玻璃基板以及显示面板的基板制造方法与流程

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种玻璃基板以及显示面板的基板制造方法。


背景技术：

2.mini led的概念在2012年被提出，尚处于研发阶段，未能实现商业化。尺寸大小100-300微米左右的mini led作为中间过渡产品应运而生，可应用于rgb和背光两大场景。rgb和背光方案在产业规律和技术原理上雷同，诸多企业都选择两个方向同时发力，以享受范围经济效应。
3.mini led是一种lcd屏幕的背光技术。这种技术也很好理解，过去的屏幕背光都是一整块的，要亮就全亮，要关就全关，而mini led屏幕背光则是由很多灯珠组成，需要亮的部分就打开，不需要亮的部分就关闭。简单来说，就是单个体积变小，总体数量大幅提升，并且能够独立控制开关的led背光技术。相比传统lcd屏幕背光，mini led技术可以把led背光灯珠做的非常小，这样就可以在同一块屏幕上集成更多的背光灯珠，划分出更多的背光分区，实现更精细的区域发光调节，有效提高屏幕亮度和对比度，同时控制好暗部区域的显示，颜色更为饱和。
4.mini led背光产品的对比度、色彩等表现可以与oled相媲美，并且具有资本开支更低、规格更灵活等优点、适应于面板/led两大光电板块需求，同时具备使用寿命长(尤其适用tv场景)的重要优势。目前，苹果、三星等多家品牌厂商都已开始推出mini led相关的产品，行业开始进入爆发期。
5.当mini/micro led应用于背光模组时，会要求其厚度越薄越好，但是当pcb板的厚度低于0.4mm时，在封装led芯片至pcb基板上时，由于封装胶与pcb材料热膨胀系数不同，会产生胶裂的问题；而且pcb材料导热性能较差，当led芯片数量增加时，会降低led的使用寿命。
6.玻璃基板的低胀缩以及高平整度，可以更好支持真正的mini led芯片的cob封装，甚至micro芯片封装，在高端产品以及高分区，窄边框以及低od值上都有优于pcb基板的良好表现。玻璃背板材料成本更低，精细度更高，导热性能更优，表面更加平整，更满足复杂布线需求，便于芯片转移。
7.与此形成反差的是，传统pcb基板、玻璃基板都是单面镀铜，叠层，蚀刻线路；后续制程复杂，成本高。
8.尤其是现有技术的双面布线，需要晶圆厂商准备昂贵的高精度激光切割机，对基板进行：
9.(1)基于预设电路图对基板进行布局打孔。
10.(2)在贯通孔内填充导通材料。
11.(3)在基板第一面乘积导电层。
12.(4)在基板第一面清洗图案化后，确保第一面的导电线与贯通孔内的导通材料导
通。
13.(5)在基板第二面乘积导电层。
14.(6)在基板第二面清洗图案化后，确保第二面的导电线与贯通孔内的导通材料导通，从而才能实现最基础的双层布线结构。
15.有鉴于此，本发明提供了玻璃基板以及显示面板的基板制造方法。


技术实现要素：

16.针对现有技术中的问题，本发明的目的在于提供玻璃基板以及显示面板的基板制造方法，能够采用200微米以下超薄玻璃，打孔，双面镀铜，可制作双面线路，无需复杂的单面多道光罩制程，生产效率高、成本低。
17.本发明实施例提供的一种玻璃基板，包括：
18.一玻璃基板本体，所述玻璃基板本体设有连通所述玻璃基板两侧的基于预设图案排列的贯通孔阵列，所述贯通孔阵列中贯通孔的直径范围为80微米至300微米；以及
19.两导电层，分别覆盖所述玻璃基板的两侧，所述导电层各自接触所述贯通孔内的导电填充物，令每个贯通孔两端对应的两独立区域的局部导电层都能电性连接。
20.优选地，所述导电层与所述导电填充物为同质导电材料。
21.优选地，所述预设图案为矩阵排列。
22.优选地，所述玻璃基板本体的厚度范围均为50微米至200微米。
23.优选地，所述导电层的厚度范围均为10微米至20微米。
24.本发明的另一个方面，提供了一种显示面板的基板制造方法，用于制造上述显示面板，包括以下步骤：
25.s110、提供一如权利要求1所述的玻璃基板；以及
26.s120、基于所述玻璃基板本体两侧对应的预设电路的引线区域清洗所述引线区域以外的导电层，且保留双面布线的过孔区域两侧的局部导电层行程贯通所述玻璃基板本体的引线。
27.优选地，所述步骤s110，包括：
28.s111、提供一玻璃基板本体；
29.s112、基于所述玻璃基板本体沿厚度方向设置连通所述玻璃基板两侧的基于预设图案排列的贯通孔阵列，所述贯通孔阵列中贯通孔的直径范围为80微米至300微米；
30.s113、对所述玻璃基板本体的两侧进行电镀形成填充所述贯通孔的导电填充物和覆盖所述玻璃基板的两侧的导电层，所述导电层各自接触所述贯通孔内的导电填充物，令每个贯通孔对应区域的两侧的局部导电层都能电性连接。
31.优选地，所述步骤s120，包括：
32.s121、将所述玻璃基板本体基于所述贯通孔对应的独立区域与两侧对应的预设电路的引线区域的包含关系，获得保留区域以及所述保留区域外的清洗区域；
33.s122、对所述保留区域覆盖保护层，将所述清洗区域的导电层清除；
34.s123、去除所述保护层，获得基板，所述基板的第一侧的第一导线与所述基板的第二侧的第二导线分别基于所述基板存在交错处，基于所述交错处的独立区域中所述贯通孔内的导电填充物形成导通所述第一导线和第二导线的贯通导电部。
35.优选地，在所述步骤s122中，所述贯通孔内的填充物阻挡一侧的清洗操作通过所述贯通孔而清洗另一侧的导电层。
36.优选地，所述玻璃基板本体的厚度范围均为50微米至200微米，所述导电层的厚度范围均为10微米至20微米。
37.本发明的触控显示面板具有下列优点：
38.本发明的玻璃基板以及显示面板的基板制造方法能够采用200微米以下超薄玻璃，打孔，双面镀铜，可制作双面线路，无需复杂的单面多道光罩制程，生产效率高、成本低。
附图说明
39.通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显。
40.图1为本发明中的玻璃基板的示意图。
41.图2为图1中a区域的放大图。
42.图3为图2中b-b的剖面图。
43.图4为本发明的显示面板的基板制造方法的流程图。
44.图5为通过激光对本发明中的玻璃基板进行打孔的示意图。
45.图6为通过蚀刻对本发明中的玻璃基板进行打孔的示意图。
46.图7为通过电镀对本发明中的玻璃基板进行电镀的示意图。
47.图8为本发明的显示面板的基板的局部剖面图。
48.附图标记
[0049]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
玻璃基板本体
[0050]
11
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贯通孔
[0051]
12
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独立区域
[0052]
13
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导电层
[0053]
14
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导电填充物
[0054]2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
激光
[0055]3ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
刻蚀保护层
[0056]4ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
刻蚀溶液
[0057]5ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
铜片
[0058]6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
电镀溶液
[0059]
71
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第一导线
[0060]
72
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第二导线
[0061]
73
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贯通导电部
具体实施方式
[0062]
以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本技术所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用系统，本技术中的各项细节也可以根据不同观点与应用系统，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实
施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0063]
下面以附图为参考，针对本技术的实施例进行详细说明，以便本技术所属技术领域的技术人员能够容易地实施。本技术可以以多种不同形态体现，并不限定于此处说明的实施例。
[0064]
在本技术的表示中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的表示意指结合该实施例或示例表示的具体特征、结构、材料或者特点包括于本技术的至少一个实施例或示例中。而且，表示的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本技术中表示的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0065]
此外，术语“第一”、“第二”仅用于表示目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括至少一个该特征。在本技术的表示中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0066]
为了明确说明本技术，省略与说明无关的器件，对于通篇说明书中相同或类似的构成要素，赋予了相同的参照符号。
[0067]
在通篇说明书中，当说某器件与另一器件“连接”时，这不仅包括“直接连接”的情形，也包括在其中间把其它元件置于其间而“间接连接”的情形。另外，当说某种器件“包括”某种构成要素时，只要没有特别相反的记载，则并非将其它构成要素排除在外，而是意味着可以还包括其它构成要素。
[0068]
当说某器件在另一器件“之上”时，这可以是直接在另一器件之上，但也可以在其之间伴随着其它器件。当对照地说某器件“直接”在另一器件“之上”时，其之间不伴随其它器件。
[0069]
虽然在一些实例中术语第一、第二等在本文中用来表示各种元件，但是这些元件不应当被这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件与另一个元件进行区分。例如，第一接口及第二接口等表示。再者，如同在本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文中有相反的指示。应当进一步理解，术语“包含”、“包括”表明存在的特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组，但不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组的存在、出现或添加。此处使用的术语“或”和“和/或”被解释为包括性的，或意味着任一个或任何组合。因此，“a、b或c”或者“a、b和/或c”意味着“以下任一个：a；b；c；a和b；a和c；b和c；a、b和c”。仅当元件、功能、步骤或操作的组合在某些方式下内在地互相排斥时，才会出现该定义的例外。
[0070]
此处使用的专业术语只用于言及特定实施例，并非意在限定本技术。此处使用的单数形态，只要语句未明确表示出与之相反的意义，那么还包括复数形态。在说明书中使用的“包括”的意义是把特定特性、区域、整数、步骤、作业、要素及/或成份具体化，并非排除其它特性、区域、整数、步骤、作业、要素及/或成份的存在或附加。
[0071]
虽然未不同地定义，但包括此处使用的技术术语及科学术语，所有术语均具有与本技术所属技术领域的技术人员一般理解的意义相同的意义。普通使用的字典中定义的术语追加解释为具有与相关技术文献和当前提示的内容相符的意义，只要未进行定义，不得
过度解释为理想的或非常公式性的意义。
[0072]
图1为本发明中的玻璃基板的示意图。图2为图1中a区域的放大图。图3为图2中b-b的剖面图。如图1至3所示，本发明的一种玻璃基板，包括：一玻璃基板本体1以及两导电层13。玻璃基板本体1设有连通玻璃基板两侧的基于预设图案排列的贯通孔11阵列，贯通孔11阵列中贯通孔11的直径范围为80微米至300微米。两导电层13分别覆盖玻璃基板的两侧，导电层13各自接触贯通孔11内的导电填充物14，令每个贯通孔11两端对应的两独立区域12的局部导电层13都能电性连接。本发明提供了一种用于制造显示面板制程过程中的中间产品，不同于现有技术的基板需要六个步骤才能实现最基础的双层布线结构，本发明只需要将已经完成了两侧导电层相互分区域导通的玻璃基板中洗去不需要的部分，保留需要的导线图案以及相关的导电填充物就能实现一个步骤就能实现双层布线结构，从而大大节约了晶圆厂的芯片制程步骤或是显示面板厂的面板制程步骤。
[0073]
在一个优选实施例中，导电层13与导电填充物14为同质导电材料，例如：铜等导电金属，但不以此为限。
[0074]
在一个优选实施例中，预设图案为矩阵排列，例如：长方形矩阵、正方形矩阵等，但不以此为限。
[0075]
在一个优选实施例中，玻璃基板本体1的厚度范围均为50微米至200微米，但不以此为限。
[0076]
在一个优选实施例中，导电层13的厚度范围均为10微米至20微米，但不以此为限。
[0077]
本实施例中的玻璃基板本体1的尺寸为8～29寸(包含但不限于8～29寸)，优选尺寸8～17寸。玻璃通孔直径》80微米(包含但不限于直径》80微米)，优选孔径80～300微米。玻璃基板本体1的厚度50～200微米(包含但不限于50～200微米)优选厚度80～150微米。通孔的形状包含但不仅限于圆形，优选圆形。通孔任意形式排布。通孔数量10～50000个(包含但不限于10～50000个)。铜膜厚度》10微米(包含但不限于厚度》10微米)优选膜厚10～20微米。
[0078]
本发明提供了一种玻璃制备厂(原材料厂)出品的新型的玻璃基板产品形式，不再是单纯的玻璃，而是在玻璃遍布具有导电填充物的贯通孔，并且玻璃基板的两侧电镀了导电层的形态。使得获得本发明的玻璃基板的后续的晶圆厂、显示面板可以使用这类玻璃基板基于一个清洗步骤就能实现双层布线结构，相比现有技术，减少了晶圆厂、显示面板厂(微电子制造厂家)制作电子部件的制程步骤，改变了传统的生产制造流程和产品形态的中间节点，从而有利于进一步加快产生效率。
[0079]
图4为本发明的显示面板的基板制造方法的流程图。
[0080]
s110、提供一上述的玻璃基板。以及
[0081]
s120、基于玻璃基板本体1两侧对应的预设电路的引线区域清洗引线区域以外的导电层13，且保留双面布线的过孔区域两侧的局部导电层13行程贯通玻璃基板本体1的引线。
[0082]
在一个优选实施例中，步骤s110，包括：
[0083]
s111、提供一玻璃基板本体1。
[0084]
s112、基于玻璃基板本体1沿厚度方向设置连通玻璃基板两侧的基于预设图案排列的贯通孔11阵列，贯通孔11阵列中贯通孔11的直径范围为80微米至300微米。
[0085]
s113、对玻璃基板本体1的两侧进行电镀形成填充贯通孔11的导电填充物14和覆盖玻璃基板的两侧的导电层13，导电层13各自接触贯通孔11内的导电填充物14，令每个贯通孔11对应区域的两侧的局部导电层13都能电性连接，但不以此为限。
[0086]
在一个优选实施例中，步骤s120，包括：
[0087]
s121、将玻璃基板本体1基于贯通孔11对应的独立区域12与两侧对应的预设电路的引线区域的包含关系，获得保留区域以及保留区域外的清洗区域。
[0088]
s122、对保留区域覆盖保护层，将清洗区域的导电层13清除。
[0089]
s123、参见图8，去除保护层，获得基板。通过清除去除了玻璃基板本体1两侧c区域以及d区域的导电层13。基板的第一侧的第一导线71与基板的第二侧的第二导线72分别基于基板存在交错处，基于交错处的独立区域12中贯通孔11内的导电填充物14形成导通第一导线71和第二导线72的贯通导电部73，贯通导电部73位于第一侧的第一导线71基于玻璃基板本体1的投影与基板的第二侧的第二导线72基于玻璃基板本体1的投影的交汇处，但不以此为限。
[0090]
在一个优选实施例中，在步骤s122中，贯通孔11内的填充物阻挡一侧的清洗操作通过贯通孔11而清洗另一侧的导电层13，但不以此为限。
[0091]
在一个优选实施例中，玻璃基板本体1的厚度范围均为50微米至200微米，导电层13的厚度范围均为10微米至20微米，但不以此为限。
[0092]
图5为通过激光对本发明中的玻璃基板进行打孔的示意图。图6为通过蚀刻对本发明中的玻璃基板进行打孔的示意图。图7为通过电镀对本发明中的玻璃基板进行电镀的示意图。图8为本发明的显示面板的基板的局部剖面图。如图5至8所示，本发明的显示面板的基板制造过程如下：
[0093]
玻璃制备厂(原材料厂)基于玻璃基板本体1沿厚度方向设置连通玻璃基板两侧的基于预设图案排列的贯通孔11阵列，贯通孔11阵列中贯通孔11的直径范围为80微米至300微米。参考图5，本实施例中可以通过激光2对玻璃基板本体1进行打孔。参考图6，本实施例中可以通过蚀刻溶液4结合刻蚀保护层3玻璃基板本体1进行蚀刻实现打孔。对玻璃基板本体1的两侧进行电镀形成填充贯通孔11的导电填充物14和覆盖玻璃基板的两侧的导电层13，导电层13各自接触贯通孔11内的导电填充物14，令每个贯通孔11对应区域的两侧的局部导电层13都能电性连接。玻璃基板本体1的厚度范围均为50微米至200微米，导电层13的厚度范围均为10微米至20微米。参考图7，本实施例中可以将打孔后的玻璃基板本体1放入电镀溶液6中，通过铜片5对玻璃基板本体1进行电镀。
[0094]
其中，本实施例中制作具有导电层13的玻璃基板本体1的过程包括：
[0095]
step1.孔洞玻璃制作：尺寸300*400mm，150微米超薄玻璃利用激光切割出孔洞，或者利用黄光制程蚀刻出150微米孔洞。
[0096]
step2.双面镀铜：上述孔洞玻璃，利用电镀，制作出双面铜膜玻璃，铜膜厚度10微米。
[0097]
step3.双面黄光制程：利用黄光制程，做出定制图案的玻璃基板。
[0098]
然后，晶圆厂、显示面板厂将玻璃制备厂出品的玻璃基板基于贯通孔11对应的独立区域12与两侧对应的预设电路的引线区域的包含关系，获得保留区域以及保留区域外的清洗区域(确认哪些独立区域12的导电层需要被清洗，哪些独立区域12的导电层可以被保
留)。对保留区域覆盖保护层，将清洗区域的导电层13清除。贯通孔11内的填充物阻挡一侧的清洗操作通过贯通孔11而清洗另一侧的导电层13，参见图8，去除保护层，获得基板。通过清除去除了玻璃基板本体1两侧c区域以及d区域的导电层13。基板的第一侧的第一导线71与基板的第二侧的第二导线72分别基于基板存在交错处，基于交错处的独立区域12中贯通孔11内的导电填充物14形成导通第一导线71和第二导线72的贯通导电部73，贯通导电部73位于第一侧的第一导线71基于玻璃基板本体1的投影与基板的第二侧的第二导线72基于玻璃基板本体1的投影的交汇处。本发明只需要将已经完成了两侧导电层相互分区域导通的玻璃基板中洗去不需要的部分，保留需要的导线图案以及相关的导电填充物就能实现一个步骤就能实现双层布线结构，从而大大节约了晶圆厂的芯片制程步骤或是显示面板厂的面板制程步骤。
[0099]
综上，本发明的玻璃基板以及显示面板的基板制造方法能够采用200微米以下超薄玻璃，打孔，双面镀铜，可制作双面线路，无需复杂的单面多道光罩制程，生产效率高、成本低。
[0100]
以上内容是结合具体的可选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。