一种光模块的制作方法

本申请涉及光纤通信，尤其涉及一种光模块。

背景技术：

1、50g gpon的国际标准itu-t g.9804.3在2021年9月已经发布。为维持当前pon29db/32db的链路预算，50g pon标准对olt光模块发射的光的光功率提出了更高的要求。当前常规的53gbaud的eml无法满足50g pon发射的光的光功率的要求。

2、为了满足50g pon标准对olt光模块发射的光的光功率的要求，许多国际大厂纷纷研制50g pon用的eml+soa芯片方案。但目前正在研制50g pon用的eml+soa芯片方案的国际大厂均遇到难以突破的技术难题，目前尚无50g pon olt用的eml+soa光器件推出。因此，还没有一种光模块可以满足50g pon发射的光的光功率的要求。

技术实现思路

1、本申请提供了一种光模块，满足50g pon发射的光的光功率的要求。

2、一种光模块，包括：

3、光收发组件，包括收发壳体和第三电路板；

4、收发壳体，第一端设有用于光信号射出或者射入的光窗，第二端设有用于第三电路板插入的插入口，内部设有光学组件；

5、第三电路板，设置有挖空区域；

6、光学组件，包括激光芯片、第一透镜、铌酸锂芯片、第二透镜、第二滤光片、第三透镜、接收转折棱镜和光接收芯片；

7、激光芯片、第一透镜、第二透镜、第二滤光片、接收转折棱镜、第三透镜和光接收芯片均位于收发壳体的第一端，铌酸锂芯片位于收发壳体的第二端；

8、第一透镜，位于激光芯片与铌酸锂芯片之间；

9、铌酸锂芯片，与挖空区域对应设置，包括衬底和铌酸锂薄膜，光损耗小于10db；

10、铌酸锂薄膜，铺设于衬底上，厚度小于100μm；

11、第二透镜，位于铌酸锂芯片与第二滤光片之间；

12、第二滤光片，位于激光芯片与第三透镜之间；

13、接收转折棱镜，位于光接收芯片的上方。

14、有益效果：本申请提供了一种光模块，包括光收发组件。光收发组件包括收发壳体和第三电路板。收发壳体，第一端设有用于光信号射出或者射入的光窗，第二端设有用于第三电路板插入的插入口，内部设有光学组件。第三电路板设置有挖空区域。收发壳体中的第一光信号经光窗射出，光纤适配器中的第二光信号经光窗射入收发壳体中。电路板经插入口插入收发壳体中。为了保证电路板与收发壳体之间的密封性，电路板对应插入口处的区域铺设有铜皮，收发壳体为金属收发壳体，电路板与收发壳体的插入口焊接连接，保证电路板与收发壳体之间的密封性。光学组件包括激光芯片、第一透镜、铌酸锂芯片、第二透镜、第二滤光片、第三透镜、接收转折棱镜和光接收芯片。激光芯片、第一透镜、第二透镜、第二滤光片、第三透镜、接收转折棱镜和光接收芯片均位于收发壳体的第一端，铌酸锂芯片位于收发壳体的第二端。激光芯片为大功率dfb激光芯片。大功率dfb激光芯片用于发射大功率光。第一透镜，位于激光芯片与铌酸锂芯片之间，用于将大功率光耦合至铌酸锂芯片。铌酸锂芯片，与挖空区域对应设置，包括衬底和铌酸锂薄膜，光损耗小于10db，用于调制大功率光得到调制后光信号。铌酸锂薄膜，铺设于衬底上，厚度小于100μm。由于铌酸锂芯片比较小，集成精度比较高，则相对比硅光芯片来说，铌酸锂芯片具有功耗低、光损耗低等优点。其中，硅光芯片的光损耗小于11.2db，铌酸锂芯片的光损耗小于10db。由于硅光芯片的光损耗小于11.2db，为了使包括dfb激光芯片+硅光芯片组合的光模块满足50g pon发射的光的光功率的要求，要求dfb激光芯片发射的光的光功率＞158mw。由于铌酸锂芯片的光损耗小于10db,为了使包括dfb激光芯片+铌酸锂芯片组合的光模块满足50g pon发射的光的光功率的要求，要求dfb激光芯片发射的光的光功率＞80mw。常规dfb激光芯片发射的光的光功率小于50mw，大功率dfb激光芯片发射的光的光功率小于120mw。从目前技术上来说，dfb激光芯片发射的光的光功率全温状态下很难满足120mw以上。因此，为了光模块可以满足50g pon发射的光的光功率的要求，光模块只能采用dfb激光芯片+铌酸锂芯片的组合方式。第二透镜，位于铌酸锂芯片与第二滤光片之间，用于将调制后光信号准直得到准直光信号。第二滤光片，位于激光芯片与第三透镜之间，用于将准直光信号透射至光纤适配器。第三透镜，位于第二滤光片与接收转折棱镜之间，用于将第二滤光片反射的第二光信号耦合至接收转折棱镜。接收转折棱镜，位于光接收芯片的上方，用于改变第二光信号，以使第二光信号反射至光接收芯片。本申请中，激光芯片提供大功率光，铌酸锂芯片的光损耗小于硅光芯片的光损耗，使得经铌酸锂芯片调制的调制后光信号满足50g pon发射的光的光功率的要求。

技术特征：

1.一种光模块，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述收发管座包括收发侧板和收发底板；

3.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，所述第一支撑凸起包括第一侧板和第二侧板；

4.根据权利要求3所述的光模块，其特征在于，所述第一支撑凸起的高度小于或者等于所述第二支撑凸起的高度。

5.根据权利要求3所述的光模块，其特征在于，还包括电路板；

6.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述第二滤光片，可以包括两个45°三棱镜，两个45°三棱镜的斜边粘接，其中一个斜边镀有滤光薄膜；也可以仅包括一个玻璃片，其中，玻璃片朝向光纤的一面镀有滤光薄膜。

7.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述第一透镜，可以为一个聚焦透镜；也可以为一个准直透镜和一个聚焦透镜。

8.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述接收转折棱镜可与所述第三透镜连接，也可不与所述第三透镜连接，其中，所述接收转折棱镜的角度为41°～43°。

9.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述光收发组件还包括透镜固定座和光纤适配器；

10.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所示置物槽内设置有tec；

技术总结
本申请公开了一种光模块，包括光收发组件。光收发组件包括收发壳体和第三电路板。收发壳体，第一端设有光窗，第二端设有用于第三电路板插入的插入口，内部设有光学组件。第三电路板设置有挖空区域。光学组件包括激光芯片、第一透镜、铌酸锂芯片、第二透镜、第二滤光片、第三透镜、接收转折棱镜和光接收芯片。激光芯片、第一透镜、第二透镜、第二滤光片、接收转折棱镜、第三透镜和光接收芯片均位于收发壳体的第一端，铌酸锂芯片位于收发壳体的第二端。铌酸锂芯片与挖空区域对应设置。本申请中，激光芯片提供大功率光，铌酸锂芯片的光损耗小于硅光芯片的光损耗，使得经铌酸锂芯片调制的调制后光信号满足50GPON发射的光的光功率的要求。

技术研发人员：邵乾,刘维伟,张强,张晓廓
受保护的技术使用者：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17