；主直波导段（1）的厚度、锥形波导段（2）的厚度、两个过渡直波导段（3）的厚度、两个圆弧波导段（4）的厚度、亚波长光栅的厚度均一致；主直波导段（1）的宽度、锥形波导段（2）的左端宽度、两个过渡直波导段（3）的宽度、两个圆弧波导段（4）的宽度均一致；锥形波导段（2）的右端宽度等于两个过渡直波导段（3）的宽度与耦合狭缝的宽度之和。2.根据权利要求1所述的一种大带宽、低损耗的集成硅基y波导，其特征在于：主直波导段（1）的厚度、锥形波导段（2）的厚度、两个过渡直波导段（3）的厚度、两个圆弧波导段（4）的厚度、亚波长光栅的厚度均为190nm~250nm；锥形波导段（2）的长度大于等于2μm；两个过渡直波导段（3）的长度均为0.95μm~1.05μm；两个圆弧波导段（4）的内径均大于5μm；亚波长光栅的周期为100nm~300nm；亚波长光栅的栅条（5）个数为4~6。3.根据权利要求1所述的一种大带宽、低损耗的集成硅基y波导，其特征在于：该集成硅基y波导是基于soi平台加工而成的。
技术总结
本发明涉及集成硅基Y波导，具体是一种大带宽、低损耗的集成硅基Y波导。本发明解决了现有集成硅基Y波导带宽小、损耗高、加工误差敏感度高的问题。一种大带宽、低损耗的集成硅基Y波导，包括呈横向设置的主直波导段；主直波导段的右端延伸设置有左窄右宽的锥形波导段；锥形波导段的右端延伸设置有两个过渡直波导段，且两个过渡直波导段呈前后对称分布；两个过渡直波导段之间形成有耦合狭缝；两个过渡直波导段的右端各延伸设置有一个圆弧波导段，且两个圆弧波导段呈前后对称分布；耦合狭缝内填充有亚波长光栅，且亚波长光栅的各个栅条均呈纵向设置。本发明适用于光通信、光传感领域。光传感领域。光传感领域。
技术研发人员：周彦汝 尹程玉 刘文耀 邢恩博 唐军 刘俊
受保护的技术使用者：中北大学
技术研发日：2022.03.31
技术公布日：2022/7/5