金属遮光元件、成像镜头模块及电子装置的制作方法

文档序号:35907706发布日期:2023-10-29 05:33阅读:35来源:国知局
金属遮光元件、成像镜头模块及电子装置的制作方法

本揭示内容是关于一种金属遮光元件与成像镜头模块,且特别是一种应用在可携式电子装置上的金属遮光元件与成像镜头模块。


背景技术:

1、近年来,可携式电子装置发展快速,例如智能电子装置、平板计算机等,已充斥在现代人的生活中,而装载在可携式电子装置上的成像镜头模块与其金属遮光元件也随之蓬勃发展。但随着科技愈来愈进步,使用者对于金属遮光元件的品质要求也愈来愈高。

2、请参照图9,其为依照现有技术中成像镜头模块90的示意图。由图9可知,现有技术中的成像镜头模块90常因成像透镜组91外周的组装元件(如保护玻璃94)的反射,导致非成像光线l的产生。因此,发展一种可提供较高遮光效率的金属遮光元件遂成为产业上重要且急欲解决的问题。


技术实现思路

1、本揭示内容提供一种金属遮光元件、成像镜头模块及电子装置,通过设置抗反射层以防止非成像光线进入成像镜头模块,借以提供较高的遮光效率。

2、依据本揭示内容一实施方式提供一种金属遮光元件,其环绕于一中心轴,且包含一外径面、一第一环面、一第二环面及一抗反射层。外径面环绕金属遮光元件。第一环面相对外径面设置,且第一环面较外径面靠近中心轴。第二环面相对外径面设置,第二环面较外径面靠近中心轴,且第一环面与第二环面连接并且形成一最小开孔结构。抗反射层设置于第一环面与第二环面,并包覆最小开孔结构,且包含一光线吸收层与一纳米结构层,其中纳米结构层设置于光线吸收层上。最小开孔结构为一尖端开孔结构,且第一环面与第二环面形成一夹角,夹角为α,其满足下列条件:0度<α≤170度。

3、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中光线吸收层为碳黑材料层。

4、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中纳米结构层包含多个纳米结构单元,且纳米结构单元形成一纳米脊状凸起结构层。

5、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中纳米结构层包含一连接层,且连接层设置于光线吸收层与纳米脊状凸起结构层之间。

6、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中连接层的厚度为d,其满足下列条件:30nm≤d≤500nm。

7、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中各纳米结构单元的高度为h,其满足下列条件:90nm≤h≤350nm。另外,其满足下列条件:90nm≤h≤290nm。

8、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中尖端开孔结构具有至少一缩孔结构,且缩孔结构较尖端开孔结构的最大外径靠近中心轴。

9、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中夹角为α,其满足下列条件:10度≤α≤150度。另外,其满足下列条件:20度≤α≤120度。

10、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,还包含一凹槽结构,其中凹槽结构设置于第一环面与第二环面中至少一者,凹槽结构朝向外径面凹陷,且抗反射层的至少一部分设置于凹槽结构上。

11、依据本揭示内容一实施方式提供一种成像镜头模块,其包含一成像透镜组与至少一如前述实施方式的金属遮光元件,其中金属遮光元件与成像透镜组对应设置。

12、依据本揭示内容一实施方式提供一种电子装置,其包含如前述实施方式的成像镜头模块与一电子感光元件,其中电子感光元件设置于成像镜头模块的一成像面。

13、依据本揭示内容一实施方式提供一种金属遮光元件,其环绕于一中心轴,且包含一外径面、一第一环面、一第二环面及一抗反射层。外径面环绕金属遮光元件。第一环面相对外径面设置,且第一环面较外径面靠近中心轴。第二环面相对外径面设置,第二环面较外径面靠近中心轴,且第一环面与第二环面连接并且形成一最小开孔结构。抗反射层设置于第一环面与第二环面,并包覆最小开孔结构,且包含一光线吸收层与一纳米结构层,其中纳米结构层设置于光线吸收层上。第一环面沿中心轴的长度为l1,第二环面沿中心轴的长度为l2,其满足下列条件:0.01mm≤l1+l2≤3.00mm。

14、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中光线吸收层为碳黑材料层。

15、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中纳米结构层包含多个纳米结构单元,且纳米结构单元形成一纳米脊状凸起结构层。

16、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中纳米结构层包含一连接层,且连接层设置于光线吸收层与纳米脊状凸起结构层之间。

17、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中连接层的厚度为d,其满足下列条件:30nm≤d≤500nm。

18、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中各纳米结构单元的高度为h,其满足下列条件:90nm≤h≤350nm。另外,其满足下列条件:90nm≤h≤290nm。

19、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中第一环面沿中心轴的长度为l1,第二环面沿中心轴的长度为l2,其满足下列条件:0.03≤l1/l2≤5。

20、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,还包含一凹槽结构,其中凹槽结构设置于第一环面与第二环面中至少一者,凹槽结构朝向外径面凹陷,且抗反射层的至少一部分设置于凹槽结构上。

21、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中最小开孔结构具有至少一缩孔结构,且缩孔结构较最小开孔结构的最大外径靠近中心轴。

22、依据本揭示内容一实施方式提供一种金属遮光元件,其环绕于一中心轴,且包含一外径面、一第一环面、一第二环面及一抗反射层。外径面环绕金属遮光元件。第一环面相对外径面设置,且第一环面较外径面靠近中心轴。第二环面相对外径面设置,第二环面较外径面靠近中心轴,且第一环面与第二环面连接。抗反射层设置于第一环面与第二环面中至少一者,且包含一光线吸收层与一纳米结构层,其中纳米结构层设置于光线吸收层上。纳米结构层包含多个纳米结构单元,各纳米结构单元的高度为h,其满足下列条件:90nm≤h≤350nm。

23、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中纳米结构单元形成一纳米脊状凸起结构层。

24、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中各纳米结构单元的高度为h,其满足下列条件:90nm≤h≤290nm。

25、依据前段所述实施方式的金属遮光元件,其中光线吸收层为碳黑材料层。



技术特征:

1.一种金属遮光元件,其特征在于,环绕于一中心轴,且包含:

2.如权利要求1所述的金属遮光元件,其特征在于,该光线吸收层为碳黑材料层。

3.如权利要求1所述的金属遮光元件,其特征在于,该纳米结构层包含多个纳米结构单元,且所述多个纳米结构单元形成一纳米脊状凸起结构层。

4.如权利要求3所述的金属遮光元件,其特征在于,该纳米结构层包含一连接层,且该连接层设置于该光线吸收层与该纳米脊状凸起结构层之间。

5.如权利要求4所述的金属遮光元件,其特征在于,该连接层的厚度为d,其满足下列条件:

6.如权利要求3所述的金属遮光元件,其特征在于,各该纳米结构单元的高度为h,其满足下列条件:

7.如权利要求6所述的金属遮光元件,其特征在于,各该纳米结构单元的高度为h,其满足下列条件:

8.如权利要求1所述的金属遮光元件,其特征在于,该尖端开孔结构具有至少一缩孔结构,且该至少一缩孔结构较该尖端开孔结构的最大外径靠近该中心轴。

9.如权利要求1所述的金属遮光元件,其特征在于,该夹角为α,其满足下列条件:

10.如权利要求9所述的金属遮光元件,其特征在于,该夹角为α,其满足下列条件:

11.如权利要求1所述的金属遮光元件,其特征在于,还包含:

12.一种成像镜头模块,其特征在于,包含:

13.一种电子装置,其特征在于,包含:

14.一种金属遮光元件,其特征在于,环绕于一中心轴,且包含:

15.如权利要求14所述的金属遮光元件,其特征在于,该光线吸收层为碳黑材料层。

16.如权利要求14所述的金属遮光元件,其特征在于,该纳米结构层包含多个纳米结构单元,且所述多个纳米结构单元形成一纳米脊状凸起结构层。

17.如权利要求16所述的金属遮光元件,其特征在于,该纳米结构层包含一连接层,且该连接层设置于该光线吸收层与该纳米脊状凸起结构层之间。

18.如权利要求17所述的金属遮光元件,其特征在于,该连接层的厚度为d,其满足下列条件:

19.如权利要求16所述的金属遮光元件,其特征在于,各该纳米结构单元的高度为h,其满足下列条件:

20.如权利要求19所述的金属遮光元件,其特征在于,各该纳米结构单元的高度为h,其满足下列条件:

21.如权利要求14所述的金属遮光元件,其特征在于,该第一环面沿该中心轴的长度为l1,该第二环面沿该中心轴的长度为l2,其满足下列条件:

22.如权利要求14所述的金属遮光元件,其特征在于,还包含:

23.如权利要求14所述的金属遮光元件,其特征在于,该最小开孔结构具有至少一缩孔结构,且该至少一缩孔结构较该最小开孔结构的最大外径靠近该中心轴。

24.一种金属遮光元件,其特征在于,环绕于一中心轴,且包含:

25.如权利要求24所述的金属遮光元件,其特征在于,所述多个纳米结构单元形成一纳米脊状凸起结构层。

26.如权利要求25所述的金属遮光元件,其特征在于,各该纳米结构单元的高度为h,其满足下列条件:

27.如权利要求24所述的金属遮光元件,其特征在于,该光线吸收层为碳黑材料层。


技术总结
一种金属遮光元件、成像镜头模块及电子装置,金属遮光元件环绕于一中心轴,且包含一外径面、一第一环面、一第二环面及一抗反射层。外径面环绕金属遮光元件。第一环面相对外径面设置,且第一环面较外径面靠近中心轴。第二环面相对外径面设置,第二环面较外径面靠近中心轴,且第一环面与第二环面连接并且形成一最小开孔结构。抗反射层设置于第一环面与第二环面,并包覆最小开孔结构,且包含一光线吸收层与一纳米结构层,其中纳米结构层设置于光线吸收层上。借此,可提升遮光效率。

技术研发人员:蔡温祐,张临安,周明达
受保护的技术使用者:大立光电股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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