盖板及制作方法、显示装置与流程

1.本发明涉及显示器技术领域，特别是涉及一种盖板及制作方法、显示装置。


背景技术：

2.随着技术的发展，消费者对显示面板的要求越来越高，特别是在外观和性能上，外观、性能已经成为消费者购买显示屏幕应用产品的关键因素。作为用户交互操作的第一界面，显示面板是用户与消费产品操作和交互的窗口，对于室内及户外型应用产品，消费者要求其在高亮光环境下，也能做到高对比度、高清晰率等，同时还追求美观的屏框一体化。降低屏幕反射率既能增加产品在各个视角下的可读性，又能有效维持整个显示面板融于边框黑色，实现更漂亮的外观。而且，随着车载显示日益发展，为行车安全，车载显示面板对一体黑和低反射要求日趋增高(反射率＜1％)。
3.现有显示装置中通常会在盖板边缘的边框区涂布油墨，而油墨与彩膜基板上黑矩阵的反射率都比较高且不一致，导致显示装置的一体黑效果较差。现有技术中，反射率通常只能做到1～2％，很难做到＜1％；而一体黑水准
△
e≈2.0，很难将一体黑水准
△
e做到＜1.5。这不仅会大大增加行车危险，也会降低在熄屏状态下的黑色效果，影响用户观看体验。


技术实现要素：

4.为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种盖板及制作方法、显示装置，以解决现有技术中显示装置一体黑效果差以及反射率较高的问题。
5.本发明的目的通过下述技术方案实现：
6.本发明提供一种盖板，包括透明盖体以及设于所述透明盖体上的第一抗反射遮光层，所述盖板具有透光区和边框区，所述第一抗反射遮光层设于所述透光区和所述边框区内，所述第一抗反射遮光层在所述透光区为与黑矩阵相对应的图案化结构，所述第一抗反射遮光层包括相互层叠设置的第一金属氧化物层和第一金属层，所述第一金属氧化物层和所述第一金属层在所述透明盖体上的投影相互重合。
7.进一步地，所述第一金属氧化物层为两层，所述第一金属层为一层，所述第一金属层位于两层所述第一金属氧化物层之间；或，所述第一金属氧化物层和所述第一金属层均为一层，所述第一金属层位于所述第一金属氧化物层远离所述透明盖体的一侧。
8.进一步地，所述透明盖体上还设有透明电极，所述第一抗反射遮光层在所述边框区设有接地信号走线，所述接地信号走线与所述透明电极电性连接。
9.进一步地，所述透明盖体还设有第一平坦层和折射层，所述折射层位于所述透明盖体和所述第一抗反射遮光层之间，所述第一平坦层覆盖于所述第一抗反射遮光层远离所述透明盖体的一侧，所述第一平坦层的折射率大于所述折射层的折射率。
10.本技术还提供一种盖板的制作方法，所述制作方法用于制作如上所述的盖板，所述制作方法包括：
11.提供一透明盖体，在所述透明盖体上依次覆盖第一抗反射遮光层和光阻层；
12.对所述光阻层进行图案化处理；
13.以所述光阻层为阻挡，对所述第一抗反射遮光层进行蚀刻处理，使所述第一抗反射遮光层在透光区和边框区形成图案化结构，所述第一抗反射遮光层在所述透光区为与黑矩阵相对应的图案化结构，然后去除所述光阻层。
14.本技术还提供一种盖板的制作方法，所述制作方法用于制作如上所述的盖板，所述制作方法包括：
15.提供一透明盖体，在所述透明盖体上覆盖光阻层；
16.对所述光阻层进行图案化处理；
17.在图案化处理后的所述光阻层以及所述透明盖体上覆盖第一抗反射遮光层，然后去除所述光阻层，保留所述透明盖体表面上的所述第一抗反射遮光层，使所述第一抗反射遮光层在透光区和边框区形成图案化结构，所述第一抗反射遮光层在所述透光区为与黑矩阵相对应的图案化结构。
18.进一步地，所述第一抗反射遮光层包括相互层叠设置的第一金属氧化物层和第一金属层，所述第一金属氧化物层和所述第一金属层在所述透明盖体上的投影相互重合，所述第一金属氧化物层为氧化钼，所述第一金属层为钼或铝。
19.本技术还提供一种显示装置，包括相互层叠设置的盖板和显示面板；
20.所述盖板包括透明盖体以及设于所述透明盖体上的第一抗反射遮光层，所述盖板具有透光区和边框区，所述第一抗反射遮光层为与边框区相对于的图案化结构，所述第一抗反射遮光层包括相互层叠设置的第一金属氧化物层和第一金属层，所述第一金属氧化物层和所述第一金属层在所述透明盖体上的投影相互重合；
21.所述显示面板包括彩膜基板、与所述彩膜基板相对设置的阵列基板以及位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层，所述彩膜基板上设有黑矩阵、色阻以及第二抗反射遮光层，所述黑矩阵将多个所述色阻相互间隔开，所述第二抗反射遮光层位于所述黑矩阵和所述色阻远离所述液晶层的一侧，所述第二抗反射遮光层包括相互层叠设置的第二金属氧化物层和第二金属层，所述第二金属氧化物层和所述第二金属层在所述彩膜基板上的投影相互重合，所述第二抗反射遮光层与所述透光区内的所述黑矩阵相对应；
22.所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层为相同材质，所述第一金属层与所述第二金属层为相同材质。
23.进一步地，所述第一金属氧化物层为两层，所述第一金属层为一层，所述第一金属层位于两层所述第一金属氧化物层之间，所述第二金属氧化物层为两层，所述第二金属层为一层，所述第二金属层位于两层所述第二金属氧化物层之间；
24.或者，所述第一金属氧化物层和所述第一金属层均为一层，所述金属层位于所述金属氧化物层远离所述透明盖体的一侧，所述第二金属氧化物层和所述第二金属层均为一层，所述第二金属层位于所述第二金属氧化物层远离所述彩膜基板的一侧。
25.进一步地，所述透明盖体还设有第一平坦层和折射层，所述折射层位于所述透明盖体和所述第一抗反射遮光层之间，所述第一平坦层覆盖于所述第一抗反射遮光层远离所述透明盖体的一侧，所述第一平坦层的折射率大于所述折射层的折射率。
26.本发明有益效果在于：通过在盖板上设置图案与黑矩阵相对应的抗反射遮光层，使得抗反射遮光层可以将黑矩阵遮挡住，避免黑矩阵反射环境光线，而抗反射遮光层是由
金属氧化物层和金属层相互层叠组成，其本身具有较好的抗反射或低反射率的效果，从而可以降低显示装置的反射率，并且提高一体黑效果，增加在熄屏状态下的黑色效果。
附图说明
27.图1是本发明实施例一中显示装置在黑态的结构示意图；
28.图2是本发明实施例一中显示装置在白态的结构示意图；
29.图3是本发明实施例一中第一抗反射遮光层的平面结构示意图；
30.图4a-4f是本发明实施例一中盖板制作过程的结构示意图之一；
31.图5a-5e是本发明实施例一中盖板制作过程的结构示意图之二；
32.图6是本发明实施例二中显示装置在黑态的结构示意图；
33.图7是本发明实施例二中显示装置在白态的结构示意图；
34.图8是本发明实施例三中显示装置在黑态的结构示意图；
35.图9是本发明实施例三中第一抗反射遮光层的平面结构示意图；
36.图10是本发明实施例三中第二抗反射遮光层的平面结构示意图；
37.图11是本发明实施例三中显示装置在白态的结构示意图；
38.图12是本发明实施例四中显示装置在黑态的结构示意图；
39.图13是本发明实施例四中显示装置在白态的结构示意图；
40.图14是本发明实施例四中第一抗反射遮光层的平面结构示意图。
具体实施方式
41.为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的盖板及制作方法、显示装置的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下：
42.[实施例一]
[0043]
图1是本发明实施例一中显示装置在黑态的结构示意图。图2是本发明实施例一中显示装置在白态的结构示意图。图3是本发明实施例一中第一抗反射遮光层的平面结构示意图。
[0044]
如图1至图3所示，本发明实施例一提供的一种显示装置，显示装置包括相互层叠设置的盖板和显示面板10，其中，盖板可以粘接于显示面板10的出光侧，从而可以对显示面板10起到保护作用。盖板具有透光区和边框区，显示面板10具有显示区和非显示区，透光区与显示区相对应，边框区覆盖非显示区，即边框区的面积大于或等于非显示区的面积。
[0045]
盖板包括透明盖体40以及设于透明盖体40上的第一抗反射遮光层41，第一抗反射遮光层41设于透光区和边框区内，第一抗反射遮光层41在透光区为图案化结构。本实施例中，第一抗反射遮光层41的图案与黑矩阵111的图案相对应，即第一抗反射遮光层41在彩膜基板11上的投影与黑矩阵111在彩膜基板11上的投影相重合。第一抗反射遮光层41包括相互层叠设置的第一金属氧化物层411和第一金属层412，第一金属氧化物层411和第一金属层412在透明盖体40上的投影相互重合。其中，第一金属氧化物层411为氧化钼，第一金属层412为钼或铝。常规黑矩阵111的反射率约为5.3％，而本技术中由第一金属氧化物层411和第一金属层412相互层叠形成第一抗反射遮光层41的反射率约为4.5％，因此，本技术中显
示装置可以同时满足反射率＜1％，一体黑水准
△
e＜1.5，增加在熄屏状态下的黑色效果。
[0046]
本实施例中，第一金属氧化物层411为两层，第一金属层412为一层，第一金属层412位于两层第一金属氧化物层411之间，即第一抗反射遮光层41由依次层叠的第一金属氧化物层411、第一金属层412以及第一金属氧化物层411组成。
[0047]
进一步地，为了防止第一抗反射遮光层41被刮擦损坏，第一抗反射遮光层41设于透明盖体40朝向显示面板10的一侧，从而使得透明盖体40可以对第一抗反射遮光层41起到保护作用。
[0048]
透明盖体40还设有第一平坦层401，第一平坦层401覆盖于第一抗反射遮光层41远离透明盖体40的一侧，从而使得透明盖体40朝向显示面板10的一侧更加平整，同时，第一平坦层401也可以对第一抗反射遮光层41起到一定保护作用。
[0049]
显示面板10包括彩膜基板11、与彩膜基板11相对设置的阵列基板12以及设于彩膜基板11和阵列基板12之间的液晶层13。液晶层13优选采用正性液晶分子，即介电各向异性为正的液晶分子。初始状态的时候，液晶层13中的正性液晶分子平行于彩膜基板11和阵列基板12进行配向，靠近彩膜基板11一侧的正性液晶分子与靠近阵列基板12一侧的正性液晶分子的配向方向平行或反向平行。当然，在其他实施例中，液晶层13也可采用负性液晶分子，液晶层13中的负性液晶分子可垂直于彩膜基板11和阵列基板12进行配向，即类似于va显示模式的配向方式。
[0050]
彩膜基板11上设有呈阵列排布的色阻层112以及将色阻层112间隔开的黑矩阵111，色阻层112包括红(r)、绿(g)、蓝(b)三色的色阻材料，并对应形成红(r)、绿(g)、蓝(b)三色的子像素。
[0051]
阵列基板12在朝向液晶层13的一侧上由多条扫描线(图未示)和多条数据线(图未示)相互绝缘交叉限定形成多个像素单元，每个像素单元内设有像素电极122和薄膜晶体管(图未示)，像素电极122通过薄膜晶体管与邻近薄膜晶体管的数据线电性连接。其中，薄膜晶体管包括栅极、有源层、漏极以及源极，栅极与扫描线位于同一层并电性连接，栅极与有源层通过绝缘层隔离开，源极与数据线电性连接，漏极与像素电极122通过接触孔电性连接。
[0052]
如图1所示，本实施例中，阵列基板12朝向液晶层13的一侧还设有公共电极121，公共电极121与像素电极122位于不同层并通过绝缘层绝缘隔离。公共电极121可位于像素电极122上方或下方(图1中所示为公共电极121位于像素电极122的下方)。优选地，公共电极121为整面设置的面状电极，像素电极122为在每个像素单元内整块设置的块状电极或者具有多个电极条的狭缝电极，以形成边缘场开关模式(fringe field switching，ffs)。当然，在其他实施例中，像素电极122与公共电极121可位于同一层，但是两者相互绝缘隔离开，像素电极122和公共电极121各自均可包括多个电极条，像素电极122的电极条和公共电极121的电极条相互交替排列，以形成面内切换模式(in-plane switching，ips)；或者，在其他实施例中，阵列基板12在朝向液晶层13的一侧设有像素电极122，彩膜基板11在朝向液晶层13的一侧设有公共电极121，以形成tn模式或va模式。
[0053]
其中，透明盖体40、彩膜基板11以及阵列基板12可以用玻璃、丙烯酸和聚碳酸酯等材料制成。公共电极121以及像素电极122的材料可以为氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)等。第一金属氧化物层411的材料可以为氧化钼，第一金属层412的材料可以为钼或铝。
[0054]
彩膜基板11上还设有上偏光片21，阵列基板12上还设有下偏光片22，上偏光片21和下偏光片22的透光轴相互垂直。
[0055]
本发明还提供一种显示装置，包括如上所述的宽窄视角可切换的显示面板以及背光模组30，背光模组30位于显示面板的下方，用于给显示面板提供背光源。
[0056]
背光模组30可以是侧入式背光模组，也可以是直下式背光模组。优选地，背光模组30采用准直背光(cbl，collimated backlight)模式，可对光线起到收光的作用，保证显示效果。
[0057]
背光模组30包括背光源31和防窥层33，防窥层33用于缩小光线射出角度的范围。背光源31和防窥层33之间还设有增亮膜32，增亮膜32增加背光模组30的亮度。其中，防窥层33相当一个微型的百叶窗结构，可以阻挡入射角度较大的光线，使入射角度较小的光线穿过，使穿过防窥层33的光线的角度范围变小。防窥层33包括多个平行设置的多个光阻墙和位于相邻两个光阻墙之间的透光孔，光阻墙的两侧设有吸光材料。当然，背光源31也可以是采用集光式背光源，从而无需设置防窥层33，但是集光式背光源较常规的背光源更加昂贵。
[0058]
图4a-4f是本发明实施例一中盖板制作过程的结构示意图之一。如图4a-4f所示的盖板的制作方法，本实施例中还提供一种盖板的制作方法，该制作方法用于制作如上所述的盖板，该制作方法包括：
[0059]
如图4a和图4b所示，提供一透明盖体40，在透明盖体40上依次覆盖第一抗反射遮光层41和光阻层50。其中，透明盖体40可以由玻璃、石英、硅、丙烯酸或聚碳酸酯等材料制成。第一抗反射遮光层41例如为金属氧化物(例如氧化钼)和金属(例如铝、钼)的组合而成。
[0060]
本实施例中，第一抗反射遮光层41包括两层第一金属氧化物层411和一层第一金属层412，该制作方法具体包括：在透明盖体40上依次覆盖第一金属氧化物层411、第一金属层412、第一金属氧化物层411以及光阻层50，第一金属层412位于两层第一金属氧化物层411之间。其中，第一金属层412例如为铝、钼，第一金属氧化物层411例如为氧化钼。
[0061]
如图4c所示，提供一具有图案化的掩模板60，以掩模板60为遮挡对光阻层50进行曝光处理。掩模板60具有透光区域和阻光区域，其中，阻光区域对应于透光区和边框区，阻光区域在透光区内为与黑矩阵111相对应的网格状结构。这里制作第一抗反射遮光层41的掩模板60可以使用制作黑矩阵111的掩模板60，从而减少掩模板60制作难度。
[0062]
如图4d所示，对光阻层50进行显影处理，去除被曝光区域的光阻材料，使光阻层50在透光区和边框区形成图案化结构，光阻层50在透光区为与黑矩阵111相对应的网格状结构。
[0063]
如图4e所示，以网格状结构的光阻层50为阻挡，对第一抗反射遮光层41进行蚀刻处理，使第一抗反射遮光层41在透光区和边框区形成图案化结构，第一抗反射遮光层41在透光区为与黑矩阵111相对应的图案化结构。具体地，第一金属氧化物层411和第一金属层412均会形成与黑矩阵111相对应的网格状结构。
[0064]
如图4f所示，然后，剥离掉光阻层50，在透明盖体40上覆盖第一平坦层401，第一平坦层401覆盖住第一抗反射遮光层41。
[0065]
图5a-5e是本发明实施例一中盖板制作过程的结构示意图之二。如图5a-5e所示的盖板的制作方法，本实施例中还提供一种盖板的制作方法，该制作方法用于制作如上所述的盖板，该制作方法包括：
[0066]
如图5a所示，提供一透明盖体40，在透明盖体40上覆盖光阻层50。
[0067]
如图5b所示，对光阻层50进行图案化处理。例如，可以通过镭射雕刻技术对光阻层50进行图案化处理，光阻层50在透光区和边框区形成图案化结构的沟道，光阻层50在透光区为与黑矩阵111相对应的网格状沟道，在沟道处露出透明盖体40。当然，也可以提供一具有图案画的掩模板60，以掩模板60为遮挡对光阻层50进行曝光和显影处理，光阻层50在透光区和边框区形成图案化结构的沟道，光阻层50在透光区为与黑矩阵111相对应的网格状沟道，在沟道处露出透明盖体40。
[0068]
如图5c所示，在图案化处理后的光阻层50以及透明盖体40上覆盖第一抗反射遮光层41，第一抗反射遮光层41会覆盖在光阻层50的表面上以及网格状沟道中。第一抗反射遮光层41例如为金属氧化物(例如氧化钼)和金属(例如铝、钼)的组合而成。
[0069]
本实施例中，第一抗反射遮光层41包括两层第一金属氧化物层411和一层第一金属层412，该制作方法具体包括：在透明盖体40上依次覆盖第一金属氧化物层411、第一金属层412、第一金属氧化物层411以及光阻层50，第一金属层412位于两层第一金属氧化物层411之间。其中，第一金属层412例如为铝、钼，第一金属氧化物层411例如为氧化钼。
[0070]
如图5d所示，然后，剥离掉光阻层50，光阻层50表面上的第一抗反射遮光层41也会一同被剥离掉，从而保留透明盖体40表面上的第一抗反射遮光层41，使第一抗反射遮光层41在透光区和边框区形成图案化结构，第一抗反射遮光层41在透光区为与黑矩阵111相对应的图案化结构。
[0071]
如图5e所示，最后，在透明盖体40上覆盖第一平坦层401，第一平坦层401覆盖住第一抗反射遮光层41。
[0072]
[实施例二]
[0073]
图6是本发明实施例二中显示装置在黑态的结构示意图。图7是本发明实施例二中显示装置在白态的结构示意图。如图6和图7所示，本发明实施例二提供的盖板及制作方法、显示装置与实施例一(图1至图5e)中的盖板及制作方法、显示装置基本相同，不同之处在于，在本实施例中，第一金属氧化物层411和第一金属层412均为一层，第一金属层412位于第一金属氧化物层411远离透明盖体40的一侧，即第一金属层412位于第一金属氧化物层411朝向显示面板10的一侧。
[0074]
虽然本技术中第一抗反射遮光层41由一层第一金属氧化物层411和一层第一金属层412组成，抗反射效果和一体黑水准不如实施例一中的好，但是本技术相对于实施例一可以减少盖板的厚度。
[0075]
本领域的技术人员应当理解的是，本实施例的其余结构以及工作原理均与实施例一相同，这里不再赘述。
[0076]
[实施例三]
[0077]
图8是本发明实施例三中显示装置在黑态的结构示意图。图9是本发明实施例三中第一抗反射遮光层的平面结构示意图。图10是本发明实施例三中第二抗反射遮光层的平面结构示意图。图11是本发明实施例三中显示装置在白态的结构示意图。如图8-图11所示，本发明实施例三提供的盖板及制作方法、显示装置与实施例一(图1至图5e)、实施例二(图6和图7)中的盖板及制作方法、显示装置基本相同，不同之处在于，在本实施例中：
[0078]
盖板包括透明盖体40以及设于透明盖体40上的第一抗反射遮光层41，第一抗反射
遮光层41为图案化结构。本实施例中，第一抗反射遮光层41与边框区相对应，而在透光区内没有设置第一抗反射遮光层41，可以参考图9。彩膜基板11上还设有第二抗反射遮光层14，第二抗反射遮光层14位于黑矩阵111和色阻112远离液晶层13的一侧。其中，第二抗反射遮光层14与透光区内的黑矩阵111相对应，而在边框区内没有设置第二抗反射遮光层14，可以参考图10。
[0079]
其中，第二抗反射遮光层14包括相互层叠设置的第二金属氧化物层141和第二金属层142，第二金属氧化物层141和第二金属层142在彩膜基板11上的投影相互重合。第一金属氧化物层411和第二金属氧化物层141为相同材质，第一金属层412与第二金属层142为相同材质，从而保证第一抗反射遮光层41和第二抗反射遮光层14的反射率和一体黑水准保持一致。
[0080]
本实施例中，第一金属氧化物层411为两层，第一金属层412为一层，第一金属层412位于两层第一金属氧化物层411之间。同样，第二金属氧化物层141为两层，第二金属层142为一层，第二金属层142位于两层第二金属氧化物层141之间。从而保证第一抗反射遮光层41和第二抗反射遮光层14的反射率和一体黑水准保持一致。当然，在其他实施例中，第一金属氧化物层411和第一金属层412均为一层，金属层412位于金属氧化物层411远离透明盖体40的一侧。第二金属氧化物层141和第二金属层142均为一层，第二金属层142位于第二金属氧化物层411远离彩膜基板11的一侧。
[0081]
进一步地，彩膜基板11上还设有第二平坦层101，第二平坦层101覆盖住第二抗反射遮光层14，从而保证彩膜基板11朝向液晶层13的一侧更加平整。黑矩阵111和色阻112设于第二平坦层101朝向液晶层13的一侧。
[0082]
本领域的技术人员应当理解的是，本实施例的其余结构以及工作原理均与实施例一、实施例二相同，这里不再赘述。
[0083]
[实施例四]
[0084]
图12是本发明实施例四中显示装置在黑态的结构示意图。图13是本发明实施例四中显示装置在白态的结构示意图。图14是本发明实施例四中第一抗反射遮光层的平面结构示意图。如图12-图14所示，本发明实施例四提供的盖板及制作方法、显示装置与实施例一(图1至图5e)、实施例二(图6和图7)、实施例三(图8和图11)中的盖板及制作方法、显示装置基本相同，不同之处在于，在本实施例中，透明盖体40上还设有透明电极42，透明电极42的材料可以为氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)等。第一抗反射遮光层41在边框区设有接地信号走线413，接地信号走线413与透明电极42电性连接，例如可以在边缘开孔，通过接触孔使得接地信号走线413与透明电极42电性连接。通过在透明盖体40上设置接地的透明电极42，透明电极42具有防静电效果，从而提高盖板防静电性能。
[0085]
进一步地，透明盖体40还设有第一平坦层401和折射层402，折射层402位于透明盖体40和第一抗反射遮光层41之间，第一平坦层401覆盖于第一抗反射遮光层41远离透明盖体40的一侧，第一平坦层401的折射率大于折射层402的折射率。从而使得光线在第一平坦层401和折射层402之间会发生散射效果，降低反射光线的干扰，从而降低反射效果，以提升一体黑水准。其中，折射层402例如采用sio2，第一平坦层401例如采用nb2o5。
[0086]
当然，透明电极42采用氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)等制成，其折射率接近于1，即透明电极42的折射率小于折射层402的折射率，从而在透明电极42和折射层402之间会
发生散射效果，进一步降低反射光线的干扰。
[0087]
本领域的技术人员应当理解的是，本实施例的其余结构以及工作原理均与实施例一、实施例二、实施例三相同，这里不再赘述。
[0088]
在本文中，所涉及的上、下、左、右、前、后等方位词是以附图中的结构位于图中的位置以及结构相互之间的位置来定义的，只是为了表达技术方案的清楚及方便。应当理解，所述方位词的使用不应限制本技术请求保护的范围。还应当理解，本文中使用的术语“第一”和“第二”等，仅用于名称上的区分，并不用于限制数量和顺序。
[0089]
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限定，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰，为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的保护范围之内。