表膜和表膜组件的制作方法

表膜和表膜组件
1.本技术是国际申请pct/ep2016/079599于2016年12月2日进入中 国国家阶段、申请号为201680082151.3的发明申请的分案申请。
2.相关申请的交叉引用
3.本技术要求于2015年12月17日提交的ep申请15200767.0、2016 年4月27日提交的美国申请62/328,291以及2016年7月22日提交的 美国申请62/365,524的优先权，这些申请的内容在此通过引用全文并入 本文中。
技术领域
4.本发明涉及表膜和表膜组件。表膜组件可以包括表膜和用于支撑表 膜的框架。表膜可适用于与光刻设备的图案形成装置一起使用。本发明 具体但非排他性地与euv光刻设备和euv光刻工具结合使用。


背景技术：

5.光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻 设备可以用于集成电路(ic)的制造中。光刻设备可例如将来自图案形 成装置(例如，掩模)的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗 蚀剂)层上。
6.光刻设备用于将图案投影到衬底上所使用的辐射波长确定了可以 在该衬底上形成的特征的最小尺寸。使用euv辐射(具有在4-20nm范 围内的波长的电磁辐射)的光刻设备可用于在衬底上形成比常规光刻设 备(所述常规光刻设备可以例如使用波长为193nm的电磁辐射)更小 的特征。
7.可以使用图案形成装置在光刻设备中将图案赋予辐射束。可以通过 表膜保护图案形成装置免受颗粒污染物。表膜可以由表膜框架支撑。
8.在光刻术中使用的表膜是公知的并且是公认的。duv光刻设备中 的典型表膜是隔膜，所述隔膜远离图案形成装置并且在使用中位于光刻 设备的焦平面之外。因为表膜在光刻设备的焦平面之外，所以落在表膜 上的污染物颗粒在光刻设备中焦点未对准或失焦。因此，污染物颗粒的 图像不会投影到衬底上。如果表膜不存在，那么落在图案形成装置上的 污染物颗粒将被投影到衬底上并将缺陷引入被投影的图案中。
9.可能期望在euv光刻设备中使用表膜。euv光刻术与duv光刻 术的不同之处是euv光刻术典型地在真空中执行，并且图案形成装置 是典型地反射式的，而不是透射式的。
10.可能期望提供克服或缓解与现有技术相关联的问题的表膜和表膜 组件。在此描述的本发明的实施例可以用在euv光刻设备中。本发明 的实施例也可以用在duv光刻设备或其他形式的光刻设备中。


技术实现要素：

11.根据本发明的第一方面，提供了一种适合与用于光刻设备的图案形 成装置一起使用的表膜，所述表膜包括至少一个破裂区域，所述至少一 个破裂区域被配置成在光刻设
备中的正常使用期间在表膜的剩余区域 破裂之前优先破裂。
12.在表膜中包括破裂区域有利于允许预先确定首先破裂的表膜上的 位置。表膜的破裂区域可以在结构上弱于表膜的周围部分。破裂区域可 以配置成使得表膜以受控的方式破裂，这限制了任何表膜碎片对周围环 境的污染。附加地或替代地，破裂区域提供表膜的可以监测表膜即将发 生故障的标志的区域。破裂区域的破裂可以指示表膜的其余部分将很快 发生故障，并且当检测到时，可以对表膜采取行动以从操作中移除表膜。
13.所述至少一个破裂区域可以包括所述表膜的当与所述表膜的周围 区域相比时具有减小的厚度的区域。
14.所述至少一个破裂区域可以包括所述表膜的已暴露于辐射的区域， 以便在与所述表膜的剩余区域相比时在结构上使所述破裂区域变弱。
15.所述至少一个破裂区域可包括所述表膜的其中形成一个或更多个 孔和/或裂缝的区域。
16.所述至少一个破裂区域可以包括所述表膜的已经暴露于物质的区 域，所述物质被配置为当与所述表膜的剩余区域相比时在结构上使所述 破裂区域变弱。
17.表膜还可包括邻近破裂区域定位的增强区域，其中与表膜的其余区 域相比，所述增强区域具有增加的厚度。
18.增强区域在表膜上的轨迹可以为的弯曲形状。
19.所述至少一个破裂区域可以包括断裂线，所述断裂线被配置成在所 述表膜的剩余区域破裂之前优先破裂，从而沿着所述断裂线在所述表膜 中形成裂缝。
20.表膜还可以包括传感器，所述传感器被配置为监测至少一个破裂区 域并检测至少一个破裂区域的破裂。
21.根据本发明的第二方面，提供了一种表膜组件，包括：根据第一方 面的表膜；框架，配置成支撑表膜；其中，所述表膜包括由所述框架支 撑的周边部分和由所述周边部分包围的无支撑部分。
22.断裂线可以在表膜的由框架支撑的周边部分的段之间延伸。
23.断裂线可以包围表膜的定位无支撑部分的边缘处的部分。
24.表膜的增强部分的部分可以接触框架。
25.增强部分的厚度增加引起增强部分被加热到比表膜的其他部分更 高的温度。表膜的增强部分和框架之间的接触在增强部分和框架之间提 供热连接，这允许热量传导出表膜并进入框架。
26.所述至少一个破裂区域可以形成由所述框架支撑的所述表膜的周 边部分的部分。
27.根据本发明的第三方面，提供了一种适合与用于光刻设备的图案形 成装置一起使用的表膜组件，所述表膜组件包括：框架，被配置为支撑 表膜；和附接至框架的表膜，其中表膜包括至少具有第一张力的第一层 和具有第二张力的第二层，其中第一张力高于第二张力，使得在表膜破 裂的情况下第一张力和第二张力之间的差引起表膜卷起。
28.在表膜破裂时自身卷起的表膜有利地其自身内包含任何表膜碎片。 这减少了表膜碎片对周围环境的污染。
29.表膜还可以包括至少一个破裂区域，所述至少一个破裂区域被配置 成在光刻设
备中的正常使用期间在表膜的剩余区域破裂之前优先破裂， 所述至少一个破裂区域被定位成使得表膜在至少一个破裂区域处的破 裂确保表膜卷起。
30.根据本发明的第四方面，提供了一种适合与用于光刻设备的图案形 成装置一起使用的表膜，所述表膜包括：至少一个导电层；和多个电触 点，在所述电触点处可以建立与所述至少一个导电层的电连接，从而允 许测量触点之间的导电层的电阻。
31.根据本发明的第五方面，提供了一种表膜故障检测设备，包括：根 据第四方面的表膜；和连接到表膜上的电触点中的至少两个电触点的传 感器，所述传感器配置成测量电触点之间的电阻。
32.表膜中的导电层可以配置成从表膜发射热能，以便调节表膜的温度。 随着时间的推移，导电层可能被氧化。导电层的氧化引起所述层的发射 率降低，从而降低了从表膜发射热能的效率。导电层的氧化还增加了所 述层的电阻。传感器可以检测导电层的电阻的增加，这表示所述层的氧 化和所述层的发射率的降低。如果导电层的电阻增加到阈值量以上，那 么表膜可能不再适合使用并且可以更换表膜。
33.导电层的电阻的增加可以附加地或替代地指示表膜中的裂缝。因此， 利用传感器监测导电层的电阻可以允许识别表膜中的裂缝。
34.根据本发明的第六方面，提供了一种表膜故障检测设备，包括传感 器组件，所述传感器组件被布置成检测与位于表膜框架上的表膜相关联 的属性的变化，其中与表膜相关联的属性的变化指示对表膜的损坏。
35.传感器组件可以被配置为检测表膜对辐射的光学透射或光学反射 的变化。
36.传感器组件可以包括：辐射源，被配置为将辐射束耦合到表膜中， 使得辐射沿着表膜被透射；和辐射传感器，被配置为接收通过表膜反射 回来的辐射或者接收透射通过表膜的辐射，由传感器接收的反射的辐射 或透射的辐射的变化指示对表膜的损坏。
37.传感器组件可以被配置为检测表膜对声波的声透射或声反射的变 化。
38.传感器组件可包括：换能器，被配置为在表膜中产生声波；和传感 器，被配置为接收通过表膜反射回来的声波或接收通过表膜透射的声波， 由传感器接收的反射的或透射的声波的变化指示对表膜的损坏。
39.传感器组件可包括应力传感器，所述应力传感器配置成测量表膜所 经受的应力。
40.传感器可以包括应变仪，所述应变仪被配置为测量表膜所经历的应 变。
41.根据本发明的第七方面，提供了一种适合与用于光刻设备的图案形 成装置一起使用的表膜，所述表膜包括：具有第一延展性的第一层；具 有第二延展性的第二层；和具有第三延展性的第三层，其中第三层位于 第一层和第二层之间，并且其中第三延展性小于第一延展性并小于第二 延展性。
42.第三层的延展性小于第一层的延展性和第二层的延展性。因此，与 第一层和第二层相比，第三层是相对脆的。当表膜置于拉伸应力下时， 第三层将在第一层和第二层破裂之前破裂。在表膜临界破裂之前，第三 层的破裂导致能量耗散。在第三层破裂之后，第一层和第二层可能经历 进一步的应变，从而导致进一步的能量耗散。由于第三层位于第一层和 第二层之间，第三层的碎块将有利地被第一层和第二层容纳，因此将不 会污染周围环境。
43.根据本发明的第八方面，提供了一种碎片减缓设备，包括靠近用于 光刻设备的表膜布置的碎片转向装置，所述碎片转向装置被配置为沿优 选方向引导由表膜破裂产生的
碎片。
44.碎片减缓设备还包括传感器，所述传感器配置成监测表膜并检测表 膜的破裂，其中碎片转向装置配置成对表膜破裂的检测作出反应并沿优 选方向引导由表膜破裂产生的碎片。
45.碎片转向装置可包括：靠近表膜定位的封闭腔室，其中腔室内部被 保持在比表膜被保持所在的压力低的压力下；和致动器，被配置成响应 于检测到表膜的破裂而打开腔室，从而使得由破裂的表膜产生的碎片被 吸入腔室中。
46.碎片转向装置可包括：靠近表膜定位的封闭腔室，其中腔室内部被 保持在比表膜被保持所在的压力高的压力下；和致动器，被配置成响应 于检测到表膜的破裂而打开腔室，从而使得由破裂的表膜产生的碎片沿 优先方向或优选方向吹出腔室。
47.碎片转向装置可以包括靠近表膜定位的带电表面，使得在表膜破裂 的情况下，来自表膜的碎片通过静电引力被朝向带电表面引导。
48.根据本发明的第九方面，提供了一种碎片减缓设备，包括：传感器， 被配置为监测由框架保持的表膜并检测对表膜的损坏；和张力控制装置， 配置成对表膜的损坏的检测作出反应并减小表膜中的张力，从而限制对 表膜的进一步损坏。
49.张力控制装置可以包括多个致动器，所述多个致动器被配置成压缩 其上保持有表膜的框架，从而减小由框架保持的表膜中的张力。
50.张力控制装置可以包括温度控制装置，所述温度控制装置被配置为 增加表膜的温度，从而减小表膜中的张力。
51.温度控制装置可以被配置为通过电阻加热来增加表膜的温度。
52.温度控制装置可以包括辐射源，所述辐射源配置成照射表膜的全部 或部分，从而增加表膜的温度。
53.根据本发明的第十方面，提供了一种表膜框架，配置成围绕表膜的 周边部分支撑表膜以包围表膜的悬挂区域，其中，所述表膜框架包括： 第一对侧部分，定位在表膜的悬挂区域的相对的边缘处并沿着表膜的悬 挂区域的边缘在第一方向上延伸；和第二对侧部分，定位在表膜的悬挂 区域的相对的边缘处并沿着表膜的悬挂区域的边缘在第二方向上延伸， 第二方向基本垂直于第一方向；其中，第一对侧部分配置成在第二方向 上的顺应性大于第二对侧部分在第一方向上的顺应性，使得由表膜框架 支撑的表膜在第二方向上的初始张力小于表膜的在第一方向上的初始 张力。
54.第一对侧部分可以每个在第二方向上的厚度小于第二对侧部分在 第一方向上的厚度。
55.第一对侧部分可以每个包括沿第一对侧部分在第一方向上延伸的 狭缝。
56.根据本发明的第十二方面，提供了一种表膜故障检测设备，包括： 辐射源，被配置为利用辐射束照射被布置为保护图案形成装置的表膜的 一部分；传感器，被布置为检测从表膜反射的辐射束的一部分；和控制 器，与传感器通信并且被配置为根据由传感器进行的对反射的辐射的检 测而检测表膜的故障。
57.表膜故障检测设备可以有利地用于远程监测表膜的故障。辐射源可 以与光刻设备中设置的辐射源分离，所述辐射源用于执行光刻曝光的目 的。辐射源可以例如包括激光器。辐射源可以发射波长比与紫外辐射相 关联的波长更长的辐射束。
58.辐射源可以配置成使得辐射束以非法向入射角入射导表膜上。
59.通过利用辐射以非法向入射角照射表膜，反射的辐射的位置依赖于 辐射是否已经从表膜或位于表膜后面的图案形成装置反射。因此，从表 膜反射的辐射可以与从图案形成装置反射的辐射(基于反射的辐射的位 置)区分开。因此，可以独立于从图案形成装置反射的辐射来测量从表 膜反射的辐射。这种测量可以允许根据从表膜反射的辐射的测量来检测 表膜的故障。
60.传感器可以布置成检测自表膜的辐射束的漫反射。
61.传感器可以布置成检测自表膜的辐射束的镜面反射。
62.控制器可以被配置为当由传感器进行的从表膜反射的辐射束的部 分的强度的测量值下降到阈值以下时检测表膜的故障。
63.传感器还可以被配置为检测从图案形成装置反射的辐射束的一部 分，从图案形成装置反射的辐射束的一部分在与从表膜反射的辐射束的 一部分不同的位置处入射到传感器上。
64.传感器可包括：第一传感器区域，被配置为检测从表膜反射的辐射； 和第二传感器区域，被配置为检测从图案形成装置反射的辐射。
65.根据本发明的第十三方面，提供了一种表膜故障检测设备，包括： 辐射源，被配置为利用辐射束照射由表膜保护的图案形成装置的一部分， 其中辐射束透射通过表膜；传感器设备，被配置为接收和测量透射通过 表膜的辐射束的至少一部分；控制器，与传感器设备通信并且被配置为 当传感器设备接收的辐射的强度的测量值增加时检测表膜的故障。
66.辐射源可以例如发射euv辐射。辐射源可以形成光刻设备的一部 分，并且可以另外用于执行光刻曝光的目的。由辐射源提供的辐射可以 通过一个或更多个其他部件被引导入射到图案形成装置上，所述其他部 件可以被认为形成照射系统。
67.图案形成装置可以包括反射基准，传感器设备可以被配置为测量从 基准反射的辐射束的一部分。
68.传感器设备和控制器还可以被配置为确定在从基准反射的辐射束 的部分中形成的特征的对准。
69.传感器设备和控制器还可以被配置为确定从基准反射的辐射束的 部分中的波前像差。
70.根据本发明的第十四方面，提供了一种适合与用于光刻设备的图案 形成装置一起使用的表膜，所述表膜包括多个终端特征，其中终端特征 被配置成使得在表膜中的具有裂缝尖端的裂缝传播到终端特征中的情 况下，裂缝尖端在裂缝尖端处经历应力减小。
71.终端特征可以有利地终止裂缝通过表膜的传播。这可以防止裂缝损 坏表膜的其他部分并且可以防止表膜完全故障(即，裂缝基本上横跨整 个表膜延伸)。通过使用终端特征终止裂缝，可以减少表膜碎片的产生。 因此，在表膜故障的情况下，终端特征有利地减少了表膜碎片对周围化 合物的污染。
72.终端特征可以配置成使得当表膜置于张力下时，终端特征中产生的 应力小于终端特征外部的表膜的区域中的产生的应力。
73.终端特征可以以基本上规则的图案布置。
74.端接特征可包括在表膜中形成的孔。
75.孔可以是基本上圆形的孔。
76.孔可以具有大于约10纳米的横向尺寸。
77.横向尺寸可以是例如孔的半径。
78.孔可以具有大于约20纳米的横向尺寸。
79.终端特征可以包括掺杂有掺杂材料的表膜的掺杂区域。
80.在一些实施例中，掺杂材料可以是p型掺杂剂。在一些实施例中， 掺杂材料可以是s型掺杂剂。
81.在一些实施例中，表膜可包括硅(例如，多晶硅薄膜)。在这样的 实施例中，掺杂材料可以是p型掺杂剂，诸如包括硼、铝、氮、镓和/ 或铟中的一种或更多种的掺杂剂。附加地或替代地，掺杂材料可以是n 型掺杂剂，诸如包括磷、砷、锑、铋和/或锂的掺杂剂。
82.在一些实施例中，表膜可包括石墨烯。在这样的实施例中，掺杂材 料可包括硼、氮、钛、铬、铂、钴、铟和/或硫中的一种或更多种。附 加地或替代地，掺杂材料可包括有机分子、酸、碱和/或卤化物中的一 种或更多种。在一些实施例中，掺杂材料可包括过渡金属，例如铜、镍、 钌、钼和/或铂。
83.掺杂材料可以包括硼。
84.掺杂的区域可以是基本上圆形的。
85.终端特征可以包括掺杂有掺杂材料的掺杂区域的多个条。
86.掺杂区域的条可以基本上彼此平行地布置。
87.掺杂区域可具有大于约10纳米的横向尺寸。
88.掺杂区域可具有大于约20纳米的横向尺寸。
89.表膜可以包括终端特征，所述终端特征包括掺杂有掺杂材料的表膜 的边界部分，其中边界部分围绕表膜的悬挂区域的周边布置，悬挂区域 是配置为横跨表膜框架悬挂的区域。
90.根据本发明的第十五方面，提供了一种用于光刻设备的负载平台， 所述负载平台包括：腔室，被配置为接收由表膜保护的图案形成装置； 传感器设备，被配置为测量位于腔室中的表膜的至少一部分的位置；压 力改变设备，被被配置为改变腔室内的压力，其中压力改变设备被配置 为响应于对表膜的至少一部分的位置的测量来控制腔室内的压力改变 的速率。
91.压力改变设备可以被配置成响应于指示表膜的位置位于表膜的位 置的期望范围之外的测量值而降低腔室内的压力改变的速率。
92.表膜的位置的期望范围可以位于距图案形成装置的最小距离和距 图案形成装置的最大距离之间。
93.传感器设备可包括：辐射源，被配置成用辐射照射表膜的至少一部 分；和辐射传感器，被布置为接收和测量从表膜反射的辐射。
94.辐射源可以被配置为以非法向入射角照射表膜，并且其中辐射传感 器被配置为测量反射的辐射入射在辐射传感器上的位置。
95.传感器设备可包括共焦成像传感器。
96.传感器设备可以定位在腔室外部，并且腔室可以包括窗，所述窗被 配置为允许辐射传播到腔室中和传播出腔室。
97.压力改变设备可以被配置为在将图案形成装置装载到光刻设备中 时将腔室泵吸到真空压力条件。
98.压力改变设备可以被配置成在从光刻设备卸载图案形成装置时将 腔室通风至大气压力条件。
99.负载平台还可以包括控制器，所述控制器被配置为记录根据腔室内 的压力变化的表膜位置的变化。
100.控制器还可以被配置为根据记录的根据腔室内的压力变化的表膜 位置的变化来检测表膜的疲劳。
101.根据本发明的第十六方面，提供了一种处理表膜的方法，所述方法 包括：加热表膜的至少一部分到高于表膜的延展性至脆性转变温度的温 度；并且将表膜置于张力下，其中表膜中的张力足以引起表膜的加热的 部分中的至少一部分的塑性变形。
102.加热表膜的至少一部分可以包括仅局部加热表膜的一些部分。
103.加热表膜的至少一部分可以包括加热表膜所附接至的表膜框架。
104.加热表膜的至少一部分可以包括用辐射照射表膜的至少一部分。
105.加热表膜的至少一部分可包括用激光束照射表膜的至少一部分。
106.将表膜置于张力下可包括横跨表膜框架悬挂表膜。
107.将表膜置于张力下还包括横跨表膜产生压力差。
108.根据本发明的第十七方面，提供了一种适合与用于光刻设备的图案 形成装置一起使用的表膜组件，所述表膜组件包括：框架，被配置成支 撑表膜；附接到框架上的表膜，其中表膜包括至少一个导电层；和电流 源，横跨至少一个导电层被连接并且被配置为产生通过所述至少一个导 电层的电流，其中所述电流源被配置为产生电流，所述电流通过电阻加 热来加热所述表膜，使得所述表膜的温度高于阈值温度。
109.阈值温度可以是约120摄氏度。
110.电流源可以配置成产生通过至少一个导电层的基本上连续的电流。
111.根据本发明的第十八方面，提供了一种适合与用于光刻设备的图案 形成装置一起使用的表膜组件，所述表膜组件包括：框架，被配置成支 撑表膜；附接到框架上的表膜；和张力控制设备，被配置成调节表膜中 的张力。
112.张力控制设备可包括至少一个加热器，被配置成加热表膜组件中的 部件，其中加热表膜组件中的部件导致表膜中的张力增加。
113.所述至少一个加热器可以配置为加热所述表膜框架的至少一部分。 加热器可以设置在表膜框架的每一侧上。
114.表膜框架可包括具有第一杨氏模量和第一热膨胀系数的第一层和 具有大于第一杨氏模量的第二杨氏模量和大于第一热膨胀系数的第二 热膨胀系数的第二层，其中第二层布置成比第一层更靠近表膜。
115.所述至少一个加热器可以配置为加热所述表膜的至少一部分。
116.表膜可包括具有第一杨氏模量和第一热膨胀系数的第一层和具有 大于第一杨氏模量的第二杨氏模量和大于第一热膨胀系数的第二热膨 胀系数的第二层，其中第一层布置成比第二层更靠近表膜框架。
117.表膜可以包括至少一个区域，在所述至少一个区域中表膜的厚度大 于表膜的其
余部分的厚度。
118.所述至少一个区域可以靠近所述表膜的边缘。
119.在所述至少一个区域中，第二层的厚度可以大于表膜的其余部分中 的第二层的厚度。
120.所述至少一个加热器可以被配置为局部加热所述表膜的至少一个 区域，所述至少一个区域具有大于所述表膜的其余部分的厚度的厚度。
121.加热器可以被配置成通过电阻加热来加热表膜组件中的至少一个 部件。
122.张力控制设备可包括至少一个致动器，所述至少一个致动器被配置 成向表膜框架施加力，以便拉伸表膜框架并增加表膜中的张力。
123.根据本发明的第十九方面，提供了一种增强表膜的方法，包括使表 膜暂时经受张力。
124.表膜可以经受张力不到一秒钟。
125.张力可以作为冲击载荷施加。
126.本发明的不同方面的特征可以与本发明的其他方面的特征组合。
附图说明
127.现在将参照随附的示意性附图仅通过举例方式描述本发明的实施 例，在附图中：
128.图1是包括光刻设备和辐射源的光刻系统的示意图；
129.图2是图案形成装置和表膜组件的示意图；
130.图3是根据本发明的一个实施例的表膜的示意图；
131.图4a-4d是根据本发明的一个实施例的用于形成表膜的过程的多 个阶段的示意图；
132.图5是表膜组件和图案形成装置的示意图；
133.图6是根据本发明的一个实施例的表膜组件的示意图；
134.图7是在图6的表膜组件的表膜破裂之后表膜组件的一部分的示意 图；
135.图8是根据本发明替代实施例的表膜组件的一部分的示意图；
136.图9是根据本发明另一替代实施例的表膜组件的示意图；
137.图10是根据本发明又一替代实施例的表膜组件的示意图；
138.图11是根据本发明又一替代实施例的表膜组件的示意图；
139.图12a-12d是根据本发明的实施例的表膜故障检测设备的示意图；
140.图13a是根据本发明的一个实施例的表膜的示意图，图13b是图 13a的表膜可以经历的应力-应变曲线的图示；
141.图14是根据本发明的一个实施例的碎片减缓设备的示意图；
142.图15是根据本发明的替代实施例的碎片减缓设备的示意图；
143.图16是根据本发明另一替代实施例的碎片减缓设备的示意图；
144.图17a和17b是根据本发明的实施例的表膜框架的示意图；
145.图18是根据本发明的一个实施例的表膜故障检测设备的示意图；
146.图19是位于保护壳体内并由根据本发明的一个实施例的表膜故障 检测设备监测的图案形成装置和表膜组件的示意图；
147.图20是根据本发明的一个实施例的包括表膜故障检测设备的光刻 设备的示意图；
148.图21是根据本发明的一个实施例的表膜的示意图，所述表膜包括 终端特征；
149.图22是表膜中的裂缝的示意图；
150.图23是表膜中裂缝尖端处的应力随裂缝长度变化的示意图；
151.图24a和24b是表膜中裂缝传播的阶段的示意图；
152.图25是根据本发明的一个实施例的表膜的示意图，所述表膜包括 呈掺杂区域的条形式的终端特征；
153.图26是包括具有掺杂边界部分的表膜的表膜组件的示意图；
154.图27是包括加热器的表膜组件的示意图，所述加热器配置成加热 表膜框架；
155.图28a和28b是在表膜框架的部分被加热之前和之后表膜组件的 部分的示意图；
156.图29a和29b是表膜被加热之前和之后的表膜组件的示意图；以 及
157.图30是在表膜被加热之后根据替代实施例的表膜组件的示意图。
具体实施方式
158.图1示出了包括根据本发明的一个实施例的表膜组件15的光刻系 统的示意图。光刻系统包括辐射源so和光刻设备la。辐射源so被配 置成产生极紫外(euv)辐射束b。光刻设备la包括照射系统il，被 配置为支撑图案形成装置ma的支撑结构mt，投影系统ps和被配置 为支撑衬底w的衬底台wt。照射系统il被配置成在辐射束b入射到 图案形成装置ma上之前调节辐射束b。投影系统被配置为将(现在由 图案形成装置ma图案化的)辐射束b投射到衬底w上。衬底w可以 包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻设备将图案化的辐射束b与 先前在衬底w上形成的图案对准。
159.辐射源so、照射系统il和投影系统ps都可以被构造和布置成使 得它们可以与外部环境隔离。可以在辐射源so中提供低于大气压的压 力的气体(例如氢气)。可以在照明系统il和/或投影系统ps中提供真 空。可以在照明系统il和/或投影系统ps中提供远低于大气压的压力 下的少量气体(例如氢气)。
160.图1中所示的辐射源so是可以称为激光产生等离子体(lpp)源 的类型。激光器1(例如可以是co2激光器)布置成经由激光束2将能 量沉积到燃料中，例如从燃料发射器3提供的锡(sn)。尽管在下文的 描述中提到锡，但是可以使用任何合适的燃料。燃料可以例如是液体形 式，并且可以例如是金属或合金。燃料发射器3可以包括喷嘴，所述喷 嘴配置成沿着朝向等离子体形成区域4的轨迹引导例如呈液滴的形式的 锡。激光束2在等离子体形成区域4处入射到锡上。激光能量沉积到锡 中，在等离子体形成区域4处产生等离子体7。在等离子体的离子的去 激励和复合期间，从等离子体7发射辐射，包括euv辐射。
161.euv辐射由近垂直入射式辐射收集器5(有时更一般地称为垂直入 射式辐射收集器)收集和聚焦。收集器5可以具有多层结构，其布置成 反射euv辐射(例如，具有例如13.5nm的期望波长的euv辐射)。收 集器5可以具有椭圆形配置，所述配置具有两个椭圆焦点。第一焦点可 以在等离子体形成区域4处，第二焦点可以在中间焦点6处，如下文所 述。
162.在激光产生等离子体(lpp)源的其他实施例中，收集器5可以是 所谓的掠入射式收集器，其被配置为接收处于掠入射角的euv辐射并 将euv辐射聚焦在中间焦点。掠入射式
收集器可以是例如内嵌式收集 器，包括多个掠入射式反射器。掠入射式反射器可以围绕光轴o轴向对 称地设置。
163.辐射源so可包括一个或更多个污染物阱(未示出)。例如，污染 物阱可以位于等离子体形成区域4和辐射收集器5之间。污染物阱可以 例如是旋转翼片阱，或者可以是任何其他合适形式的污染物阱。
164.激光器1可以与辐射源so分离。在这种情况下，激光束2可以借 助于光束传输系统(未示出)从激光器1传递到辐射源so，光束传输 系统包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器、和/或其他光学器件。激 光器1和辐射源so可以一起被认为是辐射系统。
165.由收集器5反射的辐射形成辐射束b。辐射束b在点6处聚焦以形 成等离子体形成区域4的图像，其用作照射系统il的虚拟辐射源。辐 射束b被聚焦所在的点6可以称为中间焦点。辐射源so布置成使得中 间焦点6位于辐射源的包围结构9中的开口8处或附近。
166.辐射束b从辐射源so穿过进入照射系统il，该照射系统il被配 置成调节辐射束。照射系统il可包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳 反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起为 辐射束b提供所期望的横截面形状和所期望的角度分布。辐射束b从 照射系统il通过并入射到由支撑结构mt保持的图案形成装置ma上。 图案形成装置ma由表膜19保护，表膜19由表膜框架17保持在适当 位置。表膜19和表膜框架17一起形成表膜组件15。图案形成装置ma (例如可以是掩模)反射辐射束b并使辐射束b形成图案。除了琢面 场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11之外或代替琢面场反射镜装 置10和琢面光瞳反射镜装置11，照射系统il可以包括其他反射镜或装 置。
167.在从图案形成装置ma反射之后，图案化的辐射束b进入投影系 统ps。投影系统包括多个反射镜，所述反射镜配置成将辐射束b投影 到由衬底台wt保持的衬底w上。投影系统ps可以对辐射束施加缩小 因子，从而形成具有小于图案形成装置ma上的对应特征的特征的图像。 例如，可以施加为4的缩小因子。尽管投影系统ps在图1中具有两个 反射镜，但是投影系统可包括任意数量的反射镜(例如六个反射镜)。
168.例如，光刻设备可以以扫描模式使用，其中在将赋予辐射束的图案 投影到衬底w上(即动态曝光)的同时同步扫描支撑结构(例如，掩 模台)mt和衬底台wt。衬底台wt相对于支撑结构(例如掩模台) mt的速度和方向可以通过投影系统ps的缩小率和图像反转特性来确 定。入射在基板w上的图案化的辐射束可包括辐射带。辐射带可以称 为曝光狭缝。在扫描曝光期间，衬底台wt和支撑结构mt的移动可以 使得曝光狭缝在衬底w的曝光场之上行进。
169.图1中示出的辐射源so和/或光刻设备可以包括没有示出的部件。 例如，光谱滤光器可以设置在辐射源so中。光谱滤光器可以对euv 辐射基本上是透射的，但是对其他波长的辐射(诸如红外辐射)基本上 是阻挡的。
170.在光刻系统的其他实施例中，辐射源so可以采取其他形式。例如， 在替代实施例中，辐射源so可以包括一个或更多个自由电子激光器。 一个或更多个自由电子激光器可以配置成发射euv辐射，euv辐射可 提供给一个或更多个光刻设备。
171.如上面简要描述的，表膜组件15包括与图案形成装置ma相邻设 置的表膜19。表膜19设置在辐射束b的路径中，使得辐射束b在从照 明系统il接近图案形成装置ma时并且当其被图案形成装置ma朝向 投影系统ps反射时穿过表膜19。表膜19包括对euv辐射基本上透
明 的薄膜(尽管它将吸收少量的euv辐射)。表膜19用于保护图案形成 装置ma免受颗粒污染物。表膜19在本文中可称为euv透明表膜。
172.虽然可以努力在光刻设备la内保持清洁环境，但是颗粒仍然可能 存在于光刻设备la内。在不存在表膜19的情况下，颗粒可以沉积在 图案形成装置ma上。图案形成装置ma上的颗粒可能不利地影响赋予 辐射束b的图案和转印到衬底w的图案。表膜19有利地在图案形成装 置ma和光刻设备la中的环境之间提供阻挡，以便防止颗粒沉积在图 案形成装置ma上。
173.表膜19定位在与图案形成装置ma相距如下距离处：所述距离足 以使入射在表膜19的表面上的任何颗粒不在辐射束b的焦平面内。表 膜19和图案形成装置ma之间的这种间隔用于减小表膜19的表面上的 任何颗粒赋予辐射束b图案的程度。应当理解，在辐射束b中存在颗 粒，但是处于不在辐射束b的焦平面中的位置处(即，不在图案形成装 置ma的表面处)的情况下，则颗粒的任何图像将不会聚焦在衬底w 的表面上。在一些实施例中，表膜19和图案形成装置ma之间的间隔 可以例如在2mm和3mm之间(例如约2.5mm)。
174.图2是表膜组件15和图案形成装置ma的横截面和更多细节的示 意图。图案形成装置ma具有图案化的表面24。表膜框架17围绕表膜 19的周边部分支撑表膜19。表膜框架17可包括附接机构22，该附接机 构22配置成允许表膜框架可移除地附接到图案形成装置ma(即，允 许表膜框架可附接到图案形成装置ma并且可从图案形成装置ma拆 卸)。附接机构22配置成与设置在图案形成装置ma上的附接特征(未 示出)接合。附接特征可以例如是从图案形成装置ma延伸的突起。附 接机构22可以例如包括锁定构件，该锁定构件与突起接合并将表膜框 架17固定至图案形成装置ma。
175.可以设置多个附接机构和相关联的附接特征。附接机构可以围绕表 膜框架17分布(例如，框架的一侧上两个，并且框架的相反侧上两个)。 相关联的附接特征可以围绕图案形成装置ma的周边分布。
176.在图2中示意性地示出污染物颗粒26。污染物颗粒26入射在表膜 19上并且由表膜19保持。表膜19将污染物颗粒保持为充分地远离掩模 ma的图案化的表面24，使得污染物颗粒未通过光刻设备la被成像到 衬底上。
177.根据本发明的实施例的表膜组件可以允许(在图案形成装置上)提 供掩模图案，其在使用期间保持基本上无缺陷(保护掩模图案免受表膜 的污染)。在一些实施例中，可以在表膜框架和掩模之间提供分隔(例 如呈狭缝的形式)，其允许一些气体流入和流出表膜和掩模之间的空间。 这允许在不损坏表膜19的情况下执行掩模组件的抽气和排气。
178.图3是表膜19的横截面和更多细节的示意图。表膜19包括由多个 层31a-31d形成的薄的隔膜。在图3所示的实施例中，表膜包括四层 31a-31d。然而，在其他实施例中，表膜19可包括多于或少于四层。为 了便于图示，图3中所示的层31a-31d的厚度相对于表膜19的宽度被 夸大。因此，图3中所示的层31a-31d不是层31a-31d的按比例的表示。
179.表膜19包括主膜层31c。主膜层的厚度可以大于形成表膜19的其 他层31a、31b、31d中的每一个的厚度(如图3中示意性所示)。主膜 层31c可以包括诸如多晶硅(psi)膜的材料。多晶硅(psi)膜对euv 辐射基本上是透明的，因此适用于euv光刻设备。主膜层31c可以具 有约40nm量级的厚度。
180.可替代地，主膜层31c可以由对euv辐射基本上透明的一些其他 材料形成，例如石
墨烯、硅烯等。本文中提到的对euv辐射基本上是 透明的表膜或表膜的层含义是表膜或表膜的层透射至少65％的入射 euv辐射，优选地至少80％的入射euv辐射，更优选地至少90％的 入射euv辐射。
181.表膜19还包括第一覆盖层31b和第二覆盖层31d。第一覆盖层31b 和第二覆盖层31d位于主膜层31c的任一侧，以便封装主膜层31c。覆 盖层31b、31d用于保护主膜层31c免受表膜19可能暴露于其中的物质 的影响，并且如果与主膜层31c接触则可能对主膜层31c造成损坏。例 如，覆盖层31b、31d可用于保护主膜层31c免于暴露于氢自由基、等 离子体和痕量的氧，这些物质如果与主膜层31c接触，则可能导致主膜 层31c的损坏。因此，覆盖层31b、31d可用于减少由于暴露于有害物 质而对表膜19造成的任何损坏。第一覆盖层31b和/或第二覆盖层31d 可以例如具有约5nm量级的厚度。例如，第一覆盖层31b和/或第二覆 盖层31d可具有大于约3nm的厚度。第一覆盖层31b和/或第二覆盖层 31d的厚度可小于约7nm。
182.表膜19还包括发射层31a。发射层可以由具有相对高的热发射率的 材料形成。例如，发射层31a可以由金属(例如过渡金属，例如钌)形 成。在一些实施例中，发射层31a可以由石墨烯形成。在本发明的一些 实施例中，发射层31a可以是导电的，并且可以替代地称为导电层。导 电的发射层31a可以允许与发射层31a进行电连接，例如以便测量发射 层31a的电阻。
183.在光刻设备la中使用表膜19期间，表膜暴露至辐射(例如euv 辐射)。虽然表膜19被配置成对其所暴露至的辐射(例如euv辐射) 基本上是透明，但是一些辐射被表膜吸收，这些辐射用于加热表膜。期 望表膜的温度不会达到可能对表膜造成损坏的温度。发射层31a的相对 高的热发射率促进从表膜19发射热能，从而调节表膜19的温度。在表 膜19的温度没有超过可能导致对表膜19的显著损坏的温度的情况下， 发射层31a可以允许表膜19被暴露至增加的功率的辐射(相对于不包 括发射层的表膜)。
184.可以通过沉积过程形成表膜19的层31a-31d。例如，可以将第一层 沉积到衬底上，并且可以将剩余的层依次沉积在第一层的顶部上。可以 沉积层的合适的沉积过程可以是化学气相沉积(cvd)过程。
185.图4示意性地示出了制造表膜组件15的方法。首先参见图4a，表 膜19形成在衬底50(例如硅晶片)上。例如，可以使用化学气相沉积 (cvd)将层(例如，上面参考图3描述的层31a-31d)沉积到衬底50 上。然后将衬底50的矩形区域蚀刻掉，留下由剩余的衬底50围绕表膜19的周边部分55所支撑的表膜19。
186.围绕表膜19的周边部分55的衬底50的存在是有利的，因为它提 供了保持表膜19的拉紧的刚性框架。即，表膜19被刚性框架拉伸，使 得在表膜19中存在张力。表膜19由于其形成的方式(例如在cvd过 程中)而在产生时就是拉紧的。如果衬底50没有提供刚性框架来支撑 表膜19，而是提供具有柔性的框架，那么表膜19中的张力会使框架向 内弯曲。由于这种向内弯曲，表膜19中的张力将会丧失。该方法的剩 余步骤允许衬底50的外侧部分在表膜19中的张力没有丧失的情况下被 移除。如果表膜19中的张力将丧失，那么将发生表膜19的不受控制的 下垂，并且将在表膜19中看到褶皱。
187.由围绕表膜19的隔膜的外边缘延伸的衬底50所支撑的表膜的一部 分可以被称为表膜的周边部分55。周边部分55的外边缘由虚线示出。 周边部分55的内边缘由支撑表膜19的衬底50的内部范围限定，并且 在图4a中用实线示出。
188.图4b示意性地示出了可以夹持在衬底50上的盖。图4b的左手侧 的图示出了从上方观察的顶侧盖54和衬底50。图4b的右手侧的图示 出了在横截面中观察的顶侧盖54、衬底50和其他部件。将顶侧盖54 压靠衬底50并且压靠在表膜19的在使用中与图案形成装置ma相距最 远的一侧上。
189.图4b的右手侧上的虚线表示表膜19的位置。在这个实施例中，表 膜19位于衬底50的底侧。这是因为用于去除衬底50的的矩形区域的 蚀刻被施加到晶片的顶侧。在这样的实施例中，在表膜19和顶侧盖54 之间存在间隙。因此，顶侧盖54可以具有平坦的内表面。在替代实施 例中，表膜19位于衬底50的顶侧(蚀刻被施加到衬底的底侧)。在这 样的实施例中，在表膜19和顶侧盖54之间没有间隙，因此顶侧盖将包 括用于容纳表膜的下垂的凹部。
190.表膜框架17和底侧盖56设置在衬底50的相对侧上。表膜框架17 固定到表膜19的周边部分55上。框架17足够刚性以使其能够抵抗向 内弯曲并因此可以保持表膜19的张力。框架17可以使用胶或任何其他 合适的手段固定到周边部分55。将底侧盖56压靠衬底50并覆盖表膜19的底侧和框架17。表膜19的不与框架17接触的部分可以称为无支 撑部分。
191.从图4b可以看出，顶侧盖54在顶侧上覆盖表膜19，底侧盖56在 底侧上覆盖表膜19。因此，在它们之间，盖54、56形成包含附接到表 膜框架17的表膜19的密封包围结构。顶侧盖54和底侧盖56和框架17 在清洁条件下装配到衬底50上，以便当他们附接到衬底50上时使污染 物被引入表膜19的环境中的可能性最小化。实际上，制造表膜19并且 然后安装框架17和盖54、56的整个过程可以在清洁的条件下执行。
192.如图4c中示意性地示出的，使用切割工具(例如，铣床)将衬底50 的延伸到底侧盖56之外的部分修剪掉。在图4c中，衬底50的右手部 分已经被去除。衬底50的顶部分将要通过在由箭头60所指示的方向上 切割来去除。接着将去除衬底50的其他部分。因为表膜19被包含在密 封环境内，所以衬底50的该切割不会有将污染物引入到表膜19上的风 险。
193.一旦衬底50的边缘已被修剪掉，剩余组件就是如图4d所示的表膜 输送组件62。表膜输送组件62包括表膜隔膜19、衬底50的部分、表 膜框架17、顶侧盖54和底侧盖56。表膜输送组件62将表膜19保持在 污染物不能进入的密封环境中。框架17支撑表膜并维持表膜19中的张 力。
194.结合图4描述和示出的步骤提供维持表膜中的张力和避免表膜污染 物的表膜输送组件62。表膜输送组件62可以例如在单个位置被制造。 这与例如在第一制造位置制造表膜并随后将该表膜输送至第二位置以 装配到支撑框架上(在输送到第二位置期间可能会引入污染物)相比是有 利的。
195.表膜输送组件62可以例如被从表膜制造位置运送至掩模车间，在 掩模车间处将表膜装配到由光刻设备使用的图案形成装置ma(例如掩 模)上。表膜19和表膜框架17可以从表膜输送组件62的其余部分去 除掉，并且可以附接到图案形成装置ma。表膜框架17的刚性维持表 膜19中的张力，并且当表膜19定位在图案形成装置ma附近时保持表 膜19拉紧(例如，如在图2所能看见的)。
196.如上面参照图4所述的，表膜19形成为使得表膜19中存在张力。 表膜19的每层中的张力在层沉积到衬底50的过程中被建立，并通过后 续附接到表膜19的表膜框架17维持。表膜19的每层中的张力可以例 如通过沉积过程的属性来确定。例如，进行表膜19的层的沉积(例如 通过cvd)的温度和/或压力可以确定沉积层中的张力。因此，可以通 过控制沉积
层所被沉积的沉积过程的一个或更多个属性(例如温度和/ 或压力)来控制每层中的张力。
197.表膜19的每层中的张力还依赖于层相对于其上沉积层的材料的组 成。例如，包含沉积在多晶硅层上的钌的层将具有与包含沉积在氮化硅 层上的钌的层不同的张力，所述钌在相同的沉积条件(例如，执行沉积 的温度和压力)下沉积在氮化硅层上。因此，可以通过选择形成表膜19 的不同层的材料来额外地或替代地控制表膜19的每层中的张力。
198.在光刻设备la的使用过程中，表膜19可以经受引起表膜19磨损 并可能导致损坏表膜19的力和/或条件。例如，表膜19和/或表膜框架 17可能经历导致表膜19和/或表膜框架17的膨胀和/或收缩的温度变化 (例如，由于暴露于辐射)。表膜19和/或表膜框架的膨胀和/或收缩可 以在表膜19上施加额外的应力并且可能导致磨损并最终损坏表膜19。
199.表膜19也可以暴露于可以以化学方式改变表膜19的物质和/或条 件。例如，随着时间的推移，表膜19的发射层31a可以经历氧化。发 射层31a的氧化可以降低发射层31a的发射率，并且可以降低发射层31a 调节表膜19的温度的效率，从而导致对表膜19的进一步损坏。在光刻 设备la中，表膜19可以被暴露于诸如氢自由基的物质，该氢自由基 可以化学方式改变表膜19并且在结构上使得表膜19变弱。
200.在表膜19的寿命期间，表膜19可以经受压力变化。例如，表膜19 可以经历光刻设备la外部的大气压力条件，并且可以被抽气到真空压 力条件以用于光刻设备la中。表膜19经历的压力条件的变化可能导 致表膜19经历横跨表膜19的压力差。横跨表膜19的压力差可以对表 膜19施加额外的应力并且可以用于使表膜19朝向或远离图案形成装置 ma弯曲。
201.上述的过程和/或本文未描述的其他过程将随着时间的推移使表膜19弱化，直到表膜19破裂。例如，在表膜19中可能形成一个或更多个 裂缝，所述裂缝可能使表膜19破裂。破裂的表膜可能会破裂成几块。 表膜的碎块可能会污染周围环境。例如，破裂的表膜可能污染图案形成 装置ma并且可能使图案形成装置不可用。
202.为了限制由破裂的表膜19引起的污染，可以期望监测表膜19以便 检测表膜19可能接近破裂和/或检测到表膜19已经破裂。然后可以采 取行动从使用中去除表膜19和/或减轻可能由表膜19引起的任何潜在 污染。另外或替代地，可以期望配置表膜19使得当表膜19确实破裂时， 所述破裂以受控的方式进行，这导致很少地污染或没有污染。
203.本文所设想的本发明的实施例包括表膜19和/或表膜框架的特征， 其允许检测表膜的即将破裂和/或表膜19的破裂。还设想了如下所述的 实施例，即，在所述实施例中，表膜19被配置为以受控方式破裂。另 外的实施例包括配置成减轻由破裂的表膜19引起的污染的设备。
204.图5是表膜组件15的示意图，表膜组件15包括表膜19和表膜框 架17，表膜框架17附接到图案形成装置ma。表膜55包括附接到框架 17的周边部分55。图案形成装置ma包括图案化的区域71，在图案化 的区域71上形成要转印到衬底w上的图案。在光刻曝光期间，图案形 成装置ma的曝光场73暴露于辐射(例如euv辐射)。通过横跨曝光 场73扫描辐射的曝光狭缝75，曝光场73可以暴露于辐射。可以在y 方向(可以称为扫描方向)上扫描曝光狭缝，如图中用双箭头77所指 示的。在图5中还示出了垂直于y方向的x方向。x方向可以被称为非 扫描方向。可以通过图案形成装置ma相对于曝光狭缝75的移动在曝 光场73上扫描曝光狭缝75。
205.从图5中可以看出，表膜19包括位于曝光场73内但不覆盖图案化 的区域71的区域
79。表膜19的区域79因此经受与覆盖图案化的区域 71的表膜19相同的条件(包括通过暴露于辐射而加热)。然而，对表膜 19的该区域79的修改将不会影响入射在图案化的区域71或从图案化的 区域71反射的图案化的辐射束上的辐射。表膜19的位于曝光场73内 但不覆盖图案化的区域71的区域79可被称为可用区域79。对表膜19 的可用区域79的修改可以在不影响入射到图案化的区域71上或从图案 化的区域71反射的图案化的辐射束的辐射的情况下进行。对表膜19的 可用区域79进行的修改可以包括可以被监测用于表膜19可能即将故障 的标志的特征。对表膜19的可用区域79进行的修改可包括使表膜19 以受控方式破裂的特征。
206.图案形成装置ma可以另外包括标识(例如，基准点)81。标识 81可以例如用于对准测量，以便确定图案形成装置ma的对准。标识 81可位于表膜的可用区域79内。可以期望对表膜19的可用区域81的 任何修改不干扰使用标识81的任何对准测量。
207.图6是表膜组件15和图案形成装置ma的示意图，其中表膜组件 15的表膜19包括破裂区域83。图6的表膜组件15和图案形成装置ma 的许多特征与上面参照图5描述的表膜组件15和图案形成装置ma相 同，这里不再更详细描述。为了便于图示，图6中省略了图5中所示的 一些特征(例如，图6中未示出曝光狭缝75和标识81)。
208.表膜19的破裂区域83位于可用区域79内，因此不影响入射到图 案化的区域71上或从图案化的区域71反射的图案化的辐射束的辐射。 在表膜的剩余区域破裂之前，在光刻设备la中正常使用表膜19期间， 破裂区域83配置成优先破裂。例如，破裂区域83可以包括表膜19的 区域，所述区域与表膜19的周围区域相比时具有减小的厚度。例如， 在表膜19的制造期间，较少的材料可以沉积在破裂区域83中，从而使 得破裂区域83的厚度小于表膜19的周围区域的厚度。因此，破裂区域 83将在结构上比表膜19的周围区域弱，并且在破坏表膜19的剩余区域 之前将优先破裂。
209.附加地或替代地，破裂区域83可以包括表膜19的区域，所述区域 已经暴露于与表膜19的其余部分不同的条件。破裂区域已经暴露至的 不同条件引起破裂区域83在结构上比表膜19的周围区域弱。例如，在 光刻设备la中使用表膜19之前，破裂区域83可以暴露于表膜19的 其余部分未暴露至的辐射。也就是说，用于在结构上使表膜19变弱的 辐射(例如euv辐射)可以用于选择性地暴露破裂区域83，而表膜19 的其余部分可以不暴露于辐射。因此，破裂区域83将在结构上弱于表 膜19的周围区域，并且在破坏表膜19的剩余区域之前将优先破裂。
210.在一些实施例中，破裂区域83可包括表膜19的区域，所述区域已 经暴露于与表膜的其余部分所暴露于的物质不同的物质。例如，在光刻 设备la中使用表膜19之前，当与表膜19的其余部分相比时，破裂区 域83可以暴露于配置成在结构上使破裂区域变弱的物质。破裂区域83 可以例如暴露于氢自由基，氢自由基可以用于以化学方式改变破裂区域 83，从而在结构上使破裂区域83变弱。因此破裂区域83在表膜19的 其余区域破裂之前优先破裂。
211.附加地或替代地，破裂区域83可以包括表膜19的区域，其中在光 刻设备中使用表膜19之前有意地在表膜19中形成一个或更多个孔和/ 或裂缝。表膜19中的一个或更多个孔和/或裂缝将引起破裂区域83在 结构上弱于表膜19的周围区域。因此破裂区域83在表膜19的其余区 域破裂之前优先破裂。
212.一旦破裂区域83已经破裂，表膜19中的破裂可以传播到表膜19 的其他区域。例如，表膜19可以沿着断裂线85断裂，使得表膜19中 的裂缝被沿着断裂线85形成。在一些实施例中，断裂线85可以配置成 在结构上弱于表膜19的周围区域，并且可以包括如上所述的断裂区域 的其他示例。因此，断裂线85可以具有上面参考断裂区域83描述的任 何特征和/或可以使用上面参考断裂区域83描述的任何方法形成。
213.替代地，断裂线85可以配置成在结构上比表膜19的周围区域更强。 例如，断裂线可以包括表膜的增强区域，所述增强区域具有比表膜19 的周围区域更大的厚度。如果表膜19在破裂区域83处破裂，则通过增 强的断裂线85防止表膜中的裂缝横跨表膜19传播。通常，裂缝倾向于 遵循最弱的可用路径。因此，提供增强的断裂线85使得裂缝遵循位于 断裂线85和框架17之间的路径。
214.在表膜19包括增强区域和破裂区域83的实施例中，可以期望将破 裂区域83定位在增强区域和框架17之间。因此，表膜19中的由于破 裂区域83的破裂而形成的裂缝将限制在表膜19的位于框架17和增强 区域之间的区域。
215.在其它实施例中，断裂线85可以不配置成在结构上比表膜19的周 围区域更强或更弱，并且可以由于表膜在破裂区域83处破裂而自然形 成。破裂区域83可以定位成使得表膜19的随后破裂发生在优选位置， 诸如沿着断裂线85。
216.在一些实施例中，表膜19可以配置成在破裂后使表膜19以受控的 方式卷起。例如，当表膜19沿着断裂线85断裂时，表膜19可以自身 以受控的方式卷起。图7是表膜19自身已经卷起的表膜19的示意图。
217.图7中还示出了表膜框架17的一部分，表膜19的周边部分55的一段 保持附接在该表膜框架17上。在图7所示的布置中，大部分表膜保持 完整并附接在表膜框架17上。破裂的表膜19包含在一个小区域内，防 止表膜19接触图案形成装置ma。因此，表膜19的破裂导致很少或没 有对周围环境的污染。图案形成装置ma可以保持是可操作的并且可以 被再次使用。在这种情况下，可以简单地将破裂的表膜19从图案形成 装置ma移除并用新的表膜19更换。
218.表膜19可以配置成通过在表膜19的不同层中引入不同的张力而自 身卷起。例如，表膜可以包括至少具有第一张力的第一层和具有第二张 力的第二层。第一张力可以高于第二张力。在第一层和第二层之间的张 力差可以在表膜破裂的情况下引起第一层牵拉第二层，从而使得表膜19 自身卷起，如图7所示。在图7所示的实施例中，与表膜19的具有较 低张力的第二层相比，表膜的具有较高张力的第一层位于更加远离表膜 框架17的位置。这引起表膜在表膜的与图案形成装置ma所位于的侧 相对的侧上卷起。这可以有利地避免表膜19在它卷起时接触图案形成 装置ma。
219.在替代实施例中，与表膜19的具有较低张力的第二层相比，表膜 的具有较高张力的第一层可以位于更靠近表膜框架17的位置。这可能 引起表膜19在表膜19的与图案形成装置ma所位于的侧相同的侧卷起。
220.卷起的表膜19的半径r(如图7中所标记的)至少部分依赖于第一 层和第二层之间的张力差。通常来说，第一层的张力和第二层的张力的 差越大，所产生的卷起的表膜19的半径r越小。
221.如上面参照图3所解释的，表膜19可以包括多于两个的层。表膜 19可以配置成如
果表膜的任意两层在所述两层中设置有张力差，则自身 (向上)卷起。在一些实施例中，形成表膜的所有层都可以设置有不同 的张力。
222.如上面所解释的，表膜的每层中的张力可以通过形成每层所依据的 沉积过程(例如cvd)的属性来确定。为了提供具有不同张力的层， 使用沉积过程的不同属性来沉积不同的层。例如，第一层可以使用第一 温度和第一压力沉积，第二层可以使用不同于第一温度和第一压力的温 度和/或压力沉积。因此第一层设置有与第二层的张力不同的张力。另 外地或替代地，可以选择用于形成表膜19的不同层的材料，以便提供 其中具有不同张力的层。
223.在表膜19配置成自身卷起的实施例中，表膜19可以包括至少一个 破裂区域83。破裂区域83可以定位成确保当破裂区域83破裂时，引起 表膜19自身卷起。例如，图6所示的破裂区域83位于可以确保破裂区 域83的破裂引起表膜自身卷起的位置处。如上所述，断裂线85也可以 构成破裂区域，沿着所述破裂区域表膜19优先破裂。表膜沿着断裂线 85的破裂可以确保表膜自身以受控的方式卷起。
224.在图6所示的实施例中，提供至少一个破裂区域83，这引起表膜 19以受控的方式破裂，这减少了由于在表膜19的破裂期间产生的碎片 所造成的对周围环境的任何污染。在一些实施例中，破裂区域83可以 配置成使得破裂区域83的破裂不会引起整个表膜的严重故障(或临界 故障)。在这样的实施例中，可以监测破裂区域83并且可以检测破裂点 83的破裂。检测破裂区域83的破裂可以指示表膜的其余部分接近破裂， 因此表膜19可以在整个表膜严重故障(这可能导致对周围环境的污染) 之前从操作中去除。
225.图8是表膜组件15的一部分的示意图，表膜组件15包括由表膜框 架17保持的表膜19。表膜组件15可以包括本文中参考其他实施例描述 的任何特征。表膜19包括可用区域79，其位于曝光场73内但不覆盖图 案形成装置ma的图案化的区域(图8中未示出)。表膜19还包括破裂 区域83。破裂区域83包括表膜19的一部分，所述表膜19的一部分配 置成在正常使用期间在表膜19的剩余区域破裂之前优先破裂。破裂区 域83的至少部分位于表膜19的可用区域79内。破裂区域83可以在结 构上相对于表膜19的周围部分被变弱。图8的破裂区域83可以类似于 上面参照图6描述的破裂区域，可以包括本文所述的其他破裂区域的任 何特征。可以使用本文所述的用于形成破裂区域的任何方法来形成图8 的破裂区域83。
226.表膜19还包括邻近破裂区域83定位的增强区域87。与表膜19的 剩余区域相比，增强区域具有增加的厚度。因此，增强区域87在结构 上比破裂区域83更强，并被配置成在破裂区域83破裂的情况下抵抗表 膜19的进一步破裂。破裂区域83可以例如沿着与增强区域87交界的 断裂线85破裂。
227.在图8中示出的实施例中，增强区域87在表膜19上的轨迹为弯曲 的形状。这可以改善增强区域87的强度并且可以使增强区域87抵抗表 膜19的进一步破裂。增强区域87和断裂线85在表膜19的周边部分55 的段之间延伸，所述部分的段由框架17支撑。断裂线85和增强区域87 包围表膜19的定位在表膜19的无支撑部分的边缘处的部分(不与框架 17接触的部分)。因此，表膜19的破裂的区域是一个小的容纳区域，并 且在表膜的其余部分保持完整的情况下产生很少或没有碎片。
228.在正常使用期间，破裂区域暴露于与表膜19的其余部分类似的力 和条件。在破裂区域83破裂的情况下，这可以指示表膜的其他区域接 近于破裂。可以监测破裂区域83，并
且如果检测到破裂区域83破裂， 则可以使表膜停止工作并被更换。有利地，在表膜严重故障之前使表膜 停止工作。这可以避免产生大量碎片和对周围环境的污染。
229.可以使用任何形式的传感器来监测断裂区域83，该传感器被配置为 检测破裂区域83的破裂。例如，断裂区域可以用辐射照射，并且自破 裂区域的辐射的反射和/或透射可以被检测到。破裂区域的反射率或透 射率的变化可以指示破裂区域83已破裂。
230.破裂区域83的至少一部分在光刻曝光过程期间接收辐射(例如 euv辐射)，并且从图案形成装置ma反射的并随后入射在衬底w上 的一些辐射将通过破裂区域。如果破裂区域破裂，则破裂区域83的透 射率将改变。这可以通过衬底的区域中的衬底w处的辐射强度的变化 来检测，所述衬底的区域接收已经通过衬底w的辐射。可以检测到这 种强度的变化并且可以指示破裂区域83已经破裂。可以直接检测衬底w处的辐射强度的变化。替代地，可以通过在暴露于辐射之后监测衬底 w来检测衬底w处的辐射强度的变化。衬底w可以设置有光致抗蚀剂， 所述光致抗蚀剂在曝光于辐射时经历状态变化。光致抗蚀剂所曝光于的 辐射的强度的变化将可在光致抗蚀剂中检测到，并且可以指示破裂区域 83的破裂。接收已经通过破裂区域83的辐射的衬底w的区域在衬底 w的形成有图案化的特征的区域外部(因为破裂区域83位于图案形成 装置ma的图案化的区域的外部)。因此，破裂区域的破裂不会影响在 衬底中形成的图案。
231.在一些实施例中，破裂区域83(或本文所述的表膜的另一特征)可 位于图像场外部，所述图像场表示图案形成装置的成像到衬底w上的 部分。破裂区域83(或本文所述的表膜的另一个特征)可以不会影响衬 底w所暴露于的辐射。
232.在一些实施例中，表膜可以包括与图8的破裂区域83类似的多个 破裂区域83。可以监测多个破裂区域83中的每个，以便检测破裂区域 的破裂。
233.如上所述，与表膜19的其余区域相比，增强区域87具有增加的厚 度。表膜19的增加的厚度可以使增强区域87被加热到比表膜的其他部 分更高的温度(例如由于辐射吸收增加)。增强区域87与框架17接触， 使得在增强区域87和框架之间提供热连接。因此，来自增强区域87的 热量可以传导到框架17，框架17可以用作散热器并调节增强区域87 的温度。
234.在上面参考图5-8描述的实施例中，至少破裂区域83设置在表膜 19的可用区域79中，所述可用区域位于曝光场73内但不覆盖图案形成 装置ma的图案化的区域。在一些实施例中，表膜框架17可以至少部 分地定位在曝光73内，使得表膜的周边部分55的至少一部分接收曝光 辐射。这可以允许一个或更多个破裂区域83或对表膜的其他修改位于 表膜19的周边部分55中，其中其由框架17支撑。
235.图9是表膜组件15的示意图，表膜框架17的图案形成装置ma部 分地位于曝光场73内。图9中所示的实施例具有许多与图5中所示的 实施例相同的特征。使用相同的附图标记来表示图5和9中的等同特征， 并且不参考图9再次详细描述这些特征中的许多特征。
236.在图9所示的实施例中，表膜框架17包括位于曝光场73内部的部 分，因此在光刻曝光过程中接收辐射(例如euv辐射)。表膜19的可 用部分79位于曝光场73内但不覆盖图案形成装置ma的图案化的区域， 因此表膜19的可用部分79包括由框架17支撑的周边部分55的一部分。 这允许一个或更多个破裂区域83位于由框架17支撑的周边部分55中。 在图9中示出位于表膜19的周边部分中的多个破裂区域83。
237.因为图9所示的破裂区域83由框架17支撑，破裂区域的破裂将对 表膜19的不与框架17接触的无支撑区域有很小的影响。因此，表膜19 的其余部分可以有利地保持完整，从而避免产生显著大量的碎片。
238.与上面参考图8的描述类似，可以监测破裂区域83以便检测破裂 区域的破裂。在破裂区域83破裂的情况下，这可以指示表膜19的其他 区域接近破裂。如果检测到破裂区域83已破裂，则可以使表膜19停止 工作并被更换。有利地，在表膜严重故障之前使表膜停止工作。这可以 避免产生大量碎屑和对周围环境的污染。
239.在图9的实施例中，例如，当与图5的实施例相比时，在图案形成 装置ma上不被表膜框架17占据的可用的空间较少。这可以在图案形 成装置ma上提供有限的空间或没有可用的空间，标识81可以提供在 所述空间内。在图9的实施例中，窗口82设置在表膜框架17中，使得 可以通过窗口82观察图案形成装置ma上的标识81。这允许例如在图 案形成装置ma对准期间接近标识81。
240.如上面参考图3所述，表膜19可包括至少一个导电层。例如，表 膜19可以包括发射层31a，该发射层31a也可以是导电的。表膜19中 的导电层可以例如由金属(例如过渡金属，例如钌)形成。替代地，表 膜19中的导电层可以由石墨烯形成。
241.表膜19中的导电性可以允许监测表膜19的部分的电阻。如上所述， 表膜中的发射层31a可能随着时间的推移经历化学变化。例如，表膜19 中的发射层31a可以被氧化。发射层31a的氧化可以降低发射层31a的 发射率，并且可以降低发射层31a调节表膜19的温度的效率。因此， 发射层31a的氧化可能增加由表膜19过热引起的对表膜19的损坏的可 能性。
242.发射层31a的氧化还将引起发射层31a的电阻增加。因此，可以通 过监测表膜19的全部或部分的电阻来检测发射层31a的氧化。表膜19 可以例如包括允许电连接到表膜19的导电层(例如，发射层31a)的电 触点。与导电层建立的电连接允许测量通过导电层和电触点之间的电阻。 测量的电阻的增加可以指示导电层(例如发射层31a)的氧化。如果测 量的电阻超过阈值，则可以使表膜19停止工作，以避免表膜19由于过 热而故障。
243.表膜上的电触点可以例如位于表膜19的由框架17支撑的周边部分 55上。图10是表膜组件15的一部分的示意图，表膜组件15包括表膜 框架和在表膜19的周边部分55处由表膜框架17支撑的表膜19。表膜 19包括电触点89，电触点89允许建立与表膜19的导电层的电连接。 电触点89位于表膜19的周边部分55中。表膜19的周边部分55由框 架17直接支撑，因此对表膜的周边部分55的任何损坏(这可能例如由 于与表面的电连接引起)不太可能引起对表膜19的不与框架17接触的 无支撑部分的损坏。
244.传感器91连接在两个电触点89之间，并配置成测量电触点之间的 电阻。传感器91可以是能够测量两个接触点之间的电阻的任何形式的 传感器。
245.电触点89位于表膜19的可用区域79中，可用区域73位于曝光场 73内但不覆盖图案形成装置ma的图案化的区域(图10中未示出)。 因此，表膜19的位于电触点89之间的区域将经受与表膜19的无支撑 部分类似的条件。表膜19的位于电触点89之间的区域的氧化引起电阻 的增加，所述增加由传感器91测量，因此表膜19的位于电触点89之 间的区域的氧化可以指示表膜19的其他区域的氧化。如上面所解释的， 如果传感器91测量的电阻超过阈值，则可以使表膜19停止工作，以避 免表膜19由于过热而故障。
246.表膜19的电阻可用另外地或替代地被监测，以检测表膜19中的裂 缝。在一些示例
中，在表膜19中可能形成一个或更多个裂缝，所述裂 缝不会引起表膜19的严重故障。有裂缝的表膜19可以指示表膜19的 严重故障即将到来。因此，期望在表膜19发生严重故障之前检测表膜 19中的裂缝，从而使得可以在严重故障之前从操作中去除表膜19(由 此减少大量碎片的产生和对周围环境的污染)。
247.表膜19中的裂缝可通过测量横跨表膜19的电阻来检测。图11是 表膜组件15的示意图，表膜组件15包括表膜19和支撑表膜的周边部 分55的表膜框架17。表膜19包括电触点89，电触点89允许建立与表 膜19的导电层的电连接。在图11的实施例中，电触点89位于表膜19 的周边部分55中。
248.传感器91连接在各对电触点89之间，并且被配置为测量通过表膜 19和电触点89之间的电阻。由一个或更多个传感器91测量的电阻的增 加可以指示在表膜19中已经形成裂缝。在检测到由一个或更多个传感 器91测量的电阻增加的情况下，表膜19可以被停止工作以避免对表膜 19的进一步损坏和表膜19的风重故障的风险。
249.在图11中所示的实施例中，示出了四个电触点89和两个传感器91。 然而，应当理解，在其他实施例中，表膜19可以包括少于或多于四个 电触点89。在一些实施例中，几个电触点89可以分布在表膜的周边部 分55周围，可以使用多个传感器91测量横跨表膜的多个不同电路径的 电阻。这可以允许检测在表膜19上的任何位置处形成的裂缝。
250.在一些实施例中，电触点89之间的电通路可以与表膜19的其他部 分电隔离。例如，表膜19可以包括两个电触点89之间的导电路径，其 中导电路径与表膜19的其他区域电隔离(例如，由于在其他区域中不 存在导电材料)。在这样的实施例中，可以将电势施加到表膜19的特定 区域，而不是使整个表膜19经受电势。可以测量沿着隔离的电通路流 动的任何电流，以便得到通路的电阻。通路的电阻的任何变化都可以指 示表膜的损坏和/或表膜19即将发生故障的可能性。
251.在一些实施例中，表膜组件可包括传感器组件，所述传感器组件被 配置成检测与表膜19相关联的属性的变化。与表膜19相关联的属性的 变化可指示对表膜19的损坏。例如，传感器组件可以被配置为检测表 膜对辐射和/或声波的透射率或反射率的变化。在例如由于表膜中形成 裂缝导致表膜损坏的情况下，损坏区域的反射率可能增加。因此，检测 表膜的反射率的增加可以指示表膜19的损坏。
252.图12a-12d是根据本发明的实施例的表膜故障检测设备的元件的 示意图。图12a示出了传感器组件的一个实施例的部件和表膜组件15 的一部分。表膜组件15包括框架17和由围绕表膜19的周边部分55的 框架支撑的表膜19。表膜框架17附连到图案形成装置ma。表膜故障 检测设备包括传感器组件，所述传感器组件包括辐射源93和辐射传感 器(图12a中未示出)。辐射源93被配置为发射辐射束97，辐射束97 被输入到波导98中。波导98连接到表膜19并且被配置为将辐射束97 耦合到表膜19中，使得辐射束97透射通过表膜19。表膜19用作波导 并支持辐射束97沿着表膜19的透射。
253.图12b示出了传感器组件的替代实施例的部件和表膜组件15的一 部分。图12b中所示的实施例包括换能器94(例如压电换能器)，所述 换能器位于与表膜19接触的位置。换能器94在表膜19中激励声波96， 声波沿着表膜19透射。
254.图12c示意性地示出了波通过由围绕表膜19的周边部分55的框架 保持的表膜19的传播。波形在输入点100处输入表膜19中。波形如图 12c中用线102表示。波可以是电磁波
(例如，当辐射束耦合到如图12a 中所示的表膜19中时)或者可以是声波(例如，当换能器在表膜中产 生声波时，如图12b所示)。表膜19用作波导并支持波横跨表膜19的 传播。波在与表膜19的表面基本平行的方向上传播。
255.在一些实施例中，可以测量所述波通过表膜19的透射和/或反射。 例如，传感器可以靠近输入点100定位，并且可以测量被朝向输入点反 射回的波。传感器可以例如测量输入到表膜19中的波形与由传感器测 量的相应的反射之间的返回时间。在未损坏的表膜19的情况下，波可 以在表膜19的相对侧上的框架17处反射到输入点100(如图12c所示)。
256.图12d示出了已形成裂缝104的表膜19。裂缝104用于反射入射 在其上的波，从而提供比表膜19的相对端的框架17更靠近输入点100 的反射源。因此，表膜19中的裂缝104可以导致输入到表膜19中的波 形与由传感器测量的相应的反射之间的返回时间减少。因此，由传感器 检测的信号的变化可以指示对表膜19的损坏。在一些实施例中，可以 布置一个或更多个传感器以检测由表膜19透射和/或反射的波的强度。 由表膜19透射和/或反射的波的强度的变化可以指示对表膜19的损坏。
257.在一些实施例中，可以形成表膜故障检测设备的一部分的传感器组 件可以包括传感器，所述传感器被配置为测量表膜19所经受的应力。 例如，应力传感器可以位于表膜19的周边部分55上，周边部分由表膜 框架17支撑。应力传感器可以配置成测量表膜19所经受的压缩应力。 附加地或替代地，应力传感器可以配置成测量表膜19所经受的拉伸应 力。
258.合适的应力传感器可以例如包括微桥应力传感器，所述微桥应力传 感器包括在两个元件之间延伸的薄桥。在微桥经受压缩应力的情况下， 薄桥可以在该应力下弯曲或断裂，从而提供应力传感器所在的表膜19 所经受的应力的指示。
259.在一些实施例中，合适的应力传感器可以例如包括一个或更多个 guckel环。guckel环包括环形结构和横跨环形结构延伸的一个或更多 个梁。guckel环被配置为将拉伸应力转换为压缩应力。在guckel环经 受到拉伸应力的情况下，横跨环延伸的一个或更多个梁可以在应力下弯 曲，从而提供guckel环所在的表膜19所经受的应力的指示。
260.在一些实施例中，多于一个应力传感器可位于表膜19上。位于表 膜19上的不同应力传感器可配置成测量不同位置的应力、作用在不同 方向上的应力和/或不同量级的应力。
261.经受高水平应力的表膜19可能被应力损坏。将一个或更多个应力 传感器定位在表膜19上可以允许监测表膜19所经受的应力。在表膜19 经受的应力足够大以至于可能对表膜19造成损坏的情况下，表膜19可 以被停止工作以避免表膜19的损坏和严重故障。
262.附加地或替代地，一个或更多个应变仪可以定位在表膜19上。例 如，一个或更多个应变仪可以定位在表膜19的周边部分55上。一个或 更多个应变仪可以监测表膜所经历的应变。在表膜19经历的应变足够 大以至于可能对表膜19造成损坏的情况下，表膜19可以被停止工作以 避免表膜19的损坏和严重故障。
263.在一些实施例中，表膜19可以被配置成在表膜19的一部分破裂的 情况下在其自身内容纳碎片。图13a是以横截面图示出的根据本发明的 实施例的表膜19的示意图。表膜19包括第一层101、第二层103和第 三层105。如图13a所示，第三层105位于第一层101和第二层103之 间。第一层101具有第一延展性，第二层103具有第二延展性，第三层 105具有第三延展性。第三延展性小于第一延展性并小于第二延展性。
264.延展性是材料在应力下塑性变形的能力的量度。例如，当材料经受 拉伸应力时，材料将在拉伸应力下变形从而被拉伸。延展性是材料在破 裂之前经历多少塑性变形/伸长的量度。例如，具有相对高延展性的材 料在材料破裂之前将经历大的变形。具有较低的延展性的材料在拉伸应 力下不易变形，并且在破裂之前可能仅经历少量变形。
265.在图13a所示的实施例中，表膜19的三个层101、103、105中的 每一个将在使用期间经受相同的应力。第三层105具有比第一层101和 第二层103的延展性低的延展性，因此与第一层101和第二层103相比 是相对脆的。
266.图13b是图13a中所示的表膜可能经历的应力-应变曲线的示意图。 当所有层101、103、105都是完整的时，表膜19所经历的应变由表膜 19的总刚度决定，表膜19的总刚度由表膜的最硬层支配。表膜19的最 硬层是第三层105。在初始应力下，表膜19的应变因此大致遵循第三层 105的应力应变曲线(在图3中用105表示)。在第一临界应变108处， 第三层105破裂。例如，由于在第三层105中形成裂缝和/或产生声波 等，第三层的破裂导致表膜19中的能量耗散。
267.在第三层105破裂之后，表膜19的应力-应变曲线整体遵循组合的 第一层101和第二层103的应力-应变曲线(在图13b中表示为101、103)。 由于第一层101和第二层103具有比第三层105更高的延展性，所以第 一层101和第二层103在第三层105破裂之后可以经历进一步的变形。 在第三层105破裂之后，第一层101和第二层103的进一步变形进一步 耗散了在表膜19的严重破裂之前表膜19中的势能。
268.在第二临界应变110处，第一层101和第二层103破裂并且发生表 膜19的临界断裂。如上面所解释的，在第三层105已经破裂之后，第 一层101和第二层103经受的应变用于耗散势能。因此，当第一层101 和第二层103破裂并且表膜19发生临界断裂时，具有较小的可用势能。 因此，在临界断裂期间所耗散的能量被减少。具有相对高延展性的第一 层101和第二层103的存在用于增加在表膜19的灾难性故障之前表膜 19可以耗散的能量的量。
269.如上面参照图13b所解释的，在表膜19经受足够大的应力以使第 三层105破裂的情况下，相对脆性的第三层105将在相对延展性的第一 层101和第二层103之前破裂(由于第三层105的延展性较低)。如图 13a所示，第三层105位于第一层101和第二层103之间。当第三层105 破裂时，第三层的碎块因此被第一层101和第二层103容纳。因此，第 三层105的裂块将不会污染周围环境，并且可以干净地去除和/或更换 表膜19而不会引起实质性污染。在第三层105已经破裂之后，第一层 101和第二层103仍然能够经受额外的应力(由于它们具有相对高的延 展性)并且可以安全地容纳破裂的第三层105。
270.相对高延展性的第一层101和第二层103可以形成如上参照图3所 述的覆盖层。第一层101和第二层103可以例如由金属和/或合金形成。 例如，第一层101和第二层103可以例如包括钛、铌和/或锆合金。
271.在一些实施例中，表膜19可包括多于三层。例如，除了上面参照 图13a描述的三层之外，表膜19还可以包括发射层(例如，类似于参 考图3描述的发射层31a的发射层)。通常，用于在其自身内容纳表膜 碎片的表膜19可以包括任何数量的层，其中至少一个层的延展性低于 位于所述低延展性层的任一侧的两个其他层的延展性。相对高的延展性 层(即第一延展性层101和第二延展性层103)不需要直接与相对低的 延展性层(即第三延展性层105)接触。也就是说，一个或更多个中间 层可以位于层之间。在这样的实施例中，即使在层
之间没有直接接触， 仍认为相对低延展性的第三层位于相对高延展性的第一层和第二层之 间。
272.图14是根据本发明的实施例的碎片减缓装置107的示意图。碎片 减缓装置107位于靠近表膜19的位置。在图14所示的实施例中，碎片 减缓装置107位于表膜组件15附近，表膜组件15包括表膜框架17和 由围绕表膜19的周边部分55的表膜框架17支撑的表膜。碎片减缓装 置107包括碎片转向装置，所述碎片转向装置配置成在优选方向上引导 由表膜19破裂所产生的碎片。在图14所示的实施例中，碎片减缓装置 107还包括传感器112，传感器112配置成监测表膜19并检测表膜19 的破裂。碎片转向装置配置成对表膜19的破裂的检测作出反应(由传 感器112检测到)和在优选方向上引导由表膜破裂产生的碎片。
273.在图14所示的实施例中，碎片转向装置包括封闭腔室109和致动 器111。腔室109的内部保持在低于保持表膜19的压力的压力下。例如， 可以通过使用真空泵将腔室109的内部抽气至非常低的压力。致动器 111被配置为响应于检测到表膜19的破裂而打开腔室109。例如，在由 传感器112检测到表膜19破裂时，传感器112可以向致动器111发送 信号113。致动器111通过打开腔室109来响应信号113。致动器111 可以例如打开腔室109中的门(未示出)以暴露腔室109的内部。当腔 室109被致动器111打开时，腔室109内部的较低初始压力将使材料被 吸入到腔室109中。例如，破裂的表膜19可以被吸入腔室109中，从 而将来自破裂的表膜19中的碎片引导到腔室109中(可以认为是优选 方向的一个示例)。碎片可以安全地容纳在腔室109内并且可以避免对 周围环境的污染(例如对图案形成装置ma的污染)。
274.在一些实施例中，碎片减缓装置可包括多于一个腔室109。例如， 多个腔室109可定位在表膜19周围，每个腔室109具有致动器，所述 致动器配置成在检测到表膜109破裂时打开腔室109。
275.传感器112可以是能够检测表膜109的破裂的任何传感器。例如， 传感器112可以包括上面结合本发明的其他实施例描述的任何传感器。 通常，无论是否在此处描述或其他地方描述的任何感测方法都可以用于 检测表膜19的破裂。
276.在替代实施例中，位于靠近表膜19(如图14所示)位置的腔室109 可以保持在高于表膜19被保持的压力的压力下。例如，真空泵送机构 可以被配置为将保持表膜19的环境抽气至低于腔室109内的压力的压 力。如果传感器112检测到表膜109的破裂并且致动器111打开腔室109， 压力差将引起气体从腔室109中吹出。因此，由破裂的表膜19产生的 碎片沿优选方向吹出腔室109。例如，碎片可以被从图案形成装置ma 吹走，并且可以减少对图案形成装置ma的任何污染。
277.图15是根据本发明的替代实施例的碎片减缓装置107'的示意图。 碎片减缓装置107'位于靠近表膜19的位置。在图15所示的实施例中， 碎片减缓装置107位于表膜组件15附近，表膜组件15包括表膜框架17 和由围绕表膜19的周边部分55的表膜框架17支撑的表膜。碎片减缓 装置107'包括碎片转向装置，该碎片转向装置配置成在优选方向上引导 由表膜19破裂产生的碎片。碎片转向装置包括靠近表膜19定位的带电 表面115。带电表面115可以例如包括带电板。带电表面可以例如使用 电压源117充电。在表膜19破裂的情况下，来自表膜的碎片通过静电 吸引被朝向带电表面引导。朝向充电表面115引导表膜碎片有利地减少 了对其他部件(例如图案形成装置ma)的污染。
278.在一些实施例中，带电表面115可以与被配置为检测表膜19的破 裂的传感器(例如传感器112)结合使用。例如，表面115可以响应于 由传感器检测到表膜19的破裂而仅被充电(例如，通过打开电压源117)。
279.图16是根据本发明的实施例的碎片减缓装置121的示意图。碎片 减缓缓装置121包括传感器123，传感器123配置成监测由框架17保持 的表膜19并检测对表膜19的损坏。例如，传感器可以配置成检测表膜 19中的一个或多个裂缝的形成。附加地或替代地，传感器可以被配置为 检测可以包括在表膜19中的一个或更多个破裂区域的破裂。通常，无 论是否在本文中描述或以其他方式描述的任何感测方法都可以用于检 测对表膜19的损坏。
280.碎片减缓装置121还包括张力控制装置，所述张力控制装置配置成 对检测表膜19的损坏(通过传感器123)作出反应并减小表膜中的张力， 从而限制对表膜19的进一步损坏。
281.在图16中所示的实施例中，张力控制装置采用多个致动器125的 形式，致动器125配置成压缩其上保持有表膜19的框架17。例如，在 检测到对表膜19的损坏时，致动器可以响应从传感器123发送到致动 器125的信号126。致动器125通过在框架17的两侧施加相反的力来压 缩框架17，如图16中的箭头所示。如图16所示，压缩框架17略微减 小了由框架17保持的表膜19的周边部分55的相对段之间的距离127， 从而减小了表膜19的无支撑部分(其悬挂在框架17的相对部分之间) 中的张力。
282.减小表膜19中的张力，减小了表膜19所经受的应力，并降低表膜 19的进一步损坏和严重故障的可能性。这可以允许从操作中去除表膜 19和/或在表膜19的严重故障之前更换表膜19。
283.在其他实施例中，张力控制装置可采用其他形式。例如，张力控制 装置可以包括温度控制装置，所述温度控制装置被配置为响应于检测到 对表膜19的损坏而增加表膜19的温度。增加表膜19的温度将引起表 膜19膨胀，从而减小了表膜19中的张力。
284.温度控制装置可以例如被配置为通过电阻加热来增加表膜19的温 度。例如，电流可以通过定位成与表膜19接触的电阻元件。电阻元件 中的电阻引起对元件的加热，这可能导致热能传递到表膜19，从而提高 表膜19的温度。另外地或替代地，电流可以通过表膜19本身，并且表 膜19的电阻将引起表膜19被直接加热。
285.在其他实施例中，温度控制装置可以包括辐射源，所述辐射源被配 置为照射表膜19的全部或一部分。表膜19可以吸收一部分照射辐射， 从而导致表膜19被通过所述辐射加热。
286.在一些实施例中，可以采取除上面描述的措施之外的措施，以减少 对光刻设备的部件的污染。例如，在一些实施例中，一个或更多个遮蔽 件可以紧邻表膜19定位。一个或更多个遮蔽件可以被配置为响应于检 测到表膜19的破裂而关闭。一个或更多个遮蔽件可以用于限制光刻设 备la的区域，允许来自破裂的表膜19的碎片到达所述区域，从而限 制光刻设备la的污染程度。
287.光刻设备可包括位于图案形成装置ma附近的掩模刀片。掩模刀片 可以例如用于限制入射到图案形成装置ma上的辐射的空间范围。在一 些实施例中，掩模刀片可以被配置为响应于检测到表膜19的破裂而一 起关闭。这可以防止由破裂的表膜19产生的碎片进入照射系统il并且 因此可以有利地防止对照射系统il的污染。
288.一些实施例可以包括被配置为以受控方式有意使表膜破裂的设备。 例如，在检测到对表膜19的损坏的情况下，表膜19可以以受控的方式 被破裂，以避免表膜19的不受控制的严重断裂，而严重断裂可能产生 大量的碎片。在一些实施例中，可以提供一个或更多个致动器，其可以 使表膜以受控方式破裂。在其他实施例中，可以提供可操作以在表膜中 形成裂缝的一个或更多个辐射源。例如，可以布置一个或更多个激光器 以用高功率激光束照射表膜，这可能引起表膜断裂。激光束可以以受控 的方式横跨表膜移动，以便在表膜中形成受控的裂缝。
289.如上面参照图5所述，在光刻设备la中使用期间，表膜19可以 暴露于辐射75的狭缝，所述狭缝沿扫描方向(通常表示为y方向)横 跨表膜19扫描。暴露于辐射可能引起表膜19的局部加热，这可能降低 表膜19中的张力。如将理解的，例如，从图5中，辐射75的曝光狭缝 在x和y方向上具有不同的尺寸。
290.特别地，曝光狭缝75的尺寸在x方向上比在y方向上更大。因此， 表膜在x方向上的宽度的大的段被狭缝75中的辐射加热并膨胀，从而 减小了x方向上的张力。相比之下，在表膜19上的曝光狭缝75的给定 位置处，表膜19在y方向上的宽度的仅一小部分被曝光狭缝中的辐射 加热。因此，表膜19在y方向上的张力的减小小于表膜19在x方向上 的张力的减小。可以期望提供一种机构，用于补偿x和y方向上的张力 减小的差异，使得表膜19在x和y方向上具有大致相同的张力。
291.图17a和17b是表膜框架17的替代实施例的示意图。图17a和17b 中所示的表膜框架17的每个实施例被配置成在x和y方向上具有不同 的顺应性。图17a和17b中所示的每个表膜框架17配置成围绕表膜19 的周边部分55支撑表膜19。表膜框架17包围表膜的悬挂(或无支撑) 的区域131。表膜框架17包括第一对侧部133a、133b，第一对侧部133a、 133b定位在表膜19的悬挂区域131的相对端处，并沿表膜19的悬挂区 域131的边缘沿x方向延伸(这可以是被称为第一方向)。表膜框架17 还包括第二对侧部135a、135b，第二对侧部135a、135b定位在表膜19 的悬挂区域131的相对端处，并沿着表膜19的悬挂区域131的边缘在y 方向上延伸(这可以是被称为第二方向)。
292.第一对侧部133a、133b配置成在y方向上具有大于第二对侧部135a、 135b在x方向上的顺应性的顺应性。框架17在y方向上的更大顺应性 意味着由表膜框架17支撑的表膜19在y方向上具有初始张力，所述初 始张力小于表膜在x方向上的初始张力。在光刻设备la中使用表膜之 前，初始张力可以被认为是表膜19中的张力。等效地，当表膜19处于 热平衡时(即，表膜19的所有区域处于基本相同的温度)时，表膜19 中的初始张力可以被认为是表膜19中的张力。
293.如上所述，在将表膜19暴露于辐射的曝光狭缝期间，表膜19可以 在不同方向上被不同地加热。特别地，由于加热导致的表膜在x方向上 的张力的减小可能大于由于加热导致的表膜在y方向上的张力的减小。 由于初始张力在x方向上比在y方向上大，因此在通过暴露于辐射的曝 光狭缝加热表膜之后，表膜19可以有利地具有在x方向上的张力，在x 方向上的张力约等于在y方向上的张力。
294.在图17a和17b所示的两个实施例中，表膜框架的第一对侧部133a、 133b在y方向上的厚度小于第二对侧部135a、135b在x方向上的厚度。 因此，框架17在y方向上的顺应性大于框架17在x方向上的顺应性。 在图17b所示的实施例中，通过在第一对侧部133a、133b
中形成狭缝 137，第一对侧部133a、133b的厚度相对于第二对侧部135a、135b的 厚度被减小。狭缝137沿第一对侧部133a、133b在x方向上延伸。第 一对侧部133a的厚度被认为是除了狭缝137之外的总的厚度，因为材 料不存在于框架17的构成部分中。
295.在一个实施例中，监测表膜的存在及其完整性是有利的。可以基于 来自感测表面的光束(辐射束142)的反射来操作表膜完整性检测器。 通过检测从表膜表面反射的辐射束142来监测表膜的完整性。可以放置 光束发射器和接收器，以允许反射的光束到达接收器。当存在表膜隔膜 时，接收器将感测到信号，而当不存在表膜或者它不完整(即，对于破 裂的表膜)时，接收器将没有感测到信号。
296.在图18和19中描述的实施例中，接收器传感器处的信号对于表膜 与发射器的距离敏感。当表膜隔膜向上或向下移动时，反射的辐射束142 的幅度和位置将在接收器上变化。接收器优选地对这些参数中的任一个 或两个敏感，以允许监测表膜隔膜对任何外部因素(例如环境压力变化 和振动)的动态响应。例如，位置敏感检测器可以用作对反射的辐射束142的位置是敏感的接收器。
297.帧存在检测器也可以是期望的并且可以基于反射的辐射束142来操 作。多个光束帧检测器可以用于检测帧状态、帧的存在，被脱胶或失真， 或来自可能使框架变形的euv辐射的任何热效应。
298.因此，表膜隔膜和表膜帧检测器都可以包括辐射束发射器和接收器。 辐射束142可以由单个激光二极管或二极管阵列提供。然而，它可以由 任何其他辐射束源提供。光导纤维或光纤可用于使发射器和接收器位于 远程。选择辐射束142以对掩模版材料和表膜(和掩模)保护壳盖表面 具有从表膜材料提供良好反射系数的波长。还期望在表膜中几乎不吸收 束以防止不期望的热效应。尽管上述检测器被描述为基于光学(辐射) 束的反射而操作，但这仅用于说明目的。其他类型的发射束(例如基于 声波或任何其他可行的检测器)可用于此目的。
299.上述检测器可以使用具有不同接收光纤的数值孔径(na)的一束 混合光纤。具有不同的na允许反射率补偿，这使得检测对感测表面中 的反射率变化不敏感。
300.使用光学(辐射)束方法的检测器将检测表膜运动及其运动频率。 共振频率例如指示表膜状态。运动频率的任何变化可以指示与如下情况 有关的变化，即，所述情况包括即将发生的表膜故障、热效应或表膜从 使用中的变化/降级等。法向入射和非法向入射束扫描都可以用于此目 的。最佳入射角可以允许在较小空间中的较少个检测器。可以在初始时 刻测量表膜隔膜的状态，然后监测以检测随时间的任何变化。
301.光学发射器/接收器阵列(例如激光二极管、一维阵列或二维阵列) 可用于检测表膜的多个区域。对于每个发射器，辐射束可以成不同的角 度，以从小的覆盖区有效地检查多个区域。发射器/检测器对配置的示 例可以是成一条线中的三个传感器，形成十字形配置的五个传感器或九 个传感器，或者传感器的3
×
3阵列，其中在边缘处具有至少一个帧传 感器，在阵列的中心中具有至少一个表膜传感器。
302.扫描束概念也可用于扫描表膜表面以检测其完整性的变化。这将需 要具有在1d或2d空间中旋转的能力的辐射束(例如与旋转台集成)。
303.表膜和框架检测装置可位于光刻设备或其他装置(例如运输壳体， 掩模版检查工具等)的内部和外部的各个位置，以在存储、运输等期间 检测表膜状态。表膜完整性也可以
在掩模版检查期间被监测，例如在使 用散射仪器期间被监测，用于检测通过表膜的掩模版上的颗粒污染。
304.图18是根据本发明的实施例的表膜故障检测设备140的示意图。 表膜故障检测设备140包括辐射源141和辐射传感器143。辐射源141 被配置为发射辐射束142。辐射传感器143布置成接收和检测辐射束142 的反射。
305.图18中还示出了图案形成装置ma和表膜组件15。表膜组件15 包括表膜19和表膜框架17，表膜框架17将表膜19保持在适当位置， 以保护图案形成装置ma免受颗粒污染。辐射源141布置成用辐射束 142照射表膜19和图案形成装置ma(通过表膜19)的一部分。辐射 传感器143布置成接收和测量辐射束142从表膜19和图案形成装置ma 的反射。辐射传感器配置成以非法向入射角照射表膜19的一部分。也 就是说，表膜19处的辐射束142的入射角θ大于零。通常，表膜19与 图案形成装置ma的图案化的表面24大致平行。因此，辐射束142入 射到图案形成装置ma的图案化的表面24上的入射角通常近似等于表 膜19上的辐射束142的入射角θ。
306.由于在表膜19处和在图案化的表面24处的辐射束142的非法向入 射角θ，从表膜19反射的反射束142a的位置不同于从图案形成装置 ma反射的反射束142b的位置。因此，从表膜19反射的束142a在与 从图案形成装置ma反射的束142b的位置不同的位置处入射到辐射传 感器143上。辐射传感器143可以配置成确定辐射入射在其上的位置。 因此，辐射传感器143可以能够在从表膜19反射的辐射和从图案形成 装置ma反射的辐射进行区分。
307.表膜检测设备140还包括与传感器143通信的控制器145。控制器 145被配置为根据由传感器进行的对反射的辐射的检测检测表膜的故障。 例如，在没有来自表膜19的辐射的实质反射的情况下，控制器145可 以推断出不存在表膜19或者表膜19已经破裂(并且因此不存在于辐射 束142的光学路径中)。在一些实施例中，控制器可以被配置为当从表 膜19反射的辐射束142的部分142a的强度的测量值下降到阈值以下时 检测表膜的故障。反射部分142a的强度的测量由传感器143进行，并 且可以例如包括入射在传感器143上的反射辐射的功率和/或强度。
308.在图18中所示的实施例中，辐射传感器143包括第一检测器区域 143a和第二检测器区域143b。第一检测器区域定位成接收从表膜19反 射的辐射142a，第二检测器区域143b定位成接收从图案形成装置ma 反射的辐射142b。
309.如果第一检测器区域143a检测到从表膜19的实质性反射(例如， 测量到具有高于阈值量的强度或功率的辐射)，那么控制器145可以确 定表膜19在适当的位置上并没有故障。如果第一检测器区域143a没有 检测到从表膜的实质性反射(例如，在第一检测器区域143a所测量到 的强度或功率低于阈值量)，那么控制器145可以确定没有表膜存在或 表膜破裂(因此，在辐射束142的光学路径中不存在表膜)。
310.为了提供与第一检测器区域143a处测量的辐射的比较，也可以测 量在第二检测器区域143b处的辐射。例如在第二检测器区域143b处测 量的辐射可以用于核实图案形成装置ma的存在，和/或核实图案形成 装置ma和/或表膜被正确对齐，以便检测表膜19的存在或不存在。例 如，如果在第二检测器区域143b没有测量到从图案形成装置ma的辐 射的实质性反射，那么这可以表示表膜故障检测设备140没有正确定位 和/或对齐以便检测表膜的存在或不存在。
311.在表膜故障检测设备140没有正确定位和对准以便检测表膜19的 存在或不存在以及表膜将要破裂的情况下，那么在第二检测器区域143b 处测量的辐射的功率和/或强度可以减小。当表膜9存在于从图案化的 表面24反射的辐射142b的光学路径中时，之后一部分辐射可被表膜19 吸收(以及被表膜19反射)，从而降低了入射在第二检测器区域143b 上的辐射的功率。例如，入射到表膜19的约10-20％的euv辐射可以 在每次通过表膜19时被表膜吸收。在表膜19破裂并且不再存在于辐射 束142的光学路径中的情况下，辐射将不再被表膜19吸收。因此入射 到第二检测器区域143b上的辐射的功率将增加。在一些实施例中，控 制器145可以使用入射到第二检测器区域143b上的辐射的功率降低来 检测表膜19已经出现故障。
312.在图18所示的实施例中，辐射传感器143包括第一传感器区域143a 和第二检测器区域143b，第一传感器区域143a被配置为检测从表膜19 反射的辐射142a，第二检测器区域143b被配置为检测从图案形成装置 ma反射的辐射142b。在其他实施例中，辐射传感器143可采用其他形 式。例如，在一些实施例中，第二检测器区域143b可以被省略。在这 些实施例中，由第一检测器区域142a进行的测量可以单独用于确定表 膜19是否存在或是否已经出现故障。
313.通常，可以使用任何传感器，所述传感器布置成检测从表膜19反 射的辐射束142的部分142a。如图18的实施例中所示，传感器143可 以进一步配置为检测从图案形成装置ma反射的辐射束142的部分142b。 由于辐射束以非法向入射角入射到表膜上，因此从图案形成装置ma反 射的辐射束142的部分142b在与从图案形成装置ma反射的辐射束142 的部分142a不同的位置处入射到传感器143上。
314.如上所述，将表膜19放置在表膜框架17上，使得表膜19中存在 初始张力。在表膜19破裂的情况下，表膜中的初始张力可能引起表膜 基本上从由表膜框架17束缚的整个区域被移除。例如，在破裂之后， 表膜19可以自身卷起和/或与框架17断开连接。因此，可以通过在表 膜19上的任何位置处监测表膜19来检测表膜19的破裂。在一些实施 例中，可以使用单个表膜故障检测设备来确定表膜19在表膜19上的任 何位置处的故障。在其他实施例中，可以提供多个表膜故障检测设备， 以监测表膜19的不同部分。
315.在图18中示出的实施例中，控制器145被示为与传感器143分离 的部件。在其他实施例中，控制器145可以形成传感器143的一部分或 者可以形成另一个部件的一部分。
316.在图18中所示的实施例中，传感器143布置成检测从表膜19的辐 射束142的镜面反射。因此，辐射源141布置成以非法向的入射角照射 表膜19，使得来自表膜19的镜面反射142a处于与来自图案形成装置 ma的镜面反射不同的位置。
317.在一些实施例中，传感器143可以布置成检测从表膜19的漫反射。 与上述方法类似，可以使用漫反射的检测来检测表膜19是否已经发生 故障。在这样的实施例中，辐射源141可以布置成以非法向的入射角照 射表膜19，或者可以布置成以法向入射照射表膜。从表膜19的漫反射 的角度轮廓可以与从图案形成装置的漫反射的角度轮廓不同。因此，在 辐射源so以法向入射角照射表膜19的实施例中，漫反射的测量可用 于区分从表膜19的反射与从图案形成装置ma的反射。
318.表膜故障检测设备140(例如上面参考图18描述的表膜检测设备) 可以在用于处理和使用由表膜19保护的图案形成装置ma的过程的任 何阶段使用。例如，表膜故障检测设
备140可以用在光刻设备的负载锁 平台中。负载锁平台可用于将由表膜19保护的图案形成装置ma转移 到光刻设备中或从光刻设备中转移出来。例如，图案形成装置ma可以 来自从光刻设备外部的大气压力条件并且放置在装载锁内。可以将负载 锁抽气至真空压力条件，其中图案形成装置ma位于负载锁内，以准备 在光刻设备内使用图案形成装置ma。然后可以将图案形成装置ma从 负载锁转移到光刻设备中以用于光刻过程。
319.在一些实施例中，表膜故障检测设备140可以位于光刻设备的负载 锁平台中。表膜故障检测设备140可用于在图案形成装置ma之前检查 表膜，并将表膜装载到光刻设备中以供使用。如果表膜故障检测设备140 检测到表膜已经出现故障，则图案形成装置ma可以不被装载到光刻设 备中并且可以不被用在光刻设备中。在将图案形成装置ma装载到光刻 设备中之前检查表膜可以防止破裂的表膜进入光刻设备。有利地，这可 以防止表膜碎片进入光刻设备并污染光刻设备。
320.图案形成装置ma和保护图案形成装置ma的表膜19可以在保护 舱(其可以称为掩模版舱)中输送。例如，可以将图案形成装置装载到 光刻设备中(例如通过负载锁)，同时位于保护壳体内。然后可以从保 护壳体移除图案形成装置ma以用于光刻过程。保护壳体可以例如包括 被内舱和外舱的内隔室和外隔室，内舱位于外舱内。
321.图19是保护壳体147的一部分的示意图，其中图案形成装置ma 和表膜组件15位于其中。表膜组件15包括表膜19和表膜框架17。图 19中还示出了表膜故障检测设备140，所述设备可用于监测表膜19的 故障，同时图案形成装置ma和表膜组件位于保护壳体147内部。为了 便于监测表膜19，当表膜19位于保护壳体147内时，保护壳体147设 有第一透明窗149a。第一透明窗149a透射辐射束142的至少一部分和 辐射束142的反射的部分142a、142b。
322.在图19所示的实施例中，保护壳体147还设有第二透明窗149b。 第二透明窗149b可用于监测表膜组件15和/或图案形成装置ma的另 一方面。例如，在图19所示的实施例中，将监测装置240定位成监测 表膜框架17的存在。
323.监测装置240使用与表膜故障检测设备140类似的原理，并且包括 辐射源241和辐射传感器243。辐射源配置成用辐射束242以非法向入 射角照射表膜框架17。辐射传感器243被配置为接收和测量从表膜框架 17反射的辐射束242的部分242a。辐射传感器243可以基于由传感器 243进行的对反射的辐射242a的测量确定表膜框架17是否存在。例如， 如果由辐射传感器243测量的辐射的功率或强度超过阈值，则可以确定 存在表膜框架17。如果由辐射传感器243测量的辐射的功率或强度低于 阈值，则可以确定不存在表膜框架17。
324.监测装置240可用于区分旨在由表膜保护的图案形成装置ma和旨 在不由表膜保护的图案形成装置ma。例如，如果监测装置240确定在 图案形成装置上存在表膜框架17，则可以推断出图案形成装置旨在由表 膜保护。如果监测装置240确定在适当的位置不存在表膜框架17，则可 以推断出图案形成装置ma旨在不由表膜保护。如上所述，表膜故障检 测设备140可以确定完整的表膜19是否正在保护图案形成装置ma。
325.在一些实施例中，可以通过其他手段来检测图案形成装置是否旨在 由表膜保护。例如，图案形成装置ma所处的保护壳体147可以依赖图 案形成装置是否旨在由表膜保护而不同。因此可以监测保护壳体的一个 或更多个特征，以便确定图案形成装置ma是否旨在由表膜保护。例如， 在一些实施例中，设计用于与由表膜19保护的图案形成装置ma一起 使用
的保护壳体147可包括用于容纳表膜框架17和表膜19的凹部。设 计用于与不由表膜19保护的图案形成装置ma一起使用的保护壳体147 可以不包括用于容纳表膜框架17和表膜的凹部。在这样的实施例中， 监测装置240可以被配置为检测保护壳体147中是否存在凹部。保护壳 体147中是否存在凹部可以指示保护壳体是否正在输送旨在由表膜19 保护图案形成装置ma或旨在不由表膜19保护的图案形成装置ma。
326.虽然上面已经描述了在负载锁平台中使用表膜故障检测设备140和 /或监测装置240，但是表膜故障检测设备140和/或监测装置可以在其 他位置使用。例如，它们可以用在光刻设备的图案形成装置ma的处理 阶段中，在所述阶段中准备图案形成装置ma以用于光刻过程。在一些 实施例中，多个表膜故障检测设备140和/或监测设备240可以用在多 个不同的位置。
327.上面已经描述了实施例，其中使用表膜故障检测设备来检测表膜的 故障。在一些实施例中，光学设备可用于在表膜经受压力差的时间期间 测量表膜的一个或更多个区域的位置。如上所述，图案形成装置和表膜 可以被抽气至真空压力条件(例如，在负载锁平台)，作为将图案形成 装置装载到光刻设备中的过程的一部分。作为从光刻设备卸载图案形成 装置的过程的一部分，图案形成装置和表膜可以经受压力的增加。例如， 图案形成装置可以定位在负载锁平台中，所述负载锁平台在图案形成装 置从负载锁平台卸载之前被通风至大气压。
328.当图案形成装置和表膜经受变化的压力条件时，压力差可以横跨表 膜而出现。例如，图案形成装置和表膜之间的体积中的压力可以以比所 述体积外的压力更慢的速率变化，从而导致横跨表膜的压力差。横跨表 膜的压力差可以在表膜上施加力，所述力用于弯曲表膜。例如，表膜可 以朝向图案形成装置弯曲或者可以远离图案形成装置弯曲。表膜的弯曲 可能导致对表膜的损坏和/或表膜的破裂。例如，表膜可以弯曲到与图 案形成装置和/或保护壳体接触的程度，在所述保护壳体中可以包含图 案形成装置和表膜(例如图19中所示的保护壳体147)。表膜和另一个 部件之间的接触可能引起表膜损坏并可能引起表膜破裂。
329.为了避免对表膜的损坏，可以限制压力条件改变的速率(例如在抽 气或排气过程期间)，以确保横跨表膜的任何压力差保持在安全阈值内， 在所述阈值内表膜没有损坏。例如，这可以通过在任何压力变化期间测 量表膜的一个或更多个区域的位置并且响应于所述测量来调节压力变 化速率来实现。例如，可以测量表膜的大致中心部分的位置。如果检测 到表膜的中心部分太靠近图案形成装置和/或太远离图案形成装置，则 可以降低图案形成装置所经受的压力的变化率。如果检测到表膜的位置 良好地位于安全极限内(即，不太靠近图案形成装置或不太远离图案形 成装置)，则可以增加压力的变化率以减少完成抽气和/或排气过程所需 的时间。
330.通常，光刻设备可以设置有用于光刻设备的负载平台，所述负载平 台包括：腔室，被配置为接收由表膜保护的图案形成装置；传感器设备， 被配置为测量位于腔室中的表膜的至少一部分的位置；和压力改变设备， 被配置成改变腔室内的压力。压力改变设备可以被配置为响应于对表膜 的至少一部分的位置的测量值来控制腔室内的压力改变的速率。压力改 变设备可以例如被配置成响应于指示表膜的位置位于表膜的位置的期 望范围之外的测量值而降低腔室内的压力改变的速率。表膜的位置的期 望范围可以例如位于距图
案形成装置的最小距离和距图案形成装置的 最大距离之间。也就是说，如果表膜太靠近图案形成装置或太远离图案 形成装置，那么压力变化速率可能会降低。
331.响应于表膜的位置的测量值而控制图案形成装置和表膜所经受的 压力变化率可以有利地允许减少抽气和/或排气过程所需的时间，同时 确保压力变化速率保持在安全极限内。
332.在替代实施例中，可以对图案形成装置和表膜在抽气和/或排气过 程期间可能经受的压力变化速率进行建模。例如，在抽气和/或排气制 程期间表膜的响应可以以许多不同的压力变化率建模。这可以允许确定 不会引起表膜损坏的安全的压力变化速率。例如，可以通过建模来确定 图案形成装置和表膜在不引起表膜损坏的情况下可以经受的最大压力 变化速率。
333.然而，建模结果可能具有相关联的不确定性，并且可能无法准确地 预测表膜的行为。例如，表膜的机械属性对于不同的表膜可以是不同的， 并且在实践中可以与输入到模型的机械属性不同。因此，表膜的行为可 能随着建模结果而不同。为了考虑建模的不确定性，在实践中使用的压 力变化速率可以显著小于使用建模过程确定的最大的安全压力变化速 率。也就是说，在抽气和/或排气过程中使用的压力变化速率可以降低 到理论上的安全压力变化速率(如由建模过程而确定的)以下以降低引 起表膜损坏的风险。
334.因此，建模不确定性的一个结果可能是在实践中使用的压力变化速 率可以实质上低于可以在不引起表膜损坏的情况下使用的最大压力变 化速率。结果，可能增加执行抽气和/或排气过程所花费的时间量。因 此，减小了图案形成装置装载到光刻设备中和从光刻设备移除的速率， 这可能降低光刻设备的产量。
335.如上所述，在一些实施例中，可以响应于表膜的位置的测量值来控 制图案形成装置和表膜所经受的压力变化速率。通过响应于表膜的测量 值来控制压力变化速率(与建模结果相反)，可以增加压力变化速率而 不会有损坏表膜的风险。也就是说，当依赖于实时测量值时使用的压力 变化速率可能大于依赖于建模结果时使用的压力变化速率。因此，通过 响应于表膜的测量值控制抽气和/或排气过程，可以以更快的速率将图 案形成装置装载到光刻设备中和/或从光刻装置卸载。这可以有利地允 许增加光刻设备的产量。
336.可以在图案形成装置和表膜位于保护壳体(例如图19中所示的保 护壳体147)内的同时执行抽气和/或排气过程。如上面参考图19所述 的，保护壳体147可包括一个或更多个透明窗149a，149b。
337.保护壳体中的透明窗149a，149b可以允许对表膜进行光学测量， 以便确定表膜的位置。例如，类似于图19中所示的表膜故障检测设备 140的传感器可用于确定表膜19的区域的位置。图19中所示的表膜故 障检测设备140包括辐射源141、辐射传感器143和控制器145。辐射 源141用辐射束142以非法向的入射角照射表膜19的一部分。因此， 从表膜19反射的辐射束142的部分142a的位置依赖于表膜19的被照 射部分的位置。例如，如果表膜19的被照射部分被朝向或远离图案形 成装置ma移动，则反射部分142a入射到辐射传感器143上的位置可 能改变。
338.辐射传感器143可操作用于检测反射部分142a入射到辐射传感器 143上的位置。例如，辐射传感器143可包括位于辐射传感器143上不 同位置处的多个不同检测器区域。例如，多个检测器区域可以布置为检 测器区域的阵列(例如，ccd阵列或cmos阵列)。控制器
145可以接 收由辐射传感器143进行的测量，并且可以根据测量值确定辐射传感器 143上的反射部分142a的位置。控制器145可以进一步根据测量值确定 表膜的被照射部分的位置。例如，控制器145可以确定表膜19的被照 射部分与图案形成装置ma的距离。
339.辐射传感器143可以另外测量从透明窗149a和/或图案形成装置的 辐射束142的反射。从透明窗149a和/或图案形成装置的反射在辐射传 感器143上的位置可以用作参考测量值，所述参考测量值可以与从表膜 的反射的位置进行比较。例如，通过比较从表膜的反射的位置与从透明 窗149a和/或图案形成装置ma的反射的位置，可以确定表膜与透明窗 149a和/或图案形成装置ma的距离。
340.在一些实施例中，共焦成像传感器可用于确定表膜的一部分的位置。 共焦成像传感器可以包括辐射源，该辐射源被配置为沿着共焦成像传感 器的光轴形成连续的单色图像。发射的辐射的反射通过针孔成像。传感 器可以确定成像的反射辐射的波长，其中波长依赖于沿成像的辐射被反 射所在的光轴的位置。因此，成像的辐射的波长指示诸如表膜的反射表 面的位置。使用该原理，可以使用共焦成像传感器来测量表膜的照射区 域的位置。
341.在一些实施例中，共焦成像传感器可用于同时确定多个反射表面的 位置。例如，共焦成像传感器可用于确定透明窗149a和/或图案形成装 置ma的位置，同时确定表膜的被照射的部分的位置。所确定的表膜位 置可以例如与图案形成装置和/或透明窗的所确定的位置进行比较，以 确定表膜与透明窗和/或图案形成装置ma的距离。可以使用其他方法 来同时测量表膜的位置和图案形成装置和/或透明窗的位置。例如，可 以采用三角测量来同时测量表膜的位置以及图案形成装置和/或透明窗 的位置。可以以上面结合图19所述的方式同时监测位置。
342.如上所述，可以使用表膜的一部分的位置的测量值来控制表膜所经 受的压力变化速率。被测量的表膜的部分可以例如是表膜的大致中心部 分。在一些实施例中，可以测量表膜的多个部分的位置(例如，使用多 个传感器)。在一些实施例中，光学传感器可用于测量表膜的一部分的 位置(例如，上面参考图19描述的类型的传感器)。通常，任何形式的 传感器可用于测量表膜的一个或更多个部分的位置。
343.图18和19中的传感器的数量及它们的位置仅出于图示目的而示出。 可以根据期望或需要将具有适当波长选择的附加传感器和位置与附加 功能一起使用。
344.在一些实施例中，表膜的一个或更多个部分的位置的测量可以附加 地或替代地用作表膜疲劳的指示。例如，可以在多个不同的抽气和/或 排气制程期间测量根据压力变化的表膜的位置的变化。如果根据压力变 化的表膜的位置对于不同的抽气和/或排气过程而言显著不同，那么这 可能表明表膜的机械属性已经改变。例如，这可以指示表膜的疲劳，并 且可以用作表膜可能易受进一步损坏和破裂的警告。随后可以停用这种 表膜以避免对表膜的进一步损坏。
345.在一些实施例中，可以通过测量传播通过表膜19的辐射来检测表 膜19的故障。这种测量可能已经在光刻设备中被进行，用于其他目的。 例如，已经通过表膜19传播的辐射的测量值可以用于对准目的和/或测 量波前像差。图20是光刻设备la的示意图，所述光刻设备可用于测 量部件的对准和/或波前像差。图20中所示的光刻设备la类似于图1 中所示的光刻设备la。图20中使用相同的附图标记来表示上面参照图 1描述的相同特征。将不会参考图20更详细地描述这些特征。
346.在图20中所示的实施例中，图案形成装置ma包括基准150。基 准150可以类似于图5中所示的标识81。基准150可以使辐射束b的 一部分形成图案用于测量的目的。例如，基准150可以包括反射式衍射 光栅，当用辐射束b照射时，所述反射式衍射光栅导致形成多个衍射级。 在其他实施例中，基准150可以不形成图案形成装置ma的一部分，而 是可以定位成与图案形成装置ma相邻(例如，在支撑结构mt上)。 从基准150反射的辐射通过表膜19。
347.图20中还示出了传感器设备151。传感器设备151被配置为测量从 投影系统ps输出的辐射束b的一个或更多个属性。传感器设备151可 以例如测量从基准150反射的辐射的一个或更多个属性(例如，在基准 处形成的衍射级)。由传感器设备151进行的测量可以用于确定衬底台wt相对于图案形成装置ma和/或支撑结构mt的对准的对准。例如， 传感器设备151可以用于确定辐射束b中的一个或更多个特征的位置 (例如，一个或更多个衍射级)，所述特征由基准150形成。这可以允 许确定传感器设备151相对于基准150的对准。
348.在一些实施例中，基准150和传感器设备151可以附加地或替代地 用于确定由投影系统ps引入的波前像差。例如，传感器设备151可以 被配置为执行剪切干涉测量。在这样的实施例中，传感器设备151可以 包括透射式衍射光栅和设置在透射式衍射光栅后面的辐射传感器。辐射 传感器可以被配置为测量在基准150处形成的衍射级与在传感器设备 151的透射式衍射光栅处形成的衍射级之间的相互作用。基准150和/ 或传感器设备151可以相对于彼此移动。例如，传感器设备151可以相 对于辐射束b步进，并且在每个步进位置处进行测量。由传感器设备 151进行的测量可以拟合为一组多项式，例如泽尼克(zernike)多项式。 这样的一组多项式可以表征由投影系统ps引入的波前像差，并且可以 用于调整投影系统(例如，以减小由投影系统ps引入的波前像差)。
349.如上所述，用于确定部件的对准和/或波前像差的测量可以包括测 量透射通过表膜19的辐射。如上文进一步所述的，表膜19可以吸收和 /或反射入射到表膜上的辐射的一部分。例如，euv辐射束b的约10％ 的功率可以在每次通过表膜19时被表膜19吸收。由于辐射束b在到达 辐射传感器151之前两次通过表膜19，所以euv辐射束b的约20％的 功率可以被表膜19吸收。因此，由表膜19的存在减少了由传感器设备 151测量的辐射强度。在表膜19即将破裂的情况下，然后表膜19可以 被从辐射束b的光学路经中移除。例如，表膜19可以破裂成多个块和/ 或卷起，使得表膜19不再由表膜框架17横跨图案形成装置ma而被保 持。如果从辐射束b的光学路径移除表膜19，那么到达传感器设备151 的辐射的强度将增加。这可以通过传感器设备151测量的信号的增加来 检测。这种增加可以用于检测表膜19的故障。
350.在图20中所示的实施例中，光刻设备la还设置有与传感器设备 151通信的控制器153。控制器153可以从传感器设备151接收指示由 传感器设备151测量的辐射的强度的测量值的信号。控制器153可以检 测由传感器设备151测量的辐射的强度的测量值的增加，并且可以根据 检测到的增加确定表膜19已经发生故障。控制器153可以例如发出指 示已检测到表膜19的故障的信号和/或警报。
351.在图20中所示的实施例中，可以认为辐射源so、传感器设备151 和控制器153形成表膜故障检测设备的示例。辐射源so被配置为利用 辐射束b照射由表膜19保护的图案形成装置ma的一部分。辐射束b 透射通过表膜19。传感器设备151被布置为接收和测量透射通过表膜 19的辐射束b的至少一部分。控制器153与传感器设备151通信，并 且被配置为当传感器设备接收的辐射的强度的测量值增加时检测表膜 19的故障。辐射的强度的测量值可以
是例如辐射的功率。
352.上面已经描述了控制和/或检测表膜破裂的实施例。在上述实施例 中，通常假设如果表膜开始破裂，则表膜中的裂缝将继续横跨表膜传播。 然而，在一些实施例中，表膜可包括配置成限制表膜中裂缝传播的特征。 图21是表膜19的示意图，表膜19包括多个终端特征301。为了便于图 示，终端特征301被示出为与表膜19的尺寸相比相对大。实际上，终 端特征301可以相对于表膜19的尺寸而比图21所示的尺寸小。表膜19 可以另外包括比图21中所示的更多的终端特征301。
353.终端特征301可以被配置成使得当表膜19被放置处于张力中时(例 如，当横跨表膜框架悬挂时)，在终端特征中产生的应力小于在终端特 征的外部的表膜的区域中产生的应力。如下面将进一步详细解释的，终 端特征301可以例如包括表膜19中的孔(因此在终端特征本身内没有 应力)。替代地，终端特征可以包括掺杂有掺杂材料的表膜的区域。
354.图22是在表膜19中形成的裂缝303的示意图。裂缝303具有长度 a。裂缝303具有半径为r的尖端305。这里对裂缝尖端305的参考应 该被解释为指的是与裂缝303的末端交界的表膜的材料的区域，如图22 的粗线305所示。这里对裂缝尖端处的应力的参考应该被解释为意思是 由与裂缝303的末端交界的表膜的材料的区域所经历的应力。
355.当在表膜19中首先形成裂缝303时，如果满足以下条件，裂缝将 继续增长：
[0356][0357]
其中σ是裂缝的尖端处的应力，a是裂缝的长度，kic是表膜材料 的临界应力强度因子或表膜材料的韧度。(1)中给出的条件左手侧的 表达式约等于裂缝的尖端处的应力强度因子ki。临界应力强度因子kic 是表膜的材料的恒定属性。
[0358]
裂缝尖端处的表膜材料中的应力σ通常最初(即，当裂缝首次形成 时)具有由表膜在附接到表膜框架时被放置所处的预张力引起的应力的 量级。当裂缝开始通过传统的表膜传播时，裂缝尖端处的应力σ通常不 会降低。相反，裂缝尖端处的应力σ随着裂缝长度a的增加而增加。结 果，将继续满足(1)中的条件并且裂缝将继续传播直到裂缝到达表膜 19的悬挂区域的边缘(即，直到裂缝到达表膜框架)为止。
[0359]
在图21中所示的表膜的实施例中，表膜19包括终端特征301。终 端特征301被配置成使得在裂缝尖端305传播到终端特征中的情况下， 裂缝尖端经历在裂缝尖端处的应力σ的减小。裂缝尖端处的应力σ的减 小可以减小足够大的数量，使得(1)中给出的条件不再成立。因此可 以终止裂缝的传播并且裂缝将不再继续增长。
[0360]
图23是裂缝尖端处的应力σ的示意图，当裂缝朝向并进入终端特 征301传播时应力根据裂缝长度a变化。图22中所示的应力是以每平 方米牛顿为单位的范式等效应力(von mises stress)。随着裂缝的增长， 裂缝尖端的半径r保持基本恒定，而裂缝的长度a增加。因此，裂缝长 度a与裂缝尖端的半径r的比率a/r增加，结果裂缝尖端处的应力σ也 随着裂缝长度a的增加而增加。
[0361]
在图22中可以看到随着裂缝长度a增加，应力σ的初始增加。当 裂缝接近终端特征301时，应力σ的增加速率增加直到其趋于无穷大。 这是因为在紧邻围绕终端特征301的区域中，应力可以高于表膜19的 其余部分中的应力并且高于终端特征301自身的应力。围绕终端接特征 的高应力区域可以使裂缝被引入端终特征301中。
[0362]
终端特征301的半径可以大于裂缝尖端的半径r。当裂缝进入终端 特征301时，裂缝尖端r的半径变为终端特征301的半径并因此增加。 因此，比率a/r减小，裂缝尖端的应力σ也减小。在图23中可以看到 在裂缝长度a大于约0.985
×
10-7m时，应力σ大幅下降。应力σ的减 小意味着不再满足(1)中的条件，因此在终端特征301中裂缝的传播 被终止。这样，防止了裂缝进一步传播，并且裂缝的尺寸是在它横跨整 个表膜19传播之前受到限制。
[0363]
如上所述，终端特征301的半径可以大于传播的裂缝尖端的半径r。 传播通过表膜19的裂缝尖端可具有约1-10纳米量级的半径r。因此， 终端特征301可以具有大于约10纳米的半径。在一些实施例中，终端 特征301的半径可以大于此，例如，半径可以大于约20纳米，大于约 50纳米或甚至大于约100纳米。终端特征301的半径大于传播的裂缝尖 端的半径r有利地确保当裂缝尖端进入终端特征301时，比率a/r减小， 导致裂缝尖端处的应力σ的相应减小。
[0364]
在图21中所示的实施例中，终端特征301每个基本上是圆形的。 在其他实施例中，终端特征301可以具有除了大致圆形的形状之外的形 状。通常，终端特征301可以具有横向尺寸，该横向尺寸大于裂缝尖端 的半径r。横向尺寸可以是例如半径。横向尺寸可以是终端特征301的 宽度。横向尺寸可以大于约10纳米，大于约20纳米，大于约50纳米 或甚至大于约100纳米。
[0365]
如图21的实施例中所示，终端特征301可以以基本规则的图案布 置。也就是说，对于几个不同的相邻组的终端特征301，相邻的终端特 征301之间的间隔可以基本相同。将终端特征301布置成基本规则的图 案可以有利地增加裂缝在两个终端特征之间传播的可能性，因此在到达 表膜19的边缘之前，裂缝可以在表膜的两端终止。这可以用于限制裂 缝的程度，并且可以有利地防止裂缝产生大量的碎片，而碎片可能导致 污染。因此，终端特征301有利地减少了可能由表膜19的故障导致的 对周围部件的污染。
[0366]
在一些实施例中，终端特征301中的一些或全部可包括表膜19中 的孔。这些孔可以是例如基本上圆形的孔。圆形的孔是材料中相对稳定 的不连续性，因此可以减少引起表膜19自身故障的变化(当与具有其 他形状的孔相比时)。通常，表膜19中的孔在表膜19的与所述孔交界 的区域中产生应力，所述应力大于表膜19中其他地方的应力。例如， 表膜19的与所述孔交界的区域中的应力可以是表膜19中其他地方的应 力的两倍的量级。然而，在表膜19的与所述孔交界的区域中的应力通 常小于在传播的裂缝尖端处的应力σ。
[0367]
图24a是裂缝303的示意图，裂缝303朝向包括在表膜19中孔的 终端特征301传播。在裂缝303到达终端特征301之前，裂缝303具有 裂缝尖端305，裂缝尖端305的半径r小于终端特征301的半径。裂缝 尖端处的应力σ足够大，使得满足(1)中的条件并且裂缝尖端继续传 播通过表膜19。
[0368]
图24b是裂缝303到达终端特征305之后的示意图。一旦裂缝尖端 305进入终端区域305，裂缝尖端305的半径r变为终端特征301的半 径，并且裂缝尖端处的应力σ成为表膜19的与终端特征301交界的区 域中的应力。如上所述，表膜19的与终端特征301交界的区域中的应 力通常大于表膜中的其他地方的应力(例如，是表膜中其他地方的应力 的两倍)，但是当裂缝尖端305朝向终端特征301传播时(如图24a所 示)，通常表膜19的与终端特征301交界的区域中的应力小于裂缝尖端 305处的应力。在进入终端特征时，裂缝尖端处的应力σ因此减小，如 上面参考图22所述，并且裂缝303的传播终止。
[0369]
在包括终端特征301并且终端特征301包括在表膜19中的孔的实 施例中，孔的直径(或孔的其他横向尺寸)可以小于污染物颗粒的尺寸， 表膜19被配置为防止污染物颗粒接触图案形成装置ma。包括在表膜 19中的孔的终端特征301可以例如通过各向同性地蚀刻表膜19的层来 形成，以便在表膜19中形成孔。可以通过控制蚀刻过程来控制孔的尺 寸和/或形状。
[0370]
在一些实施例中，终端特征301中的一些或全部可包括表膜19的 掺杂区域。表膜19的掺杂区域掺杂有掺杂材料。例如，诸如硼的掺杂 材料可用于掺杂表膜的区域。在一些实施例中，可以使用除硼之外的掺 杂材料。在一些实施例中，掺杂材料可以是p型掺杂剂。附加地或替代 地，掺杂材料可以是s型掺杂剂。
[0371]
在一些实施例中，表膜可包括硅(例如，多晶硅薄膜)。在这样的 实施例中，掺杂材料可以是p型掺杂剂，诸如包括硼、铝、氮、镓和/ 或铟中的一种或更多种的掺杂剂。附加地或替代地，掺杂材料可以是n 型掺杂剂，诸如包括磷、砷、锑、铋和/或锂的掺杂剂。
[0372]
在一些实施例中，表膜可包括石墨烯。在这样的实施例中，掺杂材 料可包括硼、氮、钛、铬、铂、钴、铟和/或硫中的一种或更多种。附 加地或替代地，掺杂材料可包括有机分子、酸、碱和/或卤化物中的一 种或更多种。在一些实施例中，掺杂材料可包括过渡金属，例如铜、镍、 钌、钼和/或铂。
[0373]
表膜19的掺杂区域可以经历比表膜的其他未掺杂区域更小的应力。 例如，当包括掺杂区域的表膜19被放置处于张力下时(例如，当其横 跨表膜框架悬挂时)，掺杂区域中产生的应力可以低于表膜19的掺杂区 域外的区域中产生的应力。在一些实施例中，表膜19的掺杂区域可以 导致在表膜19中引入压缩应力。
[0374]
由于表膜19的掺杂区域中的应力小于表膜的其他未掺杂区域中的 应力，因此在传播的裂缝尖端进入掺杂区域的情况下，裂缝尖端处的应 力σ随着裂缝进入掺杂区域而减小。裂缝尖端处的应力σ的减小可能足 以使得不再满足上文的(1)中的条件。因此，裂缝的传播将在掺杂区 域中终止。
[0375]
可以例如通过首先将掩模施加到表膜19上而选择性地掺杂表膜的 区域。掩模可以覆盖表膜19的除了待掺杂的区域之外的区域，使得仅 留下待掺杂的区域被暴露。然后可以用掺杂材料掺杂暴露的区域。在已 经执行掺杂之后，可以去除掩模以暴露包括掺杂区域的表膜19。由于仅 表膜19的部分被掺杂，表膜19整体的机械属性基本上不受掺杂区域的 影响。
[0376]
在一些实施例中，掺杂区域可具有基本上圆形的形状。基本上圆形 的掺杂区域的机械属性可以与上面参考在表膜19中形成的孔所讨论的 机械属性具有相似性。通过掺杂形成终端区域，可以控制掺杂过程以控 制终端区域的机械属性(例如，由张紧表膜引起的应力分布)。
[0377]
在一些实施例中，掺杂区域可以以不同于圆形的掺杂区域的规则图 案的方式形成。图25是表膜19的示意图，表膜19包括多个呈掺杂区 域的条形式的掺杂区域301。在图25的实施例中，所述条在x方向上横 跨表膜19的整个范围延伸，如图25所示。在图25的实施例中，掺杂 区域的条基本上彼此平行。通过对准掺杂区域使得它们彼此近似或基本 上平行，任何开始以在垂直于条的方向上(即在图25中所示的y方向 上)的分量传播的裂缝将到达掺杂区域301，并将在掺杂区域301中终 止。另外，由条状的掺杂区域301引起的横跨表膜19
的应力分布意味 着，通常裂缝将仅在近似y方向上形成和传播(或者，至少在y方向上 的分量大于在x方向上的分量)。如图25中所示布置的条状的掺杂区域 因此可以确保在表膜中形成的基本上所有裂缝进入掺杂区域301。
[0378]
掺杂区域301的条可以具有大于裂缝尖端的半径r的横向尺寸，其 由掺杂区域301终止。横向尺寸可以是掺杂区301的宽度(在图25中 示出的y方向上)。掺杂区域301的宽度可以例如大于约10纳米，大于 约20纳米，大于约50纳米或甚至大于约100纳米。
[0379]
在一些实施例中，可以在表膜的悬挂区域的周边周围提供掺杂区域。 图26是表膜组件的实施例的示意图，所述表膜组件包括围绕表膜的悬 挂区域的周边设置的掺杂区域。表膜组件包括表膜19和表膜框架17。 表膜19由表膜框架17保持。表膜框架17包封表膜19的悬挂(或无支 撑)区域131。表膜19的悬挂区域131包括围绕表膜19的悬挂区域131 的周边布置的边界部分311。在图26的实施例中，边界部分311掺杂有 掺杂材料(例如硼)。如上所述，表膜的掺杂区域可以比掺杂区域外的 表膜19的其他区域经历更小的应力。边界部分可以用作类似于上述终 端特征的终端特征。
[0380]
提供呈边界部分311的形式的掺杂区域可以有利地允许通过控制边 界部分311的掺杂来控制横跨表膜的不同方向上的应力。例如，可以在 边界部分311上的不同位置处提供不同量的掺杂剂材料，以便控制横跨 表膜在图26所示的x和y方向上的应力。
[0381]
在一些实施例中，如上文参考图21-27所述的不同形式的终端特征 可以在单个实施例中组合。例如，在一些实施例中，如图26所示的掺 杂的边界部分可以与其他终端特征组合，例如在表膜中的圆形掺杂区域 和/或孔的图案。通常，本文描述的任何不同形式的终端特征可以在单 个实施例中组合。
[0382]
在一些实施例中，表膜可能经受处理过程，以便在使用表膜之前增 加表膜的韧性。例如，可以将表膜的全部或一部分加热到大于表膜的延 展性至脆性转变温度(dbtt)的温度，同时保持处于张力下。如下面 将进一步详细描述的，在保持张力的同时将表膜的全部或一部分加热到 大于其dbtt的温度可能引起表膜的一些区域经历塑性变形。塑性变形 可在表膜中存在缺陷的区域中引入压缩应力。如上所述，表膜中压缩应 力的存在可减缓或阻止裂缝通过表膜传播。
[0383]
如上所述，表膜可以由多层不同材料形成。例如，可以将多个不同 的层沉积在彼此之上以形成表膜。在制造表膜期间，由于沉积过程中的 缺陷，一层或更多层可能在所述层中沉积有缺陷。一个或更多层中的缺 陷可能导致表膜的局部薄弱区域。附加地或替代地，可以在表膜的一层 或更多层中形成小裂缝(例如，具有几纳米量级的尺寸)。表膜中的这 些缺陷可能引起表膜中的局部应力集中，这可能在稍后的时间点引起表 膜疲劳和/或故障。因此，可以期望加强表膜的这种缺陷区域，以减少 引起表膜故障的机会。
[0384]
在一些情况下，可以通过暂时使材料经受张力来增强延展性材料。 张力可导致延长的增韧状态，其对材料中的裂缝生长具有更大的阻力。 例如，如果包括小裂缝的延展性表膜保持在张力下，则大部分材料可能 经历弹性变形。然而，在靠近裂缝尖端的区域中，表膜可能经历塑性变 形，这可能导致在裂缝尖端处引入压缩应力。裂缝尖端处的压缩应力可 以减慢或防止裂缝的进一步传播，因此可以增强表膜以抵抗进一步损坏。 因此，表膜对疲劳的弹性将被增加。在已经去除张力之后，表膜对疲劳 的弹性仍然存在。张力可以例如短暂地被施加，例如，不到一秒钟。张 力可以例如被作为冲击载荷施加。
温度可以经历循环加热。也就是说，表膜在暴露于辐射期间被加热并且 在暴露于辐射之间冷却。
[0393]
在光刻设备中，通常将图案形成装置和表膜泵送到真空压力条件的 环境。然而，环境可能仍然包括一些气体，例如水蒸气。一些水蒸气可 凝结在表膜上，导致表膜上存在水。与表膜接触的水可能导致表膜氧化。 氧气具有对euv辐射的低的透射率。因此，表膜的氧化导致表膜在euv 波长下的透射率降低。
[0394]
在表膜降至阈值温度以下时，水可仅在表膜上凝结。例如，水可以 凝结到表膜上，表膜在表膜未暴露于辐射时(并且被辐射加热)经历循 环加热。在表膜暴露于辐射时，表膜的温度可足以防止水大量凝结到表 膜上。因此，通过在暴露于辐射之间加热表膜，可以减少和/或防止水 凝结到表膜上，使得表膜的温度不会下降到可能发生水的大量冷凝的温 度。例如，表膜可以在使用时被连续加热，使得表膜的温度不会下降到 低于阈值温度。阈值温度可以是在表膜上没有发生水的大量凝结的温度。 阈值温度可以是例如约120℃。
[0395]
通过加热表膜减少和/或防止水凝结到表膜上减少了表膜的氧化 (由于表膜上没有水的存在)。减少表膜的氧化有利地减少了由于氧化 导致的表膜的euv透射率的任何降低。
[0396]
可以例如通过电阻加热来加热表膜。如上所述，表膜可包括至少一 个导电层。可以对一个或更多个导电层进行电连接，并且使电流通过导 电层，从而发生电阻加热所述层。
[0397]
通常，加热表膜可以减少表膜的寿命(例如，由于导致表膜的疲劳)。 然而，与由于暴露于euv辐射而吸收的功率相比，表膜的电阻加热以 减少表膜的氧化可能引起表膜吸收相对低的功率量。例如，在一些实施 例中，由于暴露于euv辐射，表膜可以吸收约4w cm-2。通过比较表 膜的电阻加热以确保表膜保持在约120℃的阈值温度以上可能仅导致约 0.1w cm-2的功率吸收。因此，电阻加热可以贡献相对少量的额外吸收 的功率，并且可能不会显著增加表膜的疲劳。
[0398]
如上所述，可以通过电阻加热来加热表膜。为了加热表膜，可以提 供电流源作为表膜组件的一部分。根据本发明的一些实施例，表膜组件 可包括：框架，配置成支撑表膜；和附接到框架的表膜，其中表膜包括 至少一个导电层。表膜组件还可以包括电流源，所述电流源横跨所述至 少一个导电层而被连接并且被配置为产生通过所述至少一个导电层的 电流。电流源可以被配置为产生电流，所述电流通过电阻加热来加热表 膜，使得表膜的温度大于阈值温度。阈值温度可以是约120摄氏度或更 高。电流源可以配置成产生通过至少一个导电层的基本上连续的电流。
[0399]
应当理解，将表膜加热到阈值温度所需的电流对于不同的材料可以 是不同的。例如，将表膜加热到阈值温度所需的电流可依赖于表膜的导 电材料的电阻率和表膜的热质量。通过本领域普通技术人员进行的实验 可以容易地计算和/或建立将给定的表膜加热到阈值温度所需的电流。
[0400]
如上面已经详细描述的，表膜通常放置在表膜框架上，使得表膜保 持在初始张力。当横跨表膜建立压力差时，表膜中的初始张力用于减少 表膜的弯曲和偏转。例如，在从光刻设备装载和卸载图案形成装置期间， 图案形成装置和表膜可以暴露于变化的压力条件。改变压力条件可能导 致横跨表膜建立压力差。以初始张力保持表膜减少了由压力差引
起的表 膜的弯曲和偏转。例如，可以期望将表膜置于初始张力下，使得表膜在 经受高达约2帕斯卡的压力差时不会偏转超过约500μm。因此，当表 膜经受变化的压力条件时(例如，在装载图案形成装置到光刻设备和/ 或从光刻设备卸载图案形成装置期间)，表膜中的高初始张力可以产生 有利的效果。
[0401]
在光刻曝光过程期间，表膜所暴露于的压力可以是基本恒定的。因 此，表膜两侧的压力可以基本相同，横跨表膜不存在实质上的压力差。 因此，在经历光刻曝光过程时，可能减少了将表膜置于张力中的需求。
[0402]
在光刻曝光过程期间，当横跨表膜扫描euv辐射时，表膜的给定 部分可能经受循环加热。对表膜的多个部分的循环加热引起表膜的一些 部分中的应力增加和表膜的其他部分中的应力减小。已经表明，由于循 环加热而导致的表膜中的应力变化会引起表膜疲劳。也就是说，表膜的 拉伸强度随时间降低。表膜疲劳的速率随表膜中初始张力的增加而增加。 因此，表膜中的初始张力可以用于增加表膜疲劳发生的速率并且减少表 膜的寿命。因此，表膜中的高初始张力可能在光刻曝光过程中导致不利 影响。
[0403]
如上所述，表膜中的相对高的初始张力在图案形成装置的装载和/ 或卸载期间可能是有利的，但在光刻曝光期间可能是不利的。因此提出 了用于增加和/或减小表膜中的张力的方法和设备。这允许基于表膜的 情况来控制张力。例如，在将表膜装载到光刻设备中和/或从光刻设备 卸载表膜之前，可以增加表膜中的张力。在光刻曝光过程期间，在将表 膜暴露于euv辐射之前，可以降低表膜中的张力。
[0404]
图27是表膜组件15的示意图，所述表膜组件15配置成调整表膜 中的张力。表膜组件15包括表膜19和配置成支撑表膜19的表膜框架 17。表膜组件15还包括加热器501。加热器501配置成加热表膜框架 17。加热器可以例如配置通过电阻加热来加热表膜框架17。图27中所 示的加热器501是位于表膜框架17上的薄膜电阻加热器50。加热表膜 框架17将使表膜框架膨胀，从而拉伸框架并将表膜19横跨框架17拉 伸。拉伸表膜19用于增加表膜19中的张力。
[0405]
在图27所示的实施例中，加热器501仅定位在表膜框架17的两个 相对侧。因此，加热器501仅配置成增加表膜19在图27所示的y方向 上的张力。如图27所示，表膜19在y方向上比在x方向上长。因此， y方向上的张力可能是确定表膜在经受压力差时偏转多少的主要因素。 在其他实施例中，加热器501可以布置在表膜框架17的另一侧上。例 如，加热器501也可以布置成在x方向上拉伸表膜19。
[0406]
在一个实施例(未示出)中，可以在表膜框架17的每一侧上设置 加热器。当在表膜框架的每一侧上设置加热器被使用时，表膜各向同性 地膨胀。这是有利的，因为它可以减少表膜19中的应力。
[0407]
在一些实施例中，表膜19可以以初始张力放置在表膜框架17上， 所述初始张力小于用于将图案形成装置装载到光刻设备和从光刻设备 卸载图案形成装置的期望张力。在将图案形成装置装载到光刻设备中之 前，可以打开加热器501以加热表膜框架17并增加表膜19中的张力。 当横跨表膜19建立压力差时，表膜19中的张力可以例如被增加至抵抗 表膜的偏转和弯曲的张力。然后可以将图案形成装置和表膜组件15抽 气至真空压力条件并装载到光刻设备中。
[0408]
在已经装载到光刻设备中之后，可以关闭加热器501并且允许表膜 框架17冷却。
随着表膜框架17冷却，表膜19中的张力减小。然后可 以将图案形成装置和表膜暴露于euv辐射，作为光刻曝光过程的一部 分。由于在暴露于euv辐射之前表膜中的张力降低，因此有利地降低 了由暴露于euv辐射而引起的疲劳。
[0409]
在从光刻设备卸载图案形成装置和表膜组件之前，可以打开加热器 501以加热表膜框架17。对表膜框架17的加热拉伸表膜框架和表膜19 以增加表膜19中的张力。当表膜19在卸载过程中被通风至大气压力条 件时，表膜19中增加的张力允许表膜抵抗偏转和弯曲。
[0410]
在一些实施例中，可以使用除电阻加热之外的方法来加热表膜框架 17。例如，表膜框架17可以暴露于由表膜框架17吸收的辐射并加热表 膜框架17。在一些实施例中，表膜框架17可以使用除加热表膜框架17 之外的方法来拉伸。例如，一个或更多个致动器(例如，压电致动器) 可以被配置为向框架施加力以拉伸框架17。
[0411]
在一些实施例中，可以通过弯曲表膜框架17来调节表膜19中的张 力，而不是拉伸表膜框架17。图28a和28b是弯曲表膜框架17以增加 表膜19中的张力之前(图28a)和之后(图28b)的表膜组件的一部 分的示意图。表膜框架17包括第一层17a和设置在第一层17a上的第 二层17b。表膜19附接在第二层17b上。
[0412]
表膜框架17的第二层17b具有比表膜框架17的第一层17a更高的 杨氏模量和热膨胀系数。第二层17b可以例如包括钌。当表膜框架17 被加热时，第二层17b以比第一层17a更快的速率膨胀。因此，框架17 弯曲，如图28b所示。框架17的弯曲用于拉动表膜19以增加表膜19 中的张力。
[0413]
可以加热表膜框架17，以便通过例如电阻加热来弯曲表膜框架17。 例如，第二层17b可以是导电的，并且电流可以通过第二层17b，以便 通过电阻加热来加热第二层17b。替代地，表膜框架17可以包括第三导 电层，电流通过所述第三导电层，以通过电阻加热来加热表膜框架17。 例如，第三层可以位于第一层17a和第二层17b之间。可以期望将表膜 19与表膜框架17电隔离，使得电流不延伸到表膜19中。表膜19可以 例如通过在导电层的顶部表面中制造蚀刻线而与导电层电隔离。
[0414]
在图28a和28b所示的布置中，表膜框架在经受给定的加热量时 弯曲的量可依赖于第一层17a和第二层17b的相对厚度。因此，可以选 择第一层17a和第二层17b的厚度，以便为给定的加热量提供所期望的 弯曲量。
[0415]
在一些实施例中，可以通过弯曲表膜19自身而不是弯曲表膜框架 17来调节表膜中的张力。例如，上面参考图28a和28b描述的多层结 构可以用于表膜自身。图29a和29b是根据本发明的实施例的表膜组 件15的示意图。表膜组件15包括由表膜框架17支撑的表膜19。表膜 19至少包括具有第一杨氏模量和第一热膨胀系数的第一层19a和具有 第二杨氏模量和第二热膨胀系数的第二层19b。第二杨氏模量大于第一 杨氏模量，第二热膨胀系数大于第一热膨胀系数。
[0416]
第二层19b可以比第一层19a定位成更远离图案形成装置。表膜19 可以包括除第一层19a和第二层19b之外的其他层。为了便于图示，图 29a和29b中未示出其他层。
[0417]
图29a示出了处于初始张力的表膜19。例如，在光刻曝光过程期 间可以使用初始张力。在将图案形成装置和表膜组件装载到光刻设备和 /或从光刻设备卸载图案形成装置和表膜组件之前，可以增加表膜19中 的张力。为了增加表膜19中的张力，可以加热表膜19。例如，电流可 以通过表膜的导电层(图29a和29b中未示出)，以便通过电阻加热来 加热表
膜。附加地或替代地，表膜19可以暴露于被表膜吸收的辐射， 从而用于加热表膜。
[0418]
图29b示出了在表膜19已经被加热之后的表膜组件15。加热表膜 19引起第二层19b比第一层19a更大程度地膨胀。这具有弯曲表膜和增 加表膜中的张力的效果。因此，当横跨表膜19暴露于压力差时，表膜 可以更好地抵抗进一步弯曲。为了降低表膜19中的张力(例如，在光 刻曝光期间使用)，允许表膜19冷却使其松弛回来以进入图29a所示的 位置。
[0419]
在一些实施例中，表膜19可以配置成使得表膜的刚度横跨整个表 膜是不均匀的。图30是表膜组件15的示意图，其中表膜在靠近表膜19 的边缘的区域中的刚度被示出。图30中所示的表膜组件15类似于图 29a和29b所示的表膜组件15，类似的部件将不再详细描述。在图30 的实施例中，第二层19b在靠近表膜19的边缘的区域中具有增加的厚 度。表膜19的具有增加的厚度的区域可以不覆盖图案形成装置上的暴 露区域。因此，表膜19的厚度增加不会影响表膜的成像性能。
[0420]
在图30的实施例中，表膜19的厚度增加的区域可以被局部加热。 通过局部加热厚度增加的区域，表膜19的大部分弯曲发生在厚度增加 的区域中(如图30所示)。通过增加厚度的区域的弯曲来拉伸表膜的主 体，并因此增加表膜中的张力。表膜19的具有增加的厚度的区域也具 有增加的刚度。因此，该区域非常适于承受由表膜19的弯曲在该区域 上产生的应力。
[0421]
厚度增加的区域可以局部加热，例如，通过将加热器放置在表膜框 架17上。加热器将用于局部加热表膜的靠近表膜19的边缘的区域。加 热器可以例如是电阻加热器。
[0422]
在一些实施例中，表膜的局部加热可以配置成在表膜中产生期望的 应力分布。这可以允许在表膜中产生不均匀的应力场。例如，局部加热 可以配置成减小一个方向上的应力，同时保持另一个方向上的应力。通 常，局部加热可用于控制表膜中的应力分布。例如，这可以允许应力平 衡，从而减少表膜的起皱。
[0423]
在图30的实施例中，表膜19的悬挂部分的区域具有增加的厚度。 增加的厚度用于增加该区域的刚度。表膜的刚度增加的结果是，被要求 承受横跨表膜19的压力差的表膜中的张力减小。有利地，表膜中的张 力因此可以增加到小于当不存在厚度增加的区域时使用的张力的张力。
[0424]
在一些实施例中，表膜厚度增加的区域和表膜主体之间的过渡可以 配置成使得表膜的厚度在所述区域之间平滑过渡(与厚度的阶梯变化相 反，如图30所示)。例如，可以通过在制造表膜期间各向同性地蚀刻表 膜来形成这种过渡。不同厚度的区域之间的平滑过渡可导致过渡区域中 的较低的应力集中。
[0425]
上面已经描述的用于增加表膜中的应力张力的方法和设备可以用 于在难以引入固有张力的材料中将张力引入表膜中。例如，在一些实施 例中，表膜可包括石墨烯。通常难以将张力引入包含石墨烯的表膜中。 上述方法和设备可有利地允许将张力引入包含石墨烯的表膜。
[0426]
上面已经描述了各种实施例，其中控制了表膜中的张力。被配置为 控制表膜中的张力的设备可以被称为张力控制设备。张力控制设备可包 括加热器，所述加热器配置成加热表膜组件的部件(例如，表膜框架和 /或表膜)。张力控制设备可包括一个或更多个致动器，所述致动器配置 成在表膜框架上施加力。
[0427]
以上已经描述了表膜和表膜组件的各种发明方面，并且在本发明的 具体实施例
的背景下在附图中示出了表膜和表膜组件的各种发明方面。 应当理解，任何所描述和/或示出的方面可以组合在单个实施例中。例 如，一个实施例的一个或更多个特征可以与另一个实施例的一个或更多 个特征组合。还应当理解，虽然已经描述了包括一个以上发明方面的一 些实施例，但是本文还设想了仅包括单个发明方面的实施例。通常，任 何所述实施例的任何特征可以单独使用，或者可以与所述实施例的任何 其他特征任意组合使用。
[0428]
尽管在本文中可以在光刻设备的背景下对本发明的实施例进行具 体参考，但是本发明的实施例可以用于其他设备。本发明的实施例可以 形成掩模检查设备、量测设备或测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或 掩模(或其他图案形成装置)之类的物体的任何设备的一部分。这些设 备通常可称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真 空)条件。
[0429]
术语“euv辐射”可以被认为包括波长在4-20nm范围内(例如在 13-14nm范围内)的电磁辐射。euv辐射可以具有小于10nm的波长， 例如在4-10nm范围内的波长，诸如6.7nm或6.8nm的波长。
[0430]
尽管在本文中可以具体参考光刻设备在ic制造中的使用，但是应 该理解，本文描述的光刻设备可以具有其他应用。可能的其他应用包括 集成光学系统，用于磁畴存储器的引导和检测图案，平板显示器，液晶 显示器(lcd)，薄膜磁头等的制造。
[0431]
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明 可以以与上述不同的方式来实现。上文描述旨在是说明性的而不是限制 性的。因此，本领域技术人员将明白，可以在不背离下文所阐述的权利 要求的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。
[0432]
本说明书公开了包括本发明特征的一个或更多个实施例。所公开的 实施例仅仅举例说明了本发明。本发明的范围不限于所公开的实施例。 本发明由所附的权利要求限定。
[0433]
所描述的实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例 性实施例”等的引用表示所描述的实施例可包括特定特征、结构或特性， 但每个实施例可能不一定包括所述特定的特征、结构或特性。而且，这 些措词不一定是指同一实施例。此外，当结合实施例描述特定的特征、 结构或特性时，应理解，无论是否明确描述，结合其他实施例而实现这 样的特征、结构或特性都在本领域技术人员的知识范围内。
[0434]
应当理解，具体实施方式部分，而不是发明内容和摘要部分，旨在 用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述由发明人所设想的一 个或更多个示例性实施例但不是所有的本发明的示例性实施例，因此， 并不旨在以任何方式限制本发明和所附的权利要求。
[0435]
上面已经借助于示出具体功能及其关系的实施方式的功能构建块 描述了本发明。为了便于描述，这里已经任意地定义了这些功能构建块 的边界。只要正确地执行具体功能及其关系，就可以定义替代的边界。
[0436]
具体实施例的前述描述将如此充分地揭示本发明的一般性质，在不 背离本发明的整体构思的情况下，其他人可通过应用本领域技术范围内 的知识容易地针对各种应用修改和/或适应这些具体实施例，而无需过 多的实验。因此，基于这里提供的教导和指导，这些适应和修改旨在位 于所公开实施例的等同物的含义和范围内。应理解，这里的措辞或术语 是出于描述的目的而非限制性的目的，使得本说明书的术语或措辞将由 技术人员根
据教导和指导来解释。
[0437]
本发明的宽度和范围不应受任一上述的示例性实施例限制，而应仅 由下述的权利要求书及其等同物来限定。