用于改进的套刻的夹具电极修改的制作方法

本公开涉及静电晶片夹具以及用于形成和修改静电晶片夹具中包括的电极结构的方法。

背景技术：

1、光刻设备是一种将期望图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)的制造中。在这种情况下，可以使用图案化装置(可互换地称为掩模或掩模版)来生成要在正在形成的ic的单个层上形成的电路图案。该图案可以转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或若干管芯的一部分)上。图案的转印通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料层(例如，抗蚀剂)上。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描仪，在步进器中，通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分，而在扫描仪中，通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案同时在与该扫描方向平行或反平行(例如，相反)的方向上同步扫描目标部分来照射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化装置转印到衬底。

2、随着半导体制造工艺的不断进步，电路元件的尺寸不断减小，而每个器件的功能元件(诸如晶体管)的数目几十年遵循通常称为摩尔定律的趋势一直在稳步增加。为了跟上摩尔定律，半导体行业正在追逐能够创造越来越小特征的技术。为了在衬底上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了在衬底上图案化的特征的最小尺寸。目前使用的典型波长为：深紫外(duv)辐射系统中的365nm(i-line)、248nm和193nm；极紫外(euv)辐射系统中的13.5nm。euv辐射(例如，波长为大约50纳米(nm)或更小的电磁辐射(有时也称为软x射线)，并且包括波长为大约13.5nm的光)可以在光刻设备中使用或与光刻设备一起使用，以在衬底(例如，硅晶片)中或其上产生极小的特征。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4nm至20nm范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的euv辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。

3、要求并且保持衬底台的表面上的摩擦学性能(例如，摩擦、硬度、磨损等)是可取的。在一些情况下，晶片夹具可以设置在衬底台的表面上。晶片夹具可以是例如用于duv辐射系统中的真空夹具或用于euv辐射系统的静电夹具。衬底台或附接到其的晶片夹具具有由于光刻和量测工艺的精度要求而难以满足的表面水平公差。与其表面积的宽度(例如，>100.0毫米(mm)宽)相比相对较薄(例如，<1.0mm厚)的晶片(例如，半导体衬底)对衬底台的不均匀性特别敏感。此外，接触的超光滑表面可能会粘在一起，当衬底必须与衬底台分离时，这可能会带来问题。为了降低与晶片对接的表面的光滑度，衬底台或晶片夹具的表面可以包括通过对衬底进行图案化和蚀刻而形成的突节。然而，由于突节施加到晶片的力、静电夹持、回充气体压力、晶片刚度和重力的组合，晶片可能在位于突节之间的区域中下垂。

技术实现思路

1、本公开描述了用于制造静电夹具的系统、装置和方法的各个方面，该静电夹具具有经修改的电极层，用于增加晶片平坦度并且减少套刻误差和突节间晶片凹陷。

2、在一些方面，本公开描述了一种装置(例如，晶片夹具)。该装置可以包括介电层，该介电层包括被配置为支撑物体的多个突节。该装置还可以包括静电层，该静电层包括一个或多个电极。静电层可以被配置为响应于一个或多个电压施加到一个或多个电极而生成静电力以将物体静电夹持到多个突节。介电层的第一区域中静电力的第一大小可以不同于介电层的第二区域中静电力的第二大小。

3、在一些方面，静电层可以包括静电片，该静电片包括多个孔径，该多个孔径被配置为接纳多个突节，使得多个突节与静电片的多个孔径对齐。

4、在一些方面，该装置还可以包括另一介电层、包括介电层的第一玻璃衬底、以及包括静电层和另一介电层的第二玻璃衬底。在一些方面，静电层可以竖直设置在介电层与另一介电层之间。

5、在一些方面，介电层的第一区域可以与多个突节中的一个或多个突节水平相邻地设置。在一些方面，介电层的第二区域可以水平地设置在多个突节中的两个或更多个突节之间，但不与多个突节中的这两个或更多个突节水平相邻。

6、在一些方面，静电力可以包括静电夹持压力。在一些方面，介电层的第一区域中静电夹持压力的第一大小可以大于介电层的第二区域中静电夹持压力的第二大小。

7、在一些方面，静电层的一个或多个电极的第一部分可以设置在第一水平面中。在一些方面，静电层的一个或多个电极的第二部分可以设置在不同于第一水平面的第二水平面中。

8、在一些方面，介电层的第一区域的第一厚度可以大于介电层的第二区域的第二厚度。

9、在一些方面，静电层可以包括与介电层的第一区域竖直相邻设置的电极。在一些方面，静电层可以不包括与介电层的第二区域竖直相邻设置的电极。

10、在一些方面，本公开描述了一种用于制造装置(例如，晶片夹具)的方法。该方法可以包括形成介电层，该介电层包括用于支撑物体的多个突节。该方法还可以包括形成包括一个或多个电极的静电层。该方法还可以包括响应于一个或多个电压施加到一个或多个电极而使用静电层生成静电力以将物体静电夹持到多个突节。介电层的第一区域中静电力的第一大小可以不同于介电层的第二区域中静电力的第二大小。

11、在一些方面，静电层的形成可以包括形成静电片，该静电片包括多个孔径，该多个孔径接纳多个突节，使得多个突节与多个孔径对齐。在一些方面，该方法还可以包括将静电片安装到介电层。

12、在一些方面，介电层的形成可以包括在第一玻璃衬底上形成多个突节。在一些方面，静电层的形成可以包括在第二玻璃衬底上形成静电层。在一些方面，该方法还可以包括将静电层安装到介电层，使得静电层可以竖直设置在第一玻璃衬底与第二玻璃衬底之间。

13、在一些方面，该方法还可以包括将介电层的第一区域与多个突节中的一个或多个突节水平相邻设置。在一些方面，该方法还可以包括将介电层的第二区域水平地设置在多个突节中的两个或更多个突节之间，但不与多个突节中的这两个或更多个突节水平相邻。

14、在一些方面，静电力可以包括静电夹持压力。在一些方面，介电层的第一区域中静电夹持压力的第一大小可以大于介电层的第二区域中的静电夹持压力的第二大小。

15、在一些方面，静电层的形成可以包括在第一水平面中形成一个或多个电极的第一部分。在一些方面，静电层的形成可以包括在不同于第一水平面的第二水平面中形成一个或多个电极的第二部分。

16、在一些方面，介电层的形成可以包括将介电层的第一区域形成为第一厚度。在一些方面，介电层的形成还可以包括将介电层的第二区域形成为不同于第一厚度的第二厚度。

17、在一些方面，静电层的形成可以包括在与介电层的第一区域竖直相邻的第一区中形成第一电极。在一些方面，静电层的形成还可以包括通过激光辐射从与介电层的第二区域竖直相邻的第二区去除第二电极。

18、在一些方面，本公开描述了另一种用于制造装置的方法(例如，一种用于修改或翻新晶片夹具的方法)。该方法可以包括接纳晶片夹具。晶片夹具可以包括介电层，该介电层包括被配置为支撑物体的多个突节。晶片夹具还可以包括静电层，该静电层包括一个或多个电极。该方法还可以包括通过激光辐射去除静电层的一个或多个电极的一个或多个部分。静电层可以被配置为响应于一个或多个电压施加到一个或多个电极而生成静电力以将物体静电夹持到多个突节。介电层的第一区域中静电力的第一大小可以不同于介电层的第二区域中静电力的第二大小。

19、在一些方面，介电层的第一区域可以与多个突节中的一个或多个突节水平相邻设置。在一些方面，介电层的第二区域可以水平地设置在多个突节中的两个或更多个突节之间，但不与多个突节中的这两个或更多个突节水平相邻。

20、在一些方面，静电力可以包括静电夹持压力。在一些方面，介电层的第一区域中静电夹持压力的第一大小可以大于介电层的第二区域中的静电夹持压力的第二大小。

21、在一些方面，静电层的一个或多个电极的一个或多个部分的去除可以包括通过激光辐射从与介电层的第二区域竖直相邻的区去除电极。

22、下文将参考附图详细描述其他特征以及各个方面的结构和操作。应当注意，本公开不限于本文中描述的特定方面。本文中呈现的这些方面仅用于说明性目的。基于本文中包含的教导，附加方面对于相关领域的技术人员将是很清楚的。