1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种提高光刻套准精度的标记及方法。
背景技术：
2.集成电路制造工艺中的外延生长技术，就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，外延为器件设计者在优化器件方面提供了很多灵活性，例如可以控制外沿层的掺杂厚度、浓度、轮廓。随着器件高性能的要求，外延厚度也在逐步加厚，但在外延生长中，图形漂移是不可避免地一种现象，而图形漂移会影响后续光刻的对准精度，继而制约了光刻的套刻精度。如何降低或避免外延生长后的图形漂移，对于光刻精度很有意义。
技术实现要素：
3.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种提高光刻套准精度的标记及方法，用于解决现有技术中的外延生长中图形漂移进而影像光刻套刻精度的问题。
4.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种提高光刻套准精度的标记及方法，至少包括：
5.套刻标记；所述套刻标记外围设有禁止域；所述禁止域环绕所述套刻标记；
6.划片槽；所述套刻标记及禁止域位于所述划片槽内；
7.所述禁止域的宽度大于40μm且小于所述划片槽的宽度。
8.优选地，所述套刻标记的外围形状为正方形。
9.优选地，所述禁止域的外围形状为正方形，所述正方形的边长为40μm。
10.优选地，所述套刻标记用于外延层的光刻套刻精度的量测。
11.本发明还提供一种提高光刻套刻精度的方法，至少包括：
12.步骤一、提供套刻标记，所述套刻标记外围设有禁止域；所述禁止域环绕所述套刻标记；所述套刻标记及禁止域位于划片槽内；所述禁止域的宽度大于40μm且小于所述划片槽的宽度；
13.步骤二、提供衬底，在所述衬底上沉积一层外延层；
14.步骤三、利用设有所述套刻标记、禁止域以及所述划片槽的光罩对所述外延层进行光刻套刻精度的量测。
15.优选地，步骤一中的所述套刻标记的外围形状为正方形。
16.优选地，步骤一中的所述禁止域的外围形状为正方形，所述正方形的边长为40μm。
17.如上所述，本发明的提高光刻套准精度的标记及方法，具有以下有益效果：本发明通过增加套刻标记的禁止域宽度来提高外延后光刻套准精度，外延后套刻标记变形稳定可控，多次量测套刻数据稳定。
附图说明
18.图1显示为本发明的提高光刻套准精度的标记的sem图；
19.图2显示为本发明的提高光刻套准精度的标记的结构示意图。
具体实施方式
20.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
21.请参阅图1至图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
22.本发明提供一种提高光刻套准精度的标记，至少包括：
23.套刻标记；所述套刻标记外围设有禁止域；所述禁止域环绕所述套刻标记；
24.划片槽；所述套刻标记及禁止域位于所述划片槽内；
25.所述禁止域的宽度大于40μm且小于所述划片槽的宽度。
26.如图2所示，图2显示为本发明的提高光刻套准精度的标记的结构示意图。所述提高光刻套准精度的标记在本实施例中包括：套刻标记01；所述套刻标记01外围设有禁止域02；所述禁止域02环绕所述套刻标记01；划片槽03；所述套刻标记01及禁止域02位于所述划片槽03内；所述禁止域02的宽度b大于40μm且小于所述划片槽03的宽度c。
27.本发明进一步地，本实施例的所述套刻标记01的外围形状为正方形。
28.本发明进一步地，本实施例的所述禁止域02的外围形状为正方形，所述正方形的边长a为40μm。
29.一种提高光刻套刻精度的方法，至少包括：
30.步骤一、提供套刻标记，所述套刻标记外围设有禁止域；所述禁止域环绕所述套刻标记；所述套刻标记及禁止域位于划片槽内；所述禁止域的宽度大于40μm且小于所述划片槽的宽度；如图2所示，所述套刻标记01外围设有禁止域02；所述禁止域02环绕所述套刻标记01；所述套刻标记01及禁止域02位于划片槽内03；所述禁止域02的宽度大于40μm且小于所述划片槽03的宽度。
31.本发明进一步地，本实施例的步骤一中的所述套刻标记01的外围形状为正方形。
32.本发明进一步地，本实施例的步骤一中的所述禁止域02的外围形状为正方形，所述正方形的边长为40μm。
33.步骤二、提供衬底，在所述衬底上沉积一层外延层；
34.步骤三、利用设有所述套刻标记01、禁止域02以及所述划片槽03的光罩对所述外延层进行光刻套刻精度的量测。
35.综上所述，本发明通过增加套刻标记的禁止域宽度来提高外延后光刻套准精度，外延后套刻标记变形稳定可控，多次量测套刻数据稳定。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
36.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因
此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
技术特征：
1.一种提高光刻套准精度的标记，其特征在于，至少包括：套刻标记；所述套刻标记外围设有禁止域；所述禁止域环绕所述套刻标记；划片槽；所述套刻标记及禁止域位于所述划片槽内；所述禁止域的宽度大于40μm且小于所述划片槽的宽度。2.根据权利要求1所述的提高光刻套准精度的标记，其特征在于：所述套刻标记的外围形状为正方形。3.根据权利要求1所述的提高光刻套准精度的标记，其特征在于：所述禁止域的外围形状为正方形，所述正方形的边长为40μm。4.根据权利要求1所述的提高光刻套准精度的标记，其特征在于：所述套刻标记用于外延层的光刻套刻精度的量测。5.一种提高光刻套刻精度的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供套刻标记，所述套刻标记外围设有禁止域；所述禁止域环绕所述套刻标记；所述套刻标记及禁止域位于划片槽内；所述禁止域的宽度大于40μm且小于所述划片槽的宽度；步骤二、提供衬底，在所述衬底上沉积一层外延层；步骤三、利用设有所述套刻标记、禁止域以及所述划片槽的光罩对所述外延层进行光刻套刻精度的量测。6.根据权利要求5所述的提高光刻套准精度的方法，其特征在于：步骤一中的所述套刻标记的外围形状为正方形。7.根据权利要求5所述的提高外延工艺后光刻套准精度的方法，其特征在于：步骤一中的所述禁止域的外围形状为正方形，所述正方形的边长为40μm。
技术总结
本发明提供一种提高光刻套准精度的标记及方法，套刻标记；套刻标记外围设有禁止域；禁止域环绕所述套刻标记；划片槽；套刻标记及禁止域位于划片槽内；禁止域的宽度大于40μm且小于划片槽的宽度。本发明通过增加套刻标记的禁止域宽度来提高外延后光刻套准精度，外延后套刻标记变形稳定可控，多次量测套刻数据稳定。定。定。
技术研发人员：张顾斌
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2022.12.06
技术公布日：2023/3/2