阵列基板和显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。


背景技术：

2.随着lcd显示技术的高速发展，lcd产品已广泛应用在人们日常生活使用的电子产品中，例如手机、车载、智能家居、智能办公、手表、手环等，ips显示技术凭借自身的优点，占据显示市场的大部分份额，但由于使用环境、使用工况的错综复杂，静电防护等级也成为衡量产品可靠性与信赖性的重要指标之一。
3.由于ips自身架构的特点，仅阵列基板(array)侧存在电路设计，所以保护好array侧电路是提升ips静电防护等级目标与方向，但仅设置gnd走线只能只能屏蔽部分静电，因此，提高静电防护等级成为人们亟待解决的问题。


技术实现要素：

4.本技术的目的是提供一种阵列基板和显示面板，通过设置静电防护层，在过孔转接层外侧形成静电防护墙，提高阵列基板的静电防护等级。
5.本技术公开了一种阵列基板，包括显示区和非显示区，所述阵列基板还包括衬底基板、goa单元、走线区、gnd走线和静电防护层，goa单元设置在所述衬底基板上，且位于所述非显示区；走线区位于所述goa单元远离所述显示区的一侧，所述走线区设置有至少一个过孔转接层，所述走线区的信号通过所述过孔转接层与所述goa单元耦接；gnd走线设置在所述衬底基板上，位于所述过孔转接层远离所述goa单元的一侧，且围绕所述非显示区设置；静电防护层设置在所述gnd走线上，所述静电防护层与相应的所述过孔转接层对应设置，且所述gnd走线和所述静电防护层之间设置有绝缘层，所述绝缘层上设置有过孔，所述静电防护层通过所述过孔与所述gnd走线电连接；其中，所述静电防护层垂直于所述衬底基板表面的高度大于或等于所述过孔转接层垂直于所述衬底基板表面的高度。
6.可选的，所述静电防护层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述绝缘层上，所述第二金属层设置在所述第一金属层上，且所述第一金属层与所述第二金属层之间绝缘，所述第二金属层通过所述过孔与所述gnd走线连接；所述阵列基板还包括时钟信号线，所述时钟信号线设置在所述走线区，所述时钟信号线通过所述过孔转接层与所述goa单元耦接；所述过孔转接层与所述第二金属层同一制程形成，所述时钟信号线与所述gnd走线同一制程形成。
7.可选的，所述静电防护层的设置密度大于所述过孔转接层的设置密度。
8.可选的，所述过孔有多个，在第一方向上，相邻两个所述过孔之间的距离均相等且为a；在第二方向上，所述过孔距最近的所述过孔转接层之间的距离为b，且a与b满足：a＜b；其中，所述第一方向为垂直于所述时钟信号线延伸方向的方向，所述第二方向为平行于所述时钟信号线延伸方向的方向。
9.可选的，所述过孔有多个，在第一方向上，相邻两个所述过孔之间的距离不相等，
且所述过孔至少包括第一过孔、第二过孔和第三过孔，所述第一过孔与所述第二过孔之间的距离为a1，所述第二过孔与所述第三过孔之间的距离为a2；在第二方向上，所述第一过孔距最近的所述过孔转接层之间的距离为b1，所述第三过孔距最近的所述过孔转接层之间的距离为b2，且a1、a2、b1与b2满足：a1＜b1，a2＜b2；其中，所述第一方向为垂直于所述时钟信号线延伸方向的方向，所述第二方向为平行于所述时钟信号线延伸方向的方向。
10.可选的，所述gnd走线围绕所述非显示区设置，所述过孔设置有多个，且多个所述过孔在所述gnd走线的延伸方向上间隔设置。
11.可选的，所述过孔有多个，且在所述gnd走线的延伸方向上，多个所述过孔之间电连接。
12.可选的，所述过孔有多个，在第二方向上，每个所述过孔距最近的所述过孔转接层之间的距离均不相等，且对应所述过孔距最近的所述过孔转接层之间的距离大的区域，所述静电防护层的密度设置为大于对应所述过孔距最近的所述过孔转接层之间的距离小的区域的所述静电防护层的密度；其中，所述第二方向为平行于所述时钟信号线延伸方向的方向。
13.可选的，所述过孔有多个，在第二方向上，每个所述过孔距最近的所述过孔转接层之间的距离均不相等，且对应所述过孔距最近的所述过孔转接层之间的距离大的区域，所述gnd走线的宽度大于对应所述过孔距最近的所述过孔转接层之间的距离小的区域的所述gnd走线的宽度；其中，所述第二方向为平行于所述时钟信号线延伸方向的方向。
14.本技术还公开了一种显示面板，包括彩膜基板和本技术公开的任意一种所述的阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板对盒设置。
15.相对于仅设置gnd走线只能屏蔽部分静电的方案来说，本技术通过在设置gnd走线的基础上，还设置有静电防护层，静电防护层与gnd走线之间还设置有绝缘层，进而垫高了gnd走线位置处的地势，静电防护层成为了gnd走线区域地形地貌最高点，形成一道对静电具有致盲及引导的静电防火墙，使得静电不再攻击过孔转接层，保护了过孔转接层区域，进而极大程度地保护了面板内部电路设计，提升面板静电防护等级；而且，静电防护层与gnd走线还通过绝缘层上的过孔连接，进而静电防护层上的静电还可以传导至gnd走线上以释放，进而提高阵列基板的静电接收能力，提高产品的静电防护等级和市场竞争力。
附图说明
16.所包括的附图用来提供对本技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本技术的实施方式，并与文字描述一起来阐释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
17.图1是本技术是显示面板的示意图；
18.图2是本技术实施例一阵列基板的示意图；
19.图3是本技术实施例一阵列基板的截面示意图；
20.图4是本技术实施例二阵列基板的示意图；
21.图5是本技术实施例三阵列基板的示意图；
22.图6是本技术实施例四阵列基板的示意图。
23.其中，10、显示面板；20、彩膜基板；30、阵列基板；310、衬底基板；320、扫描线；330、goa单元；340、走线区；341、时钟信号线；342、过孔转接层；350、gnd走线；351、绝缘层；352、过孔；360、静电防护层；361、第一金属层；362、第二金属层。
具体实施方式
24.需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本技术可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
25.在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
26.另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本技术的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
27.此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
28.下面参考附图和可选的实施例对本技术作详细说明。
29.图1是本技术是显示面板的示意图，参考图1可知，本技术公开了一种显示面板10，包括彩膜基板20和本技术公开的任意一种所述的阵列基板30，所述彩膜基板20和所述阵列基板30对盒设置，本技术的显示面板10静电防护等级更高，显示面板10的信赖性也更好，本技术对显示面板10中的阵列基板30做了针对性的设计，以满足显示面板10静电防护能力强的性能，以适应市场和广大消费者的需求。
30.具体的，本技术对显示面板中的阵列基板30的针对性改进如下：
31.实施例一：
32.图2是本技术实施例一阵列基板的示意图，图3是本技术实施例一阵列基板的截面示意图，参考图2和图3所示，作为本技术的实施例一，公开了一种阵列基板30，包括显示区和非显示区，所述阵列基板30还包括衬底基板310、goa单元330、走线区340、gnd走线350和静电防护层360，goa单元330设置在所述衬底基板310上，且位于所述非显示区；走线区340位于所述goa单元330远离所述显示区的一侧，所述走线区340设置有至少一个过孔转接层342，所述走线区340的信号通过所述过孔转接层342与所述goa单元耦接；gnd走线350设置在所述衬底基板310上，位于所述过孔转接层342远离所述goa单元330的一侧，且围绕所述非显示区设置；静电防护层360设置在所述gnd走线350上，所述静电防护层360与相应的所述过孔转接层342对应设置，且所述gnd走线350和所述静电防护层360之间设置有绝缘层351，所述绝缘层351上设置有过孔352，所述静电防护层360通过所述过孔352与所述gnd走
线350电连接；其中，所述静电防护层360垂直于所述衬底基板310表面的高度大于或等于所述过孔转接层342垂直于所述衬底基板310表面的高度。
33.相对于仅设置gnd走线350只能屏蔽部分静电的方案来说，本技术通过在设置gnd走线350的基础上，还设置有静电防护层360，静电防护层360与gnd走线350之间还设置有绝缘层351，进而垫高了gnd走线350位置处的地势，静电防护层360成为了gnd走线350区域地形地貌最高点，形成一道对静电具有致盲及引导的静电防火墙，使得静电不再攻击过孔转接层342，保护了过孔转接层342区域，进而极大程度地保护了面板内部电路设计，提升面板静电防护等级；而且，静电防护层360与gnd走线350还通过绝缘层351上的过孔352连接，进而静电防护层360上的静电还可以传导至gnd走线350上以释放，进而提高阵列基板30的静电接收能力，提高产品的静电防护等级和市场竞争力。
34.其中，静电防护层360与相应的所述过孔转接层342对应设置，对应设置指的是当过孔转接层342有至少一个时，在gnd走线350上对应过孔转接层342的位置设置静电防护层360，使得静电防护层360在走线区340的过孔转接层342的外侧(外侧指的是过孔转接层342远离goa单元330的一侧)形成静电防火墙，进而使得静电优先攻击静电防护层360，保护过孔转接层342不受攻击，保护阵列基板30上的电信号连接。
35.具体地，通常阵列基板30的显示区内还设置有扫描线320，goa单元330为扫描线320提供信号，以驱动扫描线320逐行扫描以实现画面显示，为了增强阵列基板30的静电接收能力，所述静电防护层360的设置密度大于所述过孔转接层342的设置密度。即，在走线区340的过孔转接层342的外侧设置大于静电防护层360的数量以形成静电防护墙，很好的将静电隔绝在过孔转接层342外侧，防止静电进入goa信号区域甚至显示区，破坏面板内部电路设计以保护显示面板10内部的电路设计。
36.由于从玻璃边缘进入阵列基板30的静电，第一个最容易击伤的区域就是过孔转接层342区域，为了避免静电攻击过孔转接层342，静电防护层360可以设置一层甚至多层，以增加gnd走线350位置处的地势，这样就相当于将静电容易击伤的点从过孔转接层342区域外移到了gnd走线350上的静电防护层360，可选的，所述静电防护层360包括第一金属层361和第二金属层362，所述第一金属层361设置在所述绝缘层351上，所述第二金属层362设置在所述第一金属层361上，且所述第一金属层361与所述第二金属层362之间绝缘，所述第二金属层362通过所述过孔352与所述gnd走线350连接；所述阵列基板30还包括时钟信号线341，所述时钟信号线341设置在所述走线区340，所述时钟信号线341通过所述过孔转接层342与所述goa单元330耦接；所述过孔转接层342与所述第二金属层362同一制程形成，所述时钟信号线341与所述gnd走线350同一制程形成。
37.本实施方式中，静电防护层360由两层膜层结构组成，包括第一金属层361和第二金属层362，设置在gnd走线350上，且第一金属层361、第二金属层362和gnd走线350三层金属层相互绝缘，并且，如图3示出，第一金属层361与gnd走线350之间通过绝缘层351相互绝缘，第二金属层362与gnd走线350通过过孔352连接，而第二金属层362与第一金属层361之间也通过一过孔352连接，第二金属层362的截面宽度小于gnd走线350的截面宽度，第二金属层362完全覆盖第一金属层361和gnd走线350的边缘，这样第二金属层362的截面宽度大于gnd走线350的截面宽度，可以接收更多的静电，进而传导至gnd走线350以静电释放。
38.并且，阵列基板30上还设置有时钟信号线341，时钟信号线341作为goa单元330运
行的刚需信号，保护好时钟信号线341上的过孔转接层342不被静电击伤，才能保证goa单元330能够得到自己开启所需要的信号，进而，静电防护层360垂直于衬底基板310表面的高度应设置为大于或等于过孔转接层342垂直于衬底基板310表面的高度，优选的，将静电防护层360垂直于衬底基板310表面的高度设置为等于过孔转接层342垂直于衬底基板310表面的高度，即过孔转接层342与第二金属层362的上表面齐平，使得静电优先攻击第二金属层362，保护时钟信号线341上的过孔转接层342，具体地，时钟信号线341与gnd走线350位于同一金属层，且同一制程制作，第二金属层362与过孔转接层342位于同一金属层，且同一制程制作，减少制程次数，进而节约制作成本。同时第一金属层361可以与阵列基板30的其他膜层同一制程制作，比如薄膜晶体管中的栅极、源漏极金属或其他信号金属层。当然，要保证时钟信号线341上的过孔转接层342不被静电攻击，gnd走线350上设置的静电防护层360与时钟信号线341上的过孔转接层342高度相同，或者静电防护层360的膜层堆叠更高。
39.其中，静电防护层360可以采用ito材质制作，因为ito通常用于阵列基板30中公共电极的制作，通常位于膜层架构的最上层，是裸露在外的可导电膜层，可增强静电接收能力，且ito是金属氧化物不易腐蚀，可以增强阵列基板30的综合性能。
40.此外，为了提高显示面板10的静电释放能力和静电防护等级，通常所述gnd走线350围绕所述非显示区设置，所述过孔352设置有多个，且多个所述过孔352在所述gnd走线350的延伸方向上间隔设置，通过设置多个过孔352，将静电防护层360接收的静电传导至gnd走线350以释放，并且，多个过孔352间隔设置，可以将静电能够及时释放，防止静电在静电防护层360上累积，影响产品质量。
41.具体地，所述过孔352有多个，在第一方向上，相邻两个所述过孔352之间的距离均相等且为a；在第二方向上，所述过孔352距最近的所述过孔转接层342之间的距离为b，且a与b满足：a＜b；其中，所述第一方向为垂直于所述时钟信号线341延伸方向的方向，所述第二方向为平行于所述时钟信号线341延伸方向的方向。
42.在设置静电防护层360时，过孔352的设置可以根据过孔352与过孔转接层342之间的距离设定，其中，为了保证显示面板10内各个位置的静电释放均匀，可以将相邻两个所述过孔352之间的距离均相等且为a，每个过孔352距最近的过孔转接层342之间的距离为b，a与b满足：a＜b，其中，在设计过孔352时，距离a可以根据过孔352距最近的过孔转接层342之间的距离的最小值b来设定，这样，玻璃任意区域进入静电，最近距离金属的转层点均为gnd走线350上的静电防护层360，不管哪个区域的过孔352处接收到的静电都不会传递到过孔转接层342处，更不会传递到goa单元330，甚至显示面板10的内部，阵列基板30的静电防护效果更好。其中，第一方向为垂直于时钟信号线341延伸方向的方向，第二方向为平行于时钟信号线341延伸方向的方向，这样设计可以根据过孔352距过孔转接层342的距离优化设计过孔352的密度，以增强阵列基板30的静电防护等级。
43.此外，为了优化阵列基板30的静电防护设计，所述过孔352有多个，在第二方向上，每个所述过孔352距最近的所述过孔转接层342之间的距离均不相等，且对应所述过孔352距最近的所述过孔转接层342之间的距离大的区域，所述静电防护层360的密度设置为大于对应所述过孔352距最近的所述过孔转接层342之间的距离小的区域的所述静电防护层360的密度；其中，所述第二方向为平行于所述时钟信号线341延伸方向的方向。
44.在第二方向上，每个过孔352距最近的过孔转接层342之间的距离b由于电路布设
或面板内部电路的设计会存在不相同的现象，为了增强过孔352距最近的过孔转接层342之间的距离大的区域，即距离b大于其他位置的区域，在该区域设计的静电防护层360的密度大于过孔352距最近的过孔转接层342之间的距离小的区域，这样在距离b大的区域可以接收更多的静电，并且通过静电防护层360与gnd走线350的连接以释放静电，进而静电防护等级更高。
45.实施例二：
46.图4是本技术实施例二阵列基板的示意图，参考图4可知，作为本技术的实施例二，与实施例一不同的是，所述过孔352有多个，在第一方向上，相邻两个所述过孔352之间的距离不相等，且所述过孔352至少包括第一过孔352、第二过孔352和第三过孔352，所述第一过孔352与所述第二过孔352之间的距离为a1，所述第二过孔352与所述第三过孔352之间的距离为a2；在第二方向上，所述第一过孔352距最近的所述过孔转接层342之间的距离为b1，所述第三过孔352距最近的所述过孔转接层342之间的距离为b2，且a1、a2、b1与b2满足：a1＜b1，a2＜b2；其中，所述第一方向为垂直于所述时钟信号线341延伸方向的方向，所述第二方向为平行于所述时钟信号线341延伸方向的方向。
47.本实施方式中，相邻两个所述过孔352之间的距离均不相等，以相邻两个所述过孔352之间的距离为a为例，在第一方向上，过孔352设置有多个，至少包括第一过孔352、第二过孔352和第三过孔352，第一过孔352与第二过孔352之间的距离为a1，第二过孔352与第三过孔352之间的距离为a2，且a1≠a2，第二方向上，第一过孔352距最近的所述过孔转接层342之间的距离为b1，所述第三过孔352距最近的所述过孔转接层342之间的距离为b2，b1≠b2，且a1、a2、b1与b2满足：a1＜b1，a2＜b2，这样，每个过孔352在以其自身为圆心，以距相邻过孔352之间的距离a为半径的区域内，不会接触到距离其最近的过孔转接层342，这样可以保证静电防护层360接收到的静电不会传输到过孔转接层342处，在过孔352处形成静电防护墙。
48.具体地，相邻两个过孔352的距离a的实际距离可根据过孔352距最近的过孔转接层342之间的距离b的不同，即b1、b2、b3等的变化分段分区域动态调整a距离。当然，在距离b大的区域，也可以相应设计的过孔352的密度大一些，这样对于距离b大的区域内，相邻过孔352之间的距离a可以小一些，以提高该区域的静电接收能力，进而提高阵列基板30的静电防护等级。
49.实施例三：
50.图5是本技术实施例三阵列基板的示意图，参考图5可知，作为本技术的实施例三，所述过孔352有多个，且在所述gnd走线350的延伸方向上，多个所述过孔352之间电连接。
51.本实施方式中，除了设置静电防护层360，且静电防护层360通过过孔352与gnd走线350连接外，相邻过孔352之间也进行电连接，将gnd走线350上的静电防护层360串接在一起，比如可以用ito进行串接，进一步提升gnd走线350的静电防护能力，以提高阵列基板30的静电防护等级。
52.实施例四：
53.图6是本技术实施例四阵列基板的示意图，参考图6可知，作为本技术的实施例四，与实施例二不同的是，所述过孔352有多个，在第二方向上，每个所述过孔352距最近的所述过孔转接层342之间的距离均不相等，且对应所述过孔352距最近的所述过孔转接层342之
间的距离大的区域，所述gnd走线350的宽度大于对应所述过孔352距最近的所述过孔转接层342之间的距离小的区域的所述gnd走线350的宽度；其中，所述第二方向为平行于所述时钟信号线341延伸方向的方向。
54.本实施方式中，针对不同距离b的区域对gnd走线350进行图案化设计，相邻两个所述过孔352之间的距离均不相等，以相邻两个所述过孔352之间的距离为a为例，在第一方向上，过孔352设置有多个，至少包括第一过孔352、第二过孔352和第三过孔352，第一过孔352与第二过孔352之间的距离为a1，第二过孔352与第三过孔352之间的距离为a2，且a1≠a2，第二方向上，第一过孔352距最近的所述过孔转接层342之间的距离为b1，所述第三过孔352距最近的所述过孔转接层342之间的距离为b2，b1≠b2，且a1、a2、b1与b2满足：a1＜b1，a2＜b2，并且，对应过孔352距最近的过孔转接层342之间的距离b大的区域，可以将gnd走线350的宽度设置不相同，在若b1大于b2时，可以将第一过孔352对应位置处的gnd走线350宽度设置大于第三过孔352对应位置处的gnd走线350宽度，gnd走线350的宽度越宽其静电接收和静电释放能力都会更强，这样，对应距离b大的区域可以接收更多的静电，并能通过更宽的gnd走线350得以释放静电，进而提高阵列基板30的静电防护等级。
55.需要说明的是，本技术的发明构思可以形成非常多的实施例，但是申请文件的篇幅有限，无法一一列出，因而，在不相冲突的前提下，以上描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例，各实施例或技术特征组合之后，将会增强原有的技术效果。
56.本技术的技术方案可以广泛用于各种显示面板，如tn(twisted nematic，扭曲向列型)显示面板、ips(in-plane switching，平面转换型)显示面板、va(vertical alignment，垂直配向型)显示面板、mva(multi-domain vertical alignment，多象限垂直配向型)显示面板，当然，也可以是其他类型的显示面板，如oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示面板，均可适用上述方案。
57.以上内容是结合具体的可选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范围。