一种显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示领域，特别涉及一种显示面板。


背景技术：

2.目前，在诸如采用边缘场开关(fringe field switching，ffs)结构的显示面板中，显示面板实际产生的像素驱动电压需要大于显示面板所需的最小像素驱动电压才能驱动像素电极产生足够的电场作用力，而显示面板所需的最小像素驱动电压与异层设置的像素电极与公共电极之间的膜层的厚度相关，但传统的显示面板中各膜层的厚度受制程良率和信赖性等限制而趋于定型，无法做到对所述显示面板所需的最小像素驱动电压的精确调整，因此传统的显示面板无法满足对实际的像素驱动电压和功耗的精准调节需求。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种显示面板，以解决像素驱动电压无法精准调节的技术问题。
4.本技术实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括对置基板、液晶层和阵列基板，所述液晶层设置于所述对置基板与所述阵列基板之间；
5.所述阵列基板包括：
6.基底；
7.第一金属层，设置于所述基底上；
8.第一绝缘层，设置于所述基底和所述第一金属层上；
9.第二金属层，设置于所述第一绝缘层上，所述第二金属层包括第一电极，所述第一电极为像素电极、公共电极中的一者；
10.第二绝缘层，设置于所述第二金属层和所述第一绝缘层上；
11.钝化层，设置于所述第二绝缘层；
12.第三金属层，设置于所述钝化层上，所述第三金属层包括第二电极，所述第二电极为像素电极、公共电极中的另一者；
13.其中，所述第一绝缘层的厚度和所述第二绝缘层的厚度之和为第一预设厚度。
14.在本技术实施例所提供的显示面板中，所述第一金属层包括栅极和公共信号走线；
15.所述第三金属层还包括桥接部件；
16.所述阵列基板还包括：
17.源极；
18.漏极；
19.第一过孔，所述第一过孔贯穿所述钝化层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层；
20.第二过孔，所述第二过孔贯穿所述钝化层；以及
21.第三过孔，所述第三过孔贯穿所述钝化层和所述第二绝缘层。
22.在本技术实施例所提供的显示面板中，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；
23.所述公共电极通过所述第一过孔与所述公共信号走线连接，所述桥接部件的一端通过所述第二过孔与所述漏极连接，所述桥接部件的另一端通过所述第三过孔与所述像素电极连接。
24.在本技术实施例所提供的显示面板中，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；
25.所述像素电极通过所述第二过孔与所述漏极连接，所述桥接部件的一端通过所述第一过孔与所述公共信号走线连接，所述桥接部件的另一端通过所述第三过孔与所述公共电极连接。
26.在本技术实施例所提供的显示面板中，所述第一绝缘层的厚度和所述第二绝缘层的厚度的比值处于0.1至10的范围内。
27.一种显示面板，所述显示面板包括对置基板、液晶层和阵列基板，所述液晶层设置于所述对置基板与所述阵列基板之间；
28.所述阵列基板包括：
29.基底；
30.第一金属层，设置于所述基底上；
31.绝缘层，设置于所述基底和所述第一金属层上；
32.第一钝化层，设置于所述绝缘层上；
33.第二金属层，设置于所述第一钝化层上，所述第二金属层包括第一电极，所述第一电极为像素电极、公共电极中的一者；
34.第二钝化层，设置于所述第一钝化层和所述第二金属层上；
35.第三金属层，设置于所述第二钝化层上，所述第三金属层包括第二电极，所述第二电极为像素电极、公共电极中的另一者；
36.其中，所述第一钝化层的厚度和所述第二钝化层的厚度之和为第二预设厚度。
37.在本技术实施例所提供的显示面板中，所述第一金属层包括栅极和公共信号走线；
38.所述第三金属层还包括桥接部件；
39.所述阵列基板还包括：
40.源极；
41.漏极；
42.第四过孔，所述第四过孔贯穿所述第二钝化层、所述第一钝化层和所述绝缘层；
43.第五过孔，所述第五过孔贯穿所述第二钝化层和所述第一钝化层；以及
44.第六过孔，所述第六过孔贯穿所述第二钝化层。
45.在本技术实施例所提供的显示面板中，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；
46.所述公共电极通过所述第四过孔与所述公共信号走线连接，所述桥接部件的一端通过所述第五过孔与所述漏极连接，所述桥接部件的另一端通过所述第六过孔与所述像素电极连接。
47.在本技术实施例所提供的显示面板中，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；
48.所述像素电极通过所述第五过孔与所述漏极连接，所述桥接部件的一端通过所述第四过孔与所述公共信号走线连接，所述桥接部件的另一端通过所述第六过孔与所述公共电极连接。
49.在本技术实施例所提供的显示面板中，所述第一钝化层的厚度和所述第二钝化层的厚度的比值处于0.1至10的范围内。
50.在本技术实施例所提供的显示面板中，所述第二钝化层的介电系数大于1.8。
51.本技术实施例的有益效果：本技术实施例通过将所述显示面板中的所述第一电极和所述第二电极设置于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，且使所述第一绝缘层的厚度和所述第二绝缘层的厚度之和保持在第一预设厚度，便于在制作过程中通过调整所述第二绝缘层的厚度以调整所述第一电极与所述第二电极之间的间距，在不影响所述第一绝缘层和所述第二绝缘层整体厚度和信赖性的基础上，实现对所述显示面板所需的最小像素驱动电压的精确调整，进而实现对所述显示面板实际产生的像素驱动电压和功耗的精准调节需求。
附图说明
52.图1为本技术实施例所提供显示面板的结构示意图；
53.图2为本技术实施例所提供阵列基板的第一种结构示意图；
54.图3为本技术实施例所提供阵列基板的第二种结构示意图；
55.图4为本技术实施例所提供阵列基板的第三种结构示意图；
56.图5为本技术实施例所提供阵列基板的第四种结构示意图。
具体实施方式
57.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
58.本技术实施例提供一种显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
59.在一实施例中，请参阅图1，本技术实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括对置基板20、液晶层30和阵列基板10，所述液晶层30设置于所述对置基板20与所述阵列基板10之间。
60.请结合图1和图2，其中，图2为本技术实施例所提供阵列基板的第一种结构示意图，在本实施例中，所述阵列基板10包括基底100及层叠设置于所述基底100上的第一金属层200、第一绝缘层310、第二金属层400、第二绝缘层320、钝化层600以及第三金属层700，其
中，所述第一绝缘层310设置于所述基底100和所述第一金属层200上，所述第二金属层400包括第一电极410，所述第一电极410为像素电极、公共电极中的一者，所述第二绝缘层320设置于所述第二金属层400和所述第一绝缘层310上，所述第三金属层700包括第二电极710，所述第二电极710为像素电极、公共电极中的另一者；其中，所述第一绝缘层310的厚度和所述第二绝缘层320的厚度之和为第一预设厚度。
61.可以理解的是，目前，在诸如采用ffs结构的阵列基板10中的像素驱动电压vop为：
62.vop＝q
×
d/(ε
×
ε0×
s)
63.其中，vop为所述显示面板所需的最小像素驱动电压，q为像素电极与公共电极之间的电容电荷量，s为单个像素面积，ε0为真空介电常数，ε为像素电极与公共电极之间绝缘层的介电常数，d为像素电极与公共电极之间绝缘层的厚度，显然，在单个像素面积s和介电常数ε一定的条件下，所述显示面板所需的最小像素驱动电压往往受到异层设置的像素电极与公共电极之间间距的影响，调节所述显示面板所需的最小像素驱动电压需要调整像素电极与公共电极之间绝缘层的厚度，当像素电极与公共电极之间绝缘层的厚度d增大，所述显示面板所需的最小像素驱动电压增大，当像素电极与公共电极之间绝缘层的厚度d减小，所述显示面板所需的最小像素驱动电压减小，但当前的阵列基板10中各膜层和膜厚区域趋于定型，诸如栅极绝缘层和钝化保护层等膜层结构的厚度受限于制程良率和信赖性等限制，无法做到对所述显示面板所需的最小像素驱动电压的精确调整，而所述显示面板实际产生的像素驱动电压需要大于所述显示面板所需的最小像素驱动电压才能驱动像素电极产生足够的电场作用力，因此传统的显示面板无法满足对实际的像素驱动电压和功耗的精准调节需求。
64.本实施例中，通过将所述显示面板中的所述第一电极410和所述第二电极710设置于所述第一绝缘层310和所述第二绝缘层320之间，且使所述第一绝缘层310的厚度和所述第二绝缘层320的厚度之和保持在第一预设厚度，便于通过调整所述第二绝缘层320的厚度以调整所述第一电极410与所述第二电极710之间的间距，在不影响所述第一绝缘层310和所述第二绝缘层320整体厚度和信赖性的基础上，实现对所述显示面板所需的最小像素驱动电压的精确调整，进而实现对所述显示面板实际产生的像素驱动电压和功耗的精准调节需求。
65.需要说明的是，在本实施例中，所述第一电极410和所述第二电极710可以是像素电极和公共电极的任意一种组合，具体的，当所述第一电极410为像素电极时，所述第二电极710为公共电极，当所述第一电极410为公共电极时，所述第二电极710为像素电极，此外，所述阵列基板10包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管可以是顶栅结构或底栅结构，具体的，本实施例后续将以所述薄膜晶体管为底栅结构为例对本技术的技术方案进行举例说明。
66.可以理解的是，当所述薄膜晶体管为底栅结构时，所述阵列基板包括位于所述有源层800和所述栅极210之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括所述第一绝缘层310和所述第二绝缘层320，所述第一预设厚度可以根据所述阵列基板制作工艺或结构的信赖性进行选择，此时，所述第一电极410与所述第二电极710之间的间距等于所述第一绝缘层310的厚度和所述第二绝缘层320的厚度之和，在制作阵列基板10的过程中，可以根据设计需要，当需要较大的像素驱动电压时，可以增加所述第二绝缘层320的厚度，同时降低所述第一绝
缘层310的厚度，显然，所述第二绝缘层320所增加的厚度等于所述第一绝缘层310所降低的厚度，反之同理，在此不再赘述，从而在不影响所述第一绝缘层310和所述第二绝缘层320整体厚度和信赖性的基础上，实现对所述显示面板所需的最小像素驱动电压的精确调整，进而实现对所述显示面板实际产生的像素驱动电压和功耗的精准调节需求。
67.需要说明的是，所述第一电极410与所述第二电极710之间的间距等于所述第一绝缘层310的厚度和所述第二绝缘层320的厚度之和，所述第一电极410与所述第二电极710之间的间距至少大于所述钝化层600的厚度，以使所述第一电极410与所述第二电极710具有较大间距，从而适用于需求较大像素驱动电压的显示面板。
68.进一步地，在本实施例中，所述第二绝缘层320与所述钝化层600可以采用相同的材料，从而保证所述第二绝缘层320与所述钝化层600的介电系数的稳定，也提高了通过调整所述第二绝缘层320的厚度调整像素驱动电压的稳定性，具体的，可以使所述第二绝缘层320的介电系数与所述钝化层600的介电系数相等。
69.需要说明的是，所述第二绝缘层320与所述钝化层600采用相同的材料，使得所述第二绝缘层320与所述钝化层600的折射率相同，可以避免在所述第二绝缘层320与所述钝化层600之间发生折射或反射，进而可以降低光线在所述第二绝缘层320与所述钝化层600传播的损耗。
70.在本实施例中，所述第一金属层200包括栅极210和公共信号走线220；所述第三金属层700还包括桥接部件720，所述桥接部件720与所述第二电极710间隔设置；所述阵列基板10还包括有源层800、源极510、漏极520、第一过孔01、第二过孔02以及第三过孔03，其中，所述第一过孔01贯穿所述钝化层600、所述第二绝缘层320和所述第一绝缘层310，所述第二过孔02贯穿所述钝化层600，所述第三过孔03贯穿所述钝化层600和所述第二绝缘层320；需要说明的是，所述有源层800对应所述栅极210设置，所述有源层800两端分别与所述源极510和所述漏极520连接。
71.需要说明的是，在本实施例中，以所述第一电极410为像素电极，所述第二电极710为公共电极为例对本技术的技术方案进行举例说明；具体地，所述公共电极通过所述第一过孔01与所述公共信号走线220连接，所述桥接部件720的一端通过所述第二过孔02与所述漏极520连接，所述桥接部件720的另一端通过所述第三过孔03与所述像素电极连接。
72.可以理解的是，所述第三金属层700包括所述第二电极710和所述桥接部件720，所述第二电极710通过所述第一过孔01与所述公共信号走线220连接，所述桥接部件720的一端通过所述第二过孔02与所述漏极520连接，所述桥接部件720的另一端通过所述第三过孔03与所述第一电极410连接，其中，所述第一过孔01、所述第二过孔02和所述第三过孔03可以采用半光罩掩膜在同一制程中制作形成，避免额外增加工艺制程，此外，将所述第二电极710和所述桥接部件720同层设置，并且，所述第二电极710和所述桥接部件720可以采用相同材料，便于通过一道制程制作形成，在实现对所述显示面板所需的最小像素驱动电压精确调整的基础上，又避免增加额外工艺制程。
73.在一实施例中，请结合图1和图3，其中，图3为本技术实施例所提供阵列基板的第二种结构示意图，在本实施例中，所述阵列基板的结构与上述实施例所提供的阵列基板的第一种结构相似/相同，具体请参照上述实施例中的阵列基板的描述，此处不再赘述，两者的区别仅在于：
74.在本实施例中，所述第一电极410为公共电极，所述第二电极710为像素电极；所述像素电极通过所述第二过孔02与所述漏极520连接，所述桥接部件720的一端通过所述第一过孔01与所述公共信号220走线连接，所述桥接部件720的另一端通过所述第三过孔03与所述公共电极连接。
75.可以理解的是，所述第三金属层700包括所述第二电极710和所述桥接部件720，所述第二电极710通过所述第二过孔02与所述漏极520连接，所述桥接部件720的一端通过所述第一过孔01与所述公共信号220走线连接，所述桥接部件720的另一端通过所述第三过孔03与所述第一电极410连接，其中，所述第一过孔01、所述第二过孔02和所述第三过孔03可以采用半光罩掩膜在同一制程中制作形成，避免额外增加工艺制程，此外，将所述第二电极710和所述桥接部件720同层设置，并且，所述第二电极710和所述桥接部件720可以采用相同材料，便于通过一道制程制作形成，在实现对所述显示面板所需的最小像素驱动电压精确调整的基础上，又避免增加额外工艺制程。
76.在一实施例中，所述第一绝缘层310的厚度与所述第二绝缘层320的比值为0.1～10。
77.可以理解的是，将所述第一绝缘层310的厚度和所述第二绝缘层320的厚度的比值处于0.1至10的范围内，也即是在所述第一绝缘层310的厚度和所述第二绝缘层320的厚度之和处于定值的条件下，所述第一绝缘层310的厚度和所述第二绝缘层320的厚度的比值可以根据像素驱动电压的需求进行灵活调整，保证了所述第一绝缘层310的厚度和所述第二绝缘层320的厚度的比值调整的灵活性。
78.在另一实施例中，请结合图1和图4，其中，图4为本技术实施例所提供阵列基板的第三种结构示意图。
79.本技术实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括对置基板20、液晶层30和阵列基板10，所述液晶层30设置于所述对置基板20与所述阵列基板10之间。
80.所述阵列基板10包括基底100及层叠设置于所述基底100上的第一金属层200、绝缘层300、第一钝化层610、第二金属层400、第二钝化层620以及第三金属层700，其中，所述绝缘层300设置于所述基底100和所述第一金属层200上，所述第一钝化层610设置于所述绝缘层300上，所述第二金属层400包括第一电极410，所述第一电极410为像素电极、公共电极中的一者，所述第二钝化层620设置于所述第一钝化层610和所述第二金属层400上，所述第三金属层700包括第二电极710，所述第二电极710为像素电极、公共电极中的另一者；其中，所述第一钝化层610的厚度和所述第二钝化层620的厚度之和为第二预设厚度。
81.需要说明的是，在本实施例中，所述第一电极410和所述第二电极710可以是像素电极和公共电极的任意一种组合，具体的，当所述第一电极410为像素电极时，所述第二电极710为公共电极，当所述第一电极410为公共电极时，所述第二电极710为像素电极，此外，所述阵列基板10包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管可以是顶栅结构或底栅结构，具体的，本实施例后续将以所述薄膜晶体管为底栅结构为例对本技术的技术方案进行举例说明。
82.可以理解的是，当所述薄膜晶体管为底栅结构时，所述阵列基板包括位于所述有源层800和所述第三金属层700之间的所述第一钝化层610和所述第二钝化层620，所述第二预设厚度可以根据所述阵列基板制作工艺或结构的信赖性进行选择，此时，所述第一电极
410与所述第二电极710之间的间距等于所述第二钝化层620的厚度，在制作阵列基板10的过程中，可以根据设计需要，当需要较大的像素驱动电压时，可以增加所述第二钝化层620的厚度，同时降低所述第一钝化层610的厚度，显然，所述第二钝化层620所增加的厚度等于所述第一钝化层610所降低的厚度，反之同理，在此不再赘述，从而在不影响所述第一钝化层610和所述第二钝化层620整体厚度和信赖性的基础上，实现对所述显示面板所需的最小像素驱动电压的精确调整，进而实现对所述显示面板实际产生的像素驱动电压和功耗的精准调节需求。
83.需要说明的是，所述第一电极410与所述第二电极710之间的间距等于所述第二钝化层620的厚度，以使所述第一电极410与所述第二电极710直接根据所述第二钝化层620的厚度进行调整，显然，所述第一电极410与所述第二电极710之间的间距小于所述第一钝化层610的厚度和所述第二钝化层620的厚度之和，从而适用于需求较小像素驱动电压的显示面板。
84.承上，本实施例中，所述第二钝化层620的介电系数大于1.8；可以理解的是，所述第一电极410与所述第二电极710之间的间距等于所述第二钝化层620的厚度，也即所述第一电极410与所述第二电极710之间仅有一层所述第二钝化层620，将所述第二钝化层620的介电系数设置成大于1.8，使得所述第二钝化层620具备较好的抗击穿能力，降低由于所述第一电极410与所述第二电极710之间具备较大电压而击穿所述第二钝化层620的几率；具体的，所述第二钝化层620的材料可以是氮化硅或氧化硅中的一种，所述第二钝化层620的介电系数为1.8～2。
85.在本实施例中，所述第一金属层200包括栅极210和公共信号走线220；所述第三金属层700还包括桥接部件720，所述桥接部件720与所述第二电极710间隔设置；所述阵列基板10还包括有源层800、源极510、漏极520、第四过孔04、第五过孔05以及第六过孔06，其中，所述第四过孔04所述第二钝化层620、所述第一钝化层610和所述绝缘层300，所述第五过孔05贯穿所述第二钝化层620和所述第一钝化层610，所述第六过孔06贯穿所述第二钝化层620；需要说明的是，所述有源层800对应所述栅极210设置，所述有源层800两端分别与所述源极510和所述漏极520连接。
86.需要说明的是，在本实施例中，以所述第一电极410为像素电极，所述第二电极710为公共电极为例对本技术的技术方案进行举例说明；具体地，所述公共电极通过所述第四过孔04与所述公共信号走线220连接，所述桥接部件720的一端通过所述第五过孔05与所述漏极520连接，所述桥接部件720的另一端通过所述第六过孔06与所述像素电极连接。
87.可以理解的是，所述第三金属层700包括所述第二电极710和所述桥接部件720，所述第二电极710通过所述第四过孔04与所述公共信号走线220连接，所述桥接部件720的一端通过所述第五过孔05与所述漏极520连接，所述桥接部件720的另一端通过所述第六过孔06与所述第一电极410连接，其中，所述第四过孔04、所述第五过孔05和所述第六过孔06可以采用半光罩掩膜在同一制程中制作形成，避免额外增加工艺制程，此外，将所述第二电极710和所述桥接部件720同层设置，并且，所述第二电极710和所述桥接部件720可以采用相同材料，便于通过一道制程制作形成，在实现对所述显示面板所需的最小像素驱动电压精确调整的基础上，又避免增加额外工艺制程。
88.在一实施例中，请结合图1和图5，其中，图5为本技术实施例所提供阵列基板的第
四种结构示意图，在本实施例中，所述阵列基板的结构与上述实施例所提供的阵列基板的第三种结构相似/相同，具体请参照上述实施例中的阵列基板的描述，此处不再赘述，两者的区别仅在于：
89.在本实施例中，所述第一电极410为公共电极，所述第二电极710为像素电极；所述像素电极通过所述第五过孔05与所述漏极520连接，所述桥接部件720的一端通过所述第四过孔04与所述公共信号走线220连接，所述桥接部件720的另一端通过所述第六过孔06与所述公共电极连接。
90.可以理解的是，所述第三金属层700包括所述第二电极710和所述桥接部件720，所述第二电极710通过所述第五过孔05与所述漏极520连接，所述桥接部件720的一端通过所述第四过孔04与所述公共信号走线220连接，所述桥接部件720的另一端通过所述第六过孔06与所述第一电极410连接，其中，所述第四过孔04、所述第五过孔05和所述第六过孔06可以采用半光罩掩膜在同一制程中制作形成，避免额外增加工艺制程，此外，将所述第二电极710和所述桥接部件720同层设置，并且，所述第二电极710和所述桥接部件720可以采用相同材料，便于通过一道制程制作形成，在实现对所述显示面板所需的最小像素驱动电压精确调整的基础上，又避免增加额外工艺制程。
91.以上对本技术实施例所进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。