一种提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法与流程

1.本发明涉及一种液晶显示模组制造方法领域，更具体地说，涉及一种提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法。


背景技术：

2.tft lcd光刻工艺是先将光刻胶涂布在玻璃基板上，然后把掩膜版上的复杂图形复刻到玻璃基板上，通过多次的复刻后，最终得到设计的电路图形。光刻工艺包含三大步骤：光刻胶涂布、曝光和显影。显影后光刻胶形成的图形中的线宽称为关键尺寸，光刻工艺的三大步骤都会影响关键尺寸，关键尺寸直接影响后续的蚀刻工艺以及最终图形的尺寸。光刻胶涂布膜厚要求整体均一性一般在3％以内，如果整体均一性可以达到要求，在曝光时对玻璃基板上的光刻胶无差别曝光则可以使得关键尺寸达到要求，但由于光刻胶涂布的起始部的厚度一般难以控制，而传统方法是仍是对玻璃基板上的光刻胶进行无差别曝光，其会使得起始部的关键尺寸的偏差相较其他区域来说更大，关键尺寸偏差大则会严重影响产品品质，从而造成良品率大幅下降，大幅提高了玻璃基板的制作成本，降低了产品的竞争力，无法满足生产企业日益增长的品质要求。


技术实现要素：

3.本发明所要解决的技术问题是如何保证起始部的关键尺寸与均匀部的关键尺寸偏差，提高关键尺寸的均一性。由于本发明先测量了起始部和均匀部的光刻胶厚度，然后根据测量的厚度来计算单位面积曝光量，也就是根据不同区域的厚度值进行差异化曝光，根据设定曝光量进行曝光后，起始部的关键尺寸和均匀部的关键尺寸的偏差可忽略不计，关键尺寸偏差小可以保证产品品质，提高关键尺寸的均一性，从而使得良品率提高，大幅降低了玻璃基板的制作成本，提高了产品的竞争力，以此满足生产企业日益增长的品质要求。
4.本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
5.为解决上述技术问题，本发明提供了一种提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法，其包括以下步骤：
6.步骤1、在玻璃基板上涂布光刻胶，玻璃基板上的光刻胶沿涂布方向依次顺序分为起始部和均匀部；
7.步骤2、分别测量起始部的光刻胶厚度和均匀部的光刻胶厚度；
8.步骤3、根据起始部的光刻胶厚度计算起始部的单位面积曝光量，根据均匀部的光刻胶厚度计算均匀部的单位面积曝光量；
9.步骤4、根据计算得出的起始部的单位面积曝光量对起始部进行曝光，根据计算得出的均匀部的单位面积曝光量对均匀部进行曝光。
10.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，其满足q
起始部
＝q
均匀部
*d
起始部
/d
均匀部
，其中q
起始部
为起始部的单位面积曝光量，q
均匀部
为均匀部的单位面积曝光量，d
起始部
为起始部的光刻胶厚度，d
均匀部
为均匀部的光刻胶厚度。
11.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，所述步骤1中，在玻璃基板上涂布光刻胶，光刻胶沿涂布方向依次顺序分为起始部、均匀部和末尾部；所述步骤2中，分别测量起始部的光刻胶厚度、均匀部的光刻胶厚度和末尾部的光刻胶厚度；所述步骤3中，根据起始部的光刻胶厚度计算起始部的单位面积曝光量，根据均匀部的光刻胶厚度计算均匀部的单位面积曝光量，根据末尾部的光刻胶厚度计算末尾部的单位面积曝光量；所述步骤4中，根据计算得出的起始部的单位面积曝光量对起始部进行曝光，根据计算得出的均匀部的单位面积曝光量对均匀部进行曝光，根据计算得出的末尾部的单位面积曝光量对末尾部进行曝光。
12.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，通过光刻胶厚度测量系统分别测量起始部的光刻胶厚度和均匀部的光刻胶厚度。
13.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，通过曝光量补偿系统对起始部的单位面积曝光量和均匀部的单位面积曝光量进行曝光补偿。
14.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，通过狭缝涂胶的方式在玻璃基板上涂布光刻胶。
15.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，曝光所采用的光为紫外光。
16.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，还包括步骤5、对玻璃基板上的光刻胶进行显影。
17.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，还包括步骤6、对玻璃基板进行清洗。
18.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，使用去离子纯水对玻璃基板进行清洗。
19.本发明具有如下有益效果：
20.由于本发明先测量了起始部和均匀部的光刻胶厚度，然后根据测量的厚度来计算单位面积曝光量，也就是根据不同区域的厚度值进行差异化曝光，根据设定曝光量进行曝光后，起始部的关键尺寸和均匀部的关键尺寸的偏差可忽略不计，关键尺寸偏差小可以保证产品品质，提高关键尺寸的均一性，从而使得良品率提高，大幅降低了玻璃基板的制作成本，提高了产品的竞争力，以此满足生产企业日益增长的品质要求。
附图说明
21.为了更清楚地说明本技术中的方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一个简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
22.图1为本发明提供的一种提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法流程图。
23.图2为玻璃基板上的光刻胶的分布示意图。
24.图3为另一种玻璃基板上的光刻胶的分布示意图。
具体实施方式
25.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
26.本发明提供了一种提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法，其包括以下步骤：
27.步骤1、在玻璃基板上涂布光刻胶，玻璃基板上的光刻胶沿涂布方向依次顺序分为起始部和均匀部；
28.步骤2、分别测量起始部的光刻胶厚度和均匀部的光刻胶厚度；
29.步骤3、根据起始部的光刻胶厚度计算起始部的单位面积曝光量，根据均匀部的光刻胶厚度计算均匀部的单位面积曝光量；
30.步骤4、根据计算得出的起始部的单位面积曝光量对起始部进行曝光，根据计算得出的均匀部的单位面积曝光量对均匀部进行曝光。
31.由于本发明先测量了起始部和均匀部的光刻胶厚度，然后根据测量的厚度来计算单位面积曝光量，也就是根据不同区域的厚度值进行差异化曝光，根据设定曝光量进行曝光后，起始部的关键尺寸和均匀部的关键尺寸的偏差可忽略不计，关键尺寸偏差小可以保证产品品质，提高关键尺寸的均一性，从而使得良品率提高，大幅降低了玻璃基板的制作成本，提高了产品的竞争力，以此满足生产企业日益增长的品质要求。
32.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面将结合附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
33.实施例1
34.请参阅图1和图2，本发明提供了一种提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法，其包括以下步骤：
35.步骤1、在玻璃基板1上涂布光刻胶2，玻璃基板1上的光刻胶2沿涂布方向依次顺序分为起始部21和均匀部22；
36.步骤2、分别测量起始部21的光刻胶2厚度和均匀部22的光刻胶2厚度；
37.步骤3、根据起始部21的光刻胶2厚度计算起始部21的单位面积曝光量，根据均匀部22的光刻胶2厚度计算均匀部22的单位面积曝光量；
38.步骤4、根据计算得出的起始部21的单位面积曝光量对起始部21进行曝光，根据计算得出的均匀部22的单位面积曝光量对均匀部22进行曝光。
39.在本实施例中，先在玻璃基板1上涂布光刻胶2，然后测量起始部21的光刻胶2厚度，其厚度为1.7μm，再测量均匀部22的光刻胶2厚度，其厚度为1.5μm，在传统的方案中，均匀部22的光刻胶2厚度与整块玻璃基板1的光刻胶2厚度的误差基本忽略不计，其预设厚度为1.5μm，即其认为起始部21和均匀部22的厚度均为1.5μm，所以采用传统技术的话，整块玻璃基板1的单位面积曝光量一般设定为50mj，由于起始部21的厚度难以控制，其厚度误差较
大，在本实施例中测量为1.7μm，在其他实施例中也可能是1.3μm或1.9μm，以1.7μm举例来说，如果起始部21的单位面积曝光量仍按照50mj进行设定，那么起始部21的关键尺寸就会比预设的大，从而影响产品品质。但由于本发明先测量了起始部21和均匀部22的光刻胶2厚度，然后根据测量的厚度来计算单位面积曝光量，在本实施例中，起始部21的单位面积曝光量设定为55mj，均匀部22的曝光量设定为50mj，也就是根据不同区域的厚度值进行差异化曝光，根据设定曝光量进行曝光后，起始部21的关键尺寸和均匀部22的关键尺寸的偏差可忽略不计，关键尺寸偏差小可以保证产品品质，提高关键尺寸的均一性，从而使得良品率提高，大幅降低了玻璃基板1的制作成本，提高了产品的竞争力，以此满足生产企业日益增长的品质要求。
40.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，其满足q
起始部
＝q
均匀部
*d
起始部
/d
均匀部
，其中q
起始部
为起始部21的单位面积曝光量，q
均匀部
为均匀部22的单位面积曝光量，d
起始部
为起始部21的光刻胶2厚度，d
均匀部
为均匀部22的光刻胶2厚度。
41.实施例2
42.作为实施例1的进一步优化方案，本实施例与实施例1的区别之处在于，步骤4中，在曝光机软件输入界面，手动输入起始部21光刻胶2厚度为1.3μm、均匀部22光刻胶2厚度为1.5μm；然后玻璃基板1进入曝光机，根据下片recipe，判断涂胶起始部21位置和均匀部22位置以及曝光顺序；曝光机根据整体曝光速度，计算出起始部21的单位面积曝光量为50mj，均匀部22的单位面积曝光量43mj，通过计算得出的对单位面积曝光量起始部21和均匀部22实施差异曝光。以此提高关键尺寸的均一性，从而使得良品率提高，大幅降低了玻璃基板1的制作成本，提高了产品的竞争力，以此满足生产企业日益增长的品质要求。
43.实施例3
44.请参阅图3，作为实施例1的进一步优化方案，本实施例中，所述步骤1中，在玻璃基板1上涂布光刻胶2，光刻胶2沿涂布方向依次顺序分为起始部21、均匀部22和末尾部23；所述步骤2中，分别测量起始部21的光刻胶2厚度、均匀部22的光刻胶2厚度和末尾部23的光刻胶2厚度；所述步骤3中，根据起始部21的光刻胶2厚度计算起始部21的单位面积曝光量，根据均匀部22的光刻胶2厚度计算均匀部22的单位面积曝光量，根据末尾部23的光刻胶2厚度计算末尾部23的单位面积曝光量；所述步骤4中，根据计算得出的起始部21的单位面积曝光量对起始部21进行曝光，根据计算得出的均匀部22的单位面积曝光量对均匀部22进行曝光，根据计算得出的末尾部23的单位面积曝光量对末尾部23进行曝光。
45.本实施例与实施例1的区别之处在于，还包括均匀部22后方的末尾部23，测量末尾部23的光刻胶2厚度并根据末尾部23的光刻胶2厚度计算末尾部23的单位面积曝光量，然后再对起始部21、均匀部22和末尾部23进行差异化曝光，末尾部23的厚度虽然相较起始部21来说易于控制，但是其厚度误差仍然较大，进行差异化曝光后可提高关键尺寸的均一性，从而使得良品率提高，大幅降低了玻璃基板1的制作成本，提高了产品的竞争力，以此满足生产企业日益增长的品质要求。
46.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，通过光刻胶2厚度测量系统分别测量起始部21的光刻胶2厚度和均匀部22的光刻胶2厚度，以自动测量起始部21的光刻胶2厚度和均匀部22的光刻胶2厚度。
47.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，通过曝光量补偿系统对起始部21的单位面积曝光量和均匀部22的单位面积曝光量进行曝光补偿，以自动对起始部21的单位面积曝光量和均匀部22的单位面积曝光量进行曝光补偿。
48.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，通过狭缝涂胶的方式在玻璃基板1上涂布光刻胶2，其工艺成熟，成本较低。
49.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，曝光所采用的光为紫外光，其工艺成熟，良品率高。
50.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，还包括步骤5、对玻璃基板1上的光刻胶2进行显影。
51.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，还包括步骤6、对玻璃基板1进行清洗。
52.作为本发明提供的所述提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法的一种优选实施方式，使用去离子纯水对玻璃基板进行清洗。在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
53.此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
54.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
55.显然，以上所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例，附图中给出了本技术的较佳实施例，但并不限制本技术的专利范围。本技术可以以许多不同的形式来实现，相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来而言，其依然可以对前述各具体实施方式所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等效替换。凡是利用本技术说明书及附图内容所做的等效结构，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理在本技术专利保护范围之内。