阵列基板及显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。


背景技术：

2.现有的液晶显示器一般包括液晶显示面板与背光模组。液晶显示面板通常是由一彩膜基板、一薄膜晶体管阵列基板以及一配置于两基板间的液晶层所构成，其工作原理是通过施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
3.薄膜晶体管液晶显示面板由于具有轻薄、环保、高性能等优点而使其具有广泛的应用，近年来为了简化薄膜晶体管液晶显示面板的制程并降低成本，4光罩工艺技术的应用越来越普遍。然而在现有采用4光罩工艺技术制成的显示面板中公共电极一般与像素电极形成存储电容，由于公共电极的面积较大，因此公共电极的电阻也较大。为了降低公共电极的电阻，现有技术通常设有与公共电极并联连接的辅助电极，而且辅助电极都是与像素电极同层设置，这样会降低显示面板像素的开口率，同时使得存储电容的容量普遍较小，从而导致显示面板容易出现闪烁。


技术实现要素：

4.本技术提供一种阵列基板及显示面板，以提升显示面板的开口率。
5.本技术提供本技术还提供一种阵列基板，其包括：
6.基板；
7.第一电极层，所述第一电极层设在所述基板上，所述第一电极层包括像素电极；
8.第一绝缘层，所述第一绝缘层设在所述第一电极层上；
9.第二电极层，所述第二电极层设在所述第一绝缘层上，所述第二电极层包括辅助电极；
10.第二绝缘层，所述第二绝缘层设在所述第二电极层上；
11.第三电极层，所述第三电极层设在所述第二绝缘层上，所述第三电极层包括公共电极；其中，
12.所述像素电极在所述基板上的正投影与所述公共电极在所述基板上的正投影至少部分重叠，所述第二绝缘层上设有通孔，所述辅助电极通过所述通孔与所述公共电极连接。
13.可选的，在本技术一些实施例中，所述辅助电极在所述基板上的正投影与所述像素电极在所述基板上的正投影至少部分重叠。
14.可选的，在本技术一些实施例中，所述第二绝缘层上设有至少两个通孔，所述辅助电极通过所述至少两个通孔与所述公共电极连接。
15.可选的，在本技术一些实施例中，所述通孔在厚度方向的截面轮廓在所述基板上的正投影覆盖所述辅助电极在所述基板上的正投影。
16.可选的，在本技术一些实施例中，所述基板包括像素电极区域，所述辅助电极位于所述像素电极区域内。
17.可选的，在本技术一些实施例中，所述阵列基板还包括：
18.有源层，所述有源层设在所述第一绝缘层上，所述第二电极层设在所述有源层上；
19.所述第一电极层还包括栅电极，所述第二电极层还包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层连接。
20.可选的，在本技术一些实施例中，所述基板包括多个像素电极区域，所述多个像素电极区域呈阵列设置，位于同一行或列的所述像素电极区域内的所述辅助电极串联连接。
21.可选的，在本技术一些实施例中，所述第二绝缘层在每个所述像素电极区域内设有至少一个通孔。
22.可选的，在本技术一些实施例中，所述阵列基板还包括：
23.有源层，所述有源层设在所述第一绝缘层上；
24.第四电极层，所述第四电极层设在所述有源层上；
25.第三绝缘层，所述第三绝缘层设在所述第四电极层上，所述第二电极层设在所述第三绝缘层上；
26.所述第一电极层还包括栅电极，所述第四电极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层连接。
27.可选的，在本技术一些实施例中，所述阵列基板还包括：
28.有源层，所述有源层设在所述第二绝缘层上；
29.第四电极层，所述第四电极层设在所述第二绝缘层上，
30.第三绝缘层，所述第三绝缘层设在所述第四电极层上，所述第二电极层设在所述第三绝缘层上；
31.所述第一电极层还包括栅电极，所述第四电极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层连接，所述第二绝缘层和所述第三绝缘层上设有通孔。
32.相对应地，本技术还提供一种显示面板，其包括上述的阵列基板，还包括与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
33.本技术提供一种阵列基板及显示面板，其中阵列基板包括：基板；第一电极层，所述第一电极层设在所述基板上，所述第一电极层包括像素电极；第一绝缘层，所述第一绝缘层设在所述第一电极层上；第二电极层，所述第二电极层设在所述第一绝缘层上，所述第二电极层包括辅助电极；第二绝缘层，所述第二绝缘层设在所述第二电极层上；第三电极层，所述第三电极层设在所述第二绝缘层上，所述第三电极层包括公共电极；其中，所述像素电极在所述基板上的正投影与所述公共电极在所述基板上的正投影至少部分重叠，所述第二绝缘层上设有通孔，所述辅助电极通过所述通孔与所述公共电极连。本技术通过将辅助电极设在与像素电极不同层的第二电极层上，从而可以提高像素的开口率；另外由于像素电极的设计空间增大，可以使得存储电容的容量增大，从而解决由于存储电容的容量较小而导致显示面板容易出现闪烁的问题。
附图说明
34.图1是本技术提供的阵列基板的第一实施例示意图；
35.图2是图1中a-a剖视图；
36.图3是本技术提供的阵列基板的第二实施例示意图；
37.图4是本技术提供的阵列基板的第三实施例示意图；
38.图5是本技术提供的阵列基板的第四实施例示意图；
39.图6为图5中的a-a剖视图；
40.图7是本技术提供的阵列基板的第五实施例示意图。
具体实施方式
41.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所得到的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
42.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
43.在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏极以及源极这三个端子的元件。晶体管在漏极(漏极端子、漏区域或漏极)与源极(源极端子、源区域或源极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏极、沟道区域以及源极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源极”及“漏极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源极”和“漏极”可以互相调换。
44.本技术提供一种阵列基板100及显示面板，以下进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对本技术实施例优选顺序的限定。
45.请参阅图1，图1是本技术提供的阵列基板100的第一实施例示意图，图2是图1中a-a剖视图。本技术提供一种阵列基板100，其包括基板10、第一电极层20、第一绝缘层30、第二电极层50、第二绝缘层60和第三电极层70。
46.其中，基板10的材料可以根据需要进行选择，如可以采用刚性材料，也可以采用柔性材料，基板10根据需要可以设置为刚性基板10或柔性基板10，如基板10为柔性基板10，所述柔性基板10包括单层柔性有机层或者两层以及以上的柔性有机层。柔性有机层的材料选自聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺和聚醚砜中的一种或多种。
47.所述第一电极层20设在所述基板10上，所述第一电极层20包括像素电极21；所述第一绝缘层30设在所述第一电极层20上；所述第二电极层50设在所述第一绝缘层30上，所述第二电极层50包括辅助电极51；所述第二绝缘层60设在所述第二电极层50上；所述第三
电极层70设在所述第二绝缘层60上，所述第三电极层70包括公共电极71；其中，所述像素电极21在所述基板10上的正投影与所述公共电极71在所述基板10上的正投影至少部分重叠，所述第二绝缘层60上设有通孔61，所述辅助电极51通过所述通孔61与所述公共电极71连接。
48.所述第一电极层20、所述第二电极层50和所述第三电极层70的材料可以为含有铜、钼、钼钛、铝、钛和镍中一种或多种的合金。
49.在所述像素电极21和所述公共电极71之间形成存储电容，在本技术其他实施例中，所述像素电极21在所述基板10上的正投影覆盖所述公共电极71在所述基板10上的正投影，这样可以使得存储电容的容量最大。但是由于公共电极71的面积较大，因此公共电极71的电阻也较大。通过设有与公共电极71连接的辅助电极51，辅助电极51可以降低公共电极71的电阻，从而降低公共电极71的压降，而提高显示面板的显示效果。
50.本技术通过将辅助电极51设在与像素电极21不同层的第二电极层50上，从而可以增大像素电极21的设计空间，而提高像素的开口率；另外，由于像素电极21的设计空间增大，可以使得存储电容的容量增大，从而解决由于存储电容的容量较小而导致显示面板容易出现闪烁的问题。
51.具体地，现有的阵列基板将辅助电极与像素电极同层设置，这样辅助电极会占用像素电极的空间，从而导致像素的开口率较低，经过本技术人研究分析得知，在同等尺寸的显示面板中，现有的阵列基板的子像素的像素电极的最长长度为114.5微米，而采用本技术的技术方案，可以使得阵列基板的子像素的像素电极的最长长度提高到120微米，因此本技术可以有效增大像素电极的设计空间，而提高像素的开口率。
52.在一些实施例中，所述辅助电极51在所述基板10上的正投影与所述像素电极21在所述基板10上的正投影至少部分重叠。辅助电极51与像素电极21至少部分相重叠，也可以提高存储电容的容量，从而进一步减少显示面板出现闪烁的情况。
53.在一些实施例中，所述基板10包括像素电极区域11，所述辅助电极51位于所述像素电极区域11内。将辅助电极51设在所述像素电极区域11内，这样可以使得像素电极21覆盖辅助电极51，像素电极21与辅助电极51的重叠面积最大，从而最大限度提高存储电容的容量。
54.具体地，在一些实施例中，所述阵列基板100还包括：
55.有源层40，所述有源层40设在所述第一绝缘层30上，所述第二电极层50设在所述有源层40上；
56.所述第一电极层20还包括栅电极22，所述第二电极层50还包括源极52和漏极，所述源极52和所述漏极53分别与所述有源层40连接。
57.也即是，所述栅电极22和所述像素电极21同层设置在所述第一电极层20上，所述辅助电极51、所述源极52和所述漏极53同层设置在所述第二电极层50上，这样可以减少电极层的设置，从而降低显示面板的厚度。
58.所述有源层40的材料可以为非晶硅半导体材料，也可以为金属氧化物半导体材料，在本实施例中，所述有源层40的材料为金属氧化物半导体材料，金属氧化物半导体材料可以为铟镓锡氧化物半导体材料、铟镓锌锡氧化物半导体材料和铟镓锌氧化物半导体材料中的任一种。
59.相对应地，本技术还提供一种显示面板，其包括上述的阵列基板100，还包括与所述阵列基板100相对设置的彩膜基板10，以及位于所述阵列基板100和所述彩膜基板10之间的液晶层。
60.与现有技术相比，本技术实施例提供的显示面板的有益效果与上述技术方案提供的阵列基板100的有益效果相同，在此不做赘述。
61.请参考图3，图3是本技术提供的阵列基板100的第二实施例示意图。在本技术的一些实施例中，所述第二绝缘层60上设有至少两个通孔61，所述辅助电极51通过所述至少两个通孔61与所述公共电极71连接。
62.通过设有至少两个通孔61，这样所述辅助电极51相当于与所述公共电极71并联连接，从而进一步减低公共电极71的电阻。由于所述辅助电极51与所述公共电极71之间具有多个连接点，从而使得公共电极71的电阻阻值分布较为均匀，因此可以使得所述公共电极71上的电压较为均匀，而减少所述公共电极71的电压波动。
63.具体地，所述第二绝缘层60上设有两个通孔61，两个通孔61分别为第一通孔和第二通孔，所述辅助电极51的一端通过所述第一通孔与所述公共电极71连接，所述辅助电极51的另一端通过第二通孔与所述公共电极71连接。
64.请参考图4，图4是本技术提供的阵列基板100的第三实施例示意图。在本技术的一些实施例中，所述通孔61在厚度方向的截面轮廓在所述基板10上的正投影覆盖所述辅助电极51在所述基板10上的正投影。
65.也即是，所述通孔61设在所述辅助电极51的正上方，所述辅助电极51再通过所述通孔61与所述公共电极71连接，这样所述辅助电极51与所述公共电极71的连接面积最大，也可以进一步降低所述公共电极71的电阻。
66.请参考图5，图5是本技术提供的阵列基板100的第四实施例示意图，图6为图5中的a-a剖视图，本实施例与图1所提供的阵列基板100不同的是：所述基板10包括多个像素电极区域11，所述多个像素电极区域11呈阵列设置，位于同一行或列的所述像素电极区域11内的所述辅助电极51串联连接。
67.本技术通过将位于同一行或列的所述像素电极区域11内的所述辅助电极51串联连接，也即是，所述辅助电极51不但位于所述像素电极区域11内，还跨越所述像素电极区域11之间，从而增大辅助电极51的面积。由于所述辅助电极51与所述像素电极21存在重叠的部分，因此所述辅助电极51的面积增大，也可以提高存储电容的容量，从而进一步减少显示面板出现闪烁的情况。
68.在一些实施例中，所述第二绝缘层60在每个所述像素电极区域11内设有至少一个通孔61。所述辅助电极51在每个所述像素电极区域11内都通过所述通孔61与所述公共电极71连接，由于所述辅助电极51与所述公共电极71之间具有多个连接点，从而使得公共电极71的电阻阻值分布较为均匀，因此可以使得所述公共电极71上的电压较为均匀，而减少所述公共电极71的电压波动。
69.具体地，所述第二绝缘层60在每个所述像素电极区域11内设有两个通孔61，所述辅助电极51通过所述两个通孔61与所述公共电极71连接。
70.通过设有两个通孔61，这样所述辅助电极51相当于在每个所述像素电极区域11内与所述公共电极71并联连接，从而进一步减低公共电极71的电阻。由于所述辅助电极51与
所述公共电极71之间具有多个连接点，因此可以使得所述公共电极71上的电压较为均匀，减少所述公共电极71的电压波动。
71.在一些实施例中，所述阵列基板100还包括：
72.有源层40，所述有源层40设在所述第一绝缘层30上；
73.第四电极层80，所述第四电极层80设在所述有源层40上；
74.第三绝缘层90，所述第三绝缘层90设在所述第四电极层80上，所述第二电极层50设在所述第三绝缘层90上；
75.所述第一电极层20还包括栅电极22，所述第四电极层80包括源极81和漏极82，所述源极81和所述漏极82分别与所述有源层40连接。
76.在该实施例中，本技术的所述辅助电极51设在所述第二电极层50，将所述源极81和所述漏极82设在所述第四电极层80上，所述辅助电极51设在所述源极81和所述漏极82的上方。也即是所述辅助电极51与所述源极81、所述漏极82不同层设置，这样可以使得所述辅助电极51可以跨越所述像素电极区域11之间，而不会与所述源极81或所述漏极82相接触，避免所述辅助电极51与所述源极81或所述漏极82发生短接。
77.请参考图7，图7是本技术提供的阵列基板100的第五实施例示意图，本实施例与图6所提供的阵列基板100不同的是：所述阵列基板100还包括：
78.有源层40，所述有源层40设在所述第二绝缘层60上；
79.第四电极层80，所述第四电极层设在所述第二绝缘层60上，
80.第三绝缘层90，所述第三绝缘层90设在所述第四电极层80上，所述第二电极层50设在所述第三绝缘层90上；
81.所述第一电极层20还包括栅电极22，所述第四电极层80包括源极81和漏极82，所述源极81和所述漏极82分别与所述有源层40连接，所述第二绝缘层60和所述第三绝缘层90上设有通孔61。
82.在该实施例中，本技术的所述辅助电极51设在所述第二电极层50，将所述源极81和所述漏极82设在所述第四电极层上，所述辅助电极51设在所述源极81和所述漏极82的下方，所述第二绝缘层60和所述第三绝缘层上设有通孔61，所述公共电极71通过所述第二绝缘层60和所述第三绝缘层上的通孔61与所述辅助电极51连接。也即是所述辅助电极51与所述源极52、所述漏极不同层设置，这样可以使得所述辅助电极51可以跨越所述像素电极区域11之间，而不会与所述源极81或所述漏极82相接触，避免所述辅助电极51与所述源极81或所述漏极82发生短接。
83.以上对本技术实施例所提供的一种阵列基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。