绝缘结构及阵列基板的制作方法

本申请涉及显示，尤其涉及一种绝缘结构及阵列基板。

背景技术：

1、目前主流的液晶显示器(l i qu i d crysta l d i sp l ay，lcd)的有源层为a-s i，相较于a-si有源层，i gzo有源层拥有可见光透明性、高电子迁移率、高开关电流比，可实现柔性显示、良好的均一性及生产成本低等诸多优点，得到了业界的广泛青睐。

2、近年来，针对a-i gzo的制备技术、工艺结构等相关的研究呈井喷趋势，各家厂商也推出了各种各样的基于i gzo tft的液晶显示器。但是，由于i gzo材料容易受到氢掺杂，产生大量载流子变成导体而失去半导体的特性，所以在i gzo tft器件的制作过程中，绝缘结构由两层膜层构成，分别为氧化物膜层(si ox)及氮化硅膜层(si nx)。

3、然而，又由于氮化硅与氧化物材料的差异，导致两者的折射率差异特别大，从而导致i gzo tft器件中相邻膜层的折射率差异较大，容易导致光在相邻膜层的界面中造成较强的反射，大大降低了显示面板的透过率和能效。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于，提供一种绝缘结构及阵列基板，以解决现有绝缘结构的相邻膜层的折射率差异较大，导致显示面板透过率较低、能效不佳的技术问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供一种绝缘结构，包括第一膜层、第二膜层以及第三膜层，所述第二膜层设置于所述第一膜层与所述第三膜层之间；其中，所述第一膜层、所述第三膜层的折射率均小于所述第二膜层的折射率。

3、进一步的，所述第一膜层及所述第三膜层的折射率范围均为1.7-1.8；所述第二膜层的折射率范围为1.9-2.1。

4、进一步的，所述第一膜层及所述第三膜层的厚度范围均为0-800nm；所述第二膜层的厚度范围为300-400nm。

5、进一步的，所述第一膜层、所述第二膜层以及所述第三膜层所采用的材质均为氮化硅。

6、为实现上述目的，本实用新型还提供一种阵列基板，包括：玻璃基板；栅极绝缘层，其设置于所述玻璃基板上；以及钝化层，其设置在所述栅极绝缘层上；其中，所述栅极绝缘层包括上述任一实施方式所述的绝缘结构；和/或所述钝化层包括上述任一实施方式所述的绝缘结构。

7、进一步的，所述的阵列基板还包括：发光功能层，其设置于所述钝化层上；公共电极层，其设置于所述发光功能层；以及介电层，其设置于所述发光功能层与所述公共电极层之间；其中，所述介电层的折射率范围为1.7-1.8。

8、进一步的，所述介电层的厚度范围为0-800nm。

9、进一步的，所述介电层所采用的材质为氮化硅或者氮氧化硅。

10、为实现上述目的，本实用新型还提供一种阵列基板，包括：玻璃基板；栅极绝缘层，其设置于所述玻璃基板上；钝化层，其设置在所述栅极绝缘层上；发光功能层，其设置于所述钝化层上；公共电极层，其设置于所述发光功能层；以及过渡层，其设置于所述发光功能层与所述公共电极层之间；其中，所述过渡层的折射率范围为1.7-1.8。

11、进一步的，所述过渡层的厚度范围为0-800nm；所述过渡层所采用的材质为氮化硅或者氮氧化硅。

12、本实用新型的技术效果在于，提供一种绝缘结构及阵列基板，阵列基板中的栅极绝缘层和/或钝化层包括绝缘结构，如此可以对阵列基板的绝缘结构进行优化，即绝缘结构中第一膜层、第三膜层的折射率均小于第二膜层的折射率，使得相邻膜层的折射率差异较小，避免光在相邻膜层的界面中造成较强的反射，进而提升显示面板的透过率和能效。

技术特征：

1.一种绝缘结构，其特征在于，包括第一膜层、第二膜层以及第三膜层，所述第二膜层设置于所述第一膜层与所述第三膜层之间；其中，所述第一膜层、所述第三膜层的折射率均小于所述第二膜层的折射率。

2.根据权利要求1所述的绝缘结构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的绝缘结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的绝缘结构，其特征在于，

5.一种阵列基板，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，

9.一种阵列基板，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，

技术总结
本申请公开了一种绝缘结构及阵列基板，包括第一膜层、第二膜层以及第三膜层，所述第二膜层设置于所述第一膜层与所述第三膜层之间；其中，所述第一膜层、所述第三膜层的折射率均小于所述第二膜层的折射率。本申请对绝缘结构的膜层进行优化，使得相邻膜层的折射率差异较小，避免光在相邻膜层的界面中造成较强的反射，进而提升显示面板的透过率和能效。

技术研发人员：王航
受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：20221125
技术公布日：2024/1/13