光刻图形形成方法、装置、电子设备和可读存储介质与流程

所属的技术人员能够理解，本发明的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本发明的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施方式，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。下面参照图17来描述根据本发明的这种实施方式的光刻图形形成装置1700。图17所示的光刻图形形成装置1700仅仅是一个示例，不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。光刻图形形成装置1700以硬件模块的形式表现。光刻图形形成装置1700的组件可以包括但不限于：配置模块1702，用于基于待光刻层需绘制的目标图形的图形特征，配置出对应的多组光刻修整操作；光刻修整模块1704，用于执行多组光刻修整操作，得到对应的多组光刻图形，以由多组光刻图形构成目标图形，其中，多组光刻图形中的至少两组光刻于待光刻层的表面上。下面参考图18，其示出了适于用来实现本公开实施例的电子设备的计算机系统1800的结构示意图。图18示出的电子设备的计算机系统1800仅是一个示例，不应对本公开实施例的功能和使用范围带来任何限制。如图18所示，计算机系统1800包括中央处理单元(cpu)1801，其可以根据存储在只读存储器(rom)1802中的程序或者从存储部分1808加载到随机访问存储器(ram)1803中的程序而执行各种适当的动作和处理。在ram 1803中，还存储有系统操作所需的各种程序和数据。cpu 1801、rom 1802以及ram 1803通过总线1804彼此相连。输入/输出(i/o)接口1809也连接至总线1804。以下部件连接至i/o接口1805：包括键盘、鼠标等的输入部分1806；包括诸如阴极射线管(crt)、液晶显示器(lcd)等以及扬声器等的输出部分1807；包括硬盘等的存储部分1808；以及包括诸如lan卡、调制解调器等的网络接口卡的通信部分1809。通信部分1809经由诸如因特网的网络执行通信处理。驱动器1810也根据需要连接至i/o接口1805。可拆卸介质1818，诸如磁盘、光盘、磁光盘、半导体存储器等等，根据需要安装在驱动器1810上，以便于从其上读出的计算机程序根据需要被安装入存储部分1808。作为另一方面，本技术还提供了一种计算机可读介质，该计算机可读介质可以是上述实施例中描述的电子设备中所包含的；也可以是单独存在，而未装配入该电子设备中。上述计算机可读介质承载有一个或者多个程序，当上述一个或者多个程序被一个该电子设备执行时，使得该电子设备实现如上述实施例中的光刻图形形成方法。例如，电子设备可以实现如图2中所示的：步骤s202，基于待光刻层需绘制的目标图形的图形特征，配置出对应的多组光刻修整操作；步骤s204，执行所述多组光刻修整操作，得到对应的多组光刻图形，以由所述多组光刻图形构成所述目标图形，其中，所述多组光刻图形中的至少两组光刻于所述待光刻层的表面上。特别地，根据本公开的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本公开的实施例包括一种计算机程序产品，其包括承载在计算机可读介质上的计算机程序，该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的程序代码。在这样的实施例中，该计算机程序可以通过通信部分从网络上被下载和安装，和/或从可拆卸介质被安装。在该计算机程序被中央处理单元(cpu)执行时，执行本技术的系统中限定的上述功能。需要说明的是，本公开所示的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本公开中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本公开中，计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于：无线、电线、光缆、rf等等，或者上述的任意合适的组合。附图中的流程图和框图，图示了按照本公开各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，上述模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图或流程图中的每个方框、以及框图或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。描述于本公开实施例中所涉及到的单元可以通过软件的方式实现，也可以通过硬件的方式来实现，所描述的单元也可以设置在处理器中。其中，这些单元的名称在某种情况下并不构成对该单元本身的限定。应当注意，尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。此外，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是cd-rom，u盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、移动终端、或者网络设备等)执行根据本公开实施方式的方法。本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本技术旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

背景技术：

1、半导体指常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的器件，随着半导体技术的发展和半导体体积微小化要求的提高，半导体器件的尺寸也逐渐缩小。

2、半导体的目标尺寸的减小也造成了目标图像被设计的越来越复杂，而为了满足目标图像的光刻需求，对应需要增大设计和制程的工艺窗口，而工艺窗口的增大则会导致光刻成型的轮廓、线宽粗糙度、边缘粗糙度等对图形质量的影响越来越明显。

3、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种光刻图形形成方法、形成装置、光刻图形、电子设备和可读存储介质，有利于降低光刻过程产生缺陷的概率。

2、本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

3、根据本公开的一个方面，提供一种光刻图形形成方法，包括：基于待光刻层需绘制的目标图形的图形特征，配置出对应的多组光刻修整操作；执行所述多组光刻修整操作，得到对应的多组光刻图形，以由所述多组光刻图形构成所述目标图形，其中，所述多组光刻图形中的至少两组光刻于所述待光刻层的表面上。

4、在本公开的一种示例性实施例中，所述图形特征包括目标图形的分布特征、构成所述目标图形的线条方向和所述目标图形中的图形类型中的至少一种。

5、在本公开的一种示例性实施例中，所述执行所述多组光刻修整操作包括：在每组所述光刻修整操作中，对基于光刻操作得到的光刻初始图形进行修整操作得到对应的所述光刻图形。

6、在本公开的一种示例性实施例中，所述多组光刻图形包括第一光刻图形，所述对基于光刻操作得到的光刻初始图形进行修整操作得到对应的所述光刻图形包括：在所述待光刻层的表面涂覆第一光刻胶，并基于所述目标图形中的第一方向子图对所述第一光刻胶进行光刻操作直至到达所述待光刻层的表面，得到第一光刻初始图形；对所述第一光刻初始图形进行所述修整操作，得到第一光刻图形。

7、在本公开的一种示例性实施例中，所述多组光刻图形还包括第二光刻图形，所述对基于光刻操作得到的光刻初始图形进行修整操作得到对应的所述光刻图形还包括：在所述第一光刻图形上涂覆第二光刻胶；基于所述目标图形中的第二方向子图对所述第二光刻胶进行光刻操作直至到达所述待光刻层的表面，得到第二光刻初始图形；对所述第二光刻初始图形进行所述修整操作，得到第二光刻图形。

8、在本公开的一种示例性实施例中，在所述第一光刻图形上涂覆第二光刻胶之前，还包括：在所述第一光刻图形上形成牺牲材料层，其中，所述牺牲材料层包括旋涂碳层、氧化硅层、金属氧化层、有机介电层和先进图膜层中的至少一种。

9、在本公开的一种示例性实施例中，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶均为正性胶；或所述第一光刻胶和所述第二光刻胶均为负性胶；或所述第一光刻胶和所述第二光刻胶中的一种为所述正性胶，另一种为所述负性胶。

10、在本公开的一种示例性实施例中，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶中的一种为所述正性胶，另一种为所述负性胶，在所述待光刻层的表面涂覆第一光刻胶之前，还包括：对所述光刻操作的工艺过程执行仿真操作，并基于仿真结果确定所述第一光刻胶采用正性胶，所述第二光刻胶采用负性胶，或第一光刻胶采用负性胶，所述第二光刻胶采用正性胶。

11、在本公开的一种示例性实施例中，所述多组光刻图形还包括第三光刻图形，所述第三光刻图形光刻于所述待光刻层的表面上，或所述第三光刻图形的光刻底面高于所述待光刻层的表面。

12、在本公开的一种示例性实施例中，所述对基于光刻操作得到的光刻初始图形进行修整操作得到对应的所述光刻图形包括：对所述光刻初始图形进行所述修整操作，得到光刻修整图形；对所述光刻修整图形进行坚膜处理，得到对应的所述光刻图形。

13、在本公开的一种示例性实施例中，所述对所述光刻初始图形进行所述修整操作，得到光刻修整图形包括：对所述光刻初始图形进行光刻关键尺寸的量测，基于量测结果确定所述光刻初始图形的图形预补量；基于所述图形预补量对所述光刻初始图形进行修整，得到所述光刻修整图形。

14、在本公开的一种示例性实施例中，所述基于所述图形预补量对所述光刻初始图形进行修整，得到所述光刻修整图形包括：基于所述图形预补量和修整时长对所述光刻初始图形进行气体修整操作，对导入的修整气体进行等离子激活生成等离子体，所述等离子体用于将所述光刻初始图形中所述图形预补量的光刻胶氧化为可挥发性气体，以修整所述光刻初始图形，其中，所述修整时长基于修整公式配置，所述修整公式为t＝c/k，t为所述修整时长，c为所述图形预补量，k为修整系数。

15、在本公开的一种示例性实施例中，还包括：收集所述光刻修整操作的工艺窗口，将所述工艺窗口反馈至所述光刻图形的设计端或工艺端，以使所述设计端基于所述工艺窗口调整所述光刻图形的设计参数，或使所述工艺端基于所述工艺窗口调整所述光刻图形的工艺参数。

16、根据本公开的另一个方面，提供了一种光刻图形，所述光刻图形包括多组，多组所述光刻图形中的至少两组光刻于待光刻层的表面上，其中，多组所述光刻图形分别对多组光刻胶进行光刻操作生成，所述多组光刻胶均为正性胶，或所述多组光刻胶均为负性胶，或所述多组光刻胶包括所述正性胶和所述负性胶。

17、根据本公开的再一个方面，提供了一种光刻图形形成装置，包括：配置模块，用于基于待光刻层需绘制的目标图形的图形特征，配置出对应的多组光刻修整操作；光刻修整模块，用于执行所述多组光刻修整操作，得到对应的多组光刻图形，以由所述多组光刻图形构成所述目标图形，其中，所述多组光刻图形中的至少两组光刻于所述待光刻层的表面上。

18、根据本公开的又一个方面，提供了一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，用于存储处理器的可执行指令；其中，处理器配置为经由执行可执行指令来执行上述任意一项所述的光刻图形形成方法。

19、根据本公开的又一个方面，提供了一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现如上述实施例中所述的光刻图形形成方法。

20、本公开的实施例所提供的光刻图形形成方案，针对在待光刻层上待光刻的目标图形，通过对该目标图形的图形特征进行自动分析，以基于分析结果将目标图形拆分为多个子图形，每个子图形对应于一组光刻修整操作，进而通过分别执行多组光刻修整操作，在待光刻层上光刻出目标图形，通过多组光刻修整操作的配置，能够将复杂的目标图形拆分为多个较简单的子图形，而简单的子图形有利于降低对工艺窗口的极限要求，进而保证光刻成型的轮廓、线宽粗糙度以及边缘粗糙度等参数的质量，以降低光刻过程产生缺陷的概率。

21、进一步地，将该光刻图形形成方案应用在半导体器件的量产过程中，也有利于降低产品由于尺寸不达标导致的重工的概率。

22、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。