EUV光掩模及其制造方法与流程

本公开总体涉及euv光掩模及其制造方法。

背景技术：

1、光刻操作是半导体制造工艺中的关键操作之一。光刻技术包括紫外光刻、深紫外光刻和极紫外光刻(euvl)。光掩模是光刻操作中的重要组件。利用高反射率部分和高吸收率部分制造具有高对比度的euv光掩模是至关重要的。

技术实现思路

1、根据本公开的实施例，提供了一种用于极紫外(euv)光刻的光掩模，所述光掩模包括：掩模对准标记，用于将所述光掩模与euv光刻工具对准；以及亚分辨率辅助图案，设置在所述掩模对准标记周围，其中，所述亚分辨率辅助图案的尺寸在从10nm到50nm的范围内。

2、根据本公开的实施例，提供了一种用于极紫外(euv)光刻的光掩模，所述光掩模包括：衬底；反射多层结构，设置在所述衬底之上；帽盖层，设置在所述反射多层结构之上；以及吸收层，设置在所述帽盖层之上，其中：所述吸收层对于euv光具有等于或小于0.95的折射率和等于或小于0.04的吸收系数k，并且所述光掩模包括：掩模对准标记，用于将所述光掩模与euv光刻工具对准；和背景强度抑制图案，设置在所述掩模对准标记周围，所述背景强度抑制图案的尺寸小于所述掩模对准标记中包括的图案。

3、根据本公开的实施例，提供了一种用于极紫外(euv)光刻的光掩模，所述光掩模包括：电路图案区域，其中设置有电路图案；黑色边缘图案，围绕所述电路图案区域；以及掩模对准标记区域，设置在所述黑色边缘图案外部，其中，所述掩模对准标记区域包括：粗对准标记和精细对准标记，以及亚分辨率辅助图案，设置在所述掩模对准标记区域中。

技术特征：

1.一种用于极紫外(euv)光刻的光掩模，所述光掩模包括：

2.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述亚分辨率辅助图案包括间距等于或大于40nm且小于160nm的周期性图案。

3.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述亚分辨率辅助图案包括宽度在从10nm到50nm范围内、且间距等于或大于40nm且小于160nm的周期性线图案。

4.根据权利要求3所述的光掩模，其中，所述亚分辨率辅助图案的周期性线图案是形成在吸收层中的凹槽、沟槽或开口。

5.根据权利要求4所述的光掩模，其中，所述掩模对准标记包括宽度大于所述亚分辨率辅助图案的周期性线图案的宽度的周期性线图案。

6.根据权利要求5所述的光掩模，其中：

7.根据权利要求5所述的光掩模，其中：

8.根据权利要求5所述的光掩模，其中：

9.一种用于极紫外(euv)光刻的光掩模，所述光掩模包括：

10.一种用于极紫外(euv)光刻的光掩模，所述光掩模包括：

技术总结
本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光刻的光掩模，该光掩模包括用于将光掩模与EUV光刻工具对准的掩模对准标记，以及设置在掩模对准标记周围的亚分辨率辅助图案。亚分辨率辅助图案的尺寸在从10nm到50nm的范围内。

技术研发人员：苏伟硕,赖昱泽,王圣闵,谢艮轩,郑介任,张雅惠
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14