提高光学邻近修正线端收敛的方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种提高光学邻近修正线端收敛的方法。


背景技术：

2.对于先进技术节点的工艺，opc基于光刻工艺模型修正设计版图。对版图进行opc修正流程为：首先对版图图形的边进行分段切割成fragment(线段)，然后根据fragment是否接触版图图形的角，分为corner fragment(角线段)和center fragment(中心线段)。
3.离子注入版图这种线端收敛(line-end short)比较大的情况，部分线端的边缘放置误差(epe)无法做到零或2nm以下，线端的边缘放置误差会受到邻近的corner fragment的影响。虽然每一个迭代(iteration)中线端的边缘放置误差都向趋近零的方向移动，但所有迭代后最终的结果会针对1d(一维图形)和2d(二维图形)选定最优解，这会使得像线端会有边缘放置误差较大。
4.为解决上述问题，需要一种新型的提高光学邻近修正线端收敛的方法。


技术实现要素：

5.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种提高光学邻近修正线端收敛的方法，用于解决现有技术中对于线端收敛比较大的情况，部分线端的边缘放置误差(epe)无法做到零或2nm以下，线端的边缘放置误差会受到邻近的corner fragment的影响。虽然每一个迭代中线端的边缘放置误差都向趋近零的方向移动，但所有迭代后最终的结果会针对1d和2d选定最优解，这会使得像线端会有边缘放置误差较大的问题。
6.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种提高光学邻近修正线端收敛的方法，包括：
7.步骤一、提供目标图形，在所述目标图形的轮廓边缘形成多个依次连接的线段组成的待修正图形，根据所述待修正图形得到第一曝光后轮廓，所述第一曝光后轮廓与所述目标图形间具有第一边缘放置误差；
8.步骤二、根据所述第一边缘放置误差分别设定每个所述线段的第一反馈系数和第一反馈值；
9.步骤三、在光学邻近修正程序中导入所述第一反馈系数和所述第一反馈值导入，利用所述第一反馈系数和所述第一反馈值移动对应的所述线段，得到第二修正图形，使得所述第二修正图形的第二边缘防置误差小于设置阈值；
10.步骤四、利用所述光学邻近修正程序迭代所述第二修正图形。
11.优选地，步骤一中所述目标图形的形状为矩形。
12.优选地，步骤一中所述目标图形为离子注入版图。
13.优选地，步骤一中所述每个所述线段的长度均相等。
14.优选地，步骤一中每个所述线段的长度均为140纳米。
15.优选地，步骤一中每个所述线段的长度均为100纳米。
16.优选地，步骤二中所述负反馈系数大于等于0且小于等于1。
17.优选地，步骤三中根据所述第一反馈系数和所述第一反馈值移动对应的所述线段，得到第二修正图形的方法为：每个所述线段移动的距离y1＝a1+k1*x1，其中，a1为所述第一反馈值，x1为所述第一边缘放置误差，k1为所述第一反馈系数。
18.优选地，步骤四中所述第二修正图形迭代后的最终图形的边缘放置误差趋近于1纳米。
19.如上所述，本发明的提高光学邻近修正线端收敛的方法，具有以下有益效果：
20.本发明通过提前对待修正的离子注入版图线端修正的第一步设定反馈值，使得第一步的修正中，避免了线段的移动距离过大，同时结合适合的线段、负反馈系数、迭代设定使得最终修正图形的线端轮廓尽可能的符合目标。
附图说明
21.图1显示为本发明的光学邻近修正方法示意图；
22.图2显示为本发明的光学邻近修正参数设置示意图；
23.图3显示为本发明的目标图形第一次迭代后的边缘放置误差示意图；
24.图4显示为本发明的实施例的第一次迭代后结果示意图；
25.图5显示为本发明的最终曝光轮廓示意图。
具体实施方式
26.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
27.请参阅图1，本发明提供一种提高光学邻近修正线端收敛的方法，包括：
28.步骤一，提供目标图形，在目标图形的轮廓边缘形成多个依次连接的线段(fragment)组成的待修正图形，线段(fragment)是光学邻近修正中的最小移动单元，根据待修正图形得到第一曝光后轮廓，第一曝光后轮廓与目标图形间具有第一边缘放置误差；现有技术中，光学邻近修正程序通常会设置线段长度(ajd fragment)、负反馈系数(feedback)、迭代设定(iteration movement)来对目标图形进行校正。
29.在本发明的实施例中，步骤一中目标图形的形状为矩形。
30.在本发明的实施例中，步骤一中目标图形为离子注入版图，离子注入版图中的角，为corner fragment(角线段)，离子注入版图这种线端收敛(line-end short)比较大的情况，部分线端的边缘放置误差(epe)无法做到零或2nm以下，线端的边缘放置误差会受到邻近的corner fragment的影响。
31.在本发明的实施例中，步骤一中每个线段的长度均相等。
32.在本发明的实施例中，步骤一中每个线段的长度均为140纳米。
33.在本发明的实施例中，步骤一中每个线段的长度均为100纳米。
34.步骤二，根据第一边缘放置误差分别设定每个线段的第一反馈系数和第一反馈
值，也就是说，在该步骤增加了第一反馈值，避免了在第一步光学邻近修正中，线段移动距离过大或过小导致后续迭代过程中边缘放置误差达不到目标值；
35.在本发明的实施例中，步骤二中负反馈系数大于等于0且小于等于1。
36.步骤三，在光学邻近修正程序中导入第一反馈系数和第一反馈值，利用第一反馈系数和第一反馈值移动对应的线段，得到第二修正图形，使得第二修正图形的第二边缘防置误差小于设置阈值，即在第一步的光学邻近修正中，使线段移动后所得到的第二修正图形，其在曝光后的轮廓与原始图形间的边缘放置误差减小；
37.在本发明的实施例中，请参阅图2，步骤三中根据第一反馈系数和第一反馈值移动对应的线段，得到第二修正图形的方法为：每个线段移动的距离y1＝a1+k1*x1，其中，a1为第一反馈值，x1为第一边缘放置误差，k1为第一反馈系数，通常k1为经验性的设置，若该处的边缘放置误差较大，则调大a1的设置值；若该处的边缘放置误差较小，则调小a1的设置值；通过设置不同的参数可得到如图3所示的图形。
38.步骤四，利用光学邻近修正程序迭代第二修正图形。
39.在本发明的实施例中，步骤四中第二修正图形迭代后的最终图形的边缘放置误差趋近于1纳米。
40.在本发明的实施例中，对照组线段长度为140纳米，负反馈系数为0.2，待修正图形一边处的第一边缘放置误差为30纳米，则第一次迭代后，该边处的线段移动距离为20+30*0.2＝26纳米；第一实验组线段长度为100纳米，负反馈系数为0.2，待修正图形一边处的第一边缘放置误差为30纳米，则第一次迭代后，该边处的线段移动距离为20+30*0.2＝26纳米，第一次迭代结果如图4所示，两者的模拟曝光轮廓如图5所示，其线端的epe趋近于1nm，corner rounding变好增加了2.5nm。
41.需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
42.综上所述，本发明通过提前对待修正的离子注入版图线端修正的第一步设定反馈值，使得第一步的修正中，避免了线段的移动距离过大，同时结合适合的线段、负反馈值、迭代设定使得最终修正图形的线端轮廓尽可能的符合目标。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
43.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。