一种微透镜阵列基板及其制备方法、显示装置与流程

1.本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种微透镜阵列基板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.在裸眼3d、ar/vr或光场等显示技术中，需要利用微透镜阵列实现三维画面或是虚拟显示画面的显示。目前的微透镜阵列主要采用单点金刚石制作微透镜(mla)模版，然后采用纳米压印技术进行微透镜基板的制作。但是，采用单点金刚石进行mla模版的方案存在成本较高、难以大尺寸化等问题。而采用光刻热回流的方式，不论是直接形成微透镜阵列，还是基于其作为压印用模版进行纳米压印形成微透镜阵列，均难以实现密接型透镜阵列的制作，光线可从相邻的微透镜之间的间隙处射出，发生串扰等不良。
3.上述问题可以通过在相邻的微透镜之间增加遮光图案(比如黑色矩阵)的方案，实现密接型透镜阵列的效果，遮光图案能够防止光线从相邻的微透镜之间的间隙处射出，然而，在形成遮光图案过程中，遮光图案与相邻微透镜之间的间隙对位精度差，遮光图案很难精准的形成在相邻微透镜之间的间隙处。


技术实现要素：

4.以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
5.第一方面，本公开实施例提供了一种微透镜阵列基板，包括：
6.衬底；
7.微透镜膜层，设置在所述衬底的一侧，所述微透镜膜层包括至少一个微透镜阵列，所述微透镜阵列包括多个微透镜以及位于相邻所述微透镜之间的间隔部；
8.阻挡层，设置在所述微透镜膜层远离所述衬底一侧，且至少部分所述阻挡层在所述衬底的正投影与所述微透镜在所述衬底的正投影交叠；
9.遮光图案，设置在所述微透镜膜层远离所述衬底一侧，所述遮光层包括至少一个遮光图案，所述至少一个遮光图案在所述衬底的正投影与所述间隔部在所述衬底的正投影交叠。
10.在示例性实施方式中，所述遮光图案在所述衬底的正投影与所述间隔部在所述衬底的正投影完全交叠。
11.在示例性实施方式中，所述间隔部在所述衬底的正投影位于所述遮光图案在所述衬底的正投影中，且所述间隔部在所述衬底正投影的面积小于所述遮光图案在所述衬底正投影的面积。
12.在示例性实施方式中，所述阻挡层包括第一部分，所述第一部分在所述衬底的正投影与所述微透镜在所述衬底的正投影交叠，至少部分所述遮光图案在所述衬底的正投影与所述微透镜在所述衬底的正投影交叠，至少部分所述遮光图案设置在所述第一部分远离
所述衬底一侧，并与所述第一部分接触。
13.在示例性实施方式中，所述阻挡层还包括第二部分，所述第二部分在所述衬底的正投影与所述间隔部在所述衬底的正投影交叠，至少部分所述遮光图案设置在所述第二部分远离所述衬底一侧，并与所述第二部分接触。
14.在示例性实施方式中，所述第一部分和所述第二部分一体成型。
15.在示例性实施方式中，所述微透镜膜层还包括第一对位标记，所述第一对位标记在所述衬底的正投影与所述微透镜在所述衬底的正投影不交叠，所述衬底包括第二对位标记，至少部分所述第一对位标记在所述衬底的正投影与所述第二对位标记交叠。
16.在示例性实施方式中，还包括平坦层，所述平坦层设置在所述阻挡层和所述遮光层远离所述衬底一侧，所述平坦层的折射率低于所述微透镜的折射率。
17.在示例性实施方式中，所述微透镜的折射率与所述平坦层的折射率之差不小于0.1。
18.在示例性实施方式中，所述微透镜呈长条状，所述微透镜沿着第一方向延伸，多个微透镜沿着第二方向排列，所述微透镜在所述第二方向上的长度为10微米至300微米；和/或，所述微透镜的拱高为5微米至30微米；和/或，所述间隔部在所述第二方向上的长度为1.5微米至5微米。
19.在示例性实施方式中，所述阻挡层采用无机透光材料。
20.在示例性实施方式中，所述阻挡层的厚度为10纳米至100纳米。
21.在示例性实施方式中，所述遮光图案的最大厚度为1微米至5微米。
22.第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前面任一所述的微透镜阵列基板。
23.第三方面，本公开实施例还提供了一种微透镜阵列基板的制备方法，包括：
24.在衬底上形成微透镜膜层；所述微透镜膜层包括多个微透镜以及位于相邻所述微透镜之间的间隔部；
25.在所述微透镜膜层远离所述衬底一侧形成阻挡层；至少部分所述阻挡层在所述衬底的正投影与所述微透镜在所述衬底的正投影交叠；
26.在所述阻挡层远离所述衬底一侧形成遮光薄膜，对所述遮光薄膜进行构图工艺，使所述遮光薄膜形成至少一个遮光图案，所述至少一个遮光图案在所述衬底的正投影与所述间隔部在所述衬底的正投影交叠。
27.在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
28.附图用来提供对本技术技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术的技术方案，并不构成对本技术技术方案的限制。
29.图1为本公开实施例的显示装置的结构示意图；
30.图2为本公开实施例的微透镜阵列基板的结构示意图；
31.图3为本公开实施例微透镜阵列基板的剖视图一；
32.图4为本公开实施例微透镜阵列基板的剖视图二；
33.图5为本公开实施例微透镜阵列基板的剖视图三；
34.图6a为本公开实施例微透镜阵列基板形成衬底后的结构示意图；
35.图6b为本公开实施例微透镜阵列基板形成微透镜膜层后的结构示意图；
36.图6c为本公开实施例微透镜阵列基板形成阻挡层后的结构示意图；
37.图6d为本公开实施例微透镜阵列基板形成遮光薄膜后的结构示意图；
38.图6e为本公开实施例微透镜阵列基板形成遮光层后的结构示意图；
39.图6f为本公开实施例微透镜阵列基板形成平坦层后的结构示意图；
40.图6g为本公开显示装置的结构示意图；
41.图7为本公开实施例微透镜阵列基板在制作过程中制作遮光薄膜后的扫描电镜照片；
42.图8为本公开实施例微透镜阵列基板在制作过程中形成遮光图案后的扫描电镜照片。
43.附图标记说明:
44.100-显示面板；
45.101-200-微透镜阵列基板，1-衬底，11-第二对位标记，2-微透镜膜层，3-微透镜阵列，4-微透镜，5-阻挡层，51-第二部分，52-第一部分，6-遮光图案，6
’‑
遮光薄膜，7-间隔部，8-平坦层，9-外围部，91-第一对位标记；
46.300-胶层。
具体实施方式
47.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
48.在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
49.本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
50.在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
51.在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；
可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
52.在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
53.在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
54.在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
55.在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10
°
以上且10
°
以下的状态，因此，也包括该角度为-5
°
以上且5
°
以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80
°
以上且100
°
以下的状态，因此，也包括85
°
以上且95
°
以下的角度的状态。
56.在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
57.本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
58.经本公开发明人的研究发现，相关技术微透镜阵列基板的制备方法包括：在衬底上制作对位标记，基于所形成的对位标记制作图案化的遮光图案。在形成遮光图案后的衬底上继续制作微透镜。制作微透镜常用到的工艺有两种，一种是纳米压印技术(nanoimprinting technology)，另一种是光刻胶热回流技术。
59.在采用纳米压印技术制作微透镜的过程中，传统的定位方式是自下而上的方式，利用压印设备的对位装置，将微透镜膜层和前序制作的遮光图案进行堆叠对位，但由于对位装置的对位精度较差，导致微透镜与遮光图案的偏差较大。在采用光刻胶热回流技术制作微透镜的过程中，需要先采用光刻工艺制作遮光图案，然后在前序形成遮光图案的衬底上继续制作微透镜，主要工艺过程包括，对衬底上的光刻胶在掩模的遮蔽下进行曝光，曝光图案呈圆形、矩形或者是正六边形等，对曝光后的光刻胶进行显影并清洗残余物质，放置于加热平台上，热熔成型。采用光刻胶热回流技术制作微透镜存在着遮光图案宽度较大的问题，一般大于3微米(um)，导致微透镜的成型率下降，降低了显示装置的显示效果。由此可见，采用纳米压印技术和光刻胶热回流技术制作微透镜的过程，均涉及到微透镜膜层与遮光图案间的对位操作，增加了微透镜阵列基板整体制作工艺的复杂性，存在着对位精度较低，出光率下降等问题。
60.图1为本公开实施例显示装置的结构示意图。图2为本公开实施例微透镜阵列基板的结构示意图。图3为本公开实施例微透镜阵列基板的剖视图一。其中，图3为图2中a-a’方向的剖视图。如图1、图2、图3所示，定义三个方向以便进行技术方案的阐述，第一方向标识为y，第二方向标识为x，第三方向标识为z，第一方向、第二方向和第三方向均不相同，示例
的，第一方向、第二方向和第三方向两两相互垂直。本公开实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括相对设置的显示面板100以及微透镜阵列基板200，微透镜阵列基板200位于显示面板100的出光侧。
61.在示例性实施方式中，显示面板100可以是有机发光二极管(organic light emitting diode，简称oled)显示面板，量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes，简称qled)显示面板和微发光二极管(miniled或microled)显示面板等自发光显示面板中的任一种，还可以是液晶显示(liquid crystal display，简称lcd)面板。
62.在示例性实施方式中，显示面板可以包括显示区域、位于显示区域至少一侧的绑定区域以及位于显示区域其它侧的边框区域。
63.在示例性实施方式中，显示面板的显示区域包括组成像素阵列的多个子像素，多个子像素可以被配置为显示动态图片或静止图像，显示区域可以称为有效区域(aa)。显示面板的显示区域可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元。例如，至少一个像素单元可以包括出射第一颜色光线的第一子像素、出射第二颜色光线的第二子像素和出射第三颜色光线的第三子像素和第四子像素。每个子像素可以均包括像素电路和发光元件，像素电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光控制线电连接，像素电路可以被配置为在扫描信号线和发光控制线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向发光元件输出相应的电流。每个子像素中的发光元件分别与所在子像素的像素电路连接，发光元件被配置为响应所在子像素的像素电路输出的电流发出相应亮度的光。
64.在示例性实施方式中，第一子像素可以是出射红色光线的红色子像素(r)，第二子像素可以是出射蓝色光线的蓝色子像素(b)，第三子像素和第四子像素可以是出射绿色光线的绿色子像素(g)。在一些示例中，子像素的发光元件的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形，四个子像素的发光元件可以采用钻石形(diamond)方式排列，形成rgbg像素排布。在其它示例性实施例中，四个子像素的发光元件可以采用水平并列、竖直并列或正方形等方式排列，本公开在此不做限定。在另一些示例性实施例中，像素单元可以包括三个子像素，三个子像素的发光元件可以采用水平并列、竖直并列或品字等方式排列，本公开在此不做限定。一个微透镜4可用于增强一个子像素的发光元件射出的光线，即沿微透镜阵列基板厚度的方向，微透镜4与一个子像素成组设置。或者，一个微透镜4用于增强两个以上子像素的发光元件射出的光线。
65.在示例性实施方式中，在垂直于显示面板100的方向上，显示面板100可以包括：衬底基板、依次设置在衬底基板上的驱动电路层、发光结构层以及封装结构层。在一些可能的实现方式中，显示面板可以包括其它膜层，如触控结构层等，本公开在此不做限定。
66.在示例性实施方式中，图2和图3所示，本公开实施例提供了一种微透镜阵列基板200。该微透镜阵列基板200可以用于上述显示装置中。该微透镜阵列基板200包括衬底1、设置在衬底1的一侧的微透镜膜层2、设置在微透镜膜层2远离衬底1一侧的阻挡层5以及设置在阻挡层5远离衬底1一侧的遮光层，遮光层包括至少一个遮光图案6。微透镜膜层2包括至少一个微透镜阵列3，微透镜阵列3可以为密接性微透镜阵列，或者是非密接性微透镜阵列。以设置一个非密接性微透镜阵列3为例进行技术方案的阐述。
67.在示例性实施方式中，如图1、图2、图3所示，微透镜阵列3包括多个微透镜4以及位于相邻微透镜4之间的间隔部7。阻挡层5的至少部分在衬底1的正投影与微透镜4在衬底1的
正投影交叠。遮光图案6的至少部分在衬底1的正投影与间隔部7在衬底1的正投影交叠。
68.在示例性实施方式中，如图3所示，间隔部7远离衬底1一侧的表面至衬底1靠近微透镜膜层2一侧的表面之间的距离不大于微透镜4远离衬底1一侧的表面至衬底1靠近微透镜膜层2一侧的表面之间的最小距离，使相邻两个微透镜4以及相邻两个微透镜4之间的间隔部7组合形成凹槽，遮光图案6位于该凹槽内。
69.在示例性实施方式中，如图3所示，阻挡层5在衬底1的正投影均与每个微透镜4在衬底1的正投影交叠，以及阻挡层5在衬底1的正投影均与每个间隔部7在衬底1的正投影交叠，即阻挡层5可以覆盖整个微透镜阵列3。遮光图案6设置在阻挡层5远离衬底1一侧，与阻挡层5接触。
70.在一些实施例中，阻挡层在衬底的正投影可以均与每个微透镜在衬底的正投影交叠，与每个间隔部在衬底的正投影不交叠，遮光图案设置在微透镜膜层远离衬底一侧，至少部分遮光图案位于间隔部上，并与间隔部接触。
71.图7为本公开实施例微透镜阵列基板在制作过程中制作遮光薄膜后的扫描电镜照片。图8为本公开实施例微透镜阵列基板在制作过程中形成遮光图案后的扫描电镜照片。本公开实施例的微透镜阵列基板200通过在微透镜膜层2远离衬底1的一侧设置阻挡层5，在阻挡层5远离衬底1的一侧设置遮光图案6，在刻蚀形成遮光图案6过程中，利用阻挡层5对设有微透镜4的部分进行保护，避免刻蚀过程中发生过刻，改变微透镜4的形貌。如图7所示，位于两个相邻的微透镜4间隙处的遮光薄膜6’明显较位于微透镜4表面的遮光薄膜6’厚，从而为自对准的方案提供先决条件。如图8所示，刻蚀后微透镜4表面已不存在遮光薄膜6’，两个微透镜4之间的遮光薄膜6’形成遮光图案6。
72.由此可见，本公开实施例的微透镜阵列基板200的结构使得遮光图案6形成在相邻两个微透镜4以及间隔部7共同围成的凹槽内。由于位于相邻两个微透镜4之间间隙处的遮光薄膜6’厚度(z向)较位于微透镜4表面的遮光薄膜6’的厚度大，因此在对遮光薄膜6’进行构图工艺时，位于相邻两个微透镜4间隙处的遮光薄膜6’依然还有剩余以形成遮光图案6，遮光图案6起到相邻微透镜4间遮光的作用，避免相邻微透镜4的出射光线互相串扰。遮光图案6的制作无需新增对位工装，且遮光图案6的宽度(x向)不受传统光刻线宽的限制；使得微透镜与遮光图案采用自对准技术，具有极高的对位精度；并具有制作工艺简单，光效高等优点。遮光图案6通过构图工艺获得，以形成于两个相邻的微透镜4之间，使得遮光图案6与间隔部7之间具有较好的贴合型面以及接触性能，以提高微透镜阵列基板200的水氧可靠性。
73.在示例性实施方式中，如图1、图2所示，一个微透镜4可设置为沿第一方向延伸的长条状。多个呈长条状的微透镜4沿第二方向等间隔或者非等间隔排布。一个微透镜阵列3沿第三方向的投影可设置呈矩形、椭圆形、多边形等规则或不规则形状。
74.图4为本公开实施例微透镜阵列基板的剖视图二。如图4所示，沿z向，两个微透镜4的型面之间沿x向的尺寸w是变化的，设置在两个微透镜4之间的遮光图案6沿x向尺寸沿着z向是变化的，即非恒定值，这将影响到遮光图案6沿z向在衬底1上的正投影的面积。
75.在示例性实施方式中，如图4所示，微透镜4沿第一方向(x向)的长度l1可设置在10微米(μm)到300微米(μm)之间。微透镜4的拱高h，即沿第三方向(z向)的尺寸可设置在5微米(μm)到30微米(μm)之间。间隔部7沿第一方向(x向)的长度l2可设置在1.5微米(μm)到5微米(μm)之间。
76.在示例性实施方式中，本公开实施例中微透镜可以为微型凸透镜，微型凸透镜焦距较小(例如2-3mm)，能够减小装置的厚度和重量。
77.在示例性实施方式中，本公开实施例中微透镜的口径不限，例如微透镜可达到微米级。
78.在示例性实施方式中，本公开实施例中微透镜包括球面透镜、非球面透镜以及自由曲面透镜中的至少一种。
79.在示例性实施方式中，本公开实施例中微透镜可以为非球面透镜，非球面透镜的曲率半径从中心到边缘之曲率连续发生变化，可以维持良好的像差修正，以获得所需要的性能。非球面透镜的应用，带来出色的锐度和更高的分辨率，同时镜头的小型化设计成为了可能。
80.在示例性实施方式中，本公开实施例中微透镜的材质可以为透光材料，例如，玻璃或透明塑料。
81.在示例性实施方式中，本公开实施例中衬底1可以选用透光材料，例如，玻璃基材，或者是透明塑料基材，或者是可挠式基材等透光的基材。
82.在示例性实施方式中，本公开实施例中微透镜膜层2一般采用光刻胶制作成型。微透镜4的成型工艺可选择纳米压印技术或者是光刻胶热回流技术等，具体成型工艺在此不作限定。
83.在示例性实施方式中，本公开实施例中遮光图案6的至少部分在衬底1的正投影与间隔部7在衬底1的正投影存在交叠，例如，遮光图案6在衬底1的正投影与间隔部7在衬底1的正投影完全重合；或者，间隔部7在衬底1的正投影位于遮光图案6在衬底1的正投影中，且间隔部7在衬底1正投影的面积小于遮光图案6在衬底1正投影的面积。也就是说。相邻的两个微透镜4的型面与间隔部7可构成容纳遮光图案6的容纳空间，实现了利用结构特征进行定位，简化了微透镜阵列基板200的制作工艺。
84.在示例性实施方式中，本公开实施例中遮光图案6可采用黑色聚合物，可选用具有高吸光率的黑色矩阵膜层通过构图工艺获得。对于黑色矩阵的获得，可选择干法刻蚀等。遮光图案6沿z向的最大厚度可为1微米(μm)至5微米(μm)。
85.在示例性实施方式中，阻挡层5可采用无机透光材料，例如可以是氮氧化硅(sion)、氮化硅(sin)、氧化硅(sio)、三氧化二铝(al2o3)、二氧化钛(tio2)中的一种或者几种等。阻挡层5的厚度可设置为10纳米(nm)到100纳米(nm)之间。阻挡层5可采用pecvd(plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)或者peald(原子层沉积法)或者sputter(溅镀法)等方式制作成型，在此不再展开赘述。
86.在示例性实施方式中，如图3所示，阻挡层5包括第一部分52和第二部分51。第一部分52和第二部分51可以一体成型，形成一个膜层结构，即第一部分52和第二部分51可以采用相同的材料通过同一制备工艺制备而成。第一部分52在衬底1上的正投影与微透镜4在衬底1上的正投影交叠，以用于对微透镜4的型面形成保护，避免制作过程对微透镜4型面造成的损坏，以致影响微透镜4的光学性能。第二部分51在衬底1上的正投影与间隔部7在衬底1上的正投影交叠，第二部分51可以对间隔部7进行完全覆盖，以提高微透镜阵列基板200阻隔水氧的可靠性。
87.在一些实施例中，第一部分和第二部分可以为互相独立的两个膜层，即第一部分
和第二部分可以采用相同或不同的材料通过相同或不同的制备工艺制备而成。相邻的第一部分和第二部分之间可以设置间隔，也可以互相接触。
88.图5为本公开实施例微透镜阵列基板的剖视图三。如图5所示，微透镜阵列基板200还包括平坦层8。平坦层8设置在阻挡层5和遮光层远离衬底1的一侧。平坦层8的至少部分覆盖微透镜4以及遮光图案6。平坦层8的边缘可与微透镜阵列3的边缘相平齐，或者平坦层8的边缘沿衬底1的正投影覆盖微透镜阵列3的边缘。平坦层8可使微透镜阵列基板200平坦化，并可保护微透镜4以及遮光图案6，避免后续工艺对微透镜4以及遮光图案6造成损坏，以致影响显示装置的出光质量。
89.在示例性实施方式中，本公开实施例中平坦层8的膜厚可设置在5微米(μm)到30微米(μm)之间。平坦层8可以采用透明材料，例如，透明胶材，示例的，平坦层8可以采用丙烯酸酯类、环氧类或者是聚氨酯类等聚合物。平坦层8可采用喷墨打印，或者丝网印刷，或者闪蒸，或者pecvd等方式制作成型。
90.在示例性实施方式中，本公开实施例中平坦层8的折射率设置为低于微透镜4的折射率，平坦层8的折射率范围可设置在1.3到1.6之间，微透镜4的折射率范围可设置在1.5到1.8之间。
91.在示例性实施方式中，本公开实施例中微透镜4的折射率与平坦层8的折射率之差不小于0.1，以提高微透镜阵列基板200的光学性能。
92.在示例性实施方式中，所述微透镜膜层还包括至少一个第一对位标记，第一对位标记在衬底的正投影与微透镜在衬底的正投影不交叠，衬底包括至少一个第二对位标记，至少部分第一对位标记在衬底的正投影与第二对位标记交叠，第一对位标记与第二对位标记成组设置，在制作微透镜阵列基板200的过程中，第一对位标记用于与第二对位标记进行对位，以将微透镜膜层对位到衬底上，以保证微透镜对出射光调节的精度。
93.在示例性实施方式中，如图2所示，微透镜膜层2还包括外围部9。外围部9位于微透镜阵列3的周边，外围部9与微透镜阵列3可一体成型。至少一个第一对位标记位于外围部9上。
94.图6a至图6f为本公开实施例微透镜阵列基板的制作流程图。如图所示，本公开实施例还提供一种微透镜阵列基板的制作方法。该制作方法可包括如下步骤：
95.(1)形成衬底。其中，衬底1包括至少一个第二对位标记11，第二对位标记11用于与后续形成的微透镜膜层2进行定位，如图6a所示。
96.(2)形成微透镜膜层。微透镜膜层包括：
97.先在衬底1上制作微透镜薄膜，利用纳米压印技术或者是光刻胶热回流技术，使微透镜薄膜形成微透镜膜层2。其中，微透镜膜层2包括至少一个微透镜阵列以及至少一个第一对位标记91，微透镜阵列包括多个微透镜4以及位于相邻微透镜4之间的间隔部7；
98.然后，将第一对位标记91与衬底1上的第二对位标记11进行对位，使微透镜膜层2与衬底1贴合，如图6b所示。
99.(3)形成阻挡层。形成阻挡层包括：在形成上述结构的衬底1上，在微透镜膜层2远离衬底1一侧形成阻挡层5。关于阻挡层5的结构在前面已经阐述，在此不再赘述。其中，阻挡层5的至少部分在衬底1的正投影与微透镜4在衬底1的正投影交叠，例如，阻挡层5覆盖所有微透镜4以及所有间隔部7，如图6c所示。
100.(4)形成遮光薄膜。形成遮光薄膜包括：在形成上述结构的衬底1上，在阻挡层5远离衬底1一侧形成遮光薄膜6’，其中，遮光薄膜6’覆盖多个微透镜4以及位于相邻微透镜4之间的间隔部7，如图6d所示。
101.(5)形成遮光层。形成遮光层包括：在形成上述结构的衬底1上，对遮光薄膜6’进行构图工艺，使遮光薄膜6’形成至少一个遮光图案6，一个遮光图案6在衬底1的正投影与一个间隔部7在衬底1的正投影交叠，如图6e所示。
102.其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。
103.(6)形成平坦层。形成平坦层包括：在形成上述结构的衬底1上，在阻挡层5以及遮光层远离衬底1一侧形成平坦层8，如图6f所示。
104.本公开实施例还提供了一种显示装置。该显示装置包括前面任一所述的微透镜阵列基板。该显示装置可以是手机、平板电脑、智能穿戴产品(例如智能手表、手环等)、个人数字助理(personal digital assistant，pda)、车载电脑等。本公开实施例对上述可折叠显示装置的具体形式不做特殊限制。
105.图6g为本公开显示装置的结构示意图。在示例性实施方式中，如图6g所示，该显示装置包括相对设置的显示面板100、微透镜阵列基板200以及位于显示面板100与微透镜阵列基板200之间的胶层300。利用胶层300以实现显示面板100与微透镜阵列基板200的组装。胶层300可选用oca(optically clearadhesive)。oca具有无色透明、光透过率在90％以上、胶结强度良好，可在室温或中温下固化，且有固化收缩小等特点。
106.本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
107.本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。