电子装置的制作方法

电子装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年5月24日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0066307号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含在本文中。
技术领域
3.本公开的实施例涉及一种电子装置，并且更具体地，涉及一种包括设置在封装层上的传感器层的电子装置。


背景技术：

4.电子装置包括根据电信号而激活的有源区域。电子装置可以检测从诸如在有源区域上或接近有源区域的外部位置施加的输入，并且同时显示各种图像以将信息提供给用户。
5.电子装置可以包括具有有机电致发光材料或量子点发光材料的发光元件。发光元件容易受到来自外部环境的污染物(诸如氧和湿气)的影响。因此，可以提供用于密封发光元件的各种装置。在一个示例中，封装层可以设置在发光元件上以阻挡氧和湿气的路径，以防止氧和湿气渗透到发光元件中。然而，当在封装层上提供诸如触摸面板的传感器层时，由于封装层的存在，触摸灵敏度可能降低或者可能发生故障。


技术实现要素：

6.本公开的实施例提供一种电子装置，该电子装置包括具有降低的介电常数的封装层。
7.此外，本公开的实施例提供一种电子装置，该电子装置包括具有低介电常数的有机层的封装层，并且因此使设置在封装层上的传感器层具有增加的操作质量。
8.根据本公开的实施例，一种电子装置包括：发光元件；封装层，设置在所述发光元件上，其中，所述封装层包括具有大于或等于大约1.4的分子各向异性的聚合物；以及传感器层，设置在所述封装层上。所述分子各向异性是当在垂直于第二方向的第一方向上偏振的第一偏振光入射到所述聚合物时在红外光谱仪中的红外光谱的第一吸光度与当在所述第二方向上偏振的第二偏振光入射到所述聚合物时在红外光谱仪中的红外光谱的第二吸光度之比。
9.在实施例中，所述聚合物的所述分子各向异性可以在大约1.4至大约1.9的范围内。
10.在实施例中，所述聚合物可以使用包含二甲基丙烯酸酯化合物、(甲基)丙烯酸酯化合物和光引发剂的组合物来制备。
11.在实施例中，基于100wt％的所述组合物的总重量，所述组合物可以包括：在大约50wt％至大约90wt％的范围内的所述二甲基丙烯酸酯化合物、在大约0wt％至大约40wt％的范围内的所述(甲基)丙烯酸酯化合物以及在大约1wt％至大约10wt％的范围内的所述光
引发剂。
12.在实施例中，所述组合物还可以包含丙烯酸酯类交联剂。
13.在实施例中，所述聚合物可以包括(甲基)丙烯酸酯类聚合物。
14.在实施例中，所述聚合物的玻璃化转变温度可以在大约-28℃至大约1.4℃的范围内。
15.在实施例中，所述封装层可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。所述至少一个有机层可以包括所述聚合物。
16.在实施例中，所述至少一个有机层和所述至少一个无机层可以彼此交替地堆叠。
17.在实施例中，所述至少一个有机层的介电常数可以在大约2.6至大约3.0的范围内。
18.在实施例中，所述至少一个有机层中的氧原子的含量小于或等于大约5at％。
19.在实施例中，所述至少一个有机层可以具有的在红外光谱仪中由c-h键产生的红外光谱的吸光度与在红外光谱仪中由c＝o键产生的红外光谱的吸光度之比在大约0.25至大约0.40的范围内(包括端值)。
20.在实施例中，所述传感器层可以直接设置在所述封装层上。
21.根据本公开的实施例，一种电子装置包括：发光元件；封装层，设置在所述发光元件上，其中，所述封装层可以包括具有在大约2.6至大约3.0的范围内的介电常数的至少一个有机层；以及传感器层，设置在所述封装层上。所述至少一个有机层包括使用包含二甲基丙烯酸酯化合物、(甲基)丙烯酸酯化合物和光引发剂的组合物制备的(甲基)丙烯酸酯类聚合物。
22.在实施例中，所述聚合物的分子各向异性可以在大约1.4至大约1.9的范围内。所述分子各向异性可以是当在垂直于第二方向的第一方向上偏振的第一偏振光入射到所述聚合物时在红外光谱仪中的红外光谱的第一吸光度与当在所述第二方向上偏振的第二偏振光入射到所述聚合物时在红外光谱仪中的红外光谱的第二吸光度之比。
23.在实施例中，所述有机层可以具有的在红外光谱仪中由c-h键产生的红外光谱的吸光度与在红外光谱仪中由c＝o键产生的红外光谱的吸光度之比在大约0.25至大约0.40的范围内。
24.在实施例中，所述封装层可以直接设置在所述发光元件上，并且所述传感器层可以直接设置在所述封装层上。
25.在实施例中，所述传感器层可以包括：第一导电层，设置在所述封装层上；第二导电层，设置在所述第一导电层上；绝缘层，设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间；以及传感器基体层，设置在所述第一导电层下方。所述传感器基体层可以直接设置在所述封装层上。
26.在实施例中，基于100wt％的所述组合物的总重量，所述组合物包括：在大约50wt％至大约90wt％的范围内的所述二甲基丙烯酸酯化合物、在大约0wt％至大约40wt％的范围内的所述(甲基)丙烯酸酯化合物以及在大约1wt％至大约10wt％的范围内的所述光引发剂。
27.在实施例中，所述有机层中的氧原子的含量小于或等于大约5at％。
28.根据本公开的实施例，一种电子装置包括：发光元件；封装层，设置在所述发光元
件上，所述封装层包括彼此交替地堆叠的n个无机层和n-1个有机层，其中，n是大于或等于2的整数；以及传感器层，设置在所述封装层上。所述n-1个有机层中的至少一个具有小于或等于大约3.0的介电常数。
29.在实施例中，所述n-1个有机层中的所述至少一个包括由组合物组成的(甲基)丙烯酸酯类聚合物，基于100wt％的所述组合物的总重量，所述组合物包括：在大约50wt％至大约90wt％的范围内的二甲基丙烯酸酯化合物、在大约0wt％至大约40wt％的范围内的(甲基)丙烯酸酯化合物以及在大约1wt％至大约10wt％的范围内的光引发剂。
附图说明
30.通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上和其它目的和特征将变得明显，在附图中：
31.图1是示出根据本公开的实施例的电子装置的透视图；
32.图2是根据本公开的实施例的沿着图1的线i-i'截取的电子装置的截面图；
33.图3是示出根据本公开的实施例的电子装置的与图2的区域dd对应的部分的截面图；
34.图4是根据本公开的实施例的封装层的截面图；
35.图5是根据本公开的实施例的封装层的截面图；
36.图6是根据本公开的实施例的聚合物的示意图；
37.图7是根据本公开的实施例的沿着图4的线ii-ii'所测量的有机层的成分分析图；
38.图8示出了根据本公开的实施例的使用偏振的ft-ir分析方法；
39.图9a示出了比较示例和根据本公开的实施例的示例的ft-ir分析结果；
40.图9b示出了比较示例和根据本公开的实施例的示例中的每一者的介电常数；
41.图10a示出了比较示例的电子衍射图案；
42.图10b示出了根据本公开的实施例的示例的电子衍射图案；
43.图11a示出了比较示例和根据本公开的实施例的示例的ft-ir分析结果；
44.图11b示出了比较示例和根据本公开的实施例的示例的ft-ir分析结果；并且
45.图11c示出了比较示例和根据本公开的实施例的示例中的每一者的介电常数。
具体实施方式
46.下面进一步说明和描述各种实施例。将理解的是，本文中的描述不旨在将权利要求局限于所描述的特定实施例。相反，本文中的描述旨在涵盖可以被包括在本公开的精神和范围之内的替代物、修改和等同物。
47.将理解的是，当元件或层被称为“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，所述元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接耦接到所述另一元件或层，或者可以存在一个或多个居间元件或居间层。当元件或层被称为“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不可以存在居间元件或居间层。此外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，所述元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个居间元件或居间层。当元件或层被称为“直接在”两个元件或层“之间”时，不可以存在居间元件或居间层。
48.此外，还将理解的是，当第一元件或层被称为存在或设置“在”第二元件或层“上”时，第一元件或层可以直接设置在第二元件或层上，或者可以在第三元件或层设置在第一元件或层与第二元件或层之间的情况下间接设置在第二元件或层上。当第一元件或层被称为存在或“直接”设置“在”第二元件或层“上”时，没有居间元件或居间层设置在第一元件或层与第二元件或层之间。
49.为了说明的简单和清楚，附图中的元件不一定按比例绘制。不同的附图中的相同的附图标记指代相同或相似的元件，并且如此，执行相似的功能。附图中所公开的用于描述本公开的实施例的形状、尺寸、比例、角度、数量等是出于说明的目的，并且本公开的实施例不限于此。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。诸如
“……
中的至少一个(者或种)”的表述当在一列元件之后时可以修饰整列元件，并且可以不修饰此列中的单个元件。当提到“c到d”时，除非另有说明，否则这表示端值c到端值d。
50.将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但是这些元件、组件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区、层或部分与另一元件、组件、区、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、第一组件、第一区、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区、第二层或第二部分。如本文中所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”和“一种”也旨在包括复数形式。
51.此外，如本文中所使用的，当层、膜、区或板等可以设置“在”另一层、膜、区或板等“上”或设置“在”另一层、膜、区或板等的“顶部”时，前者可以直接接触后者，或者在前者与后者之间可以设置又一层、膜、区或板等。如本文中所使用的，当层、膜、区或板等直接设置“在”另一层、膜、区或板等“上”或设置“在”另一层、膜、区或板等的“顶部”时，前者直接接触后者，并且在前者与后者之间不设置又一层、膜、区或板等。此外，如本文中所使用的，当层、膜、区或板等可以设置“在”另一层、膜、区或板等“下方”或“下面”时，前者可以直接接触后者，或者在前者与后者之间可以设置又一层、膜、区或板等。如本文中所使用的，当层、膜、区或板等直接设置“在”另一层、膜、区或板等“下方”或“下面”时，前者直接接触后者，并且在前者与后者之间不设置又一层、膜、区或板等。
52.还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”、“具有”和“含有”说明存在所陈述的特征、整体、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、操作、元件、组件和/或它们的部分。如本文中所使用的，术语“和或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。
53.除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不被以理想化或过于形式化的意义来解释。
54.在下文中，将参照附图描述根据本公开的实施例的电子装置。
55.图1是示出根据本公开的实施例的电子装置的透视图。图2是根据本公开的实施例的沿着图1的线i-i'截取的电子装置的截面图。图3是示出根据本公开的实施例的电子装置的与图2的区域dd对应的部分的截面图。图2是示意性地示出与图1中的线i-i'对应的部分
的截面图，并且图3是示出图2的区域dd的详细截面图。
56.参照图1和图2，根据实施例的电子装置ed可以是根据电信号而激活的装置。例如，电子装置ed可以是移动电话、平板计算机、汽车导航系统、游戏机或可穿戴装置。例如，在图1中，电子装置ed被实现为移动电话。然而，本公开的实施例不限于此，并且电子装置ed可以是各种其它小型、中型或大型电子装置。
57.电子装置ed可以通过有源区域aa显示图像。有源区域aa可以包括由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定的平面。在实施例中，有源区域aa还可以包括从由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定的平面的至少一侧弯曲的弯曲表面。图1中所示的根据实施例的电子装置ed包括分别从由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定的平面的相对两侧弯曲的两个弯曲表面。然而，有源区域aa的形状不限于此。例如，在实施例中，有源区域aa可以仅在由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定的平面中延伸并且可以不弯曲。在实施例中，有源区域aa还可以包括分别从所述平面的至少两个侧(例如，四个侧)弯曲的至少两个(例如，四个)弯曲表面。
58.在图1中，示出了第一方向轴dr1、第二方向轴dr2和第三方向轴dr3。然而，本公开中描述的第一方向轴dr1、第二方向轴dr2和第三方向轴dr3可以彼此相关并且可以彼此互换。此外，由第一方向轴dr1、第二方向轴dr2和第三方向轴dr3所指示的方向可以分别对应于第一方向、第二方向和第三方向，并且可以将相同的附图标记分配给第一方向、第二方向和第三方向。
59.在实施例中，第一方向轴dr1和第二方向轴dr2可以正交于彼此。第三方向轴dr3可以垂直于由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定的平面。然而，本公开的实施例不限于此，并且第一方向dr1至第三方向dr3可以分别以各种不同的角度彼此交叉。
60.此外，在本公开中，图6中示出了x轴x和y轴y。在实施例中，x轴x和y轴y可以正交于彼此，并且可以分别与或不与第一方向轴dr1和第二方向轴dr2重合。例如，x轴x和y轴y可以正交于彼此并且可以被任意地限定。
61.电子装置ed的厚度方向可以指平行于第三方向轴dr3的方向，第三方向轴dr3是垂直于由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定的平面的方向。在实施例中，可以基于第三方向轴dr3来限定构成电子装置ed的多个构件中的每一个的前表面(例如，顶表面)和后表面(例如，底表面)。
62.参照图1至图3，根据实施例的电子装置ed可以包括显示面板dp和设置在显示面板dp的顶表面上的传感器层tp。此外，根据实施例的电子装置ed可以包括设置在传感器层tp上的光学层pp和窗wp。在如图2中所示的实施例中，在光学层pp与窗wp之间(例如，在第三方向dr3上)还可以设置粘合剂层ap。
63.显示面板dp可以包括基体层bs、设置在基体层bs上的电路层cl、设置在电路层cl上的显示元件层edl和设置在显示元件层edl上的封装层tfe。封装层tfe可以覆盖显示元件层edl。在实施例中，封装层tfe可以设置为围绕显示元件层edl以密封显示元件层edl的发光元件emd(图3)。
64.在根据实施例的电子装置ed中，显示面板dp可以是发光显示面板。例如，显示面板dp可以是有机电致发光显示面板或量子点发光显示面板。然而，本公开的实施例不限于此。
65.在显示面板dp是有机电致发光显示面板的实施例中，显示元件层edl可以包括有
机电致发光元件。此外，在显示面板dp是量子点发光显示面板的实施例中，显示元件层edl可以包括量子点发光元件。
66.传感器层tp可以(例如，在第三方向dr3上)设置在显示面板dp上。传感器层tp可以感测从外部施加的外部输入。在实施例中，外部输入可以是来自用户的输入。来自用户的输入可以包括诸如使用用户的身体的一部分、光、热、笔或压力的各种类型的外部输入。
67.在实施例中，传感器层tp可以使用连续的工艺形成在显示面板dp上。在本实施例中，传感器层tp可以(例如，在第三方向dr3上)直接设置在显示面板dp上。直接设置可以表示在传感器层tp与显示面板dp之间不设置第三组件。例如，在传感器层tp与显示面板dp之间可以(例如，在第三方向dr3上)不设置单独的粘合剂构件。例如，传感器层tp可以在第三方向dr3上直接设置在封装层tfe上。
68.光学层pp可以设置在传感器层tp上(例如，在第三方向dr3上直接设置在传感器层tp上)。在实施例中，光学层pp可以包括多个光学功能层中的至少一个，诸如用于改变光路的光路控制层或者用于降低从外部入射的外部光的反射率的防反射层。例如，在实施例中，光学层pp可以是偏振板。在实施例中，光学层pp可以是滤色器层。
69.窗wp可以设置在光学层pp上。在实施例中，窗wp可以充当电子装置ed的顶层。在实施例中，窗wp可以是钢化玻璃基底。窗wp可以包括钢化表面以保护传感器层tp和显示面板dp免受外部冲击。根据实施例的窗wp还可以包括设置在窗wp的内边缘或外边缘上的印刷层。
70.在窗wp与光学层pp之间(例如，在第三方向dr3上)还可以设置粘合剂层ap。在实施例中，粘合剂层ap可以包括光学透明粘合剂层。
71.在显示面板dp中，基体层bs可以是提供基体表面的构件，显示元件层edl设置在基体表面上。在实施例中，基体层bs可以是玻璃基底、金属基底或聚合物基底等。然而，本公开的实施例不限于此。基体层bs可以是无机层、功能层或复合材料层。
72.在实施例中，基体层bs可以具有多层结构。例如，基体层bs可以具有由聚合物树脂层、屏障层和聚合物树脂层组成的三层结构。在实施例中，聚合物树脂层可以包括聚酰亚胺类树脂。此外，聚合物树脂层可以包括从(甲基)丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中选择的至少一种材料。在本公开中，“～类”树脂表示包含“～”的官能团的树脂。屏障层可以包括无机材料。
73.电路层cl可以设置在基体层bs上(例如，在第三方向dr3上直接设置在基体层bs上)。在实施例中，电路层cl可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。在实施例中，可以通过涂覆、沉积等在基体层bs上形成绝缘层、半导体层和导电层，并且然后，可以使用多个光刻工艺使绝缘层、半导体层和导电层选择性地图案化。此后，可以形成包括在电路层cl中的半导体图案、导电图案和信号线。
74.在实施例中，电路层cl可以包括晶体管、缓冲层和多个绝缘层。第一电极ae可以电连接到电路层cl的组件。
75.包括发光元件emd(图3)的显示元件层edl设置在电路层cl上(例如，在第三方向dr3上直接设置在电路层cl上)。在实施例中，显示元件层edl可以包括像素限定层70和发光元件emd。
76.如图3中所示，发光元件emd可以包括第一电极ae、发光层eml和第二电极ce。在实施例中，发光元件emd还可以包括空穴传输区htr和电子传输区etr。在实施例中，发光元件emd还可以包括设置在第二电极ce上(例如，在第三方向dr3上直接设置在第二电极ce上)的覆盖层。
77.开口70-op限定在像素限定层70中。像素限定层70的开口70-op暴露第一电极ae的至少一部分。例如，在实施例中，开口70-op可以(例如，在第三方向dr3上)暴露第一电极ae的中心部分。在本实施例中，发光区域pxa被限定为对应于第一电极ae的通过开口70-op暴露的部分区域。非发光区域npxa可以围绕发光区域pxa。
78.在实施例中，第一电极ae可以是阳极或阴极。此外，第一电极ae可以是像素电极。在实施例中，第一电极ae可以是透射电极、半透射电极或反射电极。在第一电极ae是透射电极的实施例中，第一电极ae可以包括透明金属氧化物，例如ito(氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)、zno(氧化锌)或itzo(氧化铟锡锌)等。然而，本公开的实施例不限于此。在第一电极ae是半透射电极或反射电极的实施例中，第一电极ae可以包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif、mo、ti、w或它们的化合物或混合物(例如，ag和mg的混合物)，或者具有诸如lif/ca或lif/al的多层结构材料。在实施例中，第一电极ae可以具有包括透明导电膜的多层结构。例如，第一电极ae可以具有ito/ag/ito的三层结构。然而，本公开的实施例不限于此。
79.空穴传输区htr可以(例如，在第三方向dr3上)设置在第一电极ae与发光层eml之间。在实施例中，空穴传输区htr可以是与整个发光区域pxa和整个非发光区域npxa重叠的公共层。然而，本公开的实施例不限于此。例如，在实施例中，空穴传输区htr可以被图案化以便与发光区域pxa重叠并且与非发光区域npxa的至少一部分不重叠。空穴传输区htr可以包括从空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中选择的至少一层。
80.发光层eml设置在空穴传输区htr上(例如，在第三方向dr3上直接设置在空穴传输区htr上)。发光层eml可以设置在开口70-op中。例如，在实施例中，发光层eml可以以单独的方式形成以便对应于由像素限定层70限定的发光区域pxa，并且发光层eml可以不形成在非发光区域npxa中。然而，本公开的实施例不限于此。在每个发光层eml单独形成在每个开口70-op中的实施例中，每个发光层eml可以发射蓝色、红色和绿色中的至少一种的光。然而，本公开的实施例不限于此，并且由发光层eml发射的光的颜色可以变化。此外，在实施例中，发光层eml可以被共同地提供为与整个发光区域pxa和整个非发光区域npxa重叠。在实施例中，发光层eml可以提供蓝光或白光。
81.在实施例中，发光层eml可以包括发射红光、绿光或蓝光的荧光材料或磷光材料。此外，发光层eml可以包括金属有机络合物作为发光材料。在实施例中，发光层eml可以包括量子点作为发光材料。
82.电子传输区etr可以(例如，在第三方向dr3上)设置在发光层eml与第二电极ce之间。在实施例中，电子传输区etr可以是与整个发光区域pxa和整个非发光区域npxa重叠的公共层。然而，本公开的实施例不限于此。例如，电子传输区etr可以被图案化以便与发光区域pxa重叠并且与非发光区域npxa的至少一部分不重叠。在实施例中，电子传输区etr可以包括从电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中选择的至少一层。
83.第二电极ce设置在电子传输区etr上(例如，在第三方向dr3上直接设置在电子传
输区etr上)。在实施例中，第二电极ce可以是公共电极。在实施例中，第二电极ce可以是阴极或阳极。然而，本公开的实施例不限于此。例如，在第一电极ae是阳极的实施例中，第二电极ce可以是阴极。在第一电极ae是阴极的实施例中，第二电极ce是阳极。
84.在实施例中，第二电极ce可以是透射电极、半透射电极或反射电极。在第二电极ce为透射电极的实施例中，第二电极ce可以由例如ito(氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)、zno(氧化锌)或itzo(氧化铟锡锌)等的透明金属氧化物制成。然而，本公开的实施例不限于此。
85.封装层tfe可以设置在发光元件emd上。例如，在实施例中，封装层tfe可以设置在第二电极ce上(例如，在第三方向dr3上直接设置在第二电极ce上)。然而，本公开的实施例不限于此。例如，在发光元件emd包括覆盖层的实施例中，封装层tfe可以设置在覆盖层上(例如，在第三方向dr3上直接设置在覆盖层上)。
86.在电子装置ed的实施例中，封装层tfe可以具有低介电常数值。例如，在根据实施例的电子装置ed中，封装层tfe具有在大约3.0或更低的范围内的低介电常数值，从而减小传感器层tp与封装层tfe下面的发光元件emd之间的电容值，使得传感器层tp具有增加的灵敏度特性。稍后将更详细地描述根据实施例的封装层tfe。
87.传感器层tp可以设置在封装层tfe上。在实施例中，传感器层tp可以(例如，在第三方向dr3上)直接设置在封装层tfe上。然而，本公开的实施例不限于此。传感器层tp可以包括设置在封装层tfe的上表面上(例如，在第三方向dr3上直接设置在封装层tfe的上表面上)的传感器基体层bs-tp、设置在传感器基体层bs-tp上的第一导电层ml1、设置在传感器基体层bs-tp和第一导电层ml1上的第一绝缘层ipv、设置在第一绝缘层ipv上并通过穿过第一绝缘层ipv延伸的通孔接触第一导电层ml1的第二导电层ml2以及设置在第一绝缘层ipv和第二导电层ml2上的第二绝缘层opv。
88.在实施例中，传感器基体层bs-tp可以包括包含从氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中选择的至少一种化合物的无机层。然而，本公开的实施例不限于此。例如，在实施例中，传感器基体层bs-tp可以包括包含环氧类树脂、丙烯酸类树脂或酰亚胺类树脂的有机层。传感器基体层bs-tp可以具有单层结构或其中多个层沿着第三方向dr3堆叠的多层结构。在实施例中，传感器基体层bs-tp可以直接设置在封装层tfe上。然而，本公开的实施例不限于此。例如，在实施例中，可以省略传感器基体层bs-tp。
89.第一导电层ml1和第二导电层ml2中的每一者可以具有单层结构或其中多个层沿着第三方向dr3堆叠的多层结构。具有单层结构的第一导电层ml1和第二导电层ml2中的每一者可以包括金属层或透明导电层。在实施例中，金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。透明导电层可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)或氧化铟锌锡(izto)等。此外，透明导电层可以包括导电聚合物，诸如pedot、金属纳米线或石墨烯等。然而，本公开的实施例不限于此。
90.具有多层结构的第一导电层ml1和第二导电层ml2中的每一者可以包括金属层。金属层可以包括三个金属层，例如钛(ti)层/铝(al)层/钛(ti)层。具有多层结构的第一导电层ml1和第二导电层ml2中的每一者可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
91.在实施例中，第一绝缘层ipv和第二绝缘层opv中的每一者可以独立地包括无机材料和有机材料中的至少一种。
92.在实施例中，第一绝缘层ipv可以是包括无机材料的无机绝缘层。例如，第一绝缘
层ipv可以包括从氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中选择的至少一种化合物。
93.在实施例中，第二绝缘层opv可以是包括有机材料的有机绝缘层。例如，第二绝缘层opv可以包括从(甲基)丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中选择的至少一种材料。
94.像素开口op可以被限定在第二绝缘层opv的一部分中。像素开口op可以被布置为与发光区域pxa重叠。第一绝缘层ipv的顶表面可以通过像素开口op暴露。
95.光学层pp可以设置在第二绝缘层opv上。在光学层pp是滤色器层的实施例中，光学层pp可以填充像素开口op。
96.图4和图5是分别示出根据本公开的实施例的封装层的截面图。封装层tfe和tfe-1中的每一者可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。
97.参照图4，在实施例中，封装层tfe可以包括一个有机层ol和两个无机层，诸如第一无机层il1和第二无机层il2，其中，第一无机层il1和第二无机层il2以及有机层ol可以(例如，在第三方向dr3上)彼此交替地布置。例如，封装层tfe可以包括第一无机层il1和第二无机层il2以及(例如，在第三方向dr3上)设置在第一无机层il1与第二无机层il2之间的有机层ol。第一无机层il1、有机层ol和第二无机层il2可以保护显示元件层edl(图3)免受湿气/氧的影响，并防止诸如灰尘颗粒等的异物渗透到显示元件层edl中。
98.在实施例中，第一无机层il1和第二无机层il2中的每一者可以包括从氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中选择的至少一种化合物。在实施例中，第一无机层il1和第二无机层il2中的每一者可以包括氧化钛或氧化铝。然而，本公开的实施例不限于此。
99.有机层ol可以包括有机聚合物材料。有机层ol的厚度t
ol
(例如，在第三方向dr3上的长度)可以相对大于邻近的第一无机层il1和第二无机层il2中的每一者的厚度(例如，在第三方向dr3上的长度)。例如，在实施例中，有机层ol的厚度t
ol
可以在大约5μm至大约15μm的范围内。然而，本公开的实施例不限于此。
100.在有机层ol的厚度t
ol
大于大约15μm的实施例中，封装层tfe的总厚度增加。在这种情况下，应力可能施加到与有机层ol相邻的第一无机层il1和第二无机层il2，从而在第一无机层il1和第二无机层il2中造成裂纹。当电子装置在该电子装置的边缘部分处具有弯曲形状时，裂纹的发生可能增多。此外，在有机层ol的厚度t
ol
小于大约5μm的实施例中，封装层tfe可能难以保护设置在封装层tfe下面的发光元件emd(图3)。
101.除了图5中的实施例包括多个无机层(诸如第一无机层il1、第二无机层il2、
……
、第(n-1)无机层il(n-1)和第n无机层iln，其中n是大于或等于4的整数)和多个有机层(诸如第一有机层ol1至第(n-1)有机层ol(n-1))以外，根据图5中所示的实施例的封装层tfe-1与图4的封装层tfe相同。相比之下，图4的封装层tfe包括第一无机层il1和第二无机层il2(例如，n个无机层，其中n为2)和一个有机层ol(例如，n-1个有机层，其中n为2)。
102.诸如，与常规有机层相比，参照图4描述的有机层ol(以及参照图5描述的第一有机层ol1至第(n-1)有机层ol(n-1)中的至少一个)可以包括具有相对大的分子各向异性的聚合物。例如，单一聚合物的虚拟三维形状的在长轴方向和短轴方向上的长度之差越大，分子各向异性越大。
103.图6是根据本公开的实施例的聚合物的示意图。图6示出了根据实施例的包括在有机层ol(图4)中的聚合物ol-pm的示意性三维形状。参照图6，根据实施例的包括在有机层ol(图4)中的聚合物ol-pm可以具有基本上椭圆形的三维形状。例如，根据实施例的包括在有机层ol(图4)中的聚合物ol-pm可以具有其中在x轴x上的分子长度rx相对大于在y轴y上的分子长度ry的形状。例如，根据实施例的包括在有机层ol(图4)中的聚合物ol-pm可以具有其中在长轴方向上的分子长度和在短轴方向上的分子长度彼此不同的各向异性形状。然而，根据本公开的实施例的包括在有机层ol(图4)中的聚合物ol-pm的三维形状不限于图6中所示的三维形状并且可以变化。例如，根据实施例的聚合物ol-pm的三维形状可以具有其中在一个方向上的分子长度比在另一方向上的分子长度大特定值的非球形各向异性形状。在实施例中，聚合物ol-pm的三维形状可以基本上是椭圆形，并且在y轴y上的分子长度ry可以相对大于在x轴x上的分子长度rx。
104.在根据图4中所示的实施例的封装层tfe中，诸如与常规有机层相比，有机层ol可以包括具有相对大的分子各向异性的聚合物材料。因此，与包括具有相对小的分子各向异性的聚合物的常规有机层相比，有机层ol可以具有低介电常数值。
105.根据实施例的封装层tfe的有机层ol可以包括(甲基)丙烯酸酯类聚合物。在实施例中，(甲基)丙烯酸酯类聚合物表示丙烯酸酯类聚合物或甲基丙烯酸酯类聚合物。
106.在实施例中，封装层tfe的有机层ol可以包括使用包含二甲基丙烯酸酯化合物、(甲基)丙烯酸酯化合物和光引发剂的组合物制备的(例如，由包含二甲基丙烯酸酯化合物、(甲基)丙烯酸酯化合物和光引发剂的组合物组成的)聚合物。在实施例中，所述组合物还可以包括交联剂。例如，根据实施例的有机层ol可以包括使用包含二甲基丙烯酸酯化合物、(甲基)丙烯酸酯化合物、光引发剂和丙烯酸酯类交联剂的组合物制备的聚合物。
107.根据实施例的组合物可以包括二甲基丙烯酸酯单体、(甲基)丙烯酸酯单体、光引发剂和丙烯酸酯类交联剂。在实施例中，有机层ol可以经由组合物的聚合反应和交联反应制备。
108.在实施例中，包括在组合物中的二甲基丙烯酸酯化合物可以包括在两个甲基丙烯酸酯部分(moieties)之间具有10个或更多个碳原子的亚烷基团。例如，在实施例中，二甲基丙烯酸酯化合物可以具有在其两侧中的每一侧处使用具有14个或更多个碳原子的亚烷基团作为连接基团(linker)的甲基丙烯酸酯基团。然而，本公开的实施例不限于此。
109.在实施例中，包括在组合物中的(甲基)丙烯酸酯化合物可以包括具有10个或更多个碳原子的烷基基团作为取代基。例如，在实施例中，包括在组合物中的(甲基)丙烯酸酯化合物可以包括一个(甲基)丙烯酸酯部分和多个作为取代基的烷基基团，每个烷基基团具有10个或更多个碳原子。
110.在实施例中，包括在组合物中的光引发剂可以使用紫外光来激活。例如，在实施例中，光引发剂可以包括tpo(2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦)。然而，本公开的实施例不限于此。
111.在实施例中，组合物可以包括ptma(三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯)作为交联剂。在实施例中，封装层tfe可以包括经由聚合物之间的交联键合或一个聚合物中的相邻官能团之间的交联键合而制备的有机层ol。
112.在实施例中，基于组合物的总重量(例如，100wt％)，组合物可以包括：在大约
50wt％至大约90wt％的范围内的二甲基丙烯酸酯化合物、在大约0wt％至大约40wt％的范围内的(甲基)丙烯酸酯化合物和在大约1wt％至大约10wt％范围内的光引发剂。在实施例中，组合物还可以包括ptma作为交联剂。
113.图7是根据本公开的实施例的沿着图4的线ii-ii'所测量的有机层的成分分析图。图7示出了根据实施例的有机层中的元素浓度。图7示出了沿着图4中的线ii-ii'测量的碳原子和氧原子的元素浓度(at％)。参照图7，基于有机层ol(图4)的总含量，根据实施例的有机层ol可以具有小于或等于大约5at％的氧原子。此外，基于有机层ol(图4)的总含量，可以确定碳原子的含量为大约95at％。例如，使用根据本公开的实施例的组合物制备的有机层ol(图4)具有大约5at％或更低的低氧原子含量。因此，使用根据本公开的实施例的组合物制备的有机层ol可以形成封装层tfe(图4)的材料。
114.在图4中所示的封装层tfe中，有机层ol可以包括使用上述根据本公开的实施例的组合物制备的聚合物(例如，由上述根据本公开的实施例的组合物组成的聚合物)，并且因此，有机层ol可以包括具有大于或等于大约1.4的分子各向异性的聚合物。例如，包括在有机层ol中的聚合物的分子各向异性可以在大约1.4至大约1.9的范围内。在聚合物的分子各向异性低于大约1.4的实施例中，无法充分确保聚合物中的自由体积(free volume)，并且有机层ol的介电常数可能无法充分降低。此外，当聚合物的分子各向异性大于大约1.9时，聚合物的强度可能随着交联键之间的碳的数量增加而降低。因此，当包括在有机层ol中的聚合物的分子各向异性在大约1.4至大约1.9的范围内时，聚合物可以在聚合物的分子中具有充足的自由体积部分，并且因此可以具有相对低的介电常数值，并且同时可以保持可以在有机层ol中使用的强度特性。
115.图8示出了根据本公开的实施例的使用偏振的ft-ir分析方法。如图8中所示，可以使用利用红外光谱仪的ft-ir(傅里叶变换红外光谱学/光谱法)来测量有机层ol中的聚合物的分子各向异性。图8是示意性地示出使用ft-ir的偏振测量模式的图。如图8中所示，提供了在第一方向(例如，0
°
方向)上偏振的第一偏振光plx，并且第一偏振光plx穿过有机层ol透射。然后测量了在ft-ir的偏振测量模式下测量的偏振红外光谱中的第一吸收峰(abs0)。同时，提供了在第二方向(例如，90
°
方向)上偏振的第二偏振光ply，并且第二偏振光ply穿过有机层ol透射。然后，测量了在ft-ir的偏振测量模式下测量的偏振红外光谱中的第二吸收峰(abs
90
)。然后将第一吸收峰(abs0)与第二吸收峰(abs
90
)之间的比率限定为分子各向异性。在实施例中，第一方向和第二方向可以正交于彼此。然而，本公开的实施例不限于此。
116.在实施例中，分子各向异性可以使用以下等式1来限定。
117.[等式1]
[0118]
分子各向异性＝abs
90
/abs0[0119]
以上等式1中的abs
90
和abs0中的每一者表示ft-ir峰之中的在2925cm-1
处的峰值。abs0指示当提供的光在第一方向上偏振时有机层ol的在2925cm-1
处的峰值。abs
90
指示当提供的光在垂直于第一方向的第二方向上偏振时有机层ol的在2925cm-1
处的峰值。然而，术语第一方向和第二方向是象征性的，并且本公开的实施例不由此限制。在一个示例中，在2925cm-1
处的峰值对应于脂肪族烃化合物的c-h键的伸缩振动峰。此外，在以上等式1中，abs
90
大于或等于abs0。
[0120]
在abs0大于或等于abs
90
的实施例中，分子各向异性可以被定义为“abs0/abs
90”。
[0121]
图9a示出了比较示例和根据本公开的实施例的示例的ft-ir分析结果。具体地，图9a示出了在比较示例(“比较示例”)和本公开的示例性实施例(“示例”)中的红外光谱在红外光谱峰值方面的对比。在图9a中，0
°
指示当提供在0
°
方向(图8)上偏振的光plx(见图8)时测量的吸光度。90
°
指示当提供在90
°
方向(图8)上偏振的光ply(见图8)时测量的吸光度。在实施例中，图9a中的示例涉及使用如上所述的根据本公开的实施例的组合物制备的有机层，而图9a中的比较示例涉及包括使用其中脂肪族烃的数量少于示例的脂肪族烃的数量的单体制备的聚合物材料的有机层。
[0122]
参照图9a，在比较示例中，在0
°
方向和90
°
方向上的ft-ir峰值具有相似的水平，而在示例中，在90
°
方向上的ft-ir峰值显著大于在0
°
方向上的ft-ir峰值。
[0123]
图9b示出了比较示例和根据本公开的实施例的示例中的每一者的介电常数。具体地，图9b分别示出了比较示例的有机层和示例的有机层中的分子各向异性值和介电常数值的对比。图9b中的比较示例和示例分别对应于在示出了ft-ir分析结果的图9a中所示的比较示例的有机层和示例的有机层。
[0124]
图9b示出了基于分子各向异性的介电常数值。基于图9b可以看出，比较示例中的分子各向异性等于大约1，而示例中的分子各向异性等于大约1.86。根据实施例的有机层包括使用根据本公开的实施例的组合物制备的聚合物，其中，所述组合物包括单体化合物，所述单体化合物各自具有含有相对长的链的脂肪族烃键。因此，可以确定，示例表现出比比较示例的分子各向异性大的分子各向异性。
[0125]
此外，可以看出，具有相对较大的分子各向异性的示例表现出比比较示例的介电常数值低的介电常数值。例如，如图9b中所示，比较示例表现出大约3.14的介电常数值，而示例表现出大约2.85的介电常数值。因此，与比较示例的介电常数相比，示例表现出介电常数降低了大约10％。
[0126]
因此，参照图9a和图9b，使用根据本公开的实施例的包括具有含有相对长的链长的脂肪族烃键的单体化合物的组合物制备的根据实施例的有机层可以包括具有比比较示例中的分子各向异性大的分子各向异性的聚合物材料。此外，可以看出，根据本公开的实施例的包括具有相对大的分子各向异性的聚合物材料的有机层表现出相对低的介电常数值。
[0127]
在实施例中，有机层ol(图4)可以具有小于或等于大约3的介电常数。例如，在实施例中，根据实施例的有机层ol(图4)可以包括(甲基)丙烯酸酯类聚合物，并且可以具有在大约2.6至大约3.0的范围内的介电常数。例如，根据实施例的有机层ol(图4)可以具有作为丙烯酸酯类材料的特性的大于或等于大约2.6的介电常数值，并且可以由于包括在有机层ol中的(甲基)丙烯酸酯类聚合物的结构特性(具有各向异性的三维形状)而具有小于或等于3.0的介电常数值。
[0128]
图10a和图10b分别示出了使用电子衍射方法的分析结果。图10a示出了比较示例的电子衍射图案，并且具体地，图10a示出了当将电子束ebm提供到比较示例的有机层ol'时的衍射图案。图10b示出了根据本公开的实施例的示例的电子衍射图案，并且具体地，图10b示出了当将电子束ebm提供到示例的有机层ol时的衍射图案。
[0129]
图10a示出了使用对比较示例的有机层ol'进行的电子衍射分析所获得的图像以及在对应于该图像的线iii-iii'的部分中的光的强度的轮廓(profile)。此外，图10b示出
了使用对示例的有机层ol进行的电子衍射分析所获得的图像以及在对应于该图像的线iv-iv'的部分中的光的强度的轮廓。图10a中的比较示例的有机层ol'和图10b中的示例的有机层ol分别对应于参照图9a和图9b描述的比较示例的有机层和示例的有机层。
[0130]
参照图10a和图10b，比较示例的有机层ol'和示例的有机层ol中的每一者具有非晶特性，并且因此在使用对比较示例的有机层ol'和示例的有机层ol中的每一者进行的电子衍射分析所获得的图像中显示出环状图案(例如，中空环状)。在图10a和图10b中，与比较示例和示例中的每一者相关的图像具有第一环状图案hr-1和第二环状图案hr-2两者。
[0131]
在实施例中，参照图10a和图10b，可以看出，比较示例中的第一环状图案hr-1的衍射强度大于示例中的第一环状图案hr-1的衍射强度。在本公开中，衍射强度对应于在强度的拐点处的变形的程度。因此，使用电子衍射方法可以确定，包括在示例的有机层中的聚合物的分子各向异性大于包括在比较示例的有机层中的聚合物的分子各向异性。
[0132]
根据图4中所示的实施例的封装层tfe的有机层ol可以具有在大约-28℃至大约1.40℃的范围内的玻璃化转变温度。以下表1示出了比较示例和示例的玻璃化转变温度。表1中的比较示例和示例分别对应于在图9a和图9b的评估中使用的比较示例的有机层和示例的有机层。
[0133]
【表1】
[0134]
类别玻璃化转变温度(℃)比较示例56.12示例1.40
[0135]
例如，在表1中可以看出，因为示例包括由于脂肪族烃的含量增加而具有相对大的分子各向异性的聚合物材料，所以与比较示例的玻璃化转变温度相比，示例表现出相对低的玻璃化转变温度。包括在根据本公开的实施例的组合物中的二甲基丙烯酸酯化合物可以在两个甲基丙烯酸酯部分之间包括具有10个或更多个碳原子的亚烷基团。因此，使用根据本公开的实施例的组合物制备的聚合物中的自由体积可以增加，并且示例中的有机层ol可以具有在大约-28℃至大约1.40℃的范围内的较低的玻璃化转变温度。
[0136]
此外，根据实施例的有机层ol包括使用根据本公开的实施例的组合物制备的聚合物。该聚合物的分子各向异性大于或等于大约1.4，并且该聚合物的玻璃化转变温度小于或等于大约1.40℃。因此，该聚合物可以表现出诸如在大约2.6至大约3.0的范围内的低介电常数值。
[0137]
图11a示出了比较示例和根据本公开的实施例的示例的ft-ir分析结果，并且图11b示出了比较示例和根据本公开的实施例的示例的ft-ir分析结果。图11c示出了比较示例和根据本公开的实施例的示例中的每一者的介电常数。图11a至图11c中的比较示例对应于图9a、图9b和图10a中的比较示例的有机层，并且图11a至图11c中的示例对应于图9a、图9b和图10b中的示例的有机层。
[0138]
图11a示出了在参照图8所描述的使用ft-ir的偏振测量模式下测量的偏振红外光谱的峰值。在图11a中，0
°
指示当提供在0
°
方向(图8)上偏振的光plx(见图8)时测量的吸光度，而90
°
指示当提供在90
°
方向(图8)上偏振的光ply(见图8)时测量的吸光度。图11a中的示例对应于使用根据本公开的实施例的组合物制备的有机层，而图11a中的比较示例对应于包括使用具有比示例的脂肪族烃少的脂肪族烃的单体制备的聚合物材料的常规有机层。
[0139]
图11a中的峰值表示ft-ir峰值之中的在1725cm-1
处的峰值，并且对应于c＝o键的伸缩振动峰。参照图11a，在比较示例中，在0
°
方向上的ft-ir峰值和在90
°
方向上的ft-ir峰值彼此相似。在示例中，在90
°
方向上的ft-ir峰值显著大于在0
°
方向上的ft-ir峰值。例如，示例的在90
°
方向上的ft-ir峰值为0.168，而示例的在0
°
方向上的ft-ir峰值为0.090。参照图11a，比较示例中的分子各向异性等于大约1，而示例中的分子各向异性等于大约1.87。
[0140]
图11b示出了比较示例和示例中的每一者中的在红外光谱仪中由c-h键产生的红外光谱的吸光度与在红外光谱仪中由c＝o键产生的红外光谱的吸光度之间的比率。例如，图11b中的比率可以被定义为“(在红外光谱仪中由c-h键产生的红外光谱的吸光度)/(在红外光谱仪中由c＝o键产生的红外光谱的吸光度)”。在一个示例中，可以如以下等式2中所示来定义图11b中的比率。
[0141]
[等式2]
[0142]
比率＝(在2850cm-1
处的吸光度)/(在1725cm-1
处的吸光度)
[0143]
在等式2中，“在2850cm-1
处的吸光度”是由于c-h键的振动引起的，而“在1725cm-1
处的吸光度”是由于c＝o键的振动引起的。
[0144]
参照图11b，在比较示例中，在红外光谱仪中由c-h键产生的红外光谱的吸光度与在红外光谱仪中由c＝o键产生的红外光谱的吸光度之间的比率为大约0.135，而在示例中，在红外光谱仪中由c-h键产生的红外光谱的吸光度与在红外光谱仪中由c＝o键产生的红外光谱的吸光度之间的比率为大约0.40(例如，0.393)。
[0145]
参照图11b，可以看出，包括在使用根据本公开的实施例的组合物制备的有机层中的聚合物具有比比较示例中的c-h键的含量与c＝o键的含量之比大的c-h键的含量与c＝o键的含量之比。例如，可以看出，因为c＝o键的含量小于比较示例中的c＝o键的含量，所以示例表现出低的极性。
[0146]
在实施例中，至少一个有机层可以具有在红外光谱仪中由c-h键产生的红外光谱的吸光度与在红外光谱仪中由c＝o键产生的红外光谱的吸光度之间的比率，该比率可以是在大约0.25至大约0.40的范围内(包括端值)的值。在根据本公开的实施例的有机层中，包括在有机层中的聚合物中的脂肪族烃的含量增加，使得在红外光谱仪中由c-h键产生的红外光谱的吸光度与在红外光谱仪中由c＝o键产生的红外光谱的吸光度之间的比率大于或等于大约0.25。此外，脂肪族烃的数量被限制以保持有机层的强度特性。因此，在红外光谱仪中由c-h键产生的红外光谱的吸光度与在红外光谱仪中由c＝o键产生的红外光谱的吸光度之间的比率小于或等于大约0.40。例如，在根据本公开的实施例的有机层中，在红外光谱仪中由c-h键产生的红外光谱的吸光度与在红外光谱仪中由c＝o键产生的红外光谱的吸光度之间的比率可以在大约0.25至大约0.40的范围内，使得有机层表现出低介电常数特性。
[0147]
图11c示出了比较示例中的有机层的介电常数值和示例中的有机层的介电常数值的对比。图11c示出了比较示例和示例中的每一者中的基于在红外光谱仪中由c-h键产生的红外光谱的吸光度与在红外光谱仪中由c＝o键产生的红外光谱的吸光度之间的比率的介电常数值。参照图11c，可以看出，与比较示例的介电常数特性相比，其中在红外光谱仪中由c-h键产生的红外光谱的吸光度与在红外光谱仪中由c＝o键产生的红外光谱的吸光度之间的比率大于比较示例的在红外光谱仪中由c-h键产生的红外光谱的吸光度与在红外光谱仪中由c＝o键产生的红外光谱的吸光度之间的比率的示例表现出较低的介电常数特性。
[0148]
例如，参照图11a至图11c，可以看出，与比较示例的c-h键的含量与c＝o键的含量之比相比，根据本公开的实施例的有机层包括具有高的c-h键的含量与c＝o键的含量之比的聚合物，并且因此具有较低的极性，并且还具有低的介电常数值。
[0149]
因此，参照图3和图4，包括在根据本公开的实施例的封装层tfe中的至少一个有机层ol可以使用根据本公开的实施例的组合物来制备，与常规有机层的组合物相比，所述组合物包括具有相对较大数量的脂肪族烃的单体化合物。此外，包括使用根据本公开的实施例的组合物制备的聚合物的有机层ol由于较大的聚合物的分子各向异性而可以表现出低介电常数特性。此外，有机层ol的低介电常数特性可以降低设置在封装层tfe(图3)上的传感器层tp的噪声，并且可以提高传感器层tp的触摸灵敏度。例如，根据本公开的实施例的封装层tfe可以包括具有低介电常数特性的有机层ol以减小设置在封装层tfe下面的第二电极ce与设置在封装层tfe上方的第一导电层ml1和第二导电层ml2之间的电容，从而增加传感器层tp的触摸灵敏度。
[0150]
再次参照图5，根据本公开的实施例的封装层tfe-1可以包括包含设置在发光元件emd(图3)上的第一无机层il1的n个无机层il1至iln。此外，第一无机层il1可以设置在发光元件emd(图3)上并与发光元件emd直接接触。第一无机层il1可以被定义为下无机层，而n个无机层il1至iln之中的除了第一无机层il1以外的无机层可以被定义为上无机层。
[0151]
封装层tfe-1可以包括n-1个有机层ol1至ol(n-1)和n个无机层il1至iln。n-1个有机层ol1至ol(n-1)和n个无机层il1至iln可以(例如，在第三方向dr3上)彼此交替地布置。n-1个有机层ol1至ol(n-1)的平均厚度可以大于n个无机层il1至iln的平均厚度。
[0152]
在实施例中，n个无机层il1至iln中的每一个可以是包括一种材料的单层或者包括两种或更多种材料的多层。n个无机层il1至iln中的每一个可以包括从氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中选择的至少一种化合物。例如，在实施例中，n个无机层il1至iln中的至少一个可以包括氧化钛或氧化铝。然而，本公开的实施例不限于此。
[0153]
n-1个有机层ol1至ol(n-1)中的至少一个可以具有根据本公开的实施例的有机层ol(图4)的特性。有机层ol1至ol(n-1)中的至少一个可以使用根据本公开的实施例的组合物来制备。例如，有机层ol1至ol(n-1)中的至少一个可以包括具有相对大的分子各向异性的聚合物以表现出低介电常数。
[0154]
电子装置ed(图2)的实施例可以包括根据本公开的实施例的封装层tfe-1。电子装置ed(图2)的实施例可以包括n-1个有机层ol1至ol(n-1)中的至少一个有机层，该有机层具有低介电常数特性并因此使传感器层tp具有增加的灵敏度。
[0155]
以下表2示出了比较示例的有机层的介电常数与示例的有机层的介电常数之间的对比，以及比较示例的电子装置的触摸灵敏度与示例的电子装置的触摸灵敏度之间的对比和比较示例的电子装置的电容(cb)与示例的电子装置的电容(cb)之间的对比。
[0156]
【表2】
[0157]
类别介电常数触摸灵敏度(％)cb(％)比较示例3.14100100示例2.7511092
[0158]
制造了使得有机层厚度为8.8μm的测试样品，并且该样品具有钼(mo)/有机层/银(ag)的堆叠结构。然后，测量了该样品的介电常数。结果在以上表2中示出。比较示例和示例
具有不同的有机层材料。在表2中，比较示例的介电常数是与以上参照图9a至图11c所描述的比较示例的有机层的介电常数相对应的值。此外，表2中的示例的介电常数对应于使用根据如上所述的实施例的组合物制备的示例的有机层的介电常数。
[0159]
在表2中，比较示例和示例中的每一者的介电常数值表示12个样品的平均值。参照表2中的结果，可以看出，示例表现出比比较示例的介电常数值低的介电常数值，并且与比较示例的介电常数值相比，示例的介电常数值降低10％或以上。
[0160]
此外，在电子装置的结构中测量了表2中所示的触摸灵敏度和电容。比较示例和示例仅在封装层的有机层方面彼此不同，示例包括由根据本公开的实施例的组合物形成的聚合物。表2示出了分别相对于比较示例的触摸灵敏度和电容的示例的触摸灵敏度和电容。例如，示例中的触摸灵敏度和电容分别基于比较比例中的100％的触摸灵敏度和100％的电容。通过测量当使用触摸笔时的信号强度来评估触摸灵敏度。电容被测量为发光元件的第二电极与传感器层之间的电容。
[0161]
参照表2的结果，与比较示例的电容值相比，示例具有降低了大约8％的电容值。换句话说，示例包括具有相对大的分子各向异性的(甲基)丙烯酸酯类聚合物作为有机层材料并且具有较低的介电常数值，并且因此，与比较示例的电容值相比，示例具有降低的电容值。
[0162]
此外，与比较示例的触摸灵敏度相比，示例表现出提高了大约10％或更大的触摸灵敏度。例如，示例包括包含具有较大的分子各向异性的聚合物材料的有机层，并且因此具有低介电常数特性，并且因此，与比较示例的触摸灵敏度相比，示例具有增加的触摸灵敏度特性。
[0163]
根据本公开的实施例的电子装置可以包括设置在传感器层下方并包括由具有低介电常数的聚合物材料制成的有机层的封装层，并且因此可以使传感器层具有增加的触摸灵敏度。例如，在根据本发公开的实施例的电子装置中，封装层的有机层包括具有较大的分子各向异性的聚合物材料，并且因此具有低介电常数特性，并且因此设置在封装层上的传感器层的感测特性可以增加。此外，根据实施例的电子装置包括具有低介电常数的(甲基)丙烯酸酯聚合物作为封装层的有机层的材料。因此，发光元件的第二电极(上电极)与传感器层的导电层之间的电容降低，从而减少传感器层的感测故障并提高传感器层的灵敏度。
[0164]
本公开的实施例可以提供包括封装层的电子装置，所述封装层包括有机层，所述有机层包括具有各向异性分子结构的聚合物材料使得所述有机层具有降低的介电常数。
[0165]
实施例可以提供包括封装层的电子装置，所述封装层包括低介电常数的有机层，使得提供在封装层上的传感器层的操作质量可以提高。
[0166]
虽然已经参考本公开的实施例描述了本公开，但是对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下可以对本公开进行各种改变和修改，并且对本文中提供的实施例的描述是出于说明而非限制的目的。