阵列基板及显示面板的制作方法

1.本技术属于显示技术领域，涉及一种阵列基板及显示面板。


背景技术：

2.目前的液晶显示面板(liquid crystal display，lcd)因其电压低，功耗低，方便携带的优势，使之成为显示技术的主流技术。通常液晶显示面板包括彩膜基板(color filter，cf)、薄膜晶体管、阵列基板(thin filmtransistor，tft)、及设于彩膜基板与阵列基板之间的液晶(liquidcrystal，lc)。通过对阵列基板供电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线投射到彩膜基板产生不同色彩显示。阵列基板的性能特征和运行特性很大程度上取决于阵列基板中半导体元件特性。
3.液晶显示面板中一个重要的指标就是显示亮度，尤其是用于户外的显示产品，而亮度的一个重要的决定因素是像素的穿透率。因此，如何提高像素的穿透率为现有技术中需要解决的技术问题。
4.现有技术中，通常的做法是去除开口区位置的绝缘层，以减薄开口区阵列基板的厚度，从而提高像素的穿透率。但是，由于导通孔处的像素电极 (ito)高低落差过大，而造成像素电极的锥度角过大，容易造成像素电极断裂。


技术实现要素：

5.本技术实施例的目的之一在于提供一种阵列基板及显示面板，通过减薄与导通孔相邻的狭缝处栅极绝缘层和钝化层的厚度，避免像素电极断裂。
6.为实现上述目的，本技术第一方面的实施例提供一种阵列基板，包括：
7.基板；以及
8.栅极绝缘层，位于所述基板表面；
9.钝化层，位于所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧，且设有导通孔；
10.像素电极，位于所述钝化层表面，且通过所述导通孔与所述钝化层所覆盖的金属层连接，所述像素电极具有若干狭缝，在与所述导通孔相邻的所述狭缝处，所述栅极绝缘层与所述钝化层的厚度之和为第一厚度，在与所述导通孔相邻的所述狭缝和所述导通孔之间，所述栅极绝缘层与所述钝化层的厚度之和为第二厚度，所述第一厚度大于零且小于所述第二厚度。
11.可选地，所述第二厚度由所述导通孔向相邻的所述狭缝逐渐减小。
12.可选地，所述阵列基板设有开口区和非开口区，所述像素电极、所述导通孔和所述狭缝位于所述开口区，在所述开口区内、且避开所述导通孔及与其相邻的所述狭缝之间的区域，所述栅极绝缘层与所述钝化层的厚度之和均等于所述第一厚度。
13.可选地，所述阵列基板设有开口区和非开口区，所述像素电极、所述导通孔和所述狭缝位于所述开口区，在所述开口区内、且避开所述导通孔、与所述导通孔相邻的所述狭缝以及所述导通孔和相邻狭缝之间的区域，所述栅极绝缘层与所述钝化层的厚度之和为零。
14.可选地，所述狭缝处的所述栅极绝缘层的厚度小于所述像素电极处的所述栅极绝缘层的厚度，所述狭缝处所述钝化层的厚度小于或等于所述像素电极处所述钝化层的厚度。
15.可选地，所述狭缝处所述栅极绝缘层的厚度等于所述像素电极处所述栅极绝缘层的厚度，所述狭缝处的所述钝化层的厚度小于所述像素电极处所述钝化层的厚度。
16.可选地，所述栅极绝缘层在所述狭缝处断开设置，所述狭缝处的所述钝化层的厚度小于或等于所述像素电极处的所述钝化层的厚度。
17.可选地，所述狭缝处所述栅极绝缘层的厚度小于或等于所述像素电极处所述栅极绝缘层的厚度，所述钝化层在所述狭缝处断开设置。
18.可选地，所述阵列基板还包括第一金属层，所述第一金属层位于所述基板与所述栅极绝缘层之间，所述第一金属层具有第一锥形剖面形状且具有小于 20
°
的锥角，所述第一金属层的厚度小于
19.可选地，所述阵列基板还包括第二金属层，所述第二金属层位于所述栅极绝缘层与所述钝化层之间，所述第二金属层具有第二锥形剖面形状且具大于 20
°
小于30
°
的锥角。
20.可选地，所述阵列基板还包括有源层，所述有源层位于所述栅极绝缘层与所述第二金属层之间，所述有源层的厚度大于10nm小于20nm。
21.本技术第二方面的实施例提供一种显示面板，包括上述任一项所述的阵列基板。
22.本技术提供的一种阵列基板及显示面板，通过减薄与导通孔相邻的狭缝处栅极绝缘层和钝化层的厚度，降低导通孔处像素电极的高低落差，以避免像素电极断裂。
附图说明
23.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
24.图1为本技术实施例一提供的阵列基板的结构示意图；
25.图2为本技术实施例一提供的第一种阵列基板沿图1中c-c的剖视图；
26.图3为本技术实施例一提供的第二种阵列基板沿图1中c-c的剖视图；
27.图4为本技术实施例一提供的第三种阵列基板沿图1中a-a的剖视图；
28.图5为本技术实施例三提供的第四种阵列基板沿图1中a-a的剖视图；
29.图6为本技术实施例三提供的第五种阵列基板沿图1中a-a的剖视图；
30.图7为本技术实施例四提供的第六种阵列基板沿图1中a-a的剖视图；
31.图8为本技术实施例六提供的第七种阵列基板沿图1中a-a的剖视图；
32.图9为本技术实施例七提供的显示面板的结构示意图。
33.附图标记：
34.1、像素电极；2、第一金属层；3、第二金属层；
35.4、钝化层；5、栅极绝缘层；6、基板；7、有源层；
36.101、阵列基板；102、第一取向层；103、液晶层；
37.104、第二取向层；105、公共电极；106、彩膜基板；
38.d、狭缝d；d、导通孔；b、非开口区；b、开口区；
39.α、第一锥角；β、第二锥角。
具体实施方式
40.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
41.本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含一系列步骤或单元的过程、方法或系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
42.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
43.液晶显示面板中一个重要的指标就是显示亮度，尤其是用于户外的显示产品，而亮度的一个重要的决定因素是像素的穿透率。因此，如何提高像素的穿透率为现有技术中需要解决的技术问题。
44.本技术提供的一种阵列基板及显示面板，通过减薄与导通孔相邻的狭缝处栅极绝缘层和钝化层的厚度，降低导通孔处像素电极的高低落差，以避免像素电极断裂。
45.实施例一
46.如图1所示，本技术实施例一提供一种阵列基板101，图2为第一种阵列基板101沿图1中c-c的剖视图，如图2所示，该阵列基板101包括若干层结构，具体在于，包括：
47.基板6；以及
48.栅极绝缘层5，位于基板6表面；
49.钝化层4，位于栅极绝缘层5远离基板6的一侧，且设有导通孔d；
50.像素电极1，位于钝化层4表面。
51.去除阵列基板101开口区b的栅极绝缘层5和钝化层4。再如图1所示，通过导通孔d与钝化层4所覆盖的金属层连接，像素电极1具有若干狭缝d。
52.通过挖空阵列基板101开口区b的栅极绝缘层5和钝化层4，以减薄阵列基板101开口区b位置的厚度，从而提高像素的穿透率。但是，由于导通孔d 处的像素电极1的高低落差过大，而造成像素电极1的锥度角过大，锥度角指像素电极1与基板6所成的角度，表示像素电极1的坡度的大小，容易造成像素电极1断裂。
53.本实施例还提供一种阵列基板101，如图3所示，图3为第二种阵列基板 101沿图1中c-c的剖视图，在与导通孔d相邻的狭缝d处，栅极绝缘层5与钝化层4的厚度之和为第一厚度，在与导通孔d相邻的狭缝d和导通孔d之间，栅极绝缘层5与钝化层4的厚度之和为第二厚度，第一厚度大于零且小于第二厚度。
54.通过减薄与导通孔d相邻的狭缝d处栅极绝缘层5和钝化层4的厚度，降低导通孔d
处像素电极1的高低落差，以避免像素电极1断裂。
55.进一步地，第二厚度由导通孔d向相邻的狭缝d逐渐减小，进一步避免断线风险。
56.本实施例还提供一种阵列基板101，阵列基板101设有开口区b和非开口区b，像素电极1、导通孔d和狭缝d位于开口区b，在开口区b内、且避开导通孔d及与其相邻的狭缝d之间的区域，栅极绝缘层5与钝化层4的厚度之和均等于第一厚度。
57.在开口区b内，除导通孔d及与其相邻的狭缝d之间的区域外，所有栅极绝缘层5与钝化层4的厚度和均为同一厚度，像素电极1处的栅极绝缘层5与钝化层4的厚度之和等于狭缝d处的栅极绝缘层5与钝化层4的厚度之和，无需设置多种厚度，简化制程，提高像素的穿透率。
58.阵列基板101设有开口区b和非开口区b，像素电极1、导通孔d和狭缝 d位于开口区b，在开口区b内、且避开导通孔d、与导通孔d相邻的狭缝d 以及导通孔d和相邻狭缝d之间的区域，栅极绝缘层5与钝化层4的厚度之和为零。
59.在开口区b内，除导通孔d及与其相邻的狭缝d之间的区域外，所有栅极绝缘层5与钝化层4的厚度和均为零，像素电极1直接与基板6接触，在避免像素电极1断线的同时，进一步提高像素的穿透率。
60.本实施例还提供一种阵列基板101，位于狭缝d处的栅极绝缘层5与钝化层4的厚度之和小于像素电极1处的栅极绝缘层5与钝化层4的厚度之和。
61.同时结合图1和图3，阵列基板101设有开口区b和非开口区b，像素电极1和狭缝d位于开口区b，像素电极1和狭缝d位于开口区b，基板6与像素电极1之间设有栅极绝缘层5和钝化层4，通过减薄狭缝d处的栅极绝缘层 5和钝化层4的厚度和，使光容易透过阵列基板101，提高像素的穿透率，从而提高显示面板的亮度。
62.并且通过仅在狭缝d处对栅极绝缘层5和钝化层4进行减薄，能够避免去除整个开口区b的栅极绝缘层5和钝化层4，降低导通孔d处像素电极1的高低落差，以避免像素电极1断裂。
63.本实施例还提供另一种阵列基板101，如图4所示，图4为第三种阵列基板101沿图1中a-a的剖视图，栅极绝缘层5间隔设置于像素电极1处，狭缝 d处钝化层4的厚度小于或等于像素电极1处钝化层4的厚度。
64.狭缝d位于像素电极1的间隔处，通过去除狭缝d处的栅极绝缘层5，狭缝d处的钝化层4保持不变，能够减薄阵列基板101部分开口区b的厚度，提高像素的透过率，提升显示面板的亮度；进一步地，在去除狭缝d处栅极绝缘层5的基础上，减薄钝化层4的厚度，能够使阵列基板101部分开口区b的厚度进一步减薄，进一步提高像素的透过率，提升显示面板的亮度。
65.进一步地，再如图3所示，阵列基板101还包括第一金属层2，第一金属层2位于基板6与栅极绝缘层5之间，第一金属层2具有锥形剖面形状且具有小于20
°
的第一锥角α，第一金属层2的厚度小于
66.第一金属层2可以采用铝、钼、钛，铜材料，或该几种金属任两者、三者、或全部的组合材料。其中第一金属层2的第一锥角α度应小于20
°
，为了减小第一锥角α，第一金属层2的厚度应该小于从而避免增加像素电极1的高低落差，防止像素电极1出现短线，而出现的显示不良的情况。
67.阵列基板101还包括第二金属层3，第二金属层3位于栅极绝缘层5与钝化层4之间，第二金属层3具有锥形剖面形状且具大于20
°
小于30
°
的第二锥角β。
68.第二金属层3可以采用铝、钼、钛，铜材料，或该几种金属任两者、三者、或全部的组合材料。其中第二金属层3的锥角β度应在20
°
到同时30℃之间，防止像素电极1出现断线，而出现的显示不良的情况。
69.阵列基板101还包括有源层7，有源层7位于栅极绝缘层5与第二金属层 3之间，有源层7的厚度大于10nm小于20nm。
70.有源层7使用金属氧化物材料，有源层7厚度在10nm到20nm之间，器件的性能最佳，有利于提高显示面板的显示性能，同时便于实现高电子迁移率，大开态电流，提高面板的充电率和降低充电时间。在另一实施例中，有源层7 材料为inznsncuo，退火温度为336-380℃；当有源层7材料为inznsnclo，退火温度为380-420℃；当有源层7材料为inznsnmgo，退火温度为340
‑ꢀ
360℃。
71.实施例二
72.狭缝d处栅极绝缘层5的厚度小于或等于像素电极1处栅极绝缘层5的厚度，钝化层4间隔设置于像素电极1处。
73.同理，通过去除狭缝d处的钝化层4，狭缝d处的栅极绝缘层5保持不变，能够减薄阵列基板101部分开口区b的厚度，提高像素的透过率，提升显示面板的亮度；进一步地，在去除狭缝d处钝化层4的基础上，减薄栅极绝缘层5的厚度，能够使阵列基板101部分开口区b的厚度进一步减薄，进一步提高像素的透过率，提升显示面板的亮度。
74.实施例三
75.图5为第四种阵列基板101沿图1中a-a的剖视图，狭缝d处栅极绝缘层 5的厚度小于像素电极1处栅极绝缘层5的厚度，狭缝d处钝化层4的厚度等于像素电极1处钝化层4的厚度。
76.如图5所示，通过减薄狭缝d处栅极绝缘层5的厚度，像素电极1处绝缘层的厚度保持不变，狭缝d处的钝化层4厚度保持不变，减薄阵列基板101部分开口区b的厚度，提高像素的透过率，提升显示面板的亮度。
77.在另一实施例中，如图6所示，图6为第五种阵列基板101沿图1中a-a 的剖视图，通过挖空狭缝d处栅极绝缘层5的厚度，狭缝d处的钝化层4厚度保持不变，进一步减薄阵列基板101部分开口区b的厚度，提高像素的透过率，进一步提升显示面板的亮度。
78.实施例四
79.图7为第六种阵列基板101沿图1中a-a的剖视图，栅极绝缘层5间隔设置于像素电极1处，狭缝d处钝化层4的厚度小于像素电极1处钝化层4的厚度。
80.如图7所示，通过挖空狭缝d处栅极绝缘层5，并且减薄狭缝d处的钝化层4，像素电极1处的钝化层4和栅极绝缘层5的厚度保持不变，减薄阵列基板101部分开口区b的厚度，提高像素的透过率，提升显示面板的亮度。
81.在另一实施例中，通过挖空狭缝d处栅极绝缘层5，并且挖空狭缝d处的钝化层4，像素电极1处的钝化层4和栅极绝缘层5的厚度保持不变，进一步减薄阵列基板101部分开口区b的厚度，提高像素的透过率，进一步提升显示面板的亮度。
82.实施例五
83.狭缝d处栅极绝缘层5的厚度等于像素电极1处栅极绝缘层5的厚度，狭缝d处钝化层4的厚度小于像素电极1处钝化层4的厚度。
84.通过减薄狭缝d处钝化层4的厚度，狭缝d处的栅极绝缘层5厚度保持不变，减薄阵列基板101部分开口区b的厚度，提高像素的透过率，提升显示面板的亮度。
85.实施例六
86.如图8所示，图8为第七种阵列基板101沿图1中a-a的剖视图，通过减薄像素电极1处栅极绝缘层5的厚度，并且减薄狭缝d处钝化层4的厚度，同时挖空狭缝d处的栅极绝缘层5和钝化层4。尽可能的减薄阵列基板101开口区b的厚度，提高像素的透过率，提升显示面板的亮度。
87.实施例七
88.如图9所示，本技术实施例还提供一种显示面板，包括：
89.阵列基板101；
90.第一取向层102，覆盖于阵列基板101；
91.液晶层103，设置于第一取向层102远离阵列基板101的一侧；
92.第二取向层104，与第一取向层102相对设置于液晶层103的两侧；
93.公共电极105，设于第二取向层104远离液晶层103的一侧；以及
94.彩膜基板106，覆盖于公共电极105。
95.以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。